Zhong Lin Wang
ઝોંગ લિન વાંગ (; જન્મ નવેમ્બર 1961) એક ચીની-અમેરિકન ભૌતિકશાસ્ત્રી, સામગ્રી વૈજ્ઞાનિક અને નેનો ટેકનોલોજી, ઊર્જા વિજ્ઞાન અને ઇલેક્ટ્રોનિક્સમાં વિશેષતા ધરાવતા ઇજનેર છે. તેમણે 1987માં એરિઝોના સ્ટેટ યુનિવર્સિટીમાંથી પીએચડી પ્રાપ્ત કરી હતી. તેઓ મટિરીયલ્સ સાયન્સ એન્ડ એન્જિનિયરિંગમાં હાઈટાવર ચેર છે અને યુ. એસ. ની જ્યોર્જિયા ઇન્સ્ટિટ્યૂટ ઓફ ટેકનોલોજીમાં રીજેન્ટ્સના પ્રોફેસર છે. શિક્ષણ પીએચ. ડી. ભૌતિકશાસ્ત્રમાં, એરિઝોના સ્ટેટ યુનિવર્સિટી, 1987. બી. એસ. એપ્લાઇડ ફિઝિક્સમાં, ઝિડિયન યુનિવર્સિટી, ઝિયાન, ચીન, 1982. તેઓ ત્સુંગ-દાઓ લી દ્વારા આયોજિત CUSPEA કાર્યક્રમ દ્વારા સ્નાતક શાળા માટે અમેરિકા આવ્યા હતા. કારકિર્દી વાંગ 1987 થી 1988 સુધી સ્ટોની બ્રુક યુનિવર્સિટીમાં મુલાકાતી લેક્ચરર હતા. પછીના વર્ષે કેમ્બ્રિજ યુનિવર્સિટીમાં કેવેન્ડિશ લેબોરેટરીમાં રિસર્ચ ફેલો તરીકે કામ કર્યા પછી, વાંગ 1990 થી 1994 સુધી ઓક રિજ નેશનલ લેબોરેટરી અને નેશનલ ઇન્સ્ટિટ્યૂટ ઓફ સ્ટાન્ડર્ડ્સ એન્ડ ટેકનોલોજીમાં રિસર્ચ સાયન્ટિસ્ટ તરીકે જોડાયા હતા. તેમને 1995માં જ્યોર્જિયા ઇન્સ્ટિટ્યૂટ ઓફ ટેક્નોલોજી દ્વારા સહયોગી પ્રોફેસર તરીકે નિયુક્ત કરવામાં આવ્યા હતા; તેમને 1999માં સંપૂર્ણ પ્રોફેસર, 2004માં રીજેન્ટ્સના પ્રોફેસર અને 2010માં મટિરીયલ્સ સાયન્સ એન્ડ એન્જિનિયરિંગમાં હાઈટાવર ચેર તરીકે બઢતી આપવામાં આવી હતી. વાંગ 2000 થી 2015 સુધી જ્યોર્જિયા ટેકના સેન્ટર ફોર નેનોસ્ટ્રક્ચર કેરેક્ટરાઇઝેશનના ડિરેક્ટર હતા. તેઓ 2012 થી બેઇજિંગ ઇન્સ્ટિટ્યૂટ ઓફ નેનોએનર્જી એન્ડ નેનોસિસ્ટમ્સ, ચાઇનીઝ એકેડેમી ઓફ સાયન્સમાં સ્થાપક નિર્દેશક, નિર્દેશક અને મુખ્ય વૈજ્ઞાનિક છે. નેનોજનરેટરના વિજ્ઞાન અને તકનીકી વાંગે 2006માં પીઝોઇલેક્ટ્રિક નેનોજનરેટરની શોધ કરી હતી, જે ઝેડએનઓ નેનોવાયર એરે દ્વારા પ્રદાન કરવામાં આવતી નાની યાંત્રિક ઊર્જામાંથી વીજળી ઉત્પન્ન કરે છે. ત્યારથી, નેનોએનર્જી અને સ્વ-સંચાલિત પ્રણાલીઓના ક્ષેત્રોનો જન્મ થયો, જે સેન્સર નેટવર્ક, મોબાઇલ ઇલેક્ટ્રોનિક્સ અને વસ્તુઓના ઇન્ટરનેટમાં મહત્વપૂર્ણ ઉપયોગો ધરાવે છે. 