Bernard Dieny
બર્નાર્ડ ડેની એક સંશોધન વૈજ્ઞાનિક અને ઉદ્યોગસાહસિક છે. તેઓ સ્પિંટેક (સ્પિન્ટ્રોનિક્સ એન્ડ ટેક્નોલોજી ઓફ કોમ્પોનન્ટ્સ) ખાતે મુખ્ય વૈજ્ઞાનિક છે, જે સીઇએ/સીએનઆરએસ/યુજીએ સંશોધન પ્રયોગશાળા છે, જેની તેમણે 2002માં ગ્રેનોબલ, ફ્રાન્સમાં સહ-સ્થાપના કરી હતી. તેઓ બે સ્ટાર્ટઅપ કંપનીઓના સહ-સ્થાપક પણ છેઃ 2006માં એમઆરએએમ અને મેગ્નેટિક સેન્સર પર ક્રોકસ ટેક્નોલોજી અને 2014માં સર્કિટ ડિઝાઇન પર ઇવાડેરિસ. ડીનીએ 480 થી વધુ કાગળો પ્રકાશિત કર્યા છે અને 77 પેટન્ટ એનાયત કર્યા છે. તેમના મુખ્ય સંશોધન રસ ચુંબકત્વ અને સ્પિન ઇલેક્ટ્રોનિક્સની આસપાસ કેન્દ્રિત છે, જેમાં સ્પિન્ટ્રોનિક્સ ઘટના, સ્પિન્ટ્રોનીક સામગ્રી અને એપ્લિકેશન્સ, ખાસ કરીને મેમરી (એમઆરએએમ) ઉપકરણો, ઇન્ટરફેસિયલ મેગ્નેટિઝમ, લંબરૂપ ચુંબકીય અનિસોટ્રોપી, હાઇબ્રિડ સીએમઓએસ/ચુંબકીય તકનીક, ચુંબકીય રેકોર્ડિંગ તકનીક અને ચુંબકીય બાયોટેકનોલોજીનો સમાવેશ થાય છે. તેમને યુરોપિયન રિસર્ચ કાઉન્સિલ (ઇ. આર. સી.) તરફથી અલ્ટ્રા-લો પાવર અને મલ્ટિફંક્શનલ સ્પિન્ટ્રોનિક સર્કિટ્સની ડિઝાઇન, બનાવટ અને મૂલ્યાંકન પર ધ્યાન કેન્દ્રિત કરતી બે અદ્યતન સંશોધન અનુદાન મળી હતી, જે ખાસ કરીને ઇન્ટરનેટ ઓફ થિંગ્સ માટે યોગ્ય છે. ડીની આઈ. ઈ. ઈ. ઈ. મેગ્નેટિક્સ સોસાયટીના ફેલો છે. તેમણે 2006માં સોસાયટીના ફ્રેન્ચ ચેપ્ટરની સ્થાપના કરી હતી. એજ્યુકેશન ડાયને 1982માં ઇકોલ નોર્મલ સુપરિયોર ડી કેચન પાસેથી "એગ્રીગેશન ડી ફિઝિક" મેળવ્યું હતું. ત્યારબાદ તેમણે જોસેફ ફોરિયર યુનિવર્સિટીમાં પ્રવેશ મેળવ્યો, અને 1985માં ભૌતિકશાસ્ત્રમાં ડોક્ટરેટની પદવી મેળવી, અને 2005માં તેમનું હેબિલિટેશન એ ડિરિગર ડેસ રિસર્ચ પૂર્ણ કર્યું. કારકિર્દી ડીનીએ 1988માં સી. એન. આર. એસ./લેબોરેટરી ડી મેગ્નેટિસ્મ લુઇસ નીલ ખાતે કાયમી જુનિયર સંશોધક તરીકે પોતાની કારકિર્દીની શરૂઆત કરી હતી. ત્યારબાદ તેમને 1992માં સીઇએ/ગ્રેનોબલ ખાતે કાયમી સંશોધક તરીકે નિયુક્ત કરવામાં આવ્યા હતા. તેઓ 1996 થી 2001 સુધી "નેનોસ્ટ્રક્ચર્સ એન્ડ મેગ્નેટિઝમ" પ્રયોગશાળાના વડા બન્યા હતા. 2002માં તેમણે સ્પિંટ્રોનિક્સ એન્ડ ટેક્નોલોજી ઓફ કોમ્પોનન્ટ્સ (સ્પિંટેક) ની સહસ્થાપના કરી હતી, જેમાં તેઓ 2015 સુધી નાયબ વડા રહ્યા હતા. તેમણે સીઇએ ખાતે વરિષ્ઠ નિષ્ણાત અને સંશોધન નિયામક તરીકે પણ સેવા આપી હતી. તેઓ હાલમાં સ્પિંટેકના મુખ્ય વૈજ્ઞાનિક છે. રિસર્ચ ડાયનીએ ચુંબકત્વ અને સ્પિન ઇલેક્ટ્રોનિક્સ પર તેમના સંશોધન પર ધ્યાન કેન્દ્રિત કર્યું છે, અને 2009 અને 2014 માં યુરોપિયન રિસર્ચ કાઉન્સિલ તરફથી હાઇબ્રિડ CMOS/મેગ્નેટિક ઇન્ટિગ્રેટેડ ઇલેક્ટ્રોનિક્સ સંબંધિત બે અદ્યતન સંશોધન અનુદાન મેળવ્યા છે. આ ક્ષેત્રમાં તેમના સંશોધન માટે, તેમને 2015માં ફ્રેન્ચ એકેડેમી ઓફ સાયન્સ તરફથી ડી મેગ્ની પુરસ્કાર અને 2019માં આઈ. ઈ. ઈ. ઈ. મેગ્નેટિક્સ સોસાયટી અચીવમેન્ટ એવોર્ડ પણ એનાયત કરવામાં આવ્યો હતો. મેગ્નેટિક રેકોર્ડિંગ ટેકનોલોજી રીડ-હેડ માટે જાયન્ટ મેગ્નેટોરેસિસ્ટન્સ (જી. એમ. આર.) ની ક્ષમતા પર કેન્દ્રિત તેમના અભ્યાસમાં, ડાયનીએ દર્શાવ્યું હતું કે બે અનકપલ્ડ ફેરોમેગ્નેટિક સ્તરો ધરાવતી સેન્ડવિચ, એક પિન કરેલા ચુંબકત્વનું અને બીજું મુક્ત ચુંબકત્વનું, રીડ-હેડ કાર્યક્રમો માટે જરૂરી જી. એમ. આર. સંવેદનશીલતાનું પ્રદર્શન કરી શકે છે. તેમણે તેમની ટીમ સાથે મળીને આ પ્રણાલીઓને સ્પિન-વાલ્વ નામ આપ્યું હતું. તેઓ સ્પિન-વાલ્વ સંબંધિત પ્રથમ સાત પેટન્ટના સહ-શોધક છે, જેના માટે તેમને 1992માં આ કાર્ય માટે આઇબીએમ તરફથી ઉત્કૃષ્ટ સિદ્ધિ પુરસ્કાર એનાયત કરવામાં આવ્યો હતો અને 2018માં માઉન્ટેન વ્યૂમાં કમ્પ્યુટર હિસ્ટ્રી મ્યુઝિયમમાં આ કાર્યના સંબંધમાં તેમનો ઇન્ટરવ્યુ લેવામાં આવ્યો હતો. ડાયનીએ ફ્યુક્સ સોન્ડહેઇમર સિદ્ધાંત પર આધારિત એક મોડેલિંગ ટૂલ પણ વિકસાવ્યું હતું, જે માઇક્રોસ્કોપિક પરિવહન પરિમાણોમાંથી કોઈપણ સ્પિન-વાલ્વ માળખાના પ્રતિકાર અને જી. એમ. આર. ની ગણતરીને મંજૂરી આપે છે. આ સાધનનો રેકોર્ડિંગ ઉદ્યોગમાં સ્પિન-વાલ્વ રીડ-હેડના ઓપ્ટિમાઇઝેશનને ઝડપી બનાવવા માટે વ્યાપકપણે ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. સ્પાઇનલેક્ટ્રોનિક્સ ડાયનીએ સ્પિન્ટ્રોનિક્સમાં ઘણા ખૂબ જ મહત્વપૂર્ણ ક્ષેત્રોમાં પહેલ કરી છે. 