Hybrid electric double layer
હાઇબ્રિડ ઇલેક્ટ્રિક ડબલ લેયર (હાઇબ્રિડ ઇડીએલ) એ પ્રવાહી-ઘન ઇન્ટરફેસ પર ઇલેક્ટ્રોન ટ્રાન્સફરના યોગદાનને ધ્યાનમાં રાખીને ઇલેક્ટ્રિક ડબલ લેયરની રચનાનું વર્ણન કરવા માટેનું એક મોડેલ છે, જે સૌપ્રથમ વાંગ એટ અલ દ્વારા પ્રસ્તાવિત કરવામાં આવ્યું છે. 2018.The માં વર્ણસંકર EDL મોડેલ અને પરંપરાગત EDL મોડેલ વચ્ચેનો મુખ્ય તફાવત એ છે કે વર્ણસંકર EDL મોડેલ માને છે કે EDLમાં ઘન સપાટી પર ઇલેક્ટ્રોન અને આયન બંને હોય છે, જ્યારે પરંપરાગત EDL મોડેલ માને છે કે ઘન સપાટીમાં માત્ર શોષિત આયન હોય છે. હાઇબ્રિડ ઇ. ડી. એલ. નું નામ પ્રોફેસર ઝોંગ લિન વાંગ (વાંગ મોડેલ) ના નામ પરથી પણ રાખવામાં આવ્યું છે, જેમણે 2018માં તેનો પ્રસ્તાવ મૂક્યો હતો. "બે-તબક્કાની" રચના પ્રક્રિયા હાઇબ્રિડ ઇ. ડી. એલ. ની રચનાને "બે-તબક્કાની" પ્રક્રિયાઓ દ્વારા વર્ણવી શકાય છે. પ્રથમ તબક્કામાં, પ્રવાહીમાંના અણુઓ અને આયનો થર્મલ ગતિ અને પ્રવાહીના દબાણને કારણે ઘન સપાટીને અસર કરે છે, જ્યારે ઘન અણુઓ અને પાણીના અણુઓના ઇલેક્ટ્રોન વાદળોની ઓવરલેપ તેમની વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ટ્રાન્સફર તરફ દોરી જાય છે. પછી, પ્રવાહી પ્રવાહ અથવા તોફાનને કારણે, નક્કર સપાટીને અડીને આવેલા પ્રવાહી અણુઓને ઇન્ટરફેસથી દૂર ધકેલી શકાય છે. પ્રાયોગિક પુરાવા હાઇબ્રિડ ઇ. ડી. એલ. મોડેલ અને પરંપરાગત ઇ. ડી. એલ. મોડેલ વચ્ચેનો મુખ્ય તફાવત એ છે કે પ્રવાહી-ઘન ઇન્ટરફેસ પર ઇલેક્ટ્રોન ટ્રાન્સફર અસ્તિત્વમાં છે કે કેમ. ઇલેક્ટ્રોન ટ્રાન્સફરની નેનો-સ્કેલ અને મેક્રો-સ્કેલ બંને પર પ્રાયોગિક રીતે ચકાસણી કરવામાં આવી હતી. નેનોસ્કેલ પર, એવું જાણવા મળ્યું હતું કે પ્રવાહીના સંપર્ક દ્વારા ઉત્પન્ન નક્કર સપાટી પરના ચાર્જને ગરમ કરીને દૂર કરી શકાય છે, અને થર્મોનીયિક ઉત્સર્જન સિદ્ધાંત સાથે સુસંગત સપાટીના ચાર્જ ઘનતાનો ક્ષય, પ્રવાહી-નક્કર ઇન્ટરફેસ પર ઇલેક્ટ્રોન ટ્રાન્સફરનું અસ્તિત્વ સૂચવે છે. મેક્રોસ્કેલ પર, એવું નોંધવામાં આવ્યું હતું કે ઘન સપાટી પર સ્થાનાંતરિત ચાર્જની માત્રા પ્રવાહીમાં આયનની સંખ્યા કરતાં ઘણી વધારે છે જે સપાટી પર શોષાઈ શકે છે, જે એ પણ સૂચવે છે કે ઇલેક્ટ્રોન ટ્રાન્સફર પ્રવાહી-ઘન સંપર્ક વિદ્યુતીકરણ (સીઇ) માં પ્રબળ ભૂમિકા ભજવે છે. ઇ. ડી. એલ. માં નક્કર સપાટી ચાર્જ ઘનતા હાઇબ્રિડ ઇ. ડી. એલ. માં, પ્રવાહી-ઘન સી. ઈ. માં સપાટી ચાર્જ ઘનતા (ઇલેક્ટ્રોન અને આયનો) તેટલી ગાઢ નથી જેટલી ટેક્સ્ટ બુક ડ્રોઇંગમાં દેખાય છે. ઉદાહરણ તરીકે, પ્રયોગો સૂચવે છે કે સી. ઈ. માં SiO2 અને DI પાણીની વચ્ચે સૌથી વધુ સ્થાનાંતરિત ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા −630 mCm−2 છે. સંદર્ભો સપાટીઓ કેપેસિટર્સ