2011 માં વાંગ દ્વારા ટ્રાઇબોઇલેક્ટ્રિક નેનોજનરેટર્સ (TENGs) ની શોધ પહેલાં, યાંત્રિક ઊર્જા લણણી મુખ્યત્વે 1831 માં ફેરાડે દ્વારા શોધાયેલ ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક જનરેટર (ઇ. એમ. જી.) પર આધારિત છે. 10-60 Hz કરતાં વધુ જેવી ઉચ્ચ-આવર્તન યાંત્રિક ગતિ માટે ઇ. એમ. જી. સૌથી વધુ કાર્યક્ષમ છે, કારણ કે ઓછી આવર્તન પર, ઇ. એમ. જી. નું આઉટપુટ ઓછું હોય છે. ઉચ્ચ આવર્તન પર ઉચ્ચ ગુણવત્તાવાળી અને નિયંત્રિત ઊર્જા આપણી આજની ઊર્જા પ્રણાલીના નિર્માણમાં મહત્વપૂર્ણ ભૂમિકા ભજવે છે. જો કે, વિતરિત ઊર્જા વધુને વધુ મહત્વપૂર્ણ બની જાય છે, કારણ કે આ યુગ વસ્તુઓના ઇન્ટરનેટ અને કૃત્રિમ બુદ્ધિ તરફ આગળ વધ્યો છે. પર્યાવરણમાંથી ઓછી આવર્તનની યાંત્રિક ઊર્જાની લણણીમાં TENG એ ઈ. એમ. જી. કરતા સ્પષ્ટ ફાયદા દર્શાવ્યા છે. TENG પર આધારિત ઊર્જા રૂપાંતરણ કાર્યક્ષમતા 50-85% સુધી પહોંચી શકે છે. અત્યાર સુધીમાં પ્રાપ્ત થયેલ મહત્તમ ઉત્પાદન શક્તિ ઘનતા 500 W/m2 સુધીની છે. TENGs ઘણા પ્રકારના સ્રોતોમાંથી ઊર્જા મેળવી શકે છે, અને પોર્ટેબલ ઇલેક્ટ્રોનિક્સ, બાયોમેડિસિન, પર્યાવરણીય દેખરેખ અને મોટા પાયે વીજળી માટે સ્વ-સંચાલિત પ્રણાલીઓમાં મહત્વપૂર્ણ ઉપયોગો ધરાવે છે. હાઇબ્રિડ સેલ. વ્યવહારમાં, ઉપકરણની ટકાઉ કામગીરી સામાન્ય રીતે માત્ર એક જ પ્રકારની ઊર્જાને સાફ કરીને અનુભવી શકાતી નથી. વાંગે 2009માં સૌર અને યાંત્રિક ઊર્જા જેવી બે અથવા વધુ વિવિધ પ્રકારની ઊર્જાની એક સાથે લણણી માટે સંકર કોષની રજૂઆત કરી હતી. બહુવિધ પ્રકારની ઊર્જા ઉપરાંત, વર્ણસંકર કોષમાં સમાન પ્રકારની ઊર્જા મેળવવા માટે બે અલગ-અલગ અભિગમોનો ઉપયોગ કરવાનો પણ સમાવેશ થાય છે. પાયરોઇલેક્ટ્રિક નેનોજનરેટર. થર્મેલેક્ટ્રિક અસર એ એક ભૌતિક અસર છે જે વીજળી ઉત્પન્ન કરવા માટે થર્મેલેક્ટ્રિક સામગ્રી સાથે તાપમાનના ઢાળને લાગુ કરે છે. અને પીઝોઇલેક્ટ્રિક સામગ્રીમાં, તાપમાનની સમયની વિવિધતા પણ પાવર રૂપાંતર માટે ધ્રુવીકરણનું કારણ બની શકે છે, જે પાયરોઇલેક્ટ્રિક અસર છે. 