Diffusion layer
વિદ્યુત રસાયણશાસ્ત્રમાં, IUPAC અનુસાર, પ્રસરણ સ્તરને "ઇલેક્ટ્રોડની નજીકનો પ્રદેશ" તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે જ્યાં જથ્થાબંધ દ્રાવણમાં સાંદ્રતા તેમના મૂલ્યથી અલગ હોય છે. પ્રસરણ સ્તરની જાડાઈની વ્યાખ્યા મનસ્વી છે કારણ કે સાંદ્રતા બલ્ક સોલ્યુશનમાં એસિમ્પ્ટોટિક રીતે મૂલ્ય સુધી પહોંચે છે. આમ પ્રસરણ સ્તર એનાલાઇટના પ્રસરણ ગુણાંક () પર અને વોલ્ટામેટ્રિક માપન માટે સ્કેન દર (V/s) પર આધાર રાખે છે. તેને સામાન્ય રીતે કેટલાક ગુણાંક (જ્યાં = સ્કેન દર) તરીકે ગણવામાં આવે છે. મૂલ્ય ભૌતિક રીતે સુસંગત છે કારણ કે દ્રાવણની સાંદ્રતા ફિકના નિયમોમાંથી મેળવેલા અભિવ્યક્તિ અનુસાર બદલાય છેઃ ભૂલ કાર્ય ક્યાં છે. જ્યારે સાંદ્રતા જથ્થાબંધ સાંદ્રતાના આશરે 52 ટકા હોયઃ ધીમા સ્કેન દરે, પ્રસરણ સ્તર માઇક્રોમીટરના ક્રમમાં મોટું હોય છે, જ્યારે ઝડપી સ્કેન દરે પ્રસરણ સ્તર જાડાઈમાં નેનોમીટર હોય છે. આ સંબંધને આંશિક રીતે કોટરેલ સમીકરણ દ્વારા વર્ણવવામાં આવ્યો છે. ચક્રીય વોલ્ટેમેટ્રી સાથે સંબંધિત, મોટા દ્રાવણના કદની સરખામણીમાં પ્રસરણ સ્તરનું કદ નગણ્ય છે. આ કારણોસર, ચક્રીય વોલ્ટેમેટ્રી પ્રયોગોમાં તાજા એનાલાઇટનો અખૂટ પુરવઠો છે. સંદર્ભો પ્રસરણ