45 nm process
સેમિકન્ડક્ટર્સ માટે ઇન્ટરનેશનલ ટેક્નોલોજી રોડમેપ મુજબ, 45 એનએમ પ્રક્રિયા એ એમ. ઓ. એસ. એફ. ઇ. ટી. ટેકનોલોજી નોડ છે જે <આઇ. ડી. 1> સમયમર્યાદાની આસપાસ ઉત્પાદિત મેમરી સેલની સરેરાશ અર્ધ-પિચને દર્શાવે છે. માત્સુશિતા અને ઇન્ટેલે 2007ના અંતમાં 45 એનએમ ચિપનું મોટા પાયે ઉત્પાદન શરૂ કર્યું હતું અને એએમડીએ 2008ના અંતમાં 45 એનએમ ચિપનું ઉત્પાદન શરૂ કર્યું હતું, જ્યારે આઇબીએમ, ઇન્ફિનિયન, સેમસંગ અને ચાર્ટર્ડ સેમિકન્ડક્ટરે પહેલેથી જ એક સામાન્ય 45 એનએમ પ્રોસેસ પ્લેટફોર્મ પૂર્ણ કર્યું છે. 2008 ના અંતમાં, એસએમઆઇસી 45 એનએમ તરફ આગળ વધવા માટે પ્રથમ ચીન સ્થિત સેમિકન્ડક્ટર કંપની હતી, જેણે આઇબીએમ પાસેથી બલ્ક 45 એનએમ પ્રક્રિયાને લાઇસન્સ આપ્યું હતું. 2008માં, ટી. એસ. એમ. સી. 40એન. એમ. પ્રક્રિયા તરફ આગળ વધ્યું. ઘણા નિર્ણાયક લક્ષણ કદ લિથોગ્રાફી (એટલે કે, 193 એનએમ અને 248 એનએમ) માટે ઉપયોગમાં લેવાતા પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કરતા નાના હોય છે. ઉપ-તરંગલંબાઇની લાક્ષણિકતાઓ બનાવવા માટે મોટા લેન્સ જેવી વિવિધ તકનીકોનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. લાક્ષણિકતાઓ વચ્ચેનું અંતર ઘટાડવામાં મદદ કરવા માટે બેવડી પેટર્ન પણ રજૂ કરવામાં આવી છે, ખાસ કરીને જો ડ્રાય લિથોગ્રાફીનો ઉપયોગ કરવામાં આવે. એવી અપેક્ષા રાખવામાં આવે છે કે 45 એનએમ નોડ પર 193 એનએમ તરંગલંબાઇ સાથે વધુ સ્તરો પેટર્ન કરવામાં આવશે. અગાઉના છૂટક સ્તરો (જેમ કે મેટલ 4 અને મેટલ 5) ને 248 એનએમથી 193 એનએમ તરંગલંબાઇ તરફ ખસેડવાનું ચાલુ રહેવાની અપેક્ષા છે, જે સંભવતઃ 193 એનએમ ફોટોરેસિસ્ટ્સ સાથેની મુશ્કેલીઓને કારણે ખર્ચમાં વધારો કરશે. હાઈ-κ ડાઇલેક્ટ્રિક ચિપ ઉત્પાદકોએ શરૂઆતમાં લિકેજ કરંટની ઘનતા ઘટાડવાના હેતુથી ગેટ સ્ટેકમાં નવી હાઈ-κ સામગ્રી રજૂ કરવા અંગે ચિંતા વ્યક્ત કરી છે. જોકે, 2007 સુધીમાં, આઇબીએમ અને ઇન્ટેલ બંનેએ જાહેરાત કરી હતી કે તેમની પાસે ઉચ્ચ-κ ડાઇલેક્ટ્રિક અને મેટલ ગેટ સોલ્યુશન્સ છે, જેને ઇન્ટેલ ટ્રાન્ઝિસ્ટર ડિઝાઇનમાં મૂળભૂત ફેરફાર માને છે. એનઇસીએ ઉત્પાદનમાં ઉચ્ચ-κ સામગ્રી પણ મૂકી છે. 2004માં, ટી. એસ. એમ. સી. એ 0.296-square-micrometre 45 nm SRAM સેલનું પ્રદર્શન કર્યું હતું. 2008 માં, ટી. એસ. એમ. સી. 