2012 માં, પાયરોઇલેક્ટ્રિક અસરના આધારે, વાંગે પાયરોઇલેક્ટ્રિક નેનોજનરેટરની શોધ કરી હતી. વાદળી ઊર્જા. ટી. ઇ. એન. જી. ઓછી આવર્તન પર જળ તરંગ ઊર્જાનો સંગ્રહ કરવામાં સક્ષમ હોવાનું સાબિત થયું છે. જો કે, પરંપરાગત ઇ. એમ. જી. તકનીકનો ઉપયોગ કરવો લગભગ અશક્ય છે. 2014 માં, વાંગે વાદળી ઊર્જાનો વિચાર રજૂ કર્યો હતો, જેમાં લાખો TENG એકમોનો ઉપયોગ કરીને મોટા પાયે તરંગ ઊર્જા લણણી માટે પાણીની સપાટી પર તરતું TENG નેટવર્ક રચવામાં આવ્યું હતું. જો એક TENG એકમ 10 મેગાવોટની વીજળી ઉત્પન્ન કરી શકે છે, તો જ્યોર્જિયા રાજ્યના કદ અને પાણીની 10 મીટર ઊંડાઈ જેટલા વિસ્તાર માટે કુલ વીજળી સૈદ્ધાંતિક રીતે 16 TW હોવાની આગાહી કરવામાં આવે છે, જે વિશ્વની ઊર્જાની જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરી શકે છે. મેક્સવેલના વિસ્થાપન પ્રવાહમાંથી નેનોજનરેટરનો સિદ્ધાંત. 1861માં, મેક્સવેલે મેક્સવેલના ડિસ્પ્લેસમેન્ટ કરંટ તરીકે ε≤E/≤t શબ્દનો પ્રસ્તાવ મૂક્યો, જે ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક તરંગોના એકીકરણ તરફ દોરી ગયો. ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક તરંગ વાયરલેસ સંચાર, રડાર અને પછીથી માહિતી ટેકનોલોજી માટે પાયો સુયોજિત કરે છે. જ્યારે સપાટીનું ધ્રુવીકરણ હાજર હોય તેવા કિસ્સાઓ માટે વાંગે મેક્સવેલના વિસ્થાપન પ્રવાહમાં બીજી મુદત ષ્ણુપાંશ/ષ્ણુપાંશ ઉમેર્યું, જે પીઝોઇલેક્ટ્રિક અને ટ્રાઇબોઇલેક્ટ્રિક અસરો જેવી બિન-વિદ્યુત ક્ષેત્ર સંબંધિત અસરો દ્વારા રજૂ કરાયેલા ધ્રુવીકરણનું પ્રતિનિધિત્વ કરે છે. એવું દર્શાવવામાં આવ્યું છે કે ઇ. એમ. જી. ચુંબકીય ક્ષેત્ર બી ની સમયની વિવિધતા પર આધારિત છે, જ્યારે નેનોજનરેટર સપાટીના ધ્રુવીકરણ ક્ષેત્ર પી. એસ. ની સમયની વિવિધતા પર આધારિત છે. તાજેતરમાં, વાંગે ચાર્જ કરેલા માધ્યમોને ખસેડવા માટે મેક્સવેલના સમીકરણોને સંપૂર્ણ રીતે વિસ્તૃત કર્યા અને સમીકરણોના સામાન્ય ઉકેલો રજૂ કર્યા. આ પ્રગતિ ઉડતી વસ્તુઓ વચ્ચેના સંચાર માટે મહત્વપૂર્ણ હોઈ શકે છે. સંપર્ક-વીજળીકરણની ઉત્પત્તિ. દાયકાઓથી, વૈજ્ઞાનિકો ચાર્જ ઓળખ અને સંપર્ક-વીજળીકરણ (સીઇ, અથવા ટ્રાઇબોઇલેક્ટ્રિફિકેશન) ની પદ્ધતિઓ વિશે ચર્ચા કરી રહ્યા છે, જો તે ઇલેક્ટ્રોન, આયન અને/અથવા સામગ્રી પ્રજાતિઓના સ્થાનાંતરણને કારણે છે. તાજેતરમાં, વાંગે તારણ કાઢ્યું હતું કે ઘન-ઘન જોડીઓ વચ્ચે સી. ઈ. માટે ઇલેક્ટ્રોન ટ્રાન્સફર એ પ્રબળ પદ્ધતિ છે. વાંગે સીઇ માટે એક સામાન્ય મોડેલની દરખાસ્ત કરી હતી અને જાહેર કર્યું હતું કે અણુઓ/અણુઓ વચ્ચેનું ઇલેક્ટ્રોન સંક્રમણ પ્રતિકારક પ્રદેશમાં બે અણુઓ/અણુઓ વચ્ચે મજબૂત ઇલેક્ટ્રોન ક્લાઉડ ઓવરલેપ (અથવા તરંગ કાર્ય ઓવરલેપ) દ્વારા પ્રેરિત થાય છે, કારણ કે આંતરપરમાણ્વિક સંભવિત અવરોધ ઘટાડી શકાય છે. સંપર્ક/ઘર્ષણ બળ ઇલેક્ટ્રોન વાદળ (અથવા ભૌતિકશાસ્ત્રમાં તરંગ કાર્ય, રસાયણશાસ્ત્રમાં બંધન) ના ઓવરલેપમાં વધારો કરી શકે છે. આ મોડેલને પ્રવાહી-ઘન, પ્રવાહી-પ્રવાહી અને વાયુ-પ્રવાહીના કિસ્સાઓમાં પણ વિસ્તૃત કરી શકાય છે. પછી, પ્રવાહી અને ઘન વચ્ચે વિદ્યુત ડબલ સ્તરની રચનાની પ્રક્રિયાને જાહેર કરવા માટે એક વર્ણસંકર સ્તર મોડેલની દરખાસ્ત કરવામાં આવી છે. ઈન્ટરફેસ ઇલેક્ટ્રોન ટ્રાન્સફર અને સંક્રમણને કારણે ફોટોન ઉત્સર્જન જોવા મળ્યું છે, જેના પરિણામે સંપર્ક-વીજળીકરણ પ્રેરિત ઉત્સર્જન સ્પેક્ટ્રોસ્કોપી (CEIIS) નો જન્મ થયો છે. વધુમાં, પ્રવાહી અને ઘન સપાટીઓ વચ્ચેના ઇલેક્ટ્રોન ટ્રાન્સફરનો ઉપયોગ ઉત્પ્રેરણ માટે થઈ શકે છે, જેના પરિણામે સંપર્ક-વિદ્યુત ઉત્પ્રેરણ (સીઇસી) નું નવું ક્ષેત્ર બને છે. નવા યુગ માટે ઊર્જા અને ઉચ્ચ એન્ટ્રોપી ઊર્જા. જ્યારે આપણે વસ્તુઓના ઇન્ટરનેટ, સેન્સર નેટવર્ક, મોટા ડેટા, રોબોટિક્સ અને કૃત્રિમ બુદ્ધિના નવા યુગમાં પ્રવેશ કરીએ છીએ, ત્યારે અબજો નાના, ગતિશીલ અને વિતરિત ઊર્જા સ્રોતોની ખૂબ જરૂર પડે છે. બૅટરીઓના મુખ્ય ગેરફાયદાઓને કારણે "સ્વ-શક્તિ" ને સમજવું અનિવાર્ય છે. વાંગે 2017 માં "નવા યુગ માટે ઊર્જા" ના વિચારનો પ્રસ્તાવ મૂક્યો હતો જેથી વિતરિત ઉર્જા સ્ત્રોતોને જાણીતી નવી ઉર્જાથી અલગ પાડી શકાય. તાજેતરમાં, વાંગે વસ્તુઓના ઇન્ટરનેટના યુગ માટે ઊર્જા વિતરણ અને ઉપયોગના એન્ટ્રોપી