Collision-induced dissociation
সংঘর্ষ-প্ররোচিত বিচ্ছিন্নতা (সিআইডি), যা সংঘর্ষমূলকভাবে সক্রিয় বিচ্ছিন্নতা (সিএডি) নামেও পরিচিত, গ্যাস পর্যায়ে নির্বাচিত আয়নগুলির বিভাজনকে প্ররোচিত করার জন্য একটি ভর স্পেকট্রোমেট্রি কৌশল। নির্বাচিত আয়নগুলি (সাধারণত আণবিক আয়ন বা প্রোটোনেটেড অণু) সাধারণত আয়ন গতিশক্তি বাড়ানোর জন্য বৈদ্যুতিক সম্ভাব্যতা প্রয়োগ করে ত্বরান্বিত হয় এবং তারপরে নিরপেক্ষ অণুগুলির (প্রায়শই হিলিয়াম, নাইট্রোজেন বা আর্গন) সাথে সংঘর্ষ করতে দেওয়া হয়। সংঘর্ষের সময়, কিছু গতিশক্তি অভ্যন্তরীণ শক্তিতে রূপান্তরিত হয় যার ফলে বন্ধন ভেঙে যায় এবং আণবিক আয়নটি ছোট ছোট অংশে বিভক্ত হয়। এই খণ্ড আয়নগুলি তারপর ট্যান্ডেম ভর বর্ণালী দ্বারা বিশ্লেষণ করা যেতে পারে। সিআইডি এবং সিআইডি দ্বারা উত্পাদিত টুকরো আয়নগুলি বিভিন্ন উদ্দেশ্যে ব্যবহৃত হয়। আংশিক বা সম্পূর্ণ কাঠামোগত নির্ধারণ অর্জন করা যেতে পারে। কিছু কিছু ক্ষেত্রে, কাঠামো নির্ধারণ না করেই পূর্ববর্তী জ্ঞানের ভিত্তিতে পরিচয় প্রতিষ্ঠিত করা যেতে পারে। আরেকটি ব্যবহার হল কেবল আরও সংবেদনশীল এবং নির্দিষ্ট সনাক্তকরণ অর্জন করা। একটি অনন্য খণ্ড আয়ন সনাক্ত করে, পূর্ববর্তী আয়নটি একই m/z মানের (ভর-থেকে-চার্জ অনুপাত) অন্যান্য আয়নগুলির উপস্থিতিতে সনাক্ত করা যেতে পারে, যা পটভূমি হ্রাস করে এবং সনাক্তকরণের সীমা বৃদ্ধি করে। নিম্ন-শক্তি সিআইডি এবং উচ্চ-শক্তি সিআইডি নিম্ন-শক্তি সিআইডি সাধারণত প্রায় 1 কিলো ইলেকট্রন ভোল্ট (1 কেভি) এর চেয়ে কম আয়ন গতিশক্তি দিয়ে পরিচালিত হয়। নিম্ন-শক্তির সিআইডি নির্বাচিত অগ্রদূত আয়নগুলিকে খণ্ডিত করতে অত্যন্ত দক্ষ, তবে নিম্ন-শক্তির সিআইডিতে যে ধরনের খণ্ড আয়ন দেখা যায় তা আয়ন গতিশক্তির উপর দৃঢ়ভাবে নির্ভরশীল। খুব কম সংঘর্ষ শক্তি আয়ন কাঠামোর পুনর্বিন্যাসকে সমর্থন করে এবং আয়ন গতিশক্তি বৃদ্ধির সাথে সাথে সরাসরি বন্ধন বিভাজনের সম্ভাবনা বৃদ্ধি পায়, যা উচ্চতর আয়ন অভ্যন্তরীণ শক্তির দিকে পরিচালিত করে। হাই-এনার্জি সিআইডি (এইচইসিআইডি) চৌম্বকীয় সেক্টর মাস স্পেকট্রোমিটার বা ট্যান্ডেম চৌম্বকীয় সেক্টর মাস স্পেকট্রোমিটার এবং ট্যান্ডেম টাইম-অফ-ফ্লাইট মাস স্পেকট্রোমিটার (টিওএফ/টিওএফ)-এ সঞ্চালিত