40 એનએમ પ્રક્રિયા તરફ આગળ વધ્યું. જાન્યુઆરી 2006માં, ઇન્ટેલે 0.346-square-micrometre 45 nm નોડ SRAM સેલનું પ્રદર્શન કર્યું હતું. એપ્રિલ 2006માં, AMDએ 0.370-square-micrometre 45 nm SRAM સેલનું પ્રદર્શન કર્યું હતું. જૂન 2006માં, ટેક્સાસ ઇન્સ્ટ્રુમેન્ટ્સે નિમજ્જન લિથોગ્રાફીની મદદથી 0.24-square-micrometre 45 nm SRAM કોષની શરૂઆત કરી હતી. નવેમ્બર 2006માં, યુ. એમ. સી. એ જાહેરાત કરી હતી કે તેણે નિમજ્જન લિથોગ્રાફી અને લો-κ ડાઇલેક્ટ્રિક્સનો ઉપયોગ કરીને 0.25-square-micrometre કરતા ઓછા કોષ કદ સાથે 45 nm SRAM ચિપ વિકસાવી છે. 2006માં, સેમસંગે 40nm પ્રક્રિયા વિકસાવી હતી. 45 એનએમ ટેકનોલોજીના અનુગામીઓ 32 એનએમ, 22 એનએમ અને પછી 14 એનએમ તકનીકો છે. વાણિજ્યિક પરિચય માત્સુશિતા ઇલેક્ટ્રિક ઇન્ડસ્ટ્રિયલ કંપનીએ જૂન 2007માં 45એનએમ પ્રક્રિયા ટેકનોલોજી પર આધારિત ડિજિટલ ગ્રાહક ઉપકરણો માટે સિસ્ટમ-ઓન-એ-ચિપ (એસઓસી) આઇસીનું મોટા પાયે ઉત્પાદન શરૂ કર્યું હતું. ઇન્ટેલે નવેમ્બર 2007માં તેનું પ્રથમ 45એનએમ પ્રોસેસર, ઝીઓન 5400 શ્રેણી મોકલ્યું હતું. પેનરીન વિશેની ઘણી વિગતો એપ્રિલ 2007ના ઇન્ટેલ ડેવલપર ફોરમમાં દેખાઇ હતી. તેના ઉત્તરાધિકારીને નેહાલમ કહેવામાં આવે છે. મહત્વપૂર્ણ પ્રગતિઓમાં નવી સૂચનાઓ (SSE4 સહિત, જેને પેનરીન નવી સૂચનાઓ તરીકે પણ ઓળખવામાં આવે છે) અને નવી બનાવટ સામગ્રી (સૌથી નોંધપાત્ર રીતે હેફ્નિયમ આધારિત ડાઇલેક્ટ્રિક) નો સમાવેશ થાય છે. એએમડીએ 2008ના અંતમાં 45એનએમ પ્રક્રિયા તકનીકનો ઉપયોગ કરીને તેના સેમ્પ્રોન II, એથલોન II, ટ્યુરિયન II અને ફેનોમ II (સામાન્ય રીતે પ્રદર્શનના વધતા ક્રમમાં), તેમજ શાંઘાઈ ઓપ્ટેરોન પ્રોસેસરોને રજૂ કર્યા હતા. 2010માં રજૂ થયેલ એક્સબોક્સ 360 એસમાં 45 એનએમ પ્રક્રિયામાં નિર્મિત ઝેનોન પ્રોસેસર છે. પ્લેસ્ટેશન 3 સ્લિમ મોડેલે 45 એનએમ પ્રક્રિયામાં સેલ બ્રોડબેન્ડ એન્જિન રજૂ કર્યું હતું. ઉદાહરણોઃ ઇન્ટેલની 45 એનએમ પ્રક્રિયા IEDM 2007માં, ઇન્ટેલની 45 એનએમ પ્રક્રિયાની વધુ તકનીકી વિગતો જાહેર કરવામાં આવી હતી. અહીં નિમજ્જન લિથોગ્રાફીનો ઉપયોગ થતો નથી, તેથી લિથોગ્રાફિક પેટર્ન વધુ મુશ્કેલ છે. તેથી, આ 45 એનએમ પ્રક્રિયા માટે સ્પષ્ટ રીતે લાઇન-કટિંગ ડબલ પેટર્ન પદ્ધતિનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. ઉપરાંત, ગેટ લિકેજની સમસ્યાઓને ઉકેલવા માટે પ્રથમ વખત ઉચ્ચ-κ ડાઇલેક્ટ્રિક ડાઇલેક્ટ્રિકનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો છે. 32 એનએમ નોડ માટે, ઇન્ટેલ દ્વારા નિમજ્જન લિથોગ્રાફીનો ઉપયોગ કરવાનું શરૂ કરવામાં આવશે. 