Pr:YLF laser
એ. પી. આર.: વાય. એલ. એફ. લેસર (અથવા પી. આર. 3 +: એલ. આઈ. વાય. એફ. 4 લેસર) એક સોલિડ સ્ટેટ લેસર છે જે તેના ગેઇન માધ્યમ તરીકે પ્રેઝોડિયમિયમ ડોપ્ડ યટ્રિયમ-લિથિયમ-ફ્લોરાઇડ સ્ફટિકનો ઉપયોગ કરે છે. પ્રથમ પી. આર.: વાય. એલ. એફ. લેસર 1977માં બનાવવામાં આવ્યું હતું અને 479 એનએમ પર કઠોળનું ઉત્સર્જન કર્યું હતું. પીઆરઃ વાયએલએફ લેસરો પ્રકાશના દૃશ્યમાન વર્ણપટમાં ઘણી જુદી જુદી તરંગલંબાઇમાં ઉત્સર્જન કરી શકે છે, જે તેમને આરજીબી કાર્યક્રમો અને સામગ્રી પ્રક્રિયા માટે સંભવિત રીતે રસપ્રદ બનાવે છે. નોંધપાત્ર ઉત્સર્જન તરંગલંબાઇ 479 એનએમ, 523 એનએમ, 607 એનએમ અને 640 એનએમ છે. ટેક્નોલોજી પીઆરઃ વાયએલએફ લેસરોને ફ્લેશલેમ્પ્સ, પલ્સ્ડ ડાય લેસર્સ અથવા ડાયોડ લેસર્સનો ઉપયોગ કરીને ઓપ્ટિકલી પમ્પ કરવામાં આવે છે. પી. આર.: વાય. એલ. એફ. ની સૌથી મજબૂત ઉત્સર્જન રેખા 640 એનએમ છે, જે પી. આર. 3 +-આયનના સંક્રમણમાંથી ઉદ્ભવે છે. જો કે, આ રેખાને દબાવીને (અને ઇચ્છિત રેખા કરતાં વધુ મજબૂત અન્ય રેખાઓ), વિવિધ તરંગલંબાઇ મેળવવા માટે અન્ય સંક્રમણોનો ઉપયોગ કરી શકાય છે. આ ડાયક્રોઇક અરીસાઓનો ઉપયોગ કરીને કરી શકાય છે. પીઆરઃ વાયએલએફ લેસરોને અથવા (અનુરૂપ તરંગલંબાઇઃ 444 એનએમ, 469 એનએમ, 479 એનએમ) માંથી સંક્રમણનો ઉપયોગ કરીને પમ્પ કરવામાં આવે છે. પી. આર. 3 +-આયન પછી ઝડપી, કિરણોત્સર્ગ વિનાનું સંક્રમણ (ઝડપી છૂટછાટ) થાય છે, ત્યારબાદ પ્રકાશ ઉત્સર્જક સંક્રમણ થાય છે. છેવટે, ગ્રાઉન્ડ લેવલ () અન્ય કિરણોત્સર્ગ વિનાના સ્થાનાંતરણ દ્વારા પહોંચી શકાય છે, જે પી. આર.: વાય. એલ. એફ. લેસરને 4-સ્તરની પ્રણાલી બનાવે છે. પીઆરઃ વાયએલએફ નીચેની તરંગલંબાઇ પર લેસિંગને સપોર્ટ કરે છેઃ 479 એનએમ, 523 એનએમ, 546 એનએમ, 607 એનએમ, 640 એનએમ, 698 એનએમ, 721 એનએમ, 907 એનએમ અને 915 એનએમ. સંક્રમણ વિશેષ રસ ધરાવે છે, કારણ કે તેની તરંગલંબાઇ (444 એનએમ) આઈએનજીએએન લેસર ડાયોડ દ્વારા આવરી શકાય છે, જે ઉચ્ચ ઉત્પાદન શક્તિઓ પર વ્યાવસાયિક રીતે ઉપલબ્ધ છે. કારણ કે 444 એનએમ પર શોષણ ટોચ માત્ર થોડા નેનોમીટરની બેન્ડવિડ્થ ધરાવે છે, કાર્યક્ષમ લેસર ક્રિયા માટે પમ્પડાયોડ્સ પસંદ કરવા અને સ્થિર કરવા પડે છે. આ ડાયોડનો ઉપયોગ કરતા ડાયોડ પમ્પ્ડ સોલિડ સ્ટેટ (DPSS) લેસરો સતત તરંગ કામગીરીમાં આઉટપુટ શક્તિના