Nano-ARPES
ন্যানো অ্যাঙ্গেল-রেজোলিউটেড ফটোইমিশন স্পেকট্রোস্কোপি (ন্যানো-এ. আর. পি. ই. এস), পরীক্ষামূলক কৌশল এ. আর. পি. ই. এস (অ্যাঙ্গেল-রেজোলিউটেড ফটোইমিশন স্পেকট্রোস্কোপি)-এর একটি রূপ। এটি সাবমাইক্রন পার্শ্বীয় রেজোলিউশনের সাথে ভরবেগ স্থানে উপকরণগুলির বৈদ্যুতিন ব্যান্ড কাঠামো সঠিকভাবে নির্ধারণ করার ক্ষমতা রাখে। এর চাহিদাযুক্ত পরীক্ষামূলক সেটআপের কারণে, এই কৌশলটি এ. আর. পি. ই. এস-এর তুলনায় অনেক কম প্রসারিত, যা স্ফটিক পদার্থের বিস্তৃত পরিসরের বৈদ্যুতিন বৈশিষ্ট্যগুলি পরীক্ষামূলকভাবে নির্ধারণ করতে ঘনীভূত পদার্থবিজ্ঞানে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। ন্যানো-আর্পস উচ্চ শক্তি, গতিবেগ এবং পার্শ্বীয় রেজোলিউশন সহ সুশৃঙ্খল মনোক্রিস্টালাইন কঠিন পদার্থের বৈদ্যুতিন কাঠামো অ্যাক্সেস করতে পারে, এমনকি সেগুলি ন্যানোমেট্রিক বা ভিন্নধর্মী মেসোস্কোপিক নমুনা হলেও। ন্যানো-এআরপিইএস কৌশলটি আইনস্টাইনের ফটোইলেক্ট্রিক প্রভাবের উপর ভিত্তি করে তৈরি, যা ফোটন-ইন ইলেক্ট্রন-আউট স্পেকট্রোস্কোপি, যা কোয়ান্টাম এবং নিম্ন মাত্রিক উপকরণের মতো ন্যানোমেটারিয়ালগুলির বৈদ্যুতিন কাঠামো অধ্যয়নের জন্য একটি প্রয়োজনীয় সরঞ্জাম হিসাবে রূপান্তরিত হয়েছে। ন্যানোএআরপিইএস পরীক্ষামূলকভাবে ব্যান্ডগুলির অধিকৃত বৈদ্যুতিন অবস্থার ইলেকট্রনগুলির বাঁধাই শক্তি এবং তরঙ্গ মুহুর্তের মধ্যে সম্পর্ক নির্ধারণ করার অনুমতি দেয় যার শক্তি ফার্মি স্তরের কাছাকাছি এবং প্রায় 10-15 ই. ভি। এই ইলেকট্রনগুলি একটি কঠিন পদার্থ থেকে নির্গত হয় যখন এটি পদার্থের পৃষ্ঠ থেকে ফটোইলেক্ট্রন নির্গত করার জন্য পর্যাপ্ত শক্তি সহ একবর্ণ ফোটন দ্বারা আলোকিত হয়। এই আলোক-ইলেকট্রনগুলি ভ্যাকুয়ামে নমুনা পৃষ্ঠের কাছাকাছি রাখা একটি ইলেক্ট্রন বিশ্লেষক দ্বারা সনাক্ত করা হয় যাতে অপরিশোধিত পৃষ্ঠগুলি সংরক্ষণ করা যায় এবং স্পেকট্রোমিটারে যাওয়ার পথে আলোক-ইলেকট্রনগুলির শক্তি এবং গতিপথ পরিবর্তন করতে সক্ষম কণাগুলির সাথে সংঘর্ষ এড়ানো যায়। আলোক-নির্গমন প্রক্রিয়ার মতো, ভরবেগ সংরক্ষিত থাকে; অতএব, একটি মনোক্রিস্টাল থেকে আলোক-ইলেকট্রনগুলির কৌণিক বিতরণ, এমনকি এটি একটি ন্যানোমেট্রিক আকারের হলেও, সেই স্ফটিকের প্রাথমিক বৈদ্যুতিন অবস্থার ভরবেগ বিতরণ সরাসরি প্রকাশ করতে সক্ষম হয়। ন্যানো-এ. আর. পি. ই. এস ফলাফলগুলি, এ. আর. পি. ই. এস কৌশলের মতো, ঐতিহ্যগতভাবে