160 એનએમ ગેટ પીચ (65 એનએમ પેઢીના 73 ટકા) 200 એનએમ અલગતા પીચ (65 એનએમ પેઢીના 91 ટકા) ટ્રાન્ઝિસ્ટર વચ્ચે અલગતા અંતરના સ્કેલિંગને ધીમું કરવાનું સૂચવે છે ડમી કોપર મેટલ અને ડમી ગેટ્સનો વ્યાપક ઉપયોગ 35 એનએમ ગેટની લંબાઈ (65 એનએમ પેઢીની સમાન) 1 એનએમ સમકક્ષ ઓક્સાઇડ જાડાઈ, 0.7 એનએમ સંક્રમણ સ્તર સાથે ગેટ-છેલ્લી પ્રક્રિયા ડમી પોલિસિલિકન અને ડેમેસીન મેટલ ગેટનો ઉપયોગ કરીને ગેટનું સ્ક્વેરિંગ બીજા ફોટોરેસિસ્ટ કોટિંગનો ઉપયોગ કરીને સમાપ્ત થાય છે કાર્બન-ડોપ્ડ ઓક્સાઇડ અને ક્યુ ઇન્ટરકનેક્ટના 9 સ્તરો, છેલ્લું જાડું "પુનઃવિતરણ" સ્તર સંપર્કો સ્થાનિક ઇન્ટરકનેક્ટ્સ લીડ-ફ્રી પેકેજિંગ માટે વર્તુળો કરતાં લંબચોરસ જેવા આકારના છે મોટાભાગની ખાઈ સંપર્કો પ્રસરણને આવરી લેતા દરવાજાની સમાંતર ટૂંકી રેખાઓ હતી, જ્યારે દરવાજાના સંપર્કો જ્યાં ટૂંકી રેખાઓ પણ દરવાજાને લંબરૂપ હતી. તાજેતરમાં એવું બહાર આવ્યું હતું કે નેહાલમ અને એટમ બંને માઇક્રોપ્રોસેસરોએ વોલ્ટેજ સ્કેલિંગને વધુ સારી રીતે સમાવવા માટે પરંપરાગત છને બદલે આઠ ટ્રાન્ઝિસ્ટર ધરાવતા એસઆરએએમ કોષોનો ઉપયોગ કર્યો હતો. આના પરિણામે 30 ટકાથી વધુ વિસ્તારનો દંડ ફટકારવામાં આવ્યો. 45 એનએમ ટેકનોલોજીનો ઉપયોગ કરતા પ્રોસેસરોએ માત્સુશિતાએ 2007માં 45 એનએમ યુનિફાયર રજૂ કર્યું હતું. વોલ્ફડેલ, વોલ્ફડેલ-3એમ, યોર્કફિલ્ડ, યોર્કફિલ્ડ એક્સઈ અને પેનરીન ઇન્ટેલ પ્રોસેસર્સ કોર 2 બ્રાન્ડ હેઠળ વેચાય છે. પ્રથમ પેઢીના ઇન્ટેલ કોર i3, i5 અને i7 શ્રેણીના પ્રોસેસરો જેમ કે ક્લાર્કસફિલ્ડ, બ્લૂમફિલ્ડ અને લિનફિલ્ડ. ડાયમન્ડવિલે, પાઇનવ્યૂ એ ઇન્ટેલ એટમ બ્રાન્ડ હેઠળ વેચાતા હાયપર-થ્રેડિંગ સાથેના ઇન્ટેલ કોર છે. એએમડી થુબન (ફેનોમ II), કેલિસ્ટો, હેકા, પ્રોપસ, ડેનેબ, ઝોસ્મા (ફેનોમ II) અને શાંઘાઈ (ઓપ્ટેરોન) ક્વાડ-કોર પ્રોસેસર્સ, રેગર (એથલોન II) ડ્યુઅલ કોર પ્રોસેસર્સ, કેસ્પિયન (ટ્યુરિયન II) મોબાઇલ ડ્યુઅલ કોર પ્રોસેસર્સ. એક્સબોક્સ 360 એસ મોડેલમાં ઝેનોન પ્રોસેસર. પ્લેસ્ટેશન 3 સ્લિમ મોડેલમાં સોની/તોશિબા સેલ બ્રોડબેન્ડ એન્જિન-સપ્ટેમ્બર 2009. સેમસંગ S5PC110, જે હમિંગબર્ડ તરીકે ઓળખાય છે. ટેક્સાસ ઇન્સ્ટ્રુમેન્ટ્સ OMAP 3 અને 4 શ્રેણી. IBM POWER7 અને Z196 ફુજીત્સુ SPARC64 VIIIfx શ્રેણી વાઈ યુ "એસ્પ્રેસો" IBM CPU. સંદર્ભો બાહ્ય કડીઓ પેનાસોનિકની શરૂઆત 45-એનએમ જનરેશન એસઓસી ઇન્ટેલ 45 એનએમ પ્રક્રિયાનું મોટા પાયે ઉત્પાદન ઇન્ટેલ અપેક્ષા કરતા વહેલા 45 એનએમ તરફ આગળ વધવા માટે સારું છે? ચિપમેકર્સ ઉત્પાદન અવરોધો માટે સજ્જ છે ઇન્ટેલ 45 એનએમ નોડ એસઆરએએમ સેલ એક એએમડી અપડેટ સ્લેશડોટ ચર્ચા 45 એનએમ પ્રક્રિયા નામકરણ ઇન્ટેલ ઇન્ટેલ 45 એનએમ પ્રક્રિયા IEDM 00045 તાઇવાની શોધો