Paul Richman
પોલ રિચમેન (જન્મ 17 નવેમ્બર, 1942) એક અમેરિકન સેમિકન્ડક્ટર ભૌતિકશાસ્ત્રી અને લેખક છે. 1963માં રિચમેને એમ. આઈ. ટી. માં અભ્યાસ કર્યો હતો. અને ઇલેક્ટ્રિકલ એન્જિનિયરિંગમાં વિજ્ઞાન સ્નાતક સાથે સ્નાતક થયા. 1964માં તેમણે કોલંબિયા યુનિવર્સિટીમાંથી ઇલેક્ટ્રિકલ એન્જિનિયરિંગમાં માસ્ટર ઓફ સાયન્સની પદવી મેળવી હતી. 1971માં રિચમેને સંશોધન અને વિકાસ પેઢી તરીકે સ્ટાન્ડર્ડ માઇક્રોસિસ્ટમ્સ કોર્પ (એસ. એમ. એસ. સી.) ની સહ-સ્થાપના કરી હતી. એસ. એમ. એસ. સી. ની સહ-સ્થાપના કરતા પહેલા, તેમણે જનરલ ટેલિફોન અને ઇલેક્ટ્રોનિક્સમાં સેમિકન્ડક્ટર ભૌતિકશાસ્ત્રી તરીકે કામ કર્યું હતું. 1987 માં, તેઓ તેમના પરિવાર સાથે જાપાન ગયા અને સ્ટાન્ડર્ડ માઇક્રોસિસ્ટમ્સ જાપાન નામના સહયોગની શરૂઆત કરી. 1971 અને 1999ની વચ્ચે તેમણે સ્ટાન્ડર્ડ માઇક્રોસિસ્ટમ્સના મુખ્ય કાર્યકારી અધિકારી, અધ્યક્ષ અને અધ્યક્ષ તરીકે સેવા આપી હતી. તેમના કાર્યકાળ દરમિયાન, એસ. એમ. એસ. સી. લોંગ આઇલેન્ડ પર સૌથી મોટી ચિપ ઉત્પાદક બની હતી અને ઇન્ટેલ કોર્પે કંપનીમાં હિસ્સો હસ્તગત કર્યો હતો. ન્યૂઝડેએ તેમને કોમ્પ્યુટર ચિપ ઉદ્યોગમાં અગ્રણી ગણાવ્યા છે. તેમણે ઓપરેટિંગ સ્પીડમાં વધારો કરતી વખતે ટ્રાન્ઝિસ્ટરને એકબીજાની નજીક ખસેડીને ચિપ્સના કદને ઘટાડવા માટેની એક પદ્ધતિ રજૂ કરી અને પરિણામે ઉપકરણો ઝડપથી અને અસરકારક રીતે કાર્ય કરે છે. એક શિક્ષણશાસ્ત્રી તરીકે, રિચમેને 1974 અને 1975ની વચ્ચે સિટી યુનિવર્સિટી ઓફ ન્યૂયોર્કમાં ઇલેક્ટ્રિકલ એન્જિનિયરિંગના મુલાકાતી પ્રોફેસર તરીકે અને 1975 અને 1987ની વચ્ચે સ્ટોની બ્રુક ખાતે સ્ટેટ યુનિવર્સિટી ઓફ ન્યૂયોર્કમાં સેવા આપી હતી. 1998 થી 2002 સુધી તેમણે મેસેચ્યુસેટ્સ ઇન્સ્ટિટ્યૂટ ઓફ ટેક્નોલોજીની વિઝિટિંગ કમિટી ફોર ઇલેક્ટ્રિકલ એન્જિનિયરિંગ એન્ડ કમ્પ્યુટર સાયન્સમાં સેવા આપી હતી. રિચમેને કોપ્લામોસ ટેકનોલોજી માટે મૂળભૂત પેટન્ટ વિકસાવી અને જાળવી રાખી હતી, જેણે મેટલ-ઓક્સાઇડ-સેમિકન્ડક્ટર (એમ. ઓ. એસ.) માં ફિલ્ડ-ડોપ્ડ, સ્થાનિક રીતે ઓક્સિડાઇઝ્ડ માળખાના ઉપયોગની પહેલ કરી હતી. સંકલિત સર્કિટ. તેઓ માઇક્રોચીપ્સ પર બે પ્રારંભિક, મૂળ પુસ્તકોના લેખક પણ હતા, જેનો પછીથી જાપાનીઝ, સ્પેનિશ, ફ્રેન્ચ અને રશિયનમાં અનુવાદ કરવામાં આવ્યો હતો. ગ્રંથસૂચિ તેમના પુસ્તકોનો જાપાની, સ્પેનિશ, રશિયન અને ફ્રેન્ચમાં અનુવાદ કરવામાં આવ્યો છે. પુરસ્કારો 1978: માઇક્રોચીપના વિકાસમાં તેમના યોગદાન માટે ઇલેક્ટ્રોનિક્સ (મેગેઝિન) તરફથી વાર્ષિક સિદ્ધિ પુરસ્કાર. 1982: ઇન્સ્ટિટ્યૂટ ઑફ ઇલેક્ટ્રિકલ એન્ડ ઇલેક્ટ્રોનિક્સ એન્જિનિયર્સ, આઈ. ઈ. ઈ. ઈ. ના ફેલો તરીકે ચૂંટાયા. 1998: IEEE નો હેરોલ્ડ એ. વ્હીલર એવોર્ડ. 2000: આઈ. ઈ. ઈ. ઈ. નો ત્રીજો મિલેનિયમ મેડલ. 2012: લોંગ આઇલેન્ડ ટેક્નોલોજી હોલ ઓફ ફેમમાં ચૂંટાયા. પેટન્ટ પૂરક વૃદ્ધિ પ્રકાર એમ. ઓ. એસ. ટ્રાન્ઝિસ્ટર. ધાતુ-ઓક્સાઇડ સિલિકોન ઉપકરણોના ઉત્પાદન માટેની પદ્ધતિ. સિલિકોન વેફરમાં વિવિધ સપાટી ચાર્જ ગીચતાના પ્રદેશોને પસંદગીયુક્ત રીતે સ્થાપિત કરવાની પદ્ધતિ. આયન પ્રત્યારોપણનો ઉપયોગ કરીને એમ. ઓ. એસ. ઉપકરણોની વિદ્યુત લાક્ષણિકતાઓમાં ફેરફાર કરવાની પદ્ધતિ. પસંદગીયુક્ત રીતે સુધારેલા ઇન્સ્યુલેશન સ્તર સાથે સેમિકન્ડક્ટર ઇન્ટિગ્રેટેડ સર્કિટ સ્ટ્રક્ચર. સેમિકન્ડક્ટર ઇન્ટિગ્રેટેડ સર્કિટ માટે હર્મેટિક પ્લાસ્ટિક ડ્યુઅલ-ઇન-લાઇન પેકેજ. સોલિડ સ્ટેટ ફિલ્ડ ઇફેક્ટ ઉપકરણ. ઇન્સ્યુલેટેડ-ગેટ ફિલ્ડ ઇફેક્ટ ટ્રાન્ઝિસ્ટર ઉચ્ચ પ્રતિકારક સબસ્ટ્રેટનો ઉપયોગ કરે છે. એમ. ઓ. એસ. ક્ષેત્ર-અસર ટ્રાન્ઝિસ્ટર માળખું મેસા જેવા સંપર્ક અને દ્વાર વિસ્તારો અને પસંદગીયુક્ત ઊંડા જંકશન સાથે. બાયપોલર એમ. ઓ. એસ. ફિલ્ડ ઇફેક્ટ ટ્રાન્ઝિસ્ટર. પસંદગીયુક્ત રીતે રચાયેલા પ્રતિકારક પ્રદેશો ધરાવતી સબસ્ટ્રેટ સાથે એમ. ઓ. એસ. સંકલિત સર્કિટ. પસંદગીયુક્ત પ્રસરણ અને ઓક્સિડેશન માસ્ક તરીકે ગેટનો ઉપયોગ કરીને ઉચ્ચ ઘનતા રીફ્રેક્ટરી મેટલ ગેટ એમ. ઓ. એસ. ઇન્ટિગ્રેટેડ સર્કિટ્સ બનાવવાની પદ્ધતિ. સંકલિત એમ. ઓ. એસ. સર્કિટ. મેટલ-ઓક્સાઇડ-સેમિકન્ડક્ટર પ્રકારના સંયુક્ત ઉપકરણના ઉત્પાદન માટેની પદ્ધતિ, ઓછી સુપરફિસિયલ રેઝિસ્ટિવિટી સાથે કંટ્રોલ ઇલેક્ટ્રોડ અને પ્રાપ્ત ઉપકરણ. એમ. ઓ. એસ. સંકલિત સર્કિટ માળખું અને તેના નિર્માણ માટેની પદ્ધતિ. સંદર્ભો 1942 જન્મ અમેરિકન લેખકો જીવંત લોકો