অপরিবর্তনীয় ব্রিলউইন জোনের উচ্চ প্রতিসাম্য দিক বরাবর শক্তি-ভরবেগ বিচ্ছুরণ সম্পর্ক হিসাবে দেখানো হয়, যা অনুসন্ধানকৃত উপকরণগুলির ব্যান্ড বিচ্ছুরণ প্রদর্শন করে। যখন নির্গত আলোক-ইলেকট্রনগুলি পারস্পরিক স্থানের বিশাল অংশ জুড়ে ধ্রুবক শক্তি পৃষ্ঠ দ্বারা দেখানো হয়, তখন ন্যানো-এআরপিইএস অনুসন্ধানকৃত উপকরণগুলির ফার্মি পৃষ্ঠও সঠিকভাবে নির্ধারণ করতে পারে। নমুনাগুলিতে ইলেকট্রনের বৈদ্যুতিন বিচ্ছুরণের স্থানগত মানচিত্রের অনন্য দক্ষতার কারণে, ন্যানো-এআরপিইএস উচ্চ বাঁধাই শক্তি এবং গতিবেগ রেজোলিউশন সহ ন্যানোমেটারিয়ালগুলির বৈদ্যুতিন ইমেজিং তৈরি করতে পারে। যেহেতু ন্যানো-এ. আর. পি. ই. এস একটি স্ক্যানিং কৌশল, তাই এটি অত্যাধুনিক এ. আর. পি. ই. এস স্পেকট্রোমিটার ব্যবহার করতে পারে যার জন্য বিশ্লেষণ করা ফটোইলেক্ট্রনগুলির উৎসকে স্থানিকভাবে বৈষম্য করতে সক্ষম হওয়ার প্রয়োজন হয় না। ফলস্বরূপ, ন্যানো-এ. আর. পি. ই. এস যন্ত্রপাতি এ. আর. পি. ই. এস সেটআপের জন্য তৈরি সবচেয়ে উন্নত স্পেকট্রোমিটার থেকে লাভবান হতে পারে, বিশেষ করে দ্বিমাত্রিক সনাক্তকরণ এবং উচ্চ শক্তি এবং গতিবেগ রেজোলিউশন সহ সর্বশেষ প্রজন্মের ইলেক্ট্রন স্পেকট্রোমিটার থেকে। পটভূমি ঘনীভূত পদার্থ পদার্থবিজ্ঞানের অনেক ক্ষেত্রে কঠিন পদার্থের বৈদ্যুতিন ব্যান্ড কাঠামোর বোধগম্যতা প্রয়োগ করা হয়, যা অনেক ঘটনাপ্রবণ প্রবণতার মাইক্রোস্কোপিক বোঝার ক্ষেত্রে অবদান রাখে এবং স্পিন-মেরুকরণের প্রভাব সহ আলোক-নির্গমন, আলোকবিজ্ঞান, স্থিতিস্থাপক নিউট্রন বিচ্ছুরণ, নির্দিষ্ট তাপ সহ অন্যান্য ক্ষেত্রে পরীক্ষামূলক বর্ণালীর ব্যাখ্যার দিকনির্দেশনা দেয়। বেশিরভাগ আধুনিক ব্যান্ড ইলেকট্রনিক কাঠামো তাত্ত্বিক পদ্ধতিতে ঘনত্ব কার্যকরী তত্ত্ব ব্যবহার করে একটি কঠিন পদার্থে ইলেকট্রনের জন্য পূর্ণ বহু-বস্তু শ্রোডিঞ্জার সমীকরণ সমাধান করা হয়। সলিডগুলির বৈদ্যুতিন কাঠামো বর্ণনা করার জন্য সুসংহত পরীক্ষামূলক এবং তাত্ত্বিক পদ্ধতির সাহায্যে নির্দিষ্ট শক্তি এবং ভরবেগের অনুমোদিত এবং নিষিদ্ধ বৈদ্যুতিন অবস্থার উপস্থিতি অনুসারে কন্ডাক্টর, ইনসুলেটর এবং অর্ধপরিবাহীগুলির মধ্যে পার্থক্যের সরাসরি কল্পনা করা যায়, যা কোয়ান্টাম মেকানিক্স দ্বারা গণনা করা যেতে পারে এবং এআরপিইএস ব্যবহার করে পরিমাপ করা যেতে পারে। এ. আর. পি. ই. এস কৌশলের সরাসরি ব্যান্ড কাঠামো নির্ধারণ করার অনন্য ক্ষমতা রয়েছে। এইভাবে এটি