45 nm process
সেমিকন্ডাক্টরগুলির জন্য আন্তর্জাতিক প্রযুক্তি রোডম্যাপ অনুসারে, 45 এনএম প্রক্রিয়াটি একটি এম. ও. এস. এফ. ই. টি প্রযুক্তি নোড যা <আই. ডি1> সময়সীমার কাছাকাছি নির্মিত একটি মেমরি কোষের গড় অর্ধ-পিচকে বোঝায়। মাতসুশিতা এবং ইন্টেল 2007 সালের শেষের দিকে 45 এনএম চিপের ব্যাপক উৎপাদন শুরু করে এবং 2008 সালের শেষের দিকে এএমডি 45 এনএম চিপের উৎপাদন শুরু করে, যেখানে আইবিএম, ইনফিনিয়ন, স্যামসাং এবং চার্টার্ড সেমিকন্ডাক্টর ইতিমধ্যে একটি সাধারণ 45 এনএম প্রসেস প্ল্যাটফর্ম সম্পন্ন করেছে। 2008 সালের শেষের দিকে, এস. এম. আই. সি ছিল প্রথম চীন-ভিত্তিক অর্ধপরিবাহী সংস্থা যা আই. বি. এম-এর কাছ থেকে বাল্ক 45 এন. এম প্রক্রিয়াটির লাইসেন্স নিয়ে 45 এন. এম-এ চলে যায়। 2008 সালে, টি. এস. এম. সি একটি 40এন. এম প্রক্রিয়ায় চলে যায়। অনেক গুরুত্বপূর্ণ বৈশিষ্ট্যের মাপ লিথোগ্রাফির জন্য ব্যবহৃত আলোর তরঙ্গদৈর্ঘ্যের চেয়ে ছোট (অর্থাৎ, 193 এনএম এবং 248 এনএম)। বিভিন্ন কৌশল, যেমন বড় লেন্স, উপ-তরঙ্গদৈর্ঘ্য বৈশিষ্ট্য তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়। বৈশিষ্ট্যগুলির মধ্যে দূরত্ব সঙ্কুচিত করতে সহায়তা করার জন্য ডাবল প্যাটার্নও চালু করা হয়েছে, বিশেষত যদি শুষ্ক লিথোগ্রাফি ব্যবহার করা হয়। আশা করা হচ্ছে যে 45 এনএম নোডে 193 এনএম তরঙ্গদৈর্ঘ্যের সাথে আরও স্তরগুলি প্যাটার্ন করা হবে। পূর্বে আলগা স্তরগুলি (যেমন মেটাল 4 এবং মেটাল 5) 248 এনএম থেকে 193 এনএম তরঙ্গদৈর্ঘ্যে সরানো অব্যাহত থাকবে বলে আশা করা হচ্ছে, যা সম্ভবত 193 এনএম ফটোরেসিস্টের সমস্যার কারণে খরচকে আরও উপরে নিয়ে যাবে। হাই-কে ডাইলেক্ট্রিক চিপমেকাররা প্রাথমিকভাবে ফুটো স্রোতের ঘনত্ব হ্রাস করার উদ্দেশ্যে গেট স্ট্যাকের মধ্যে নতুন হাই-কে উপকরণ প্রবর্তনের বিষয়ে উদ্বেগ প্রকাশ করেছেন। যাইহোক, 2007 সালের হিসাবে, আইবিএম এবং ইন্টেল উভয়ই ঘোষণা করেছে যে তাদের উচ্চ-κ অস্তরক এবং ধাতব গেট সমাধান রয়েছে, যা ইন্টেল ট্রানজিস্টর নকশায় একটি মৌলিক পরিবর্তন হিসাবে বিবেচনা করে। এনইসি উৎপাদনে উচ্চ-κ উপাদানও রেখেছে। 2004 সালে, টি. এস. এম. সি একটি 0.296-square-micrometre 45 এনএম এস. আর. এ. এম কোষ প্রদর্শন করে। 2008 সালে, টি. এস. এম. সি একটি 40 এনএম প্রক্রিয়ায় চলে যায়। 2006 সালের জানুয়ারিতে ইন্টেল একটি 0.346-square-micrometre 45 nm নোড SRAM সেল প্রদর্শন করে। 2006 সালের এপ্রিলে, এএমডি একটি 0.370-square-micrometre 45 এনএম এসআরএএম কোষ প্রদর্শন করে। 