Z-RAM
জেড-র্যাম হল একটি এখন-অপ্রচলিত গতিশীল র্যান্ডম-অ্যাক্সেস মেমরি প্রযুক্তির একটি ট্রেডনাম যা তার অবস্থা বজায় রাখার জন্য একটি ক্যাপাসিটরের প্রয়োজন ছিল না। 2002 থেকে 2010 সালের মধ্যে ইনোভেটিভ সিলিকন নামে একটি নিষ্ক্রিয় সংস্থা জেড-র্যাম তৈরি করেছিল। জেড-র্যাম ভাসমান দেহের প্রভাবের উপর নির্ভর করে, সিলিকন অন ইনসুলেটর (এস. ও. আই) প্রক্রিয়ার একটি নিদর্শন যা ট্রানজিস্টরগুলিকে বিচ্ছিন্ন টাবে রাখে (ট্রানজিস্টর দেহের ভোল্টেজগুলি টাবের নীচে ওয়েফার স্তরের সাপেক্ষে "ভাসমান" হয়)। ভাসমান দেহের প্রভাবের ফলে টাবের নীচে এবং অন্তর্নিহিত স্তরের মধ্যে একটি পরিবর্তনশীল ধারণক্ষমতা দেখা দেয়। ভাসমান দেহের প্রভাব সাধারণত একটি পরজীবী প্রভাব যা বেডেভিলস সার্কিট ডিজাইন করে, তবে একটি পৃথক ক্যাপাসিটর যোগ না করেই একটি ডি. আর. এ. এম-এর মতো কোষ তৈরি করতে দেয়, ভাসমান দেহের প্রভাব তারপর প্রচলিত ক্যাপাসিটরের জায়গা নেয়। যেহেতু ক্যাপাসিটরটি ট্রানজিস্টরের নীচে অবস্থিত (প্রচলিত ডি. আর. এ. এম-এর মতো ট্রানজিস্টর সংলগ্ন বা তার উপরে থাকার পরিবর্তে), তাই "জেড-র্যাম" নামের আরেকটি অর্থ হল এটি ঋণাত্মক জেড-দিকে প্রসারিত হয়। তাত্ত্বিকভাবে, একটি হ্রাসকৃত কোষের আকার ঘন সঞ্চয়ের অনুমতি দিত, যা (যখন বড় ব্লকের সাথে ব্যবহার করা হত) কোনও ব্লক থেকে বেরিয়ে আসার জন্য তথ্যকে যে শারীরিক দূরত্ব অতিক্রম করতে হত তা হ্রাস করে প্রবেশাধিকারের সময়কে উন্নত করতে পারত। একটি বড় ক্যাশে মেমরির জন্য (যেমন সাধারণত একটি উচ্চ-কার্যকারিতা সম্পন্ন মাইক্রোপ্রসেসরের মধ্যে পাওয়া যায়), জেড-র্যাম তখন প্রচলিত অন-প্রসেসর (এল1/এল2) ক্যাশের জন্য ব্যবহৃত এসআরএএম-এর মতো দ্রুততর হতে পারত, তবে কম পৃষ্ঠ এলাকা সহ (এবং এইভাবে খরচ)। যাইহোক, প্রচলিত এসআরএএম-এর জন্য উৎপাদন কৌশলের অগ্রগতির সাথে (সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণভাবে, 32এনএম ফ্যাব্রিকেশন নোডে রূপান্তর), জেড-র্যাম তার আকারের সুবিধা হারিয়েছে। যদিও এএমডি 2006 সালে দ্বিতীয় প্রজন্মের জেড-র্যামের লাইসেন্স দেয়, প্রসেসর প্রস্তুতকারক 2010 সালের জানুয়ারিতে তার জেড-র্যাম পরিকল্পনা পরিত্যাগ করে। একইভাবে, ডি. আর. এ. এম প্রযোজক হাইনিক্স 2007 সালে ডি. আর. এ. এম চিপগুলিতে ব্যবহারের জন্য জেড-র্যামকে লাইসেন্স দিয়েছিল এবং ইনোভেটিভ সিলিকন ঘোষণা করেছিল যে এটি যৌথভাবে জেড-র্যামের একটি নন-এস. ও. আই সংস্করণ তৈরি করছে যা মার্চ 2010 সালে কম খরচে বাল্ক সি. এম. ও. এস প্রযুক্তিতে তৈরি করা যেতে পারে, কিন্তু ইনোভেটিভ সিলিকন 29 জুন, 2010-এ বন্ধ হয়ে যায়। 2010 সালের ডিসেম্বরে মাইক্রন টেকনোলজি এর পেটেন্ট পোর্টফোলিও অধিগ্রহণ করে। রেফারেন্স র্যামের প্রকার