બહુવિધ વોટ સુધી પહોંચી ગયા છે. પી. આર.: વાય. એલ. એફ. સ્ફટિકોનો ઉપયોગ કરતા લાક્ષણિક ડી. પી. એસ. એસ. સુયોજનમાં ગોળાર્ધના રેઝોનેટરનો સમાવેશ થાય છે જેમાં સ્ફટિકને પંપ ડાયોડ દ્વારા સમાંતર રીતે પમ્પ કરવામાં આવે છે. રેઝોનેટરની લંબાઈના આધારે, આ રેઝોનેટરનો પ્રકાર અરીસાઓની થોડી ખોટી ગોઠવણીને સહન કરી શકે છે અને સ્ફટિક થર્મલ લેન્સિંગ અસરો દર્શાવે તો પણ સ્થિરતા જાળવી રાખે છે. રેઝોનેટરના પ્લેન મિરરને સ્ફટિકના એક ચહેરાને કોટિંગ કરીને બદલી શકાય છે, જે સુયોજનને ખૂબ જ સઘન બનાવે છે. એસ. એમ. 3 +, ટી. બી. 3 +, ડાય 3 +, હો 3 + અને એર 3 + જેવા કેટલાક અન્ય દુર્લભ-પૃથ્વી ડોપન્ટ્સ દૃશ્યમાન વર્ણપટમાં સંક્રમણો પ્રદાન કરે છે, તેમ છતાં આ પ્રદેશમાં સૌથી કાર્યક્ષમ ઉત્સર્જન પી. આર.: વાય. એલ. એફ. લેસરો પી. આર.: વાય. એલ. એફ. લેસરોને સતત તરંગ (સી. ડબલ્યુ.) અથવા સ્પંદિત સ્થિતિમાં સંચાલિત કરી શકાય છે. ક્યૂ-સ્વિચ્ડ અને ફ્રિક્વન્સી-ડબલ પીઆરઃ વાયએલએફ લેસરોની પણ જાણ કરવામાં આવી છે. એપ્લિકેશન્સ પીઆરઃ વાયએલએફ લેસરો, ખાસ કરીને ઉચ્ચ શક્તિવાળા આઈએનજીએએન લેસર ડાયોડ્સ સાથે સંયોજનમાં, પ્રકાશના દૃશ્યમાન વર્ણપટમાં તેમની ઉત્સર્જન રેખાઓ અને સંભવિત રીતે ખૂબ જ સઘન લેસર સુયોજનને કારણે ઉચ્ચ વૈજ્ઞાનિક રસ ધરાવે છે. ફ્લોરોસન્સ માઇક્રોસ્કોપી અથવા સાયટોમેટ્રી જેવા બાયોમેડિકલ કાર્યક્રમો ઉપરાંત, પી. આર.: વાય. એલ. એફ. લેસરો પણ શક્તિશાળી આર. જી. બી. પ્રકાશ સ્રોતોમાં ઉપયોગ માટે ખૂબ જ આકર્ષક છે. વધુમાં, સઘન અને કાર્યક્ષમ સતત તરંગ (ઊંડા) યુવી લેસરો પીઆરઃ વાયએલએફ લેસરોના ઉત્પાદનની આવર્તન બમણી કરીને બનાવી શકાય છે. નેનોસેકન્ડ યુવી પલ્સ ક્યૂ-સ્વિચિંગ આવર્તન બમણી પીઆરઃ વાયએલએફ લેસરો દ્વારા મેળવી શકાય છે. પલ્સ્ડ અને/અથવા સતત તરંગ યુવી લેસર્સનો ઉપયોગ ખૂબ જ ચોક્કસ સામગ્રી પ્રક્રિયા, ફોટોલ્યુમિનેસન્સ વિશ્લેષણ, સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદન અને નિરીક્ષણ માટે લિથોગ્રાફી, યુવી રમન સ્પેક્ટ્રોસ્કોપી, આંખની શસ્ત્રક્રિયા વગેરે માટે થઈ શકે છે. એપ્લિકેશન્સમાં તાંબુ અથવા સોના જેવી કેટલીક બિન-લોહ ધાતુઓની ચોક્કસ અને કાર્યક્ષમ સામગ્રી પ્રક્રિયાનો પણ સમાવેશ થાય છે. સંદર્ભો સોલિડ-સ્ટેટ લેસર યટ્રિયમ સંયોજનો લિથિયમ સંયોજનો પ્રેઝોડિયમિયમ સંયોજનો