Leaky wave antenna
લીકી-વેવ એન્ટેના (એલડબલ્યુએ) મુસાફરી તરંગ એન્ટેનાના વધુ સામાન્ય વર્ગ સાથે સંબંધિત છે, જે મુખ્ય વિકિરણ પદ્ધતિ તરીકે માર્ગદર્શક માળખા પર મુસાફરી તરંગનો ઉપયોગ કરે છે. ટ્રાવેલિંગ-વેવ એન્ટેના બે સામાન્ય વર્ગોમાં આવે છે, સ્લો-વેવ એન્ટેના અને ફાસ્ટ-વેવ એન્ટેના, જેને સામાન્ય રીતે લીકી-વેવ એન્ટેના તરીકે ઓળખવામાં આવે છે. પરિચય લીકી-વેવ એન્ટેના પર ફરતું તરંગ એ ઝડપી તરંગ છે, જેનો તબક્કો વેગ પ્રકાશની ગતિ કરતા વધારે હોય છે. આ પ્રકારનું તરંગ તેની લંબાઈ સાથે સતત ફેલાય છે, અને તેથી પ્રસાર તરંગ સંખ્યા kz જટિલ છે, જેમાં એક તબક્કો અને ક્ષીણતા અચળાંક બંનેનો સમાવેશ થાય છે. મનસ્વી ચોક્કસ ખૂણા પર ઉચ્ચ નિર્દેશક બીમ આ પ્રકારના એન્ટેના સાથે પ્રાપ્ત કરી શકાય છે, જેમાં નીચું સાઇડલૉબ સ્તર હોય છે. તરંગનો તબક્કો અચળાંક β બીમ કોણને નિયંત્રિત કરે છે (અને આ આવર્તનને બદલીને બદલાઇ શકે છે), જ્યારે ક્ષીણતા અચળાંક α બીમવિડ્થને નિયંત્રિત કરે છે. સાઇડલૉબના સ્તર અથવા બીમ આકારને નિયંત્રિત કરવા માટે છિદ્ર વિતરણ પણ સરળતાથી ઘટાડી શકાય છે. લીકી-વેવ એન્ટેનાને માર્ગદર્શક માળખાના પ્રકાર પર આધાર રાખીને બે મહત્વપૂર્ણ વર્ગો, એકસમાન અને સામયિકમાં વિભાજિત કરી શકાય છે. એકસમાન એલડબલ્યુએ એક સમાન માળખામાં ક્રોસ સેક્શન હોય છે જે માળખાની લંબાઈ સાથે એકસમાન (સતત) હોય છે, સામાન્ય રીતે વેવગાઇડના સ્વરૂપમાં જે આંશિક રીતે ખોલવામાં આવે છે જેથી કિરણોત્સર્ગ થાય. એકસમાન માળખા પર નિર્દેશિત તરંગ એક ઝડપી તરંગ છે, અને આમ તે જેમ પ્રસરે છે તેમ વિકસે છે. સામયિક એલડબલ્યુએ એક સામયિક લીકી વેવ એન્ટેના માળખું છે જેમાં એક સમાન માળખું હોય છે જે ધીમા (બિન-વિકિરણશીલ) તરંગને ટેકો આપે છે જે સમયાંતરે અમુક રીતે મોડ્યુલેટ કરવામાં આવે છે. ધીમી તરંગ વિસંગતતા પર ફેલાય છે, તેથી સામયિક ફેરફાર (વિસંગતતા) માળખાની લંબાઈ સાથે તરંગને સતત ફેલાવવાનું કારણ બને છે. વધુ વ્યવહારદક્ષ દ્રષ્ટિકોણથી, સામયિક મોડ્યુલેશન એક માર્ગદર્શિત તરંગ બનાવે છે જેમાં અનંત સંખ્યામાં સ્પેસ હાર્મોનિક્સ (ફ્લોક્વેટ મોડ્સ) નો સમાવેશ થાય છે. મુખ્ય (n = 0) અવકાશ હાર્મોનિક એ ધીમું તરંગ હોવા છતાં, અવકાશ હાર્મોનિક્સમાંથી એક (સામાન્ય રીતે n = −1) ઝડપી તરંગ તરીકે રચાયેલ છે, અને આ હાર્મોનિક તરંગ એ વિકિરિત તરંગ છે. એકસમાન લીકી-વેવ એન્ટેનાનું એક લાક્ષણિક ઉદાહરણ સમાંતર સ્લોટ સાથે હવાથી ભરેલું લંબચોરસ વેવગાઇડ છે. આ સરળ માળખું તમામ સમાન લીકી-વેવ એન્ટેના માટે સામાન્ય મૂળભૂત ગુણધર્મોને સમજાવે છે. મૂળભૂત ટીઇ10 વેવગાઇડ સ્થિતિ એ ઝડપી તરંગ છે, જ્યાં કે0 