Tunnel junction
ઇલેક્ટ્રોનિક્સ/સ્પિન્ટ્રોનિક્સમાં, ટનલ જંકશન એ બે વિદ્યુત સંચાલિત સામગ્રી વચ્ચેનો અવરોધ છે, જેમ કે પાતળા અવાહક સ્તર અથવા વિદ્યુત ક્ષમતા. ઇલેક્ટ્રોન (અથવા અર્ધ-કણો) ક્વોન્ટમ ટનલિંગની પ્રક્રિયા દ્વારા અવરોધમાંથી પસાર થાય છે. શાસ્ત્રીય રીતે, ઇલેક્ટ્રોન પાસે અવરોધમાંથી પસાર થવાની શૂન્ય સંભાવના છે. જો કે, ક્વોન્ટમ મિકેનિક્સ અનુસાર, ઇલેક્ટ્રોન અવરોધમાં બિન-શૂન્ય તરંગ કંપનવિસ્તાર ધરાવે છે, અને તેથી તે અવરોધમાંથી પસાર થવાની થોડી સંભાવના ધરાવે છે. ટનલ જંકશન વિવિધ હેતુઓ પૂરા પાડે છે. મલ્ટીજંક્શન ફોટોવોલ્ટેઇક કોષ મલ્ટીજંક્શન ફોટોવોલ્ટેઇક કોષોમાં, ટનલ જંકશન સતત પી. એન. જંકશન વચ્ચેના જોડાણો બનાવે છે. તેઓ અર્ધચાલક ઉપકરણની મધ્યમાં ઓહમિક વિદ્યુત સંપર્ક તરીકે કાર્ય કરે છે. ચુંબકીય ટનલ જંકશન ચુંબકીય ટનલ જંકશનમાં, ઇલેક્ટ્રોન એક ચુંબકીય પદાર્થથી બીજા ચુંબકીય પદાર્થમાં પાતળા અવાહક અવરોધમાંથી પસાર થાય છે. આ મેગ્નેટિક ડિટેક્ટર માટે આધાર તરીકે કામ કરી શકે છે. સુપરકન્ડક્ટિંગ ટનલ જંકશન સુપરકન્ડક્ટિંગ ટનલ જંકશનમાં, બે સુપરકન્ડક્ટિંગ ઇલેક્ટ્રોડ બિન-સુપરકન્ડક્ટિંગ અવરોધ દ્વારા અલગ પડે છે. કૂપર જોડી ક્વોન્ટમ ટનલિંગ દ્વારા અવરોધમાંથી સુપરકરન્ટ વહન કરે છે, જે જોસેફસન અસર તરીકે ઓળખાતી ઘટના છે. આ સેટઅપ અત્યંત સંવેદનશીલ મેગ્નેટોમીટર માટે આધાર બનાવી શકે છે, જેને SQUIDs તરીકે ઓળખવામાં આવે છે, તેમજ અન્ય ઘણા ઉપકરણો. ટનલ ડાયોડ ટનલ ડાયોડમાં, ડાયોડ ચોક્કસ વોલ્ટેજ માટે ઇલેક્ટ્રોનના ટનલિંગને મંજૂરી આપે છે. આ તેમને ઉચ્ચ-આવર્તન સંકેતો પેદા કરવા માટે ઉપયોગમાં લેવાની મંજૂરી આપે છે. સ્કેનિંગ ટનલિંગ માઇક્રોસ્કોપ સ્કેનિંગ ટનલિંગ માઇક્રોસ્કોપી (એસટીએમ) માં, ટીપ/હવા/સબસ્ટ્રેટ (મેટલ-ઇન્સ્યુલેટર-મેટલ) ને ટનલ જંક્શન તરીકે જોઈ શકાય છે. સંદર્ભો ક્વોન્ટમ ઇલેક્ટ્રોનિક્સ ઇલેક્ટ્રોડ્સ મેસોસ્કોપિક ભૌતિકશાસ્ત્ર