1995 માં, તેમણે સેમિકન્ડક્ટર અને ચુંબકીય સ્તરોને સંયોજિત કરતા સ્પિન-ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણોની વિશ્વવ્યાપી પ્રથમ અનુભૂતિમાં ભાગ લીધોઃ સ્પિન-વાલ્વ ટ્રાન્ઝિસ્ટર. ટ્વેન્ટે યુનિવર્સિટીના સહયોગથી હાથ ધરવામાં આવેલા આ કાર્યની ખૂબ જ મજબૂત અસર પડી હતી અને બેલિસ્ટિક ઇલેક્ટ્રોન એમિશન માઇક્રોસ્કોપી (બી. ઈ. ઈ. એમ.) ના ક્ષેત્રમાં અનુગામી ઘણા અભ્યાસોને પ્રોત્સાહન આપ્યું હતું. તેમણે એમ. આર. એ. એમ. સંબંધિત આશરે 60 પેટન્ટ પણ દાખલ કરી છે, જેમાંથી કેટલીક મહત્ત્વની છે કારણ કે હવે એમ. આર. એ. એમ. નું ઉત્પાદન કરતી તમામ માઇક્રોઇલેક્ટ્રોનિક કંપનીઓ દ્વારા તેનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. 2002માં, તેમની ટીમે ચુંબકીય ધાતુ/ઓક્સાઇડ ઇન્ટરફેસ પર લંબરૂપ અનિસોટ્રોપીની ઘટના શોધી કાઢી હતી. વધુમાં, તેમણે CMOS (CMOS: પૂરક મેટલ ઓક્સાઇડ સેમિકન્ડક્ટર ટેકનોલોજી) અને ચુંબકીય તકનીકોના સંયોજન સાથે બિન-અસ્થિર તર્ક પર એક મહત્વપૂર્ણ પ્રવૃત્તિ પણ શરૂ કરી હતી. તેમની ટીમે સ્પિન્ટ્રોનિક સર્કિટ્સની કલ્પના કરવા માટે જરૂરી વ્યક્તિગત કોષ સ્તરથી લઈને સિસ્ટમ સ્તર સુધીના ડિઝાઇન સાધનો પણ વિકસાવ્યા હતા. આ રેખા સાથે, તેઓએ એમ. આર. એ. એમ. બ્લોક, એફ. પી. જી. એ. સર્કિટ અને માઇક્રોકન્ટ્રોલર્સની રચના અને સફળતાપૂર્વક પરીક્ષણ કર્યું. 2015માં, તેમણે બહુ-ગીગાબિટ એમ. આર. એ. એમ. ચિપ્સ તરફનો માર્ગ ખોલતા ઉચ્ચ ઘનતા અને સાંકડી પીચ પર એમ. આર. એ. એમ. કોષોના નેનોપેટર્નિંગ માટે એક નવીન અભિગમની દરખાસ્ત કરી હતી. તેમની ટીમે અદ્યતન ટેક્નોલોજી નોડ્સ (સબ 20 એનએમ) પર મેમરી રીટેન્શન વધારવા માટે સ્ટોરેજ લેયરના લંબરૂપ આકારની અનિસોટ્રોપીનો ઉપયોગ કરીને એમઆરએએમની નવીન વિભાવનાનો પણ પ્રસ્તાવ મૂક્યો અને તેનું પ્રદર્શન કર્યું. મેગ્નેટિઝમ અને માઇક્રોઇલેક્ટ્રોનિક્સ સમુદાયોએ ચુંબકત્વ અને માઇક્રોઇલેક્ટ્રોનિક્સ સમુદાયો વચ્ચેના સંબંધોને મજબૂત કરવા માટે કામ કર્યું છે. 