સિદ્ધાંતનો અભ્યાસ કર્યો હતો. પાવર પ્લાન્ટ્સમાંથી પ્રસારિત થતી "ક્રમબદ્ધ" ઊર્જાનો ઉપયોગ નિશ્ચિત સ્થળો અને "અવ્યવસ્થિત" વિતરિત પાવર એપ્લિકેશનોના ભાગ માટે "ક્રમબદ્ધ" એપ્લિકેશનોને ઉકેલવા માટે થાય છે, જ્યારે પર્યાવરણમાંથી મેળવવામાં આવતી "અવ્યવસ્થિત" ઊર્જાનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે વિતરિત એપ્લિકેશનોને ઉકેલવા માટે થાય છે. ત્રીજી પેઢીના સેમિકન્ડક્ટર્સના પીઝોટ્રોનિક્સ અને પીઝો-ફોટોટ્રોનિક્સ પીઝોટ્રોનિક અસર અને પીઝોટ્રોનિક્સ. બિન-સેન્ટ્રોસિમેટ્રિક સ્ફટિક માળખા ધરાવતી સામગ્રી પર તાણ લાગુ કરતી વખતે, આયન ધ્રુવીકરણને કારણે પીઝોઇલેક્ટ્રિક પોટેન્શિયલ (પીઝોપોટેંશિયલ) ઉત્પન્ન થઈ શકે છે. ઝેડએનઓ નેનોવાયર માટે, નેનોવાયર અને તેના ધાતુના સંપર્ક વચ્ચેની સ્કોટકી અવરોધ ઊંચાઈને બનાવવામાં આવેલા આંતરિક ક્ષેત્ર દ્વારા અસરકારક રીતે ટ્યુન કરી શકાય છે. જેથી સમગ્ર ઈન્ટરફેસમાં ચાર્જ વાહક પરિવહન પ્રક્રિયાને અસરકારક રીતે ટ્યુન અને ગેટેડ કરી શકાય. આવી ઘટનાને પીઝોટ્રોનિક અસર કહેવામાં આવે છે, જેની શોધ વાંગ દ્વારા 2007માં કરવામાં આવી હતી. પીઝોટ્રોનિક અસર લાગુ કરીને, પીઝોઇલેક્ટ્રિક ફિલ્ડ ઇફેક્ટ ટ્રાન્ઝિસ્ટર, પીઝોઇલેક્ટ્રિક ડાયોડ અને સ્ટ્રેન ગેટેડ લોજિક કામગીરી વિકસાવવામાં આવી છે. પીઝોટ્રોનિક્સનું ક્ષેત્ર ઇલેક્ટ્રોનિક્સનું પ્રતિનિધિત્વ કરે છે જેમાં પીઝોપોટેંશિયલ ગેટ વોલ્ટેજ તરીકે કાર્ય કરે છે. પીઝોટ્રોનિક્સના આધારે, પરંપરાગત CMOS ટ્રાન્ઝિસ્ટરની ડિઝાઇન અનિવાર્યપણે બદલી શકાય છે. પ્રથમ, પીઝોટ્રોનિક ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં કોઈ ગેટ ઇલેક્ટ્રોડ હોઈ શકે નહીં. બીજું, આંતરિક પીઝોપોટેંશિયલ લાગુ કરેલા ગેટ વોલ્ટેજને વિસ્થાપિત કરે છે, અને લાગુ કરેલ તાણનો ઉપયોગ ગેટ વોલ્ટેજને બદલે ઉપકરણને નિયંત્રિત કરવા માટે થાય છે. ત્રીજું, ડ્રેઇન (સ્રોત)-નેનોવાયર ઇન્ટરફેસ પરનો સંપર્ક ચેનલની પહોળાઈને બદલે ચાર્જ વાહક પરિવહનને નિયંત્રિત કરે છે. તાજેતરમાં, 2D સામગ્રીમાં પીઝોટ્રોનિક અસર પણ દર્શાવવામાં આવી હતી. પીઝોટ્રોનિક્સ માનવ-કમ્પ્યુટર ઇન્ટરફેસિંગ, સ્માર્ટ એમ. ઇ. એમ. એસ., નેનોરોબોટિક્સ અને સેન્સરમાં મહત્વપૂર્ણ અને વ્યાપક ઉપયોગો ધરાવે છે. પીઝો-ફોટોટ્રોનીક અસર અને પીઝો-ફોટોટ્રોનિક્સ. તાણ લાગુ કરતી વખતે, ઇન્ટરફેસ ધ્રુવીકરણ ચાર્જ દ્વારા બનાવવામાં આવેલ પીઝોપોટેંશિયલ સ્થાનિક બેન્ડ માળખાને મોટા પ્રમાણમાં ટ્યુન કરી શકે છે અને ચાર્જ અવક્ષય ઝોનને પી. એન. જંકશન પર ખસેડી શકે છે. જંકશન પર ચાર્જ કેરિયર્સના વિભાજન અથવા પુનઃસંયોજનને ફોટોન દ્વારા ઉત્તેજિત તરીકે અસરકારક રીતે વધારી શકાય છે. આવી ઘટનાને પીઝો-ફોટોટ્રોનિક અસર તરીકે ઓળખવામાં આવે છે, જે 2009 માં વાંગ દ્વારા શોધવામાં આવી હતી, જેમાં ઓપ્ટોઇલેક્ટ્રોનિક પ્રક્રિયાઓ સર્જિત પીઝોપોટેંશિયલ દ્વારા ટ્યુન અને નિયંત્રિત કરવામાં આવે છે. આ અસરનો ઉપયોગ કરીને, વ્યક્તિગત-નેનોવાયર એલઇડી પર આધારિત દબાણ/બળ સંવેદક એરે બનાવવામાં આવ્યા છે, જે ઉચ્ચ રીઝોલ્યુશન અને ઘનતા પર તાણનો નકશો બનાવી શકે છે અને એલઇડીની કાર્યક્ષમતામાં ઘણો વધારો કરી શકે છે. આવી અસર ઓપ્ટોઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણોના પ્રદર્શનને સુધારવામાં મહત્વપૂર્ણ ઉપયોગો શોધી શકે છે. પીઝોફોટોનિક અસર. વાંગે સૈદ્ધાંતિક રીતે 2008માં પીઝોઇલેક્ટ્રિક-પ્રેરિત ફોટોન-ઉત્સર્જન અસર (પીઝોફોટોનિક અસર) ની આગાહી કરી હતી. ફોટો ઉત્સર્જન થઇ શકે છે, જે પીઝોઇલેક્ટ્રિક પોટેન્શિયલના અસ્તિત્વ હેઠળ ખાલી જગ્યા/સપાટીની સ્થિતિઓમાંથી પાછા વેલેન્સ બેન્ડમાં ફસાયેલા ચાર્જના ઘટાડાના પરિણામે થાય છે. આવી અસર પ્રાયોગિક રીતે અવલોકન કરવામાં આવી છે અને તેના પછીના કાર્યમાં તેની ચકાસણી કરવામાં આવી છે. ટ્રાઇબોટ્રોનિક્સ. સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણમાં વાહક પરિવહનને નિયંત્રિત કરવા માટે પીઝોઇલેક્ટ્રિક પોટેન્શિયલનો ઉપયોગ કરવાની જેમ, ટ્રાઇબોઇલેક્ટ્રિક પોટેન્શિયલનો ઉપયોગ FET ઉપકરણના ગેટ વોલ્ટેજ તરીકે પણ થઈ શકે છે. ટ્રાઇબોટ્રોનિક્સનું ક્ષેત્ર ઇલેક્ટ્રોનિક્સનું પ્રતિનિધિત્વ કરે છે જેમાં ટ્રાઇબોઇલેક્ટ્રિક ગેટ વોલ્ટેજ તરીકે કાર્ય કરે છે. અત્યાર