Overdrive voltage
ઓવરડ્રાઇવ વોલ્ટેજ, જેને સામાન્ય રીતે સંક્ષિપ્તમાં VOV તરીકે ઓળખવામાં આવે છે, તેને સામાન્ય રીતે MOSFET ટ્રાન્ઝિસ્ટર સંદર્ભમાં ઓળખવામાં આવે છે. ઓવરડ્રાઇવ વોલ્ટેજને ટ્રાન્ઝિસ્ટર ગેટ અને સોર્સ (વી. જી. એસ.) વચ્ચે થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ (વી. ટી. એચ.) થી વધુ વોલ્ટેજ તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે, જ્યાં વી. ટી. એચ. ને ટ્રાન્ઝિસ્ટર ચાલુ કરવા માટે ગેટ અને સોર્સ વચ્ચે જરૂરી લઘુતમ વોલ્ટેજ તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે. આ વ્યાખ્યાને કારણે, ઓવરડ્રાઇવ વોલ્ટેજને "વધારાનું દ્વાર વોલ્ટેજ" અથવા "અસરકારક વોલ્ટેજ" તરીકે પણ ઓળખવામાં આવે છે. ઓવરડ્રાઇવ વોલ્ટેજ સરળ સમીકરણનો ઉપયોગ કરીને શોધી શકાય છેઃ VOV = VGS − VTH. ટેક્નોલોજી VOV મહત્વપૂર્ણ છે કારણ કે તે ટ્રાન્સિસ્ટરના આઉટપુટ ડ્રેઇન ટર્મિનલ કરંટ (ID) ને સીધી અસર કરે છે, જે એમ્પ્લીફાયર સર્કિટનો એક મહત્વપૂર્ણ ગુણધર્મ છે. VOV વધારીને, જ્યાં સુધી સંતૃપ્તિ ન થાય ત્યાં સુધી ID વધારી શકાય છે. ઓવરડ્રાઇવ વોલ્ટેજ વી. ડી. એસ. સાથેના તેના સંબંધને કારણે પણ મહત્વપૂર્ણ છે, જે સ્રોતને સંબંધિત ડ્રેઇન વોલ્ટેજ છે, જેનો ઉપયોગ એમ. ઓ. એસ. એફ. ઇ. ટી. ની કામગીરીના ક્ષેત્રને નિર્ધારિત કરવા માટે થઈ શકે છે. નીચેનું કોષ્ટક દર્શાવે છે કે MOSFET કામગીરીના કયા ક્ષેત્રમાં છે તે સમજવા માટે ઓવરડ્રાઇવ વોલ્ટેજનો ઉપયોગ કેવી રીતે કરવોઃ વધુ ભૌતિકશાસ્ત્ર-સંબંધિત સમજૂતી નીચે મુજબ છેઃ NMOS ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં, શૂન્ય પૂર્વગ્રહ હેઠળના ચેનલ પ્રદેશમાં છિદ્રોની વિપુલતા હોય છે (એટલે કે, તે પી-પ્રકારનું સિલિકોન છે). નકારાત્મક દ્વાર પૂર્વગ્રહ (VGS <0) લાગુ કરીને આપણે વધુ છિદ્રોને આકર્ષિત કરીએ છીએ, અને તેને સંચય કહેવામાં આવે છે. હકારાત્મક દ્વાર વોલ્ટેજ (VGS> 0) ઇલેક્ટ્રોનને આકર્ષિત કરશે અને છિદ્રોને દૂર કરશે, અને આને અવક્ષય કહેવામાં આવે છે કારણ કે આપણે છિદ્રોની સંખ્યાને ઘટાડી રહ્યા છીએ. થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ (વી. ટી. એચ.) તરીકે ઓળખાતા નિર્ણાયક વોલ્ટેજ પર ચેનલ વાસ્તવમાં છિદ્રોથી એટલી ક્ષીણ થઈ જશે અને ઇલેક્ટ્રોનથી સમૃદ્ધ હશે કે તે એન-પ્રકારનું સિલિકોન બનશે, અને તેને વ્યુત્ક્રમ ક્ષેત્ર કહેવામાં આવે છે. જેમ જેમ આપણે આ વોલ્ટેજ, વી. જી. એસ. ને વી. ટી. એચ. થી આગળ વધારીએ છીએ, તેમ તેમ આપણે એક મજબૂત ચેનલ બનાવીને દરવાજાને ઓવરડ્રાઇવ કરી રહ્યા હોવાનું કહેવાય છે, તેથી ઓવરડ્રાઇવ (જેને ઘણીવાર વોવ, વોડ અથવા વોન કહેવામાં આવે છે) ને (વી. જી. એસ.-વી. ટી. એચ.) તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે. એમ. ઓ. એસ. એફ. ઇ. ટી. થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ ઇલેક્ટ્રોનિક એમ્પ્લીફાયર શોર્ટ-ચેનલ ઇફેક્ટ બાયઝિંગ સંદર્ભો વિદ્યુત પરિમાણો સેમિકન્ડક્ટર્સ એમ. ઓ. એસ. એફ. ઇ. ટી.