2013માં તેમણે મેગ્નેટિક રેન્ડમ એક્સેસ મેમરી "ઇનએમઆરએએમ" પર વાર્ષિક પ્રારંભિક અભ્યાસક્રમ શરૂ કર્યો હતો. તે જ રીતે, સેમસંગ ઇલેક્ટ્રોનિક્સના મજબૂત સમર્થન સાથે, તેઓ દર વર્ષે IEDM ખાતે MRAM ગ્લોબલ ઇનોવેશન ફોરમનું આયોજન કરે છે, જે IEEE ઇલેક્ટ્રોન ડિવાઇસીસ સોસાયટી દ્વારા પ્રાયોજિત માઇક્રોઇલેક્ટ્રોનિક્સની મુખ્ય વાર્ષિક પરિષદ છે. મેગ્નેટિઝમ અને બાયોટેકનોલોજી 2012 માં, ડાયનીએ બાયોટેકનોલોજી અને બાયોમેડિસિનમાં ચુંબકીય નેનોપાર્ટિકલ્સના ઉપયોગને લગતી સ્પિંટેક ખાતે નવી પ્રવૃત્તિ શરૂ કરી. સી. ઈ. એ./ડી. આર. એફ./આઈ. આર. આઈ. જી. ખાતેની અન્ય પ્રયોગશાળાઓ અને આઈ. એન. એસ. ઈ. આર. એમ. ખાતેની એક ટીમના સહયોગથી, તેમની ટીમે ઇન-વિટ્રો, કેન્સરના કોષોના એપોપ્ટોસિસ (સ્વયંસ્ફુરિત મૃત્યુ) ને ટ્રિગર કરવાની સંભાવના તેમજ સ્વાદુપિંડના કોષો દ્વારા ઇન્સ્યુલિનના ઉત્પાદનને ઉત્તેજીત કરવાની સંભાવના દર્શાવી હતી. આ અભ્યાસો હવે INSERM અને CHU ગ્રેનોબલના સહયોગથી ઇન-વિવોમાં કરવામાં આવે છે. પુરસ્કારો/સન્માનો 1992-સ્પિન-વાલ્વ 2000ના વિકાસ માટે આઇબીએમ આઉટસ્ટેન્ડિંગ અચીવમેન્ટ એવોર્ડ-એપ્લાઇડ ફિઝિક્સ એવોર્ડ, ફ્રેન્ચ સોસાયટી ઓફ ફિઝિક્સ 2002-સીઇએ 2006માંથી નવીન વિચાર અને નવીન ટેકનોલોજીનો એવોર્ડ-ડેસકાર્ટેસ રિસર્ચ પ્રાઇઝ, યુરોપિયન કાઉન્સિલ 2009ના ફાઇનલિસ્ટ-યુરોપિયન રિસર્ચ કાઉન્સિલ એડવાન્સ્ડ ગ્રાન્ટ, હાઇમેજિન (હાઇબ્રિડ સીએમઓએસ/મેગ્નેટિક ઇન્ટિગ્રેટેડ ઇલેક્ટ્રોનિક્સ) 2010ના પ્રાપ્તકર્તા-આઇઇઇઇ મેગ્નેટિક્સ સોસાયટી 2012ની અંદર આઇઇઇઇ ફેલો તરીકે એલિવેટેડ-યુરોપિયન રિસર્ચ કાઉન્સિલ પ્રૂફ ઓફ કન્સેપ્ટ ગ્રાન્ટ (ઇઆરસી પીઓસી), દેશાઇમેગ (હાઇબ્રિડ સીએમઓએસ/મેગ્નેટિક ડિજિટલ સર્કિટની ડિઝાઇનના ફેબલેસ સ્ટાર્ટ-અપ તરફ) ના પ્રાપ્તકર્તા. 