સુધી, વિવિધ પ્રકારના ટ્રાઇબોટ્રોનિક કાર્યાત્મક ઉપકરણો, જેમ કે ટ્રાઇબોટ્રોનિક સ્પર્શેન્દ્રિય સ્વીચ, મેમરી, હાઇડ્રોજન સેન્સર અને ફોટોટ્રાન્ઝિસ્ટર, ઘડવામાં આવ્યા છે. ZnO નેનોસ્ટ્રક્ચર્સની વૃદ્ધિ અને સમજણ નેનોબેલ્ટ એ એક નવા પ્રકારનું 1D નેનોસ્ટ્રક્ચર છે જે વિવિધ કેટાયન અને સ્ફટિકીય રચનાઓ ધરાવતા વિવિધ અર્ધવાહક ઓક્સાઇડ દ્વારા રચાય છે. વાંગે 2001માં ઓક્સાઇડ નેનોબેલ્ટ્સની શોધ કરી હતી. ઝેડએનઓ એક પ્રકારની સામગ્રી બની ગઈ છે જે સી નેનોવાયર અને કાર્બન નેનોટ્યુબ્સ જેટલું જ મહત્વ ધરાવે છે. TEMમાં ઇન-સીટૂ નેનો માપન કાર્બન નેનોટ્યુબ્સ માટેના ભૌતિક ગુણધર્મોની લાક્ષણિકતાઓ, જે નમૂનાની શુદ્ધતા અને નેનોટ્યુબના કદના વિતરણથી પ્રભાવિત હોય છે, તે સામાન્ય રીતે સ્કેનીંગ પ્રોબ માઇક્રોસ્કોપી દ્વારા હાથ ધરવામાં આવે છે. 1999 માં, યાંત્રિક, વિદ્યુત અને ક્ષેત્ર ઉત્સર્જન સહિત વ્યક્તિગત નેનોટ્યુબના ગુણધર્મોને માપવા માટે ટ્રાન્સમિશન ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપી (TEM) ના આધારે વાંગ અને સહકાર્યકરો દ્વારા અનન્ય તકનીકોની શ્રેણી વિકસાવવામાં આવી હતી. ઇન-સીટૂ TEM તકનીકનો ઉપયોગ કરીને, કોઈ પણ વ્યક્તિ અણુ-રીઝોલ્યુશન પર સામગ્રીના સ્ફટિક અને સપાટીની રચનાઓનું સીધું નિરીક્ષણ કરી શકે છે, અને નેનોસ્કેલ ગુણધર્મ માપન પણ કરી શકે છે. વાંગે નેનોબલાન્સ તકનીક અને નેનોમિકેનિક્સ તરફનો અભિગમ દર્શાવ્યો હતો. ઇલેક્ટ્રોન વિવર્તન અને ઇમેજિંગમાં અસ્થિર સ્કેટરિંગના સિદ્ધાંત વાંગે ઇલેક્ટ્રોન વિવર્તન અને ઇમેજિંગમાં અસ્થિર સ્કેટરિંગને સમજવા માટે કેટલાક સંશોધનો કર્યા. તેમણે ઇલેક્ટ્રોન વિવર્તન અને ઇમેજિંગમાં સ્થિતિસ્થાપક અને અસ્થિર સ્કેટરિંગ (પ્લેનમ પ્રેસ, 1995) પર એક પાઠ્યપુસ્તક પ્રકાશિત કર્યું હતું. સ્કેનીંગ ટ્રાન્સમિશન ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપી (STEM) માં, હાઇ-એંગલ એન્યુલર ડાર્ક-ફિલ્ડ (HAADF) (જેને Z-કોન્ટ્રાસ્ટ તરીકે ઓળખવામાં આવે છે) થર્મલ ડિફ્યુઝ સ્કેટરિંગ (TDS) દ્વારા પ્રભુત્વ ધરાવે છે, જે વાંગ દ્વારા જાહેર કરવામાં આવે