হয়। উচ্চ-শক্তি সিআইডি-তে কিলোভোল্ট পরিসরে আয়ন গতিশক্তি জড়িত থাকে (সাধারণত 1 কেভি থেকে 20 কেভি)। উচ্চ-শক্তি সিআইডি কিছু ধরনের খণ্ড আয়ন তৈরি করতে পারে যা নিম্ন-শক্তি সিআইডিতে গঠিত হয় না, যেমন হাইড্রোকার্বন সাবস্ট্রাকচার সহ অণুতে চার্জ-রিমোট ফ্র্যাগমেন্টেশন বা পেপটাইডগুলিতে সাইডচেইন ফ্র্যাগমেন্টেশন। ট্রিপল চতুর্ভুজ ভর স্পেকট্রোমিটার একটি ট্রিপল চতুর্ভুজ ভর স্পেকট্রোমিটারে তিনটি চতুর্ভুজ থাকে। "কিউ1" নামক প্রথম চতুর্ভুজটি ভর ফিল্টার হিসাবে কাজ করতে পারে এবং একটি নির্বাচিত আয়ন প্রেরণ করে এবং এটিকে "কিউ2"-এর দিকে ত্বরান্বিত করে যাকে সংঘর্ষ কোষ বলা হয়। কিউ 2-এ চাপ বেশি এবং আয়নগুলি সংঘর্ষ কোষে নিরপেক্ষ গ্যাসের সাথে সংঘর্ষ করে এবং সিআইডি দ্বারা খণ্ডিত হয়। এরপরে টুকরোগুলি সংঘর্ষ কোষ থেকে ত্বরান্বিত হয় এবং কিউ 3-তে প্রবেশ করে যা ভর পরিসরের মধ্য দিয়ে স্ক্যান করে, ফলস্বরূপ টুকরোগুলি বিশ্লেষণ করে (যখন তারা একটি ডিটেক্টরকে আঘাত করে)। এটি সিআইডি খণ্ডগুলির একটি ভর বর্ণালী তৈরি করে যা থেকে কাঠামোগত তথ্য বা পরিচয় অর্জন করা যেতে পারে। ট্রিপল চতুর্ভুজের উপর সিআইডি ব্যবহার করে আরও অনেক পরীক্ষা-নিরীক্ষা রয়েছে যেমন পূর্ববর্তী আয়ন স্ক্যান যা নির্ধারণ করে যে একটি নির্দিষ্ট অণু দ্বারা কোন টুকরো তৈরি হয় তার পরিবর্তে একটি নির্দিষ্ট টুকরো কোথা থেকে এসেছে। আই. সি. আর কোষে আটকে থাকা ফুরিয়ার রূপান্তর আয়ন সাইক্লোট্রন অনুরণন আয়নগুলি তাদের গতিশক্তি বাড়ানোর জন্য অনুরণিত ফ্রিকোয়েন্সিতে স্পন্দিত বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র প্রয়োগ করে উত্তেজিত হতে পারে। নাড়ির সময়কাল এবং প্রশস্ততা আয়ন গতিশক্তি নির্ধারণ করে। যেহেতু নিম্ন চাপে উপস্থিত একটি সংঘর্ষ গ্যাসের উত্তেজিত আয়নগুলির সাথে নিরপেক্ষ অণুগুলির সংঘর্ষের জন্য দীর্ঘ সময় লাগে, তাই একটি স্পন্দিত ভালভ সংঘর্ষ গ্যাসের একটি সংক্ষিপ্ত বিস্ফোরণ প্রবর্তন করতে ব্যবহার করা যেতে পারে। আটকে থাকা খণ্ড আয়ন বা তাদের আয়ন-অণু প্রতিক্রিয়া পণ্যগুলি মাল্টিস্টেজ মাস স্পেকট্রোমেট্রি (এম. এস. এন)-এর জন্য পুনরায় উত্তেজিত করা যেতে পারে। যদি অনুরণিত ফ্রিকোয়েন্সির উপর উত্তেজনা প্রয়োগ না করা হয়, তবে সামান্য অফ-অনুরণিত