2014-યુરોપિયન રિસર્ચ કાઉન્સિલ એડવાન્સ્ડ ગ્રાન્ટ (ERC એડવાન્સ્ડ ગ્રાન્ટ), MAGICAL (CMOS/મેગ્નેટોઇલેક્ટ્રોનિક ઇન્ટિગ્રેટેડ સર્કિટ્સ વિથ મલ્ટિફંક્શનલ કેપેબિલિટીઝ) 2015-એડ્રિયન કોન્સ્ટેન્ટિન ડી મેગ્ની પ્રાઇઝ ફ્રોમ એકેડેમી ડેસ સાયન્સિસ 2019-અચીવમેન્ટ એવોર્ડ, IEEE મેગ્નેટિક્સ સોસાયટી 2019-યુરોપિયન રિસર્ચ કાઉન્સિલ પ્રૂફ ઓફ કન્સેપ્ટ ગ્રાન્ટ (ERC PoC), MAGALIGN (મેગ્નેટિક એલાઇનમેન્ટ ફોર હાઈ પ્રિસિઝન 3D એસેમ્બલી) ના પ્રાપ્તકર્તા. ગ્રંથસૂચિ ડીની, બી., સ્પેરિયોસુ, વી. એસ., પાર્કિન, એસ. એસ., ગુર્ની, બી. એ., વિલ્હોઇટ, ડી. આર., અને મૌરી, ડી. (1991). સોફ્ટ ફેરોમેગ્નેટિક મલ્ટીલેયર્સમાં જાયન્ટ મેગ્નેટોરેસિસ્ટિવ. ભૌતિક સમીક્ષા બી, 43 (1), 1297. ડીની, બી., સ્પેરિયોસુ, વી. એસ., મેટિન, એસ., પાર્કિન, એસ. એસ., ગુર્ની, બી. એ., બૌમગાર્ટ, પી., અને વિલ્હોઇટ, ડી. આર. (1991). ચુંબકીય રીતે નરમ સ્પિન-વાલ્વ માળખાના મેગ્નેટોટ્રાન્સપોર્ટ ગુણધર્મો. જર્નલ ઓફ એપ્લાઇડ ફિઝિક્સ, 69 (8), 4774-4779. ડીની, બી. (1994). સ્પિન-વાલ્વ મલ્ટીલેયર્સમાં વિશાળ મેગ્નેટોરેસિસ્ટન્સ. જર્નલ ઓફ મેગ્નેટિઝમ એન્ડ મેગ્નેટિક મટિરિયલ્સ, 136 (3), 335-359. હાઉસમેડાઇન, ડી., એબલ્સ, યુ., ડેલેટ, બી., રોડમેક, બી., ફિરાસ્ટ્રૌ, આઈ., પોન્થેનિયર, એફ., અને ડીની, બી. (2007). લંબરૂપ ધ્રુવીકરણ અને સમતલીય મુક્ત સ્તરનો ઉપયોગ કરીને સ્પિન-ટોર્ક ઓસિલેટર. કુદરતી સામગ્રી, 6 (6), 447-453. યાંગ, એચ. એક્સ., શીયેવ, એમ., ડીની, બી., લી, જે. એચ., માન્ચોન, એ., અને શિન, કે. એચ. (2011). ફે | એમજીઓ અને કો | એમજીઓ ઇન્ટરફેસ પર ખૂબ મોટી લંબ ચુંબકીય અનિસોટ્રોપીની પ્રથમ સિદ્ધાંતોની તપાસ. ભૌતિક સમીક્ષા બી, 84 (5), 054401. સંદર્ભો જીવંત લોકો જન્મ વર્ષ ગુમ થયેલ (જીવંત લોકો) ફ્રેન્ચ નેશનલ સેન્ટર ફોર સાયન્ટિફિક રિસર્ચ વૈજ્ઞાનિકો ઇકોલ નોર્મેલ સુપરિયોર ભૂતપૂર્વ વિદ્યાર્થીઓ ફ્રેન્ચ કંપનીના સ્થાપકો ગ્રેનોબલ આલ્પ્સ યુનિવર્સિટીના ભૂતપૂર્વ વિદ્યાર્થીઓ