Advanced silicon etching
એડવાન્સ્ડ સિલિકોન એચિંગ (એ. એસ. ઈ.) એ સિલિકોનમાં ઊંડા અને ઉચ્ચ એસ્પેક્ટ રેશિયો માળખાઓ કોતરવા માટેની ઊંડી પ્રતિક્રિયાશીલ-આયન એચિંગ (ડી. આર. આઈ. ઈ.) તકનીક છે. એએસઈની રચના યુકેમાં 1994માં સરફેસ ટેક્નોલોજી સિસ્ટમ્સ પીએલસી (એસટીએસ) દ્વારા કરવામાં આવી હતી. એસ. ટી. એસ. એ ઝડપી કોતરણી દર સાથે આ પ્રક્રિયા વિકસાવવાનું ચાલુ રાખ્યું છે. એસ. ટી. એસ. એ સ્વીચ પ્રક્રિયા વિકસાવી અને તેનો સૌપ્રથમ અમલ કર્યો, જેની શોધ મૂળરૂપે સ્ટુટગાર્ટના બોશમાં ડૉ. લાર્મર દ્વારા કરવામાં આવી હતી. એ. એસ. ઈ. માં આઇસોટ્રોપિક સી ઇચ (સામાન્ય રીતે એસ. એફ. 6 પ્લાઝમાનો ઉપયોગ કરીને) માં પ્રાપ્ત ઝડપી ઇચ દરને બે પ્રક્રિયા પગલાંને વારાફરતી જમા અથવા નિષ્ક્રિય પ્રક્રિયા (સામાન્ય રીતે સી4એફ8 પ્લાઝ્મા ઘનીકરણ પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ કરીને) સાથે જોડવામાં આવે છે. આ અભિગમ એનિસોટ્રોપિક રીતે કોતરણી કરવાની ક્ષમતા જાળવી રાખીને સૌથી ઝડપી કોતરણી દર હાંસલ કરે છે, સામાન્ય રીતે માઇક્રોઇલેક્ટ્રોમિકેનિકલ સિસ્ટમ્સ (માઇક્રોઇલેક્ટ્રોમિકેનિકલ સિસ્ટમ્સ (એમઇએમએસ)) એપ્લિકેશન્સમાં ઊભી રીતે. એ. એસ. ઈ. એચ. આર. એમ. એ આઇ. સી. પી. ડિઝાઇનની અગાઉની પેઢીઓમાં સુધારો છે, જેમાં હવે અલગ થયેલા પ્લાઝ્મા સ્રોત (પેટન્ટ બાકી) નો સમાવેશ થાય છે. વિચ્છેદિત સ્રોત ઉચ્ચ-ઘનતા ધરાવતો પ્લાઝ્મા ઉત્પન્ન કરે છે જેને એક અલગ પ્રક્રિયા ખંડમાં ફેલાવવાની મંજૂરી આપવામાં આવે છે. વિશિષ્ટ ચેમ્બર ડિઝાઇનનો ઉપયોગ કરીને, વધારાના આયનો (જે પ્રક્રિયા નિયંત્રણને નકારાત્મક અસર કરે છે) ઘટાડવામાં આવે છે, જે પરંપરાગત આઇસીપી સ્રોતોમાંથી ઉપલબ્ધ કરતા વધુ ઘનતા પર ફ્લોરિન મુક્ત-રેડિકલનું સમાન વિતરણ છોડી દે છે. ઊંચી ફ્લોરિન મુક્ત-આમૂલ ઘનતા એચના દરમાં વધારો કરે છે, જે સામાન્ય રીતે મૂળ પ્રક્રિયા સાથે પ્રાપ્ત થયેલા એચના દર કરતાં ત્રણ ગણા વધારે હોય છે. નોંધો સંદર્ભો. વધુ વાંચન સરફેસ ટેક્નોલોજી સિસ્ટમ્સ સેમિકન્ડક્ટર ડિવાઇસ ફેબ્રિકેશન માઇક્રોટેકનોલોજી એચિંગ (માઇક્રોફેબ્રિકેશન)