એ વેક્યૂમ વેવ નંબર છે. કિરણોત્સર્ગ ખુલ્લા વેવગાઇડ માળખામાં પ્રોપેગેટિંગ મોડની તરંગ સંખ્યા kz ને જટિલ બનાવે છે. સ્થિર-તબક્કાના સિદ્ધાંતના ઉપયોગના માધ્યમથી, તે હકીકતમાં શોધી શકાય છે કેઃ જ્યાં θm એ બ્રોડસાઇડ (x દિશા) માંથી લેવામાં આવેલ મહત્તમ કિરણોત્સર્ગનો કોણ છે, અને λ0 એ પ્રકાશ વેગ અને શૂન્યાવકાશમાં તરંગલંબાઇ છે, અને λg એ માર્ગદર્શક તરંગલંબાઇ છે. એકસમાન એલડબલ્યુએ માટે લાક્ષણિક છે તેમ, બીમ બ્રોડસાઇડ (θm = 0) ની ખૂબ નજીક સ્કેન કરી શકાતી નથી, કારણ કે આ વેવગાઇડની કટઓફ આવર્તનને અનુરૂપ છે. વધુમાં, બીમને એન્ડફાયર (θm = 90°, z દિશા) ની ખૂબ નજીક સ્કેન કરી શકાતી નથી કારણ કે આ માટે કટઓફની નોંધપાત્ર રીતે ઉપરની આવર્તન પર કામગીરીની જરૂર પડે છે, જ્યાં ઉચ્ચ ક્રમની સ્થિતિઓ પ્રચાર કરી શકે છે, ઓછામાં ઓછા હવાથી ભરેલા વેવગાઇડ માટે. હકારાત્મક ઝેડ દિશામાં મુસાફરી કરતા તરંગ માટે સ્કેનીંગ માત્ર આગળના ચતુર્થાંશ (0 <θm <Π/2) સુધી મર્યાદિત છે. આ એક-પરિમાણીય (1D) લીકી-વેવ ઍપર્ચર વિતરણ "ફેનબીમ" માં પરિણમે છે જે xz પ્લેન (H પ્લેન) માં સાંકડો આકાર ધરાવે છે, અને ક્રોસ-પ્લેનમાં વ્યાપક આકાર ધરાવે છે. આવા 1D રેડિએટર્સનો ઉપયોગ કરીને "પેન્સિલ બીમ" બનાવી શકાય છે. ધીમા-તરંગ માળખાથી વિપરીત, α નું પૂરતું નાનું મૂલ્ય પસંદ કરીને કોઈપણ ખૂણા પર ખૂબ જ સાંકડી બીમ બનાવી શકાય છે. બીમ પહોળાઈ માટેનું એક સરળ સૂત્ર, અર્ધ-શક્તિ બિંદુઓ () વચ્ચે માપવામાં આવે છે, તે છેઃ જ્યાં L એ લીકી-વેવ એન્ટેનાની લંબાઈ છે, અને Δθ રેડિયનમાં વ્યક્ત થાય છે. વિકિરિત 90 ટકા શક્તિ માટે તે ધારી શકાય છેઃ કારણ કે લિકેજ વેવગાઇડિંગ માળખામાં સ્લિટની લંબાઈ પર થાય છે, સમગ્ર લંબાઈ એન્ટેનાના અસરકારક છિદ્રની રચના કરે છે સિવાય કે લિકેજ દર એટલો મોટો હોય કે સ્લિટના અંત સુધી પહોંચતા પહેલા પાવર અસરકારક રીતે લીક થઈ જાય. મોટા ક્ષીણતા અચળાંક ટૂંકા અસરકારક છિદ્ર સૂચવે છે, જેથી વિકિરિત બીમ મોટી બીમવિડ્થ ધરાવે છે. તેનાથી વિપરીત, α ની નીચી કિંમત લાંબા અસરકારક છિદ્ર અને સાંકડી બીમમાં પરિણમે છે, જો કે ભૌતિક છિદ્ર પૂરતું લાંબું હોય. લંબાઈ સાથે શક્તિ સતત વિકિરિત થતી હોવાથી, સખત-સમાન ભૂમિતિ સાથે લીકી-વેવ એન્ટેનાનું છિદ્ર ક્ષેત્ર ઘાતાંકીય ક્ષય (સામાન્ય રીતે ધીમું) ધરાવે છે, જેથી બાજુની બાજુની વર્તણૂક નબળી હોય છે. સાઇડલોબ્સની હાજરી અનિવાર્યપણે એટલા માટે છે કારણ કે માળખું z સાથે મર્યાદિત છે. જ્યારે આપણે અમુક બિંદુ z પર α ની કિંમતમાં ફેરફાર કરવા માટે માર્ગદર્શક માળખાની ક્રોસ-વિભાગીય ભૂમિતિને બદલીએ છીએ, તેમ છતાં, સંભવ છે કે તે બિંદુએ β ની કિંમતમાં પણ થોડો ફેરફાર કરવામાં આવે. જો કે, β ને બદલવું ન જોઈએ, તેથી β ના મૂલ્યને પુનઃસ્થાપિત કરવા માટે ભૂમિતિમાં વધુ ફેરફાર કરવો આવશ્યક છે, જેથી α પણ કંઈક અંશે બદલાય છે. વ્યવહારમાં, આ મુશ્કેલી માટે બે પગલાંની પ્રક્રિયાની જરૂર પડી શકે છે. પછી β અચળાંક (એટલે કે મહત્તમ કિરણોત્સર્ગનો કોણ) જાળવી રાખીને ચોક્કસ રીતે લંબાઈ સાથે ધીમે ધીમે α ના મૂલ્યમાં ફેરફાર કરવાની પ્રથા છે, જેથી ઇચ્છિત સાઇડલોબ પ્રદર્શન મેળવવા માટે છિદ્ર વિતરણ A (z) ના કંપનવિસ્તારને સમાયોજિત કરી શકાય. આપણે એકસમાન લીકી-વેવ એન્ટેનાને હવાથી ભરેલા અને આંશિક રીતે ડાઇલેક્ટ્રિકથી ભરેલા વિભાજિત કરી શકીએ છીએ. પ્રથમ કિસ્સામાં, ત્રાંસા તરંગ નંબર kt તે પછી આવર્તન સાથે અચળાંક હોવાથી, કિરણોત્સર્ગની બીમવિડ્થ બરાબર અચળ રહે છે કારણ કે બીમ આવર્તનને બદલીને સ્કેન કરવામાં આવે છે. હકીકતમાં, ત્યારથીઃ જ્યાંઃ આવર્તનથી સ્વતંત્ર (λc એ કટઓફ તરંગલંબાઇ છે). તેનાથી વિપરીત, જ્યારે માર્ગદર્શક માળખું આંશિક રીતે ડાઇલેક્ટ્રિકથી ભરેલું હોય છે, ત્યારે ત્રાંસા તરંગ સંખ્યા kt એ આવર્તનનું કાર્ય છે, જેથી જેમ જેમ બીમ આવર્તન સ્કેન કરે છે તેમ તેમ તે બદલાય છે. બીજી બાજુ, આવર્તન સંવેદનશીલતાના સંદર્ભમાં, એટલે કે, બીમ એંગલ કેટલી ઝડપથી સ્કેન કરે છે કારણ કે આવર્તન વૈવિધ્યસભર છે, આંશિક રીતે ડાઇલેક્ટ્રિક-લોડેડ માળખું સમાન આવર્તન ભિન્નતા માટે ખૂણાઓની મોટી શ્રેણી પર સ્કેન કરી શકે છે, કારણ કે તે આકૃતિમાં સ્પષ્ટ છે. 2, અને તેથી પસંદ કરવામાં આવે છે. નોન-રેડિયેટિવ ડાઇલેક્ટ્રિક વેવગાઇડ (એન. આર. ડી.) મિલીમીટર તરંગલંબાઇ પરની જરૂરિયાતોને ધ્યાનમાં રાખીને, નવા એન્ટેના સામાન્ય રીતે લોઅર-લોસ ઓપન વેવગાઇડ પર આધારિત હતા. કિરણોત્સર્ગ મેળવવાની એક સંભવિત પદ્ધતિ એ છે કે એક બાજુને ટૂંકી કરવી. ઉદાહરણ તરીકે નોન-રેડિએટિવ ડાઇલેક્ટ્રિક વેવગાઇડ (એન. આર. ડી.) નો વિચાર કરો. ધાતુની પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર λ0/2 કરતા ઓછું હોય છે જેથી સમપ્રમાણતા જાળવતા તમામ જંકશન અને વિસંગતતાઓ (વળાંક પણ) કિરણોત્સર્ગી સામગ્રીને બદલે સંપૂર્ણપણે પ્રતિક્રિયાશીલ બની જાય છે. જ્યારે એન. આર. ડી. માર્ગદર્શિકામાં ઊભી ધાતુની પ્લેટ પૂરતી લાંબી હોય છે, ત્યારે પ્રબળ-સ્થિતિ ક્ષેત્ર સંપૂર્ણપણે બંધાયેલું હોય છે, કારણ કે તે ઉપલા અને નીચલા ખુલ્લા છેડા સુધી પહોંચતા તે નજીવા મૂલ્યોમાં ક્ષીણ થઈ ગયું છે. જો આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ પ્લેટોનો ઉપરનો ભાગ ટૂંકો કરવામાં આવે. 