Dopant activation
ডোপ্যান্ট অ্যাক্টিভেশন হল সেমিকন্ডাক্টর হোস্টে অশুচি প্রজাতির কাছ থেকে কাঙ্ক্ষিত বৈদ্যুতিন অবদান পাওয়ার প্রক্রিয়া। এই শব্দটি প্রায়শই ডোপ্যান্টের আয়ন প্রতিস্থাপনের পরে তাপীয় শক্তির প্রয়োগের মধ্যে সীমাবদ্ধ থাকে। সবচেয়ে সাধারণ শিল্প উদাহরণে, ফসফরাস, আর্সেনিক এবং বোরনের মতো ডোপ্যান্টের আয়ন প্রতিস্থাপনের পরে সিলিকোনে দ্রুত তাপ প্রক্রিয়াকরণ প্রয়োগ করা হয়। উচ্চতর তাপমাত্রায় (1200 ডিগ্রি সেলসিয়াস) সৃষ্ট শূন্যপদগুলি এই প্রজাতির অন্তর্বর্তী থেকে প্রাতিষ্ঠানিক জালের জায়গায় চলাচলকে সহজতর করে যখন ইমপ্লানটেশন প্রক্রিয়া থেকে অ্যামরফিজেশন ক্ষতি পুনরায় স্ফটিকায়িত হয়। একটি তুলনামূলকভাবে দ্রুত প্রক্রিয়া, অবাঞ্ছিত রাসায়নিক বিস্তার হ্রাস করার জন্য সর্বোচ্চ তাপমাত্রা প্রায়শই এক সেকেন্ডেরও কম সময়ের জন্য বজায় রাখা হয়। তথ্যসূত্র অর্ধপরিবাহী বৈশিষ্ট্য