Charles LeGeyt Fortescue
ચાર્લ્સ લેગેટ ફોર્ટેસ્ક્યુ (1876-1936) ઇલેક્ટ્રિકલ એન્જિનિયર હતા. તેનો જન્મ યોર્ક ફેક્ટરીમાં થયો હતો, જે હવે મેનિટોબા છે જ્યાં હેયસ નદી હડસન ખાડીમાં પ્રવેશ કરે છે. તેઓ હડસનની બે કંપનીના ફર ટ્રેડિંગ ફેક્ટરના પુત્ર હતા અને 1898માં ક્વીન્સ યુનિવર્સિટી ઇલેક્ટ્રિકલ એન્જિનિયરિંગ પ્રોગ્રામના પ્રથમ સ્નાતકોમાંના એક હતા. સ્નાતક થયા પછી ફોર્ટસ્ક્યુ પૂર્વ પિટ્સબર્ગ, પેન્સિલવેનિયા ખાતે વેસ્ટિંગહાઉસ કોર્પોરેશનમાં જોડાયા, જ્યાં તેમણે તેમની સમગ્ર વ્યાવસાયિક કારકિર્દી વિતાવી. 1901માં તેઓ ટ્રાન્સફોર્મર એન્જિનિયરિંગ વિભાગમાં જોડાયા અને ઉચ્ચ વોલ્ટેજના ઉપયોગથી ઉભી થતી ઘણી સમસ્યાઓ પર કામ કર્યું. 1913માં ફોર્ટેસ્ક્યુએ AIEE પેપર "ધ એપ્લિકેશન ઓફ એ થીરમ ઓફ ઇલેક્ટ્રોસ્ટેટિક્સ ટુ ઇન્સ્યુલેટર પ્રોબ્લેમ્સ" પ્રકાશિત કર્યું હતું. તે જ વર્ષે તેઓ બે વાહક ગોળાઓ વચ્ચેના અંતરના ભંગાણ દ્વારા ઉચ્ચ વોલ્ટેજના માપન પરના પેપરના લેખકોમાંના એક હતા, જે આજે પણ ઉચ્ચ-વોલ્ટેજ પ્રયોગશાળાઓમાં ઉપયોગમાં લેવાતી તકનીક છે. 1918માં રજૂ કરાયેલા એક પેપરમાં, ફોર્ટેસ્ક્યુએ દર્શાવ્યું હતું કે એન અસંતુલિત ફેઝર્સના કોઈપણ સમૂહ-એટલે કે, આવા કોઈપણ "પોલિફેઝ" સંકેત-ને સમપ્રમાણતાવાળા ઘટકો તરીકે ઓળખાતા સંતુલિત ફેઝર્સના એન સમપ્રમાણતાવાળા સમૂહના સરવાળા તરીકે વ્યક્ત કરી શકાય છે. આ પેપરને વીસમી સદીનું સૌથી મહત્વપૂર્ણ પાવર એન્જિનિયરિંગ પેપર ગણવામાં આવ્યું હતું. ઇલેક્ટ્રિકલ એન્જિનિયરિંગના ક્ષેત્રમાં તેમના યોગદાન માટે તેમને ફ્રેન્કલીન ઇન્સ્ટિટ્યૂટના 1932ના ઇલિયટ ક્રેસન મેડલથી સન્માનિત કરવામાં આવ્યા હતા. તેમના નામે આઇ. ઇ. ઇ. ઇ. દ્વારા દર વર્ષે આપવામાં આવતી ફેલોશિપ ઇલેક્ટ્રિકલ એન્જિનિયરિંગમાં તેમના યોગદાનની યાદ અપાવે છે. પેટન્ટ ફોર્ટેસ્ક્યુએ તેમની કારકિર્દીમાં ટ્રાન્સફોર્મર્સ, ઇન્સ્યુલેટર અને ડીસી અને એસી પાવર સર્કિટની ડિઝાઇનમાં 185 પેટન્ટ મેળવ્યા હતા. વિદ્યુત ઉપકરણો માટે ઇન્સ્યુલેટિંગ-બોડી, ટ્રાન્સફોર્મર અને વાઇન્ડિંગ, વૈકલ્પિક વર્તમાન ટ્રાન્સફોર્મર, વિતરણ પ્રણાલી, સંદર્ભો 1876 જન્મ 1936 મૃત્યુ ઉત્તરીય પ્રદેશના લોકો, કિંગ્સ્ટન ખાતે મેનિટોબા ક્વીન્સ યુનિવર્સિટીના ભૂતપૂર્વ વિદ્યાર્થીઓ યુનાઇટેડ સ્ટેટ્સમાં કેનેડિયન ઇમિગ્રન્ટ્સ