কঠিন পদার্থগুলিতে ইলেকট্রন মিথস্ক্রিয়ার মাত্রা এবং প্রকার বুঝতে সাহায্য করে, বিভিন্ন তাত্ত্বিক পদ্ধতির ব্যবহার করে গণনা করা ব্যান্ড ইলেকট্রনিক কাঠামোর ফলাফলগুলিকে সমর্থন বা প্রতিদ্বন্দ্বিতা করে। যাইহোক, এই কৌশলটির পার্শ্বীয় রেজোলিউশন, ম্যানিপুলেশন এবং ভিন্নধর্মী নমুনার সাবমাইক্রোমেট্রিকের অভিযোজন বরং সীমিত। কারণ এ. আর. পি. ই. এস-এ পরিমাপ করা ইলেকট্রনগুলি হল সেই সমস্ত ইলেকট্রন যা আপতিত ফোটন দ্বারা প্ররোচিত আলোক-শোষণ প্রক্রিয়া দ্বারা নির্গত হয়। যদি নমুনার আলোকিত এলাকাটি অ-সমজাতীয় অঞ্চলগুলিকে আচ্ছাদন করার জন্য যথেষ্ট বড় হয়, তবে সনাক্ত করা নির্গত ইলেকট্রনগুলি সমস্ত বিভিন্ন আলোকিত প্যাচ দ্বারা নির্গত সমস্ত ফটোইলেক্ট্রনের সমষ্টি। যদি প্রতিটি এলাকার একটি স্বতন্ত্র বৈদ্যুতিন ব্যান্ড কাঠামো থাকে, তবে এ. আর. পি. ই. এস বর্ণালী আলোকিত এলাকায় উপস্থিত প্রতিটি ভিন্ন প্যাচ-এর আকার অনুযায়ী তাদের সকলের গড় ওজন দেখাবে। প্রকৃতপক্ষে, অনেক জটিল পদার্থ ছোট ছোট একক্রিস্টাল দ্বারা গঠিত হয় বা বেশ কয়েকটি ন্যানোমেট্রিক একক্রিস্টাল দ্বারা গঠিত হয়। ঐতিহ্যবাহী এ. আর. পি. ই. এস শুধুমাত্র তাদের গড় বৈদ্যুতিন কাঠামো প্রদান করতে পারে যদি প্যাচ আকার এ. আর. পি. ই. এস সেটআপের স্পট আকারের চেয়ে ছোট হয়, সাধারণত 200 ইউ. এম। অনাকাঙ্ক্ষিত পার্শ্ব রাসায়নিক প্রতিক্রিয়ার কারণে স্বতন্ত্র রাসায়নিক গঠন সহ মাইক্রোমেট্রিক এবং সাবমাইক্রোমেট্রিক অঞ্চলগুলির নমুনাগুলিতেও এই সীমাবদ্ধতা উপস্থিত রয়েছে, উদাহরণস্বরূপ, আদিম নমুনার দূষণ বা জারণ দ্বারা উদ্ভূত। অতএব, প্রচলিত এ. আর. পি. ই. এস-এর জন্য সাধারণত একবর্ণের ফোটন রশ্মির স্পট আকার 200 মিটারের বেশি হওয়ায়, শুধুমাত্র এই আকার বা তার চেয়ে বড় সমজাতীয় নমুনাগুলি অধ্যয়ন করা যেতে পারে। ফলস্বরূপ, ছোট স্ফটিকাকার পদার্থ এবং বৈচিত্র্যযুক্ত বড় নমুনার বৈদ্যুতিন কাঠামোর পরীক্ষামূলক নির্ধারণ সম্পাদনের জন্য এ. আর. পি. ই. এস-এ একটি উপ-মাইক্রোমেট্রিক পার্শ্বীয় রেজোলিউশন যুক্ত করা উচিত। ন্যানো-আর্পস ন্যানোমেট্রিক স্কেলের মধ্যে ফোটন আপতিত রশ্মির আকারকে কেন্দ্রীভূত করে এই পার্শ্বীয় বৈষম্য প্রয়োগ করেছে। একইভাবে এ. আর. পি. ই. এস-এর ক্ষেত্রে, নির্গত ইলেকট্রনের গতিশক্তি, বেগ এবং পরম গতিবেগ পরিমাপ করে ন্যানো-এ. আর. পি. ই. এস ব্যবহার করে ন্যানো-এ. আর. পি. ই. এস-এর বৈদ্যুতিন ব্যান্ড