Electrostatic deflection (structural element)
আণবিক পদার্থবিজ্ঞান/ন্যানোপ্রযুক্তিতে, তড়িৎস্থায়ী বিচ্যুতি হল একটি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র দ্বারা বাঁকানো মরীচি-সদৃশ কাঠামো/উপাদানের বিকৃতি (চিত্র। 1)। এটি তড়িৎস্থায়ী ক্ষেত্র এবং নেট চার্জ বা বৈদ্যুতিক মেরুকরণ প্রভাবের মধ্যে মিথস্ক্রিয়ার কারণে হতে পারে। মরীচি-সদৃশ কাঠামো/উপাদানটি সাধারণত ক্যান্টিলিভারযুক্ত (এর এক প্রান্তে স্থির)। ন্যানোমেটারিয়ালগুলিতে, কার্বন ন্যানোটিউবগুলি (সিএনটি) ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক বিচ্যুতির জন্য সাধারণ। বৈদ্যুতিক মেরুকরণের কারণে বৈদ্যুতিক বিচ্যুতির প্রক্রিয়াগুলি নিম্নরূপ বোঝা যায়ঃ Fig.2-এ যেমন দেখানো হয়েছে, যখন কোনও উপাদানকে বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রে (E) আনা হয়, তখন ক্ষেত্রটি ধনাত্মক আধান (লাল রঙে) এবং ঋণাত্মক আধানকে (নীল রঙে) বিপরীত দিকে স্থানান্তরিত করে। এইভাবে, প্ররোচিত দ্বিমেরু তৈরি হয়। চিত্র। 3 একটি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রে একটি মরীচি-সদৃশ কাঠামো/উপাদান দেখায়। আণবিক দ্বিমেরু মুহূর্ত এবং বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের মধ্যে মিথস্ক্রিয়া একটি প্ররোচিত টর্ক (টি) ফলাফল দেয়। তারপর এই টর্কটি মরীচিটিকে ক্ষেত্রের দিকে সারিবদ্ধ করে। ক্যান্টিলিভারযুক্ত সিএনটি-র ক্ষেত্রে (চিত্র। 1), এটি মাঠের দিকে বাঁকানো থাকবে। এদিকে, সিএনটি-র বৈদ্যুতিকভাবে প্রেরিত টর্ক এবং কঠোরতা একে অপরের বিরুদ্ধে প্রতিদ্বন্দ্বিতা করে। পরীক্ষায় এই বিকৃতি লক্ষ্য করা গেছে। এই বৈশিষ্ট্যটি সিএনটিগুলির জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ বৈশিষ্ট্য যা ন্যানো-ইলেক্ট্রোমেকানিকাল সিস্টেম অ্যাপ্লিকেশনগুলির পাশাপাশি তাদের মনগড়া, পৃথকীকরণ এবং বৈদ্যুতিন ম্যানিপুলেশন করার প্রতিশ্রুতি দেয়। সম্প্রতি, ক্যান্টিলিভারড সিএনটি-র উপর ভিত্তি করে বেশ কয়েকটি ন্যানো ইলেক্ট্রোমেকানিকাল সিস্টেম রিপোর্ট করা হয়েছে যেমনঃ ন্যানোরিলে, ন্যানোসুইচ, ন্যানোটউইজার এবং ফিডব্যাক ডিভাইস যা মেমরি, সেন্সিং বা অ্যাকচুয়েশন ব্যবহারের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। উপরন্তু, কার্বন ন্যানোটিউবগুলির বৈদ্যুতিক বিচ্যুতি সম্পর্কে সম্পূর্ণ বোঝার চেষ্টা করার জন্য তাত্ত্বিক গবেষণা করা হয়েছে। তথ্যসূত্র ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক্স রাসায়নিক পদার্থবিজ্ঞান