VMOS
VMOS () (વર્ટિકલ મેટલ ઓક્સાઇડ સેમિકન્ડક્ટર અથવા V-ગ્રુવ MOS) ટ્રાન્ઝિસ્ટર એ મેટલ-ઓક્સાઇડ-સેમિકન્ડક્ટર ફિલ્ડ-ઇફેક્ટ ટ્રાન્ઝિસ્ટર (MOSFET) નો એક પ્રકાર છે. વી. એમ. ઓ. એસ. નો ઉપયોગ સબસ્ટ્રેટ સામગ્રીમાં ઊભી રીતે કાપવામાં આવેલા વી-ગ્રુવ આકારનું વર્ણન કરવા માટે પણ થાય છે. એમ. ઓ. એસ. એફ. ઇ. ટી. ના દરવાજાનો "વી" આકાર ઉપકરણને સ્રોતથી ઉપકરણના ડ્રેઇન સુધી વધુ માત્રામાં પ્રવાહ પહોંચાડવાની મંજૂરી આપે છે. અવક્ષય ક્ષેત્રનો આકાર એક વિશાળ ચેનલ બનાવે છે, જેનાથી તેમાંથી વધુ પ્રવાહ વહે છે. અવરોધિત સ્થિતિમાં કામગીરી દરમિયાન, સૌથી વધુ વિદ્યુત ક્ષેત્ર N +/p + જંકશન પર જોવા મળે છે. ખાંચના તળિયે તીક્ષ્ણ ખૂણાની હાજરી અવક્ષય પ્રદેશમાં ચેનલની ધાર પર વિદ્યુત ક્ષેત્રને વધારે છે, આમ ઉપકરણના વિરામ વોલ્ટેજમાં ઘટાડો થાય છે. આ વિદ્યુત ક્ષેત્ર ઇલેક્ટ્રોનને ગેટ ઓક્સાઇડમાં મોકલે છે અને પરિણામે, ફસાયેલા ઇલેક્ટ્રોન MOSFET ના થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજને સ્થાનાંતરિત કરે છે. આ કારણોસર, વી-ગ્રુવ આર્કિટેક્ચરનો ઉપયોગ હવે વ્યાપારી ઉપકરણોમાં થતો નથી. વી આકારની ટોચ પર મહત્તમ વિદ્યુત ક્ષેત્રને ઓછું કરવા માટે અને આમ વી. એમ. ઓ. એસ. ની સરખામણીમાં વધુ મહત્તમ વોલ્ટેજ તરફ દોરી જવા માટે યુ. એમ. ઓ. એસ. (અથવા ટ્રેન્ચ-ગેટ એમ. ઓ. એસ.) જેવી વધુ યોગ્ય ભૂમિતિઓ રજૂ કરવામાં આવી ત્યાં સુધી ઉપકરણનો ઉપયોગ પાવર ઉપકરણ હતો. પ્રથમ એમ. ઓ. એસ. એફ. ઇ. ટી. (વી-ગ્રુવ વિના) ની શોધ 1959માં બેલ લેબ્સ ખાતે મોહમ્મદ અટાલા અને દાવોન કાહંગ દ્વારા કરવામાં આવી હતી. વી-ગ્રુવ બાંધકામની પહેલ જૂન-ઇચી નિશિઝાવા દ્વારા 1969માં કરવામાં આવી હતી, શરૂઆતમાં સ્ટેટિક ઇન્ડક્શન ટ્રાન્ઝિસ્ટર (એસ. આઈ. ટી.) માટે, જે એક પ્રકારનું જંકશન ફિલ્ડ-ઇફેક્ટ ટ્રાન્ઝિસ્ટર (જે. એફ. ઇ. ટી.) છે. વી. એમ. ઓ. એસ. ની શોધ હિટાચી દ્વારા 1969માં કરવામાં આવી હતી, જ્યારે તેમણે જાપાનમાં પ્રથમ વર્ટિકલ પાવર એમ. ઓ. એસ. એફ. ઇ. ટી. રજૂ કરી હતી. ટી. જે. રોજર્સે, જ્યારે તેઓ સ્ટેનફોર્ડ યુનિવર્સિટીમાં વિદ્યાર્થી હતા, ત્યારે 1973માં વી. એમ. ઓ. એસ. માટે યુએસ પેટન્ટ દાખલ કરી હતી. સિલિકોનિક્સે 1975માં વ્યાવસાયિક રીતે વી. એમ. ઓ. એસ. રજૂ કર્યું હતું. વી. એમ. ઓ. એસ. પાછળથી ઊભી ડી. એમ. ઓ. એસ. (વી. ડી. એમ. ઓ. એસ.) તરીકે જાણીતી બની હતી. 1978માં, અમેરિકન માઇક્રોસિસ્ટમ્સ (AMI) એ S2811 રજૂ કર્યું હતું. તે પ્રથમ સંકલિત સર્કિટ ચિપ હતી જે ખાસ કરીને ડિજિટલ સિગ્નલ પ્રોસેસર (ડીએસપી) તરીકે ડિઝાઇન કરવામાં આવી હતી, અને તેને વી. એમ. ઓ. એસ. નો ઉપયોગ કરીને બનાવવામાં આવી હતી, જે ટેકનોલોજી અગાઉ મોટા પાયે ઉત્પાદિત કરવામાં આવી ન હતી. સંદર્ભો ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકારો MOSFET ની જાપાની શોધ