3, મર્યાદિત કંપનવિસ્તારનું મુસાફરી-તરંગ ક્ષેત્ર પછી ઉપલા ખુલ્લા છેડે અસ્તિત્વ ધરાવે છે, અને જો પ્રબળ એન. આર. ડી. માર્ગદર્શિકા સ્થિતિ ઝડપી હોય (તે આવર્તનના આધારે ઝડપી અથવા ધીમી હોઈ શકે છે), તો શક્તિ આ ખુલ્લા છેડેથી એક ખૂણા પર વિકિરિત થશે. અન્ય સંભવિત પદ્ધતિ અસમપ્રમાણતા છે. અસમપ્રમાણતાવાળા એન. આર. ડી.-માર્ગદર્શિકા એન્ટેનાને આકૃતિમાં દર્શાવવામાં આવ્યું છે. 4, માળખાને પહેલા ધાતુની દિવાલ સાથે આડી રીતે વિભાજિત કરવામાં આવે છે, જેથી માત્ર એક છેડેથી કિરણોત્સર્ગ પ્રદાન કરી શકાય; કારણ કે આ મધ્ય સમતલ પર વિદ્યુત ક્ષેત્ર સંપૂર્ણપણે ઊભી હોય છે, તેથી દ્વિભાજન દ્વારા ક્ષેત્રની રચનામાં ફેરફાર થતો નથી. અસમપ્રમાણતા પેદા કરવા માટે ડાઇલેક્ટ્રિક પ્રદેશમાં હવાના અંતરને દાખલ કરવામાં આવે છે. પરિણામે, ચોખ્ખું આડી વિદ્યુત ક્ષેત્ર બને છે, જે સમાંતર-પ્લેટ હવાના પ્રદેશમાં એક સ્થિતિ ઉત્પન્ન કરે છે, જે એક TEM સ્થિતિ છે, જે સમાંતર પ્લેટ વચ્ચેના ખૂણા પર ત્યાં સુધી પ્રસરે છે જ્યાં સુધી તે ખુલ્લા છેડા સુધી પહોંચે નહીં અને લીક ન થાય. હવાના પ્રદેશમાં સમાંતર પ્લેટને પૂરતા લાંબા સમય સુધી જાળવવી જરૂરી છે જેથી મૂળ મોડના ઊભી વિદ્યુત-ક્ષેત્ર ઘટક (નીચે-કટઓફ TM1 મોડ દ્વારા સમાંતર-પ્લેટ માર્ગદર્શિકામાં રજૂ કરાયેલ) ખુલ્લા છેડે નજીવા મૂલ્યોમાં ક્ષીણ થઈ ગયા હોય. પછી TEM સ્થિતિ, તેના આડી વિદ્યુત ક્ષેત્ર સાથે, એન્ટેના છિદ્ર પર એકમાત્ર ક્ષેત્ર બાકી રહે છે, અને ક્ષેત્રનું ધ્રુવીકરણ પછી અનિવાર્યપણે શુદ્ધ હોય છે (ખુલ્લા છેડે વિસંગતતા કોઈપણ ક્રોસ-ધ્રુવીકૃત ક્ષેત્ર ઘટકો રજૂ કરતી નથી). ગ્રુવ માર્ગદર્શિકા ગ્રુવ માર્ગદર્શિકા (આકૃતિમાં બતાવેલ છે. 5) એ મિલીમીટર તરંગો માટે ઓછી-ખોટ ધરાવતું ઓપન વેવગાઇડ છે, જે કંઈક અંશે એન. આર. ડી. માર્ગદર્શિકા જેવું જ છેઃ ડાઇલેક્ટ્રિક કેન્દ્રીય ક્ષેત્રને મોટી પહોળાઈ (λ0/2 કરતા વધારે) ના હવાના પ્રદેશ દ્વારા બદલવામાં આવે છે. ઉપર અને નીચે સાંકડી પહોળાઈના પ્રદેશોમાં આ ક્ષેત્ર ફરીથી ઝડપથી ક્ષીણ થાય છે. લીકી-વેવ એન્ટેના પહેલા ખાંચ માર્ગદર્શિકાને આડી રીતે દ્વિભાજિત કરીને બનાવવામાં આવે છે. તે સ્ટબ-લોડેડ લંબચોરસ વેવગાઇડ જેવું પણ લાગે છે. જ્યારે સ્ટબ ઓફ-સેન્ટર્ડ હોય છે, ત્યારે મેળવેલ અસમપ્રમાણ માળખું વિકિરિત થશે. જ્યારે ઓફસેટ વધારવામાં આવે છે, ત્યારે એટેન્યુએશન કોન્સ્ટન્ટ α વધશે અને બીમવિડ્થ પણ વધશે. જ્યારે સ્ટબને એક છેડા સુધી મૂકવામાં આવે છે, ત્યારે પરિણામ એ એલ-આકારનું માળખું છે જે ખૂબ જ મજબૂત રીતે ફેલાય છે. વધુમાં, એવું જોવા મળે છે કે જેમ જેમ સ્ટબ ખસેડવામાં આવે છે તેમ તેમ β નું મૂલ્ય ખૂબ ઓછું બદલાય છે, અને α