2006 সালের জুন মাসে, টেক্সাস ইন্সট্রুমেন্টস নিমজ্জন লিথোগ্রাফির সাহায্যে একটি 0.24-square-micrometre 45 এনএম এসআরএএম কোষ চালু করে। 2006 সালের নভেম্বরে, ইউএমসি ঘোষণা করে যে এটি নিমজ্জন লিথোগ্রাফি এবং লো-কে ডাইলেক্ট্রিক ব্যবহার করে 0.25-square-micrometre এর চেয়ে কম কোষের আকারের একটি 45 এনএম এসআরএএম চিপ তৈরি করেছে। 2006 সালে, স্যামসাং একটি 40এনএম প্রক্রিয়া তৈরি করে। 45 এনএম প্রযুক্তির উত্তরসূরি হল 32 এনএম, 22 এনএম এবং তারপর 14 এনএম প্রযুক্তি। বাণিজ্যিক পরিচিতি মাতসুশিতা ইলেকট্রিক ইন্ডাস্ট্রিয়াল কোং জুন 2007 সালে 45এনএম প্রক্রিয়া প্রযুক্তির উপর ভিত্তি করে ডিজিটাল ভোক্তা সরঞ্জামের জন্য সিস্টেম-অন-এ-চিপ (এস. ও. সি) আই. সি-র ব্যাপক উৎপাদন শুরু করে। ইন্টেল 2007 সালের নভেম্বরে তার প্রথম 45এনএম প্রসেসর, জিওন 5400 সিরিজ পাঠায়। 2007 সালের এপ্রিল মাসে ইন্টেল ডেভেলপার ফোরামে পেনরিনের সম্পর্কে অনেক বিবরণ প্রকাশিত হয়। এর উত্তরসূরীকে নেহালেম বলা হয়। গুরুত্বপূর্ণ অগ্রগতির মধ্যে রয়েছে নতুন নির্দেশাবলীর সংযোজন (এস. এস. ই. 4 সহ, যা পেন্রিন নিউ ইন্সট্রাকশন নামেও পরিচিত) এবং নতুন মনগড়া উপকরণ (সবচেয়ে উল্লেখযোগ্যভাবে একটি হাফনিয়াম-ভিত্তিক অস্তরক)। এএমডি 2008 সালের শেষের দিকে 45এনএম প্রক্রিয়া প্রযুক্তি ব্যবহার করে তার সেম্প্রন II, অ্যাথলন II, তুরিয়ন II এবং ফেনোম II (সাধারণত কর্মক্ষমতার ক্রমবর্ধমান ক্রমে), পাশাপাশি সাংহাই অপ্টেরন প্রসেসর প্রকাশ করে। 2010 সালে মুক্তিপ্রাপ্ত এক্সবক্স 360 এস-এ 45 এনএম প্রক্রিয়ায় তৈরি একটি জেনন প্রসেসর রয়েছে। প্লেস্টেশন 3 স্লিম মডেল 45 এনএম প্রক্রিয়ায় সেল ব্রডব্যান্ড ইঞ্জিন চালু করে। উদাহরণস্বরূপঃ ইন্টেলের 45 এনএম প্রক্রিয়া আইইডিএম 2007-এ, ইন্টেলের 45 এনএম প্রক্রিয়ার আরও প্রযুক্তিগত বিবরণ প্রকাশিত হয়েছিল। যেহেতু এখানে নিমজ্জন লিথোগ্রাফি ব্যবহার করা হয় না, তাই লিথোগ্রাফিক প্যাটার্ন তৈরি করা আরও কঠিন। অতএব, এই 45 এনএম প্রক্রিয়ার জন্য একটি লাইন-কাটিং ডাবল প্যাটার্ন পদ্ধতি স্পষ্টভাবে ব্যবহার করা হয়। এছাড়াও, গেট ফুটো সমস্যা সমাধানের জন্য প্রথমবারের মতো উচ্চ-κ ডাইলেক্ট্রিক ডাইলেক্ট্রিকের ব্যবহার চালু করা হয়েছে। 32 এনএম নোডের জন্য, ইন্টেল দ্বারা নিমজ্জন লিথোগ্রাফি ব্যবহার করা শুরু হবে। 160 এনএম গেট পিচ (65 এনএম প্রজন্মের 73 শতাংশ) 200 এনএম বিচ্ছিন্নতা পিচ (65 এনএম প্রজন্মের 91 শতাংশ) ট্রানজিস্টরগুলির মধ্যে বিচ্ছিন্নতা দূরত্বের স্কেলিংকে ধীর করার ইঙ্গিত দেয় ডামি তামার ধাতু এবং ডামি গেটের দৈর্ঘ্য 35 এনএম গেটের দৈর্ঘ্য (65 এনএম প্রজন্মের সমান) 1 এনএম সমতুল্য অক্সাইড বেধ, 0.7 এনএম ট্রানজিশন স্তর সহ গেট-শেষ প্রক্রিয়া ডামি পলিসিলিকন এবং ড্যামাসিন ধাতব গেট ব্যবহার করে গেটের স্কোয়ারিং দ্বিতীয় ফটোরেসিস্ট লেপ ব্যবহার করে শেষ হয় কার্বন-ডোপড অক্সাইড এবং সিইউ আন্তঃসংযোগের 9 টি স্তর, শেষটি একটি পুরু "পুনর্বণ্টন" স্তর যোগাযোগ যা স্থানীয় আন্তঃসংযোগের জন্য বৃত্তের চেয়ে আয়তক্ষেত্রের মতো আকৃতির। বেশিরভাগ পরিখা যোগাযোগগুলি বিস্তারকে আচ্ছাদনকারী গেটগুলির সমান্তরাল ছোট লাইন ভিত্তিক ছিল, যেখানে গেট যোগাযোগগুলি এমনকি ছোট লাইনগুলি গেটগুলির লম্বভাবে অবস্থিত ছিল। সম্প্রতি এটি প্রকাশিত হয়েছে যে ভোল্টেজ স্কেলিংকে আরও ভালভাবে সামঞ্জস্য করার জন্য নেহালেম এবং অ্যাটম মাইক্রোপ্রসেসর উভয়ই প্রচলিত ছয়টির পরিবর্তে আটটি ট্রানজিস্টরযুক্ত এসআরএএম কোষ ব্যবহার করেছিল। এর ফলে 30 শতাংশের বেশি এলাকা জরিমানা করা হয়। 45 এনএম প্রযুক্তি ব্যবহারকারী প্রসেসর মাতসুশিতা 2007 সালে 45 এনএম ইউনিফিয়ার প্রকাশ করে। ওল্ফডেল, ওল্ফডেল-3এম, ইয়র্কফিল্ড, ইয়র্কফিল্ড এক্সই এবং পেন্রিন ইন্টেল প্রসেসরগুলি কোর 2 ব্র্যান্ডের অধীনে বিক্রি হয়। প্রথম প্রজন্মের ইন্টেল কোর আই3, আই5 এবং আই7 সিরিজ প্রসেসর যেমন ক্লার্কসফিল্ড, ব্লুমফিল্ড এবং লিনফিল্ড। ডায়মন্ডভিল, পাইনভিউ হল ইন্টেল অ্যাটম ব্র্যান্ডের অধীনে বিক্রি হওয়া হাইপার-থ্রেডিং সহ ইন্টেল কোর। এএমডি থুবান (ফেনোম II), ক্যালিস্টো, হেকা, প্রোপাস, ডেনেব, জোস্মা (ফেনোম II) এবং সাংহাই (অপ্টেরন) কোয়াড-কোর প্রসেসর, রেগর (অ্যাথলন II) ডুয়াল কোর প্রসেসর, ক্যাস্পিয়ান (তুরিয়ন II) মোবাইল ডুয়াল কোর প্রসেসর। এক্সবক্স 360 এস মডেলে জেনন প্রসেসর। সনি/তোশিবা সেল ব্রডব্যান্ড ইঞ্জিন প্লেস্টেশন 3 স্লিম মডেলে-সেপ্টেম্বর 2009। স্যামসাং এস5পিসি110, হামিংবার্ড নামে পরিচিত। টেক্সাস ইন্সট্রুমেন্টস ওএমএপি 3 এবং 4 সিরিজ। আইবিএম পাওয়ার 7 এবং জেড196 ফুজিৎসু এস. পি. এ. আর. সি64 আই. আই. আই. এফ. এক্স সিরিজ ওয়াই ইউ "এস্প্রেসো" আইবিএম সিপিইউ। তথ্যসূত্র বাইরের লিঙ্ক প্যানাসনিক 45-এনএম প্রজন্মের এস. ও. সি-র ব্যাপক উৎপাদন শুরু করে ইন্টেল 45 এনএম প্রক্রিয়া ইন্টেলকে প্রত্যাশার চেয়ে দ্রুত 45এনএম-এ নিয়ে যাওয়ার জন্য ভাল? চিপ নির্মাতারা আই. ই. ডি. এম. 00045 তাইওয়ানীয় উদ্ভাবনে ইন্টেল ইন্টেল 45 এন. এম প্রক্রিয়া থেকে 45 এন. এম প্রক্রিয়া নামকরণের এন. এন. এম প্রক্রিয়ার একটি এ. এম. ডি আপডেট স্ল্যাশডট আলোচনার জন্য প্রস্তুত