છે. અને એચ. એ. એ. ડી. એફ. ના ઈમેજ સિમ્યુલેશનમાં ટી. ડી. એસ. નો સમાવેશ કરવા માટે ગતિશીલ સિદ્ધાંત પ્રસ્તાવિત કરવામાં આવ્યો હતો. સન્માન અને માન્યતા વૈશ્વિક ઊર્જા પુરસ્કાર, 2023 સેલ્સિયસ વ્યાખ્યાન વિજેતા, 2020, સ્વીડન આલ્બર્ટ આઈન્સ્ટાઈન વર્લ્ડ એવોર્ડ ઓફ સાયન્સ, વર્લ્ડ કલ્ચરલ કાઉન્સિલ (2019) 2019 ડાયલ્સ-પ્લાન્ક વ્યાખ્યાન પુરસ્કાર 2018 ENI એવોર્ડ ઇન એનર્જી ફ્રન્ટિયર્સ અમેરિકન કેમિકલ SOC દ્વારા એનાયત કરાયો હતો. પ્રકાશન સૌથી ફલપ્રદ લેખક (2017) ગ્લોબલ નેનોએનર્જી પ્રાઇઝ (2017), ધ નેનોસ્મેટ સોસાયટી, યુકે (2017) પ્રતિષ્ઠિત સંશોધન પુરસ્કાર, પાન વેન યુઆન ફાઉન્ડેશન (2017) સંશોધન નવીનીકરણમાં ઉત્કૃષ્ટ સિદ્ધિ પુરસ્કાર, જ્યોર્જિયા ટેક (2016) (યુએસ) સાઉથઈસ્ટર્ન યુનિવર્સિટીઝ રિસર્ચ એસોસિએશન તરફથી પ્રતિષ્ઠિત વૈજ્ઞાનિક પુરસ્કાર (2016) થોમસન-રોયટર્સ સાઇટેશન લોરેટ ઇન ફિઝિક્સ (2015) પ્રતિષ્ઠિત પ્રોફેસર પુરસ્કાર (જ્યોર્જિયા ટેક ખાતે સર્વોચ્ચ ફેકલ્ટી સન્માન) (2014) નેનોસ્મેટ પુરસ્કાર (યુનાઇટેડ કિંગડમ) (2014) ચાઇના આંતરરાષ્ટ્રીય વિજ્ઞાન અને તકનીકી સહયોગ પુરસ્કાર (2014) વિશ્વ તકનીકી પુરસ્કાર (સામગ્રી) (2014) અમેરિકન ફિઝિકલ સોસાયટી તરફથી નવી સામગ્રી માટે જેમ્સ સી. મેકગ્રોડી પુરસ્કાર (2014) એસીએસ નેનો વ્યાખ્યાન લી પ્રાઇઝ ફોર ડિસ્ટિંગ્વિશ્ડ એચિવમેન્ટ ઇન સાયન્સ એન્ડ ટેક્નોલોજી (2001) આઉટસ્ટેન્ડિંગ રિસર્ચ ઓથર એવોર્ડ, જ્યોર્જિયા ટેક (2000) બર્ટન મેડલ, માઇક્રોસ્કોપી સોસાયટી ઓફ અમેરિકા (1999) સંદર્ભો બાહ્ય કડીઓ વાંગની રિસર્ચ ગ્રુપ વેબસાઇટ http://www.mse.gatech.edu/people/zhong-lin-wang 1961 જન્મ જીવંત લોકો ચીની નેનોટેકનોલોજિસ્ટ ચીની ઇમિગ્રન્ટ્સ ટુ ધ યુનાઇટેડ સ્ટેટ્સ શાંક્સી ઝિડિયન યુનિવર્સિટીના ભૂતપૂર્વ વિદ્યાર્થીઓ એરિઝોના સ્ટેટ યુનિવર્સિટીના ભૂતપૂર્વ વિદ્યાર્થીઓ જ્યોર્જિયા ટેક ફેકલ્ટી અમેરિકન મટિરીયલ્સ વૈજ્ઞાનિકો એન્જિનિયર્સ શાંક્સી આલ્બર્ટ આઈન્સ્ટાઈન વર્લ્ડ એવોર્ડ ઓફ સાયન્સના વિદેશી સભ્યો અમેરિકન ફિઝિકલ સોસાયટીના ચાઇનીઝ એકેડેમી ઓફ સાયન્સ ફેલો