ফ্রিকোয়েন্সিতে, আয়নগুলি পর্যায়ক্রমে উত্তেজিত এবং ডি-উত্তেজিত হবে, যা কম সংঘর্ষ শক্তিতে একাধিক সংঘর্ষের অনুমতি দেয়। স্থায়ী অফ-অনুরণন বিকিরণ সংঘর্ষ-প্ররোচিত বিচ্ছিন্নতা (এস. ও. আর. আই-সি. আই. ডি) হল একটি সি. আই. ডি কৌশল যা ফুরিয়ার রূপান্তর আয়ন সাইক্লোট্রন অনুরণন ভর বর্ণালীতে ব্যবহৃত হয় যা একটি সংঘর্ষ গ্যাসের উপস্থিতিতে সাইক্লোট্রন গতিতে (আয়ন ফাঁদের অভ্যন্তরে একটি বৃত্তে) আয়নগুলিকে ত্বরান্বিত করে। উচ্চ-শক্তির সংঘর্ষমূলক বিচ্ছিন্নতা উচ্চ-শক্তির সংঘর্ষমূলক বিচ্ছিন্নতা (এইচসিডি) হল একটি সিআইডি কৌশল যা অরবিট্রেপ ভর স্পেকট্রোমিটারের জন্য নির্দিষ্ট যেখানে ফাঁদের বাইরে বিভাজন ঘটে। এইচ. সি. ডি পূর্বে উচ্চ-শক্তি সি-ট্র্যাপ বিচ্ছিন্নতা নামে পরিচিত ছিল। এইচ. সি. ডি-তে, আয়নগুলি সি-ট্র্যাপের মধ্য দিয়ে যায় এবং এইচ. সি. ডি কোষে প্রবেশ করে, যা একটি যোগ করা মাল্টিপোল সংঘর্ষ কোষ, যেখানে বিচ্ছিন্নতা ঘটে। ভর বিশ্লেষণের জন্য অরবিট্রেপে ইনজেকশন দেওয়ার আগে আয়নগুলি সি-ট্র্যাপে ফিরে আসে। এইচ. সি. ডি রেজোনেন্ট-এক্সাইটেশন (সি. আই. ডি)-এর কম ভর কাটঅফ-এ ভুগছে না এবং তাই আইসোবারিক ট্যাগ-ভিত্তিক পরিমাণের জন্য দরকারী কারণ রিপোর্টার আয়নগুলি পর্যবেক্ষণ করা যেতে পারে। নাম সত্ত্বেও, এইচ. সি. ডি-র সংঘর্ষ শক্তি সাধারণত কম শক্তির সংঘর্ষ প্ররোচিত বিচ্ছিন্নতা (100 ই. ভি-র কম) ব্যবস্থায় থাকে। ফ্র্যাগমেন্টেশন প্রক্রিয়া হোমোলাইটিক ফ্র্যাগমেন্টেশন হল বন্ধন বিচ্ছিন্নতা যেখানে প্রতিটি টুকরো মূল-বন্ধিত ইলেকট্রনগুলির মধ্যে একটি ধরে রাখে। হেটেরোলাইটিক ফ্র্যাগমেন্টেশন হল বন্ধন বিভাজন যেখানে বন্ধন ইলেকট্রনগুলি শুধুমাত্র একটি খণ্ড প্রজাতির সাথে থাকে। সিআইডিতে, চার্জ রিমোট ফ্র্যাগমেন্টেশন হল এক ধরনের সমযোজী বন্ধন ভাঙ্গা যা একটি গ্যাস পর্যায় আয়নে ঘটে যেখানে বিভক্ত বন্ধনটি চার্জের অবস্থানের কাছাকাছি থাকে না। ট্যান্ডেম মাস স্পেকট্রোমেট্রি ব্যবহার করে এই বিভাজন পর্যবেক্ষণ করা যেতে পারে। আরও দেখুন ইলেক্ট্রন-ক্যাপচার বিচ্ছিন্নতা (ই. সি. ডি) ইলেক্ট্রন-স্থানান্তর বিচ্ছিন্নতা (ই. টি. ডি) ইনফ্রারেড মাল্টিপোটন বিচ্ছিন্নতা (আই. আর. এম. পি. ডি) রেফারেন্স ট্যান্ডেম মাস স্পেকট্রোমেট্রি বৈজ্ঞানিক কৌশল