কাঠামো সরাসরি পরিমাপ করা যেতে পারে। স্ক্যানিং ট্রান্সমিশন এক্স-রে মাইক্রোস্কোপি (এস. টি. এক্স. এম) এবং স্ক্যানিং ফটোইমিশন মাইক্রোস্কোপি (এস. পি. ই. এম)-এর মতো কয়েকটি সুপরিচিত এক্স-রে-ভিত্তিক পদ্ধতিতে ন্যানোমেট্রিক স্কেল পর্যন্ত একটি স্পট আকারের দিকে ফোকাস করা ফোটন রশ্মি নিয়মিতভাবে অর্জন করা হয়েছে। যাইহোক, এই কৌশলগুলি অনেক কম চাহিদাপূর্ণ কারণ তারা সাধারণত 150 eV এর চেয়ে বেশি আপতিত ফোটন শক্তি ব্যবহার করে এবং অ-কোণ সমাধান পরিমাপের প্রয়োজন হয়, শুধুমাত্র যথাক্রমে এক্স-রে শোষণ সহগ এবং মূল-স্তরের ফটোইলেক্ট্রনের আনুপাতিক সমন্বিত সংকেত রেকর্ড করে। উভয় ক্ষেত্রেই, ফ্রেসেল জোন প্লেট (এফজেডপি) কর্মক্ষমতা পার্শ্বীয় রেজোলিউশন নির্ধারণের প্রয়োজনীয় উপাদান, যা মাইক্রো থেকে ন্যানোমেট্রিক পার্শ্বীয় রেজোলিউশন পর্যন্ত পরিবর্তিত হয়। আজকাল, বাজারের বেশ কয়েকটি সংস্থা 30 এনএম-এর চেয়ে ভাল রেজোলিউশন সহ এফজেডপি সরবরাহ করে, যা ইলেট্রা, এএলএস, সিএলএস এবং ম্যাক্স-ল্যাবের মতো বিভিন্ন সিনক্রোট্রন বিকিরণ সুবিধাগুলিতে এসটিএক্সএম এবং এসপিইএম যন্ত্রের মতো বেশ কয়েকটি এক্স-রে ভিত্তিক মাইক্রোস্কোপ নির্মাণ ও পরিচালনাকে সহজতর করেছে। ন্যানো-এ. আর. পি. ই. এস কৌশলের জন্য অবশ্য অনেক কম আপতিত ফোটন শক্তির প্রয়োজন হয়, সাধারণত 6 ই. ভি থেকে 100 ই. ভি পর্যন্ত) ফার্মি স্তরের নীচে এবং কাছাকাছি বৈদ্যুতিন অবস্থা দ্বারা নির্গত সেই ফটোইলেক্ট্রনগুলি সনাক্ত করতে, যা আপতিত ফোটন শক্তি হ্রাস পাওয়ার সাথে সাথে ক্রস-সেকশন বৃদ্ধি পায়। একটি বিকল্প কে-স্পেস ইমেজিং পদ্ধতি শক্তি-ফিল্টার করা ফটোইমিশন মাইক্রোস্কোপের (পি. ই. ই. এম) উপর ভিত্তি করে, পার্শ্বীয় রেজোলিউশন আপতিত ফোটন বিমকে ফোকালাইজ করার পরিবর্তে একটি ইলেক্ট্রন অপটিক্যাল কলাম ব্যবহার করে অর্জন করা হয়। পিইইএম-এর এই পূর্ণ-ক্ষেত্রের কে-স্পেস সংস্করণটি বাণিজ্যিকভাবে উপলব্ধ। তবে, কে-স্পেস ইমেজিং সহ এই বাণিজ্যিকভাবে উপলব্ধ পূর্ণ-ক্ষেত্র পি. ই. ই. এম সংস্করণের জন্য, উচ্চ শক্তি এবং গতিবেগ রেজোলিউশন অর্জন করা চ্যালেঞ্জিং। যন্ত্রপাতি সাধারণত, উচ্চ শক্তি এবং গতিবেগ রেজোলিউশন এআরপিইএস পরীক্ষাগুলি সিনক্রোট্রনগুলিতে সঞ্চালিত হয়, যা সরাসরি অর্ডার করা উপকরণগুলির বৈদ্যুতিন ব্যান্ড কাঠামো রেকর্ড করতে উজ্জ্বল এবং সুরযোগ্য উচ্চ-শক্তি ফোটন উত্স সরবরাহ করতে পারে। এটি তীক্ষ্ণ এবং