ખૂબ મોટી શ્રેણીમાં બદલાય છે. આ સુવિધા સાઇડલોબ્સને નિયંત્રિત કરવા માટે એન્ટેનાના છિદ્રને ઘટાડવાની મંજૂરી આપે છે. હકીકત એ છે કે એલ-આકારનું માળખું મજબૂત રીતે લીક થાય છે તે અન્ય લિકેજ મિકેનિઝમ સાથે પણ સંબંધિત હોઈ શકે છેઃ લીકી ઉચ્ચ સ્થિતિઓનો ઉપયોગ. ખાસ કરીને, એવું જોવા મળે છે કે તમામ ગ્રુવ-ગાઇડ હાયર મોડ્સ લીકી છે. ઉદાહરણ તરીકે, પ્રથમ ઉચ્ચ એન્ટીસિમેટ્રિક સ્થિતિને ધ્યાનમાં લો. માળખાની સમપ્રમાણતા અને વિદ્યુતક્ષેત્ર રેખાઓની દિશાઓને કારણે, આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ, L-આકાર મેળવવા માટે માળખાને બે વાર વિભાજિત કરી શકાય છે. 6. ટી-જંક્શન નેટવર્ક પર આધારિત ત્રાંસા સમકક્ષ નેટવર્કનો ઉપયોગ કરીને એન્ટેનાનું વિશ્લેષણ કરી શકાય છે. નેટવર્ક ઘટકો માટેની અભિવ્યક્તિઓ સરળ બંધ સ્વરૂપોમાં મેળવી શકાય છે અને તેમ છતાં તે ખૂબ જ સચોટ છે. પરિણામી સર્કિટ આકૃતિમાં દર્શાવવામાં આવી છે. 7. સામાન્ય રીતે, જો સ્ટબ સાંકડી હોય તો સ્ટબની લંબાઈ લગભગ અડધી તરંગલંબાઇ અથવા ઓછી હોવી જરૂરી છે. પ્રિન્ટેડ-સર્કિટ તકનીકોની સંભાવનાનો લાભ લેવા માટે, અગાઉના માળખાનું પ્રિન્ટેડ-સર્કિટ સંસ્કરણ વિકસાવવામાં આવ્યું છે. આ રીતે ફેબ્રિકેશન પ્રક્રિયા ફોટોલિથોગ્રાફીનો ઉપયોગ કરી શકે છે, અને સાઇડલોબ નિયંત્રણ માટેની ટેપર ડિઝાઇનને ફેબ્રિકેશનમાં આપમેળે નિયંત્રિત કરી શકાય છે. આ માળખું આકૃતિની અંદરના ભાગમાં દર્શાવવામાં આવ્યું છે. 8. આ નવા એન્ટેના માળખા માટે ત્રાંસા સમકક્ષ નેટવર્ક અગાઉની સરખામણીમાં થોડું વધુ જટિલ છે, અને અસ્તરવિદ્યુત માધ્યમને ધ્યાનમાં લેવા માટે નેટવર્ક ઘટકો માટેના અભિવ્યક્તિઓમાં યોગ્ય રીતે ફેરફાર કરવો આવશ્યક છે. વધુમાં, ટ્રાન્સફોર્મરની ઉપર, વધારાની સંવેદનશીલતા દેખાય છે. સ્ટબ અને મુખ્ય માર્ગદર્શિકાઓ હવે સમાન નથી, તેથી તેમની તરંગો અને લાક્ષણિકતાઓના પ્રવેશ પણ અલગ છે. ફરીથી, α ને સ્લોટ સ્થાન d બદલીને બદલી શકાય છે, કારણ કે તે Fig.8 માં સ્પષ્ટ છે. જો કે, એવું જાણવા મળ્યું હતું કે આ હેતુ માટે બદલવા માટે 'એ' પણ એક સારું પરિમાણ છે, જે Fig.9 માં બતાવ્યા પ્રમાણે છે. સ્ટેપ્ડ ગાઇડ (રિજ) અગાઉના માળખાઓની એક રસપ્રદ વિવિધતા વિકસાવવામાં આવી છે અને તેનું વિશ્લેષણ કરવામાં આવ્યું છે. તે લંબચોરસ વેવગાઇડને બદલે રિજ અથવા સ્ટેપ્ડ વેવગાઇડ પર આધારિત છે. લંબચોરસ વેવગાઇડ પર આધારિત માળખામાં, અસમપ્રમાણતા સ્ટબ માર્ગદર્શિકાને મૂકીને અથવા ઉપરની સપાટી પર ઓફ-સેન્ટર, રેખાંશ સ્લોટને સ્થિત કરીને પ્રાપ્ત કરવામાં આવી હતી. અહીં ટોચની સપાટી સમપ્રમાણતાવાળી છે, અને આકૃતિમાં બતાવ્યા પ્રમાણે, મુખ્ય માર્ગદર્શિકા ભાગ હેઠળ દરેક બાજુએ અસમાન લંબાઈ રાખીને અસમપ્રમાણતા બનાવવામાં આવે છે. 