Titanium trisulfide
ટાઇટેનિયમ ટ્રાઇસલ્ફાઇડ (ટી. આઈ. એસ. 3) એ ટાઇટેનિયમ અને સલ્ફરનું અકાર્બનિક રાસાયણિક સંયોજન છે. તેના સૂત્ર એકમમાં એક Ti4 + કેટાયન, એક S2 − anion અને એક S22 − છે. ટી. આઈ. એસ. 3 એક સ્તરવાળી સ્ફટિક રચના ધરાવે છે, જ્યાં સ્તરો એકબીજા સાથે નબળા રીતે જોડાયેલા હોય છે અને તેને એડહેસિવ ટેપથી એક્સ્ફોલિયેટ કરી શકાય છે. એક્સફોલિએટેડ સ્તરો અલ્ટ્રાથિન ફિલ્ડ-ઇફેક્ટ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં સંભવિત ઉપયોગો ધરાવે છે. ટી. આઈ. એસ. 3 ના મિલિમીટર લાંબા સ્ફટિકીય મૂંછને રાસાયણિક વરાળ પરિવહન દ્વારા સી. એ. પર ઉગાડી શકાય છે. 500°C, પરિવહન ગેસ તરીકે વધારાનું સલ્ફરનો ઉપયોગ કરીને. ગુણધર્મો ટી. આઈ. એસ. 3 એ એન-પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર છે જે લગભગ 1 ઇ. વી. ની પરોક્ષ બેન્ડગેપ ધરાવે છે. તેના વ્યક્તિગત સ્તરો ટી. આઈ. એસ. અણુ સાંકળોથી બનેલા છે; તેથી તે અનિસોટ્રોપિક છે અને તેમના ગુણધર્મો ઇન-પ્લેન ઓરિએન્ટેશન પર આધારિત છે. ઉદાહરણ તરીકે, સમાન નમૂનામાં, બી-અક્ષ સાથે ઇલેક્ટ્રોનની ગતિશીલતા 80 સે. મી. 2/(વી. એસ.) અને એ-અક્ષ સાથે 40 સે. મી. 2/(વી. એસ.) હોઈ શકે છે. સંદર્ભો સલ્ફાઇડ્સ ટાઇટેનિયમ (IV) સંયોજનો મોનોલેયર્સ