Polyfuse (PROM)
પોલીફ્યુઝ એ એક વખતનું પ્રોગ્રામેબલ મેમરી ઘટક છે જેનો ઉપયોગ સેમિકન્ડક્ટર સર્કિટ્સમાં ચિપ આઇડેન્ટિફિકેશન નંબર્સ અથવા મેમરી રિપેર ડેટા જેવા અનન્ય ડેટાને સંગ્રહિત કરવા માટે થાય છે, પરંતુ સામાન્ય રીતે ફક્ત વાંચવા માટેના મેમરી ઉપકરણો અથવા માઇક્રોકન્ટ્રોલર ચિપ્સના નાનાથી મધ્યમ કદના ઉત્પાદન માટે થાય છે. તેનો ઉપયોગ પ્રોગ્રામેબલ એરે લોજિકના પ્રોગ્રામિંગને મંજૂરી આપવા માટે પણ થતો હતો. ફ્યુઝના ઉપયોગથી ઉપકરણને તેના ઉત્પાદન અને તેના પેકેજિંગમાં સીલ કર્યાના થોડા સમય પછી વિદ્યુત રીતે પ્રોગ્રામ કરવાની મંજૂરી આપવામાં આવી હતી. અગાઉના ફ્યુઝને મેમરી બનાવતી વખતે લેસરનો ઉપયોગ કરીને ઉડાડવું પડતું હતું. અગાઉના નિકલ-ક્રોમિયમ (ની-ક્રોમ) ફ્યુઝને બદલવા માટે પોલિફ્યુઝ વિકસાવવામાં આવ્યા હતા. કારણ કે નિ-ક્રોમમાં નિકલ હોય છે, નિ-ક્રોમ ફ્યુઝ, જે એકવાર ફૂંકાયું હતું તે પાછું વધવાનું અને મેમરીને બિનઉપયોગી બનાવવાનું વલણ ધરાવતું હતું. પ્રથમ પોલીફ્યુઝમાં પોલીસીલીકોન લાઇનનો સમાવેશ થતો હતો, જે ઉપકરણમાં ઉચ્ચ (10V-15V) વોલ્ટેજ લાગુ કરીને પ્રોગ્રામ કરવામાં આવ્યો હતો. પરિણામી પ્રવાહ ભૌતિક રીતે ઉપકરણને બદલે છે અને તેના વિદ્યુત પ્રતિકારમાં વધારો કરે છે. પ્રતિકારમાં આ ફેરફારને શોધી શકાય છે અને તાર્કિક શૂન્ય તરીકે નોંધણી કરાવી શકાય છે. બિન-ક્રમાદેશિત પોલિફ્યુઝને તાર્કિક તરીકે નોંધવામાં આવશે. આ પ્રારંભિક ઉપકરણોમાં ઉચ્ચ પ્રોગ્રામિંગ વોલ્ટેજ અને પ્રોગ્રામ કરેલા ઉપકરણોની અવિશ્વસનીયતા જેવી ગંભીર ખામીઓ હતી. આધુનિક પોલીફ્યુઝમાં સિલિસાઈડેડ પોલીસિલિકોન લાઇન હોય છે, જે ઉપકરણમાં વોલ્ટેજ લાગુ કરીને પણ પ્રોગ્રામ કરવામાં આવે છે. ફરીથી, પરિણામી પ્રવાહ પ્રતિકારને કાયમી ધોરણે બદલી નાખે છે. પોલીસીલીકોન રેખાને આવરી લેતું સિલિસાઇડ સ્તર તેના પ્રતિકારને ઘટાડે છે (પ્રોગ્રામિંગ પહેલાં), જે ખૂબ ઓછા પ્રોગ્રામિંગ વોલ્ટેજ (1.8V-3.3V) નો ઉપયોગ કરવાની મંજૂરી આપે છે. પોલિફ્યુઝ પ્રોગ્રામ કરેલ માહિતીને વિશ્વસનીય રીતે સંગ્રહિત કરે છે અને તેને ઝડપી ગતિએ પ્રોગ્રામ કરી શકાય છે. 100એનએસની પ્રોગ્રામિંગ ઝડપ નોંધવામાં આવી છે. પ્રોગ્રામેબલ રીડ-ઓનલી મેમરી સંદર્ભો પ્રતિરોધક ઘટકો નોન-વોલેટાઇલ મેમરી કમ્પ્યુટર મેમરી પણ જુઓ.