সুনির্দিষ্ট E বনাম k বিচ্ছুরণ এবং ধ্রুবক শক্তি পৃষ্ঠ উৎপন্ন করে, যার মধ্যে অধ্যয়নরত উপকরণগুলির ফার্মি পৃষ্ঠের সাথে সম্পর্কিত। প্রচলিত এ. আর. পি. ই. এস ব্যবস্থায় ফোটনের একটি সংকীর্ণ রশ্মি সরবরাহ করার জন্য একটি একবর্ণের আলোর উৎস থাকে, একটি ম্যানিপুলেটরের সাথে সংযুক্ত একটি নমুনা ধারক যা ইলেকট্রন স্পেকট্রোমিটার (ডিটেক্টর) সম্পর্কিত কৌণিক এবং অনুবাদমূলকভাবে নমুনাগুলি স্থাপন করতে ব্যবহৃত হয় এবং আপতিত আলোর রশ্মি ফোকাস। সরঞ্জামগুলি একটি অতি-উচ্চ ভ্যাকুয়াম (ইউ. এইচ. ভি) পরিবেশে থাকে, যা নমুনাটিকে অবাঞ্ছিত দূষণ থেকে রক্ষা করে এবং নির্গত ইলেকট্রনগুলির বিচ্ছুরণ রোধ করে। গতিশক্তি এবং নির্গমন কোণের জন্য দুটি লম্ব দিক বরাবর ছড়িয়ে পড়ার পরে, ইলেকট্রনগুলি ডিটেক্টরের দিকে পরিচালিত হয় এবং একটি গতিবেগ দিক বরাবর ব্যান্ড কাঠামোর এআরপিইএস বর্ণালী-স্লাইস সরবরাহ করার জন্য গণনা করা হয়। অন্যান্য প্রচলিত এআরপিইএস যন্ত্রপাতি থেকে এর সাধারণ যন্ত্রগত সেটআপের প্রধান পার্থক্য হল যে নরম এক্স-রে রশ্মি ফ্রেন্সেল জোন প্লেট (এফজেডপি) লেন্স ব্যবহার করে একটি সাবমাইক্রোমেট্রিক স্পটে কেন্দ্রীভূত করা হয়। নমুনাগুলি একটি উচ্চ-নির্ভুলতা ম্যানিপুলেটারে স্থাপন করা যেতে পারে যা x, y এবং z দিকে ন্যানোস্কেল নমুনার অবস্থান নিশ্চিত করে, যেখানে মেরু কোণ (θ) এবং আজিমুথাল কোণ (χ) স্বয়ংক্রিয়ভাবে স্ক্যান করা যেতে পারে। এই মৌলিক যন্ত্রটি দুটি অপারেটিং মোডের অনুমতি দেয়ঃ ন্যানো-এ. আর. পি. ই. এস সময়োপযোগী মোড (অপারেটিং মোড টাইপ 1) ন্যানো-স্পট সহ যা প্রচলিত এ. আর. পি. ই. এস-এর মতো অত্যন্ত সম্পর্কযুক্ত এবং অ-সম্পর্কযুক্ত উপকরণগুলিতে কোয়াসিপার্টিকাল গতিবিদ্যা অধ্যয়নের জন্য ন্যানোমেট্রিক স্ফটিকাকার কঠিন পদার্থের ব্যান্ড কাঠামোর মানচিত্র তৈরি করে এবং ন্যানো-এ. আর. পি. ই. এস ইমেজিং মোড (অপারেটিং মোড টাইপ 2) যা একটি নির্বাচিত বাঁধাই শক্তি এবং গতিবেগ মান পরিসরের ফটোইলেক্ট্রনের বাস্তব স্থানে স্থানিক বিতরণ পরিমাপ করে। অত্যাধুনিক ন্যানো-এআরপিইএস মাইক্রোস্কোপগুলি এফজেডপি-র জন্য নমুনার অবস্থানের অবিচ্ছিন্ন ইন্টারফেরোমেট্রিক নিয়ন্ত্রণে সজ্জিত, যা তাপীয় এবং যান্ত্রিক প্রবাহকে এড়ায়। রেকর্ড করা ন্যানো-এআরপিইএস চিত্রগুলির অবাঞ্ছিত বিকৃতি (অপারেটিং মোড টাইপ 2) এবং পারস্পরিক স্থানের নির্দিষ্ট দিক বরাবর ই বনাম কে বিচ্ছুরণ বক্ররেখার নির