10. નેટવર્ક ઘટકો માટે સંકળાયેલ અભિવ્યક્તિઓ સાથે ત્રાંસા સમકક્ષ નેટવર્કને આ નવી રચનાઓને લાગુ કરવા માટે અનુકૂળ અને વિસ્તૃત કરવામાં આવ્યા હતા. સમકક્ષ સર્કિટ આકૃતિમાં દર્શાવવામાં આવી છે. 11. એન્ટેનાના વર્તનનું વિશ્લેષણ સૂચવે છે કે આ ભૂમિતિ અસરકારક રીતે મહત્તમ કિરણોત્સર્ગ θm અને બીમવિડ્થ Δθ ના ખૂણા પર સ્વતંત્ર નિયંત્રણની મંજૂરી આપે છે. ચાલો આપણે બે ભૌમિતિક પરિમાણોને વ્યાખ્યાયિત કરીએઃ સાપેક્ષ સરેરાશ હાથની લંબાઈ bm/a જ્યાં bm = (bl + br)/2, અને સંબંધિત અસંતુલન αb/bm જ્યાં αb = (bl + br)/2. આકૃતિ 10: પગલું માર્ગદર્શિકા. તે પછી તે તારણ આપે છે કે bm/a ને બદલીને α/k0 ને વધુ બદલ્યા વિના β/k0 ની કિંમતને સમાયોજિત કરી શકાય છે, અને તે કે αb/bm ને બદલીને β/k0 ને વધુ અસર કર્યા વિના મોટી શ્રેણીમાં α/k0 ને બદલી શકાય છે. તેથી સાઇડલૉબના સ્તરને નિયંત્રિત કરવા માટે ટેપર ડિઝાઇનમાં માત્ર સંબંધિત અસંતુલન Δb/bm સામેલ હશે. તરંગ માર્ગદર્શિકાની ઊંચાઈમાં બે વધારાના ફેરફારોની હાજરી દ્વારા ત્રાંસા સમકક્ષ નેટવર્ક થોડું જટિલ છે, જેને શન્ટ સસેપ્ટન્સ અને આદર્શ ટ્રાન્સફોર્મર્સના માધ્યમથી તૈયાર કરી શકાય છે. આદર્શ ટ્રાન્સફોર્મર લાક્ષણિકતા અવરોધમાં ફેરફાર માટે જવાબદાર છે, જ્યારે પ્રતિક્રિયાશીલ ઊર્જાનો સંગ્રહ સંવેદનશીલતા દ્વારા ધ્યાનમાં લેવામાં આવે છે. સ્કેનીંગ એરે લીકી-વેવ લાઇન-સોર્સ એન્ટેનાની એક-પરિમાણીય તબક્કાવાર એરે બનાવીને બે પરિમાણોમાં સ્કેનીંગ પ્રાપ્ત કરે છે. વ્યક્તિગત રેખા સ્ત્રોતોને આવર્તનમાં ફેરફાર કરીને ઊંચાઈમાં સ્કેન કરવામાં આવે છે. ક્રોસ પ્લેનમાં સ્કેનિંગ, અને તેથી અઝીમુથમાં, લાઇન સ્રોતોના એક-પરિમાણીય એરેના ફીડ માળખામાં ગોઠવાયેલા ફેઝ શિફ્ટર્સ દ્વારા ઉત્પન્ન થાય છે. તેથી કિરણોત્સર્ગ પેન્સિલ-બીમ સ્વરૂપમાં થશે અને કોનિકલ-સ્કેન રીતે એલિવેશન અને એઝીમુથ બંનેમાં સ્કેન કરશે. રેખા સ્ત્રોતો વચ્ચેનું અંતર એવી રીતે પસંદ કરવામાં આવે છે કે કોઈ ગ્રેટિંગ લોબ્સ ન થાય, અને સચોટ વિશ્લેષણ દર્શાવે છે કે કોઈ અંધ ફોલ્લીઓ ક્યાંય દેખાતા નથી. વર્ણવેલ શ્રેણીઓનું એકમ-કોષ અભિગમ દ્વારા સચોટ રીતે વિશ્લેષણ કરવામાં આવ્યું છે જે તમામ પરસ્પર-જોડાણ અસરોને ધ્યાનમાં લે છે. દરેક એકમ કોષ એક વ્યક્તિગત લાઇન-સોર્સ એન્ટેનાનો સમાવેશ કરે છે, પરંતુ અન્ય તમામની હાજરીમાં. એકમ કોષ પર વિકિરિત સમાપ્તિ ત્રાંસા સમકક્ષ નેટવર્કમાં ફેરફાર કરે છે. એરે વિશ્લેષણનું મુખ્ય નવું લક્ષણ એ છે કે સ્કેન એંગલના કાર્ય તરીકે દ્વિ-પરિમાણીય વાતાવરણમાં એકમ કોષના સક્રિય પ્રવેશનું નિર્ધારણ છે. જો β અને α ની કિંમતો ફેઝ શિફ્ટ સાથે બદલાતી ન હોય, તો સ્કેન બરાબર શંકુ આકારનું હશે. જો કે, એવું જાણવા મળ્યું છે કે આ મૂલ્યો માત્ર થોડો જ બદલાય છે, જેથી શંકુ સ્કેનમાંથી વિચલન ઓછું હોય છે. અમે આગળ ધ્યાનમાં લઈએ છીએ કે અંધ ફોલ્લીઓ હાજર છે કે નહીં. બ્લાઇન્ડ સ્પોટ્સ એ ખૂણાઓનો સંદર્ભ આપે છે કે જેના પર એરે વિકિરણ કરી શકતો નથી અથવા કોઈ શક્તિ પ્રાપ્ત કરી શકતો નથી; જો કોઈ બ્લાઇન્ડ સ્પોટ કોઈ ખૂણા પર થાય છે, તેથી, તે સ્કેન ખૂણા પર α નું મૂલ્ય ઝડપથી શૂન્ય પર જશે. અંધ ફોલ્લીઓ તપાસવા માટે, અમે પછી સ્કેન એંગલના કાર્ય તરીકે α/k0 ના વળાંકમાં કોઈપણ તીવ્ર ઘટાડાને જોઈશું. આવી કોઈ ડૂબકી ક્યારેય મળી ન હતી. આ પ્રકારની લાક્ષણિક માહિતી α/k0 માટે એકદમ સપાટ વર્તણૂક દર્શાવે છે જ્યાં સુધી વળાંક ઝડપથી શૂન્ય પર ન આવે ત્યાં સુધી તેઓ શંકુ આકારની-સ્કેન શ્રેણીના અંત સુધી પહોંચે છે, જ્યાં બીમ જમીન પર અથડાય છે. સંદર્ભો સી. એચ. વોલ્ટર, ટ્રાવેલિંગ વેવ એન્ટેનાઝ, મેકગ્રો-હિલ, 1965, ડોવર, 1970, પેનિનસુલા પબ્લિશિંગ, લોસ અલ્ટોસ, કેલિફોર્નિયા, 1990 દ્વારા પુનઃમુદ્રિત. એન. માર્કુવિટ્ઝ, વેવગાઇડ હેન્ડબુક, મેકગ્રો-હિલ, 1951, પીટર પેરેગ્રીનસ લિમિટેડ, લંડન, 1986 દ્વારા પુનઃમુદ્રિત. વી. વી. શેવચેન્કો, ઓપન વેવગાઇડ્સમાં સતત સંક્રમણોઃ થિયરીનો પરિચય, રશિયન એડિશન, મોસ્કો, 1969, ધ ગોલેમ પ્રેસ, બોલ્ડર, કોલોરાડો 1971. ટી. રોઝી અને એમ. મોંગિયાર્ડો, ઓપન ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક વેવગાઇડ્સ, ધ ઇન્સ્ટિટ્યુશન ઓફ ઇલેક્ટ્રિકલ એન્જિનિયર્સ (IEE), લંડન, 1997. એમ. જે. અબ્લોવિટ્ઝ અને એ. એસ. ફોકાસ, કોમ્પ્લેક્સ વેરિયેબલ્સઃ ઇન્ટ્રોડક્શન એન્ડ એપ્લિકેશન્સ, સેકન્ડ એડિશન, કેમ્બ્રિજ યુનિવર્સિટી પ્રેસ, 2003. એ. એ. ઓલાઈનર (મુખ્ય તપાસકર્તા), સ્કેનેબલ મિલીમીટર વેવ એરે, આરએડીસી કરાર નં. F 19628-84-K-0025, પોલિટેકનિક યુનિવર્સિટી, ન્યૂયોર્ક, 1988. એ. એ. ઓલિનર, રેડિયેટિંગ પિરીયોડિક સ્ટ્રક્ચર્સઃ એનાલિસિસ ઇન ટર્મ્સ ઓફ કે વિ. β ડાયાગ્રામ, શોર્ટ કોર્સ ઓન માઇક્રોવેવ ફિલ્ડ એન્ડ નેટવર્ક ટેક્નીક્સ, પોલિટેકનિક ઇન્સ્ટિટ્યૂટ ઓફ બ્રુકલિન, ન્યૂયોર્ક, 1963. એ. એ. ઓલિનર (મુખ્ય તપાસકર્તા), મિલિમીટર તરંગો માટે લમ્પ્ડ-એલિમેન્ટ અને લીકી-વેવ એન્ટેના, આરએડીસી કરાર નં. F 19628-81-K-0044, પોલિટેકનિક ઇન્સ્ટિટ્યૂટ ઓફ ન્યૂ યોર્ક, 1984. એફ. જે. ઝુકર, "સરફેસ એન્ડ લીકી-વેવ એન્ટેના", એન્ટેના એન્જિનિયરિંગ હેન્ડબુકનું પ્રકરણ 16, એચ. જે. જાસિક, સંપાદક, મેકગ્રો-હિલ, ન્યૂયોર્ક, 1961. એ. એ. ઓલીનર અને ટી. તામિર, "માર્ગદર્શિત જટિલ તરંગ, ભાગ I: એક ઈન્ટરફેસ પર ક્ષેત્ર", પ્રોસી. IEE, વોલ્યુમ. 110, પીપી. 310-324, ફેબ્રુઆરી 1963. એ. એ. ઓલીનર અને ટી. તામિર, "માર્ગદર્શિત જટિલ તરંગ, ભાગ II: કિરણોત્સર્ગ પેટર્ન સાથે સંબંધ", પ્રોસી. IEE, વોલ્યુમ. 110, પીપી. 325-334, ફેબ્રુઆરી 1963. એ. એ. ઓલીનર, \લીકી-વેવ એન્ટેના ", એન્ટેના એન્જિનિયરિંગ હેન્ડબુકમાં પ્રકરણ 10, આર. સી. જ્હોનસન, સંપાદક, ત્રીજી આવૃત્તિ, મેકગ્રો-હિલ, ન્યૂ યોર્ક, 1993,59 પૃષ્ઠો. એ. હેસલ, "ટ્રાવેલિંગ-વેવ એન્ટેનાની સામાન્ય લાક્ષણિકતાઓ", એન્ટેના થિયરીમાં પ્રકરણ 19, આર. ઇ. કોલિન અને એફ. જે. ઝુકર, સંપાદકો, મેકગ્રો-હિલ, ન્યૂયોર્ક, 1969, પીપી. 151-257. એફ. જે. ઝુકર, "સરફેસ-વેવ એન્ટેના", એન્ટેના થિયરીમાં પ્રકરણ 21, આર. ઇ. કોલિન અને એફ. જે. ઝુકર, સંપાદકો, મેકગ્રો-હિલ, ન્યૂ યોર્ક, 1969, પૃષ્ઠો. 298-348. એફ. શ્વેરિંગ અને એસ. ટી. પેંગ, મિલિમીટર-વેવ એપ્લિકેશન્સ માટે સમયાંતરે લહેરિયું ડાઇલેક્ટ્રિક એન્ટેનાની ડિઝાઇન, બ્રુકલિનની પોલિટેકનિક ઇન્સ્ટિટ્યૂટ, ન્યૂ યોર્ક, 1983,22 પૃષ્ઠો. એસ. ટી. પેંગ અને એ. એ. ઓલીનર, "ઓપન ડાઇલેક્ટ્રિક વેવગાઇડ્સના વર્ગના માર્ગદર્શન અને લિકેજના ગુણધર્મોઃ ભાગ I-મેથેમેટિકલ ફોર્મ્યુલેશન", IEEE ટ્રાન્ઝેક્શન્સ ઓન માઇક્રોવેવ થિયરી એન્ડ ટેક્નીક્સ, વોલ્યુમ. એમ. ટી. ટી.-29, સપ્ટેમ્બર 1981, પીપી. 843-855. એ. એ. ઓલીનર, એસ. ટી. પેંગ, ટી. આઈ. હ્સુ, અને એ. સાંચેઝ, ઓપન ડાઇલેક્ટ્રિક વેવગાઇડના વર્ગના માર્ગદર્શન અને લિકેજના ગુણધર્મોઃ ભાગ II-નવી ભૌતિક અસરો, "આઈ. ઈ. ઈ. ઈ. ટ્રાન્ઝેક્શન્સ ઓન માઇક્રોવેવ થિયરી એન્ડ ટેક્નીક્સ, વોલ્યુમ. એમ. ટી. ટી.-29, સપ્ટેમ્બર 1981, પૃષ્ઠ. 855-869. એ. એ. ઓલીનર અને આર. જી. માલેક, "મ્યુચ્યુઅલ કપલિંગ ઇન ઇન્ફાઈનાઈટ સ્કેનીંગ એરે", માઇક્રોવેવ સ્કેનીંગ એન્ટેનામાં પ્રકરણ 3, વોલ્યુમ. II, આર. સી. હેન્સેન, સંપાદક, એકેડેમિક, ન્યૂયોર્ક, 1966. એફ. મોન્ટિકોન, અને એ. અલૂ, "લીકી-વેવ થિયરી, ટેકનિક્સ એન્ડ એપ્લિકેશન્સઃ ફ્રોમ માઇક્રોવેવ્સ ટુ વિઝિબલ ફ્રિક્વન્સીઝ", પ્રોસિડિંગ્સ ઓફ IEEE, વોલ્યુમ. 103, નં. 5, પીપી. 793-821, મે 26,2015. ડોઈઃ 10.1109/JPROC.2015.2399419 એમ. પોવેડા-ગાર્સિયા, જે. ઓલિવા-સાન્ચેઝ, આર. સાંચેઝ-ઇબોરા, ડી. કેનેટે-રેબેનેક, જે. એલ. ગોમેઝ-ટોર્નેરો, "ડાયનેમિક વાયરલેસ પાવર ટ્રાન્સફર ફોર કોસ્ટ-ઇફેક્ટિવ વાયરલેસ સેન્સર નેટવર્ક્સ યુઝિંગ ફ્રિક્વન્સી-સ્કેન બીમિંગ". IEEE એક્સેસ, 7,8081-8094. ડોઈઃ 10.1109/ACCESS.2018.2886448 એન્ટેના (રેડિયો)