Paul Richman
পল রিচম্যান (জন্ম নভেম্বর 17,1942) একজন মার্কিন অর্ধপরিবাহী পদার্থবিজ্ঞানী এবং লেখক। 1963 সালে রিচম্যান এম. আই. টি-তে পড়াশোনা করেন। এবং ইলেকট্রিক্যাল ইঞ্জিনিয়ারিংয়ে ব্যাচেলর অফ সায়েন্স নিয়ে স্নাতক হন। 1964 সালে তিনি কলম্বিয়া বিশ্ববিদ্যালয় থেকে বৈদ্যুতিক প্রকৌশল বিষয়ে স্নাতকোত্তর ডিগ্রি অর্জন করেন। 1971 সালে রিচম্যান একটি গবেষণা ও উন্নয়ন সংস্থা হিসেবে স্ট্যান্ডার্ড মাইক্রোসিস্টেমস কর্পোরেশন (এস. এম. এস. সি) প্রতিষ্ঠা করেন। এস. এম. এস. সি-র সহ-প্রতিষ্ঠাতা হওয়ার আগে তিনি জেনারেল টেলিফোন অ্যান্ড ইলেকট্রনিক্সে সেমিকন্ডাক্টর পদার্থবিজ্ঞানী হিসাবে কাজ করেছিলেন। 1987 সালে তিনি তাঁর পরিবারের সঙ্গে জাপানে চলে যান এবং স্ট্যান্ডার্ড মাইক্রোসিস্টেমস জাপান নামে একটি সহযোগিতা শুরু করেন। 1971 থেকে 1999 সালের মধ্যে তিনি স্ট্যান্ডার্ড মাইক্রোসিস্টেমের প্রধান নির্বাহী কর্মকর্তা, সভাপতি এবং চেয়ারম্যান হিসেবে দায়িত্ব পালন করেন। তাঁর আমলে, এস. এম. এস. সি লং আইল্যান্ডের বৃহত্তম চিপ প্রস্তুতকারক হয়ে ওঠে এবং ইন্টেল কর্পোরেশন কোম্পানির একটি অংশীদারিত্ব অর্জন করে। নিউজডে তাঁকে কম্পিউটার চিপ শিল্পের অগ্রদূত বলে অভিহিত করেছে। তিনি অপারেটিং গতি বাড়ানোর পাশাপাশি ট্রানজিস্টরগুলিকে কাছাকাছি সরিয়ে চিপের আকার হ্রাস করার একটি পদ্ধতি চালু করেছিলেন এবং ফলস্বরূপ ডিভাইসগুলি দ্রুত এবং দক্ষতার সাথে কাজ করে। একজন শিক্ষাবিদ হিসাবে, রিচম্যান 1974 থেকে 1975 সালের মধ্যে সিটি ইউনিভার্সিটি অফ নিউ ইয়র্কে বৈদ্যুতিক প্রকৌশলের ভিজিটিং অধ্যাপক হিসাবে এবং 1975 থেকে 1987 সালের মধ্যে স্টনি ব্রুকের স্টেট ইউনিভার্সিটি অফ নিউ ইয়র্কে দায়িত্ব পালন করেছিলেন। 1998 থেকে 2002 সাল পর্যন্ত তিনি ম্যাসাচুসেটস ইনস্টিটিউট অফ টেকনোলজির ভিজিটিং কমিটি ফর ইলেকট্রিক্যাল ইঞ্জিনিয়ারিং অ্যান্ড কম্পিউটার সায়েন্সে দায়িত্ব পালন করেন। রিচম্যান কপ্লামোস প্রযুক্তির জন্য মৌলিক পেটেন্ট তৈরি ও ধারণ করেছিলেন, যা মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর (এম. ও. এস)-এ ফিল্ড-ডোপড, স্থানীয়ভাবে-অক্সিডাইজড কাঠামো ব্যবহারের পথপ্রদর্শক ছিল। সমন্বিত সার্কিট। তিনি মাইক্রোচিপের উপর দুটি প্রাথমিক বইয়ের লেখক ছিলেন, যা পরবর্তীকালে জাপানি, স্প্যানিশ, ফরাসি এবং রাশিয়ান ভাষায় অনুবাদ করা হয়েছিল। তাঁর বইগুলি জাপানি, স্প্যানিশ, রাশিয়ান এবং ফরাসি ভাষায় অনুবাদ করা হয়েছে। পুরস্কার 1978: মাইক্রোচিপের বিকাশে তাঁর অবদানের জন্য ইলেকট্রনিক্স (ম্যাগাজিন) থেকে বার্ষিক কৃতিত্ব পুরস্কার। 1982: ইনস্টিটিউট অফ ইলেকট্রিক্যাল অ্যান্ড ইলেকট্রনিক্স ইঞ্জিনিয়ার্স, আই. ই. ই. ই-এর ফেলো নির্বাচিত হন। 1998: আই. ই. ই. ই-এর হ্যারল্ড এ. হুইলার পুরস্কার। 2000: আই. ই. ই. ই-এর তৃতীয় সহস্রাব্দ পদক। 2012: লং আইল্যান্ড টেকনোলজি হল অফ ফেমে নির্বাচিত। পেটেন্ট পরিপূরক বর্ধন প্রকার এম. ও. এস ট্রানজিস্টর। ধাতু-অক্সাইড সিলিকন যন্ত্র তৈরির পদ্ধতি। সিলিকন ওয়েফারে নির্বাচিতভাবে বিভিন্ন পৃষ্ঠ চার্জ ঘনত্বের অঞ্চল স্থাপনের পদ্ধতি। আয়ন স্থাপন ব্যবহার করে এম. ও. এস যন্ত্রের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য পরিবর্তন করার পদ্ধতি। নির্বাচিতভাবে পরিবর্তিত নিরোধক স্তর সহ সেমিকন্ডাক্টর ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট স্ট্রাকচার। সেমিকন্ডাক্টর ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটের জন্য হার্মেটিক প্লাস্টিক ডুয়াল-ইন-লাইন প্যাকেজ। সলিড স্টেট ফিল্ড ইফেক্ট ডিভাইস। ইনসুলেটেড-গেট ফিল্ড এফেক্ট ট্রানজিস্টর একটি উচ্চ প্রতিরোধী সাবস্ট্রেট ব্যবহার করে। এম. ও. এস ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টর স্ট্রাকচার মেসার মতো যোগাযোগ এবং গেট এলাকা এবং নির্বাচিতভাবে গভীর সংযোগস্থল সহ। বাইপোলার এম. ও. এস ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর। নির্বাচিতভাবে গঠিত প্রতিরোধমূলক অঞ্চলগুলি ধারণকারী সাবস্ট্রেট সহ এম. ও. এস ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট। উচ্চ ঘনত্বের রিফ্র্যাক্টরি মেটাল গেট এম. ও. এস ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট তৈরির পদ্ধতি গেটটিকে একটি সিলেক্টিভ ডিফিউশন এবং জারণ মাস্ক হিসাবে ব্যবহার করে। ইন্টিগ্রেটেড এমওএস সার্কিট। ধাতব-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ধরনের একটি যৌগিক যন্ত্র তৈরির পদ্ধতি, নিম্ন পৃষ্ঠীয় প্রতিরোধের সঙ্গে নিয়ন্ত্রণ তড়িৎপ্রবাহ, এবং প্রাপ্ত যন্ত্র। এম. ও. এস ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট স্ট্রাকচার এবং এর গঠনের পদ্ধতি। রেফারেন্স 1942 জন্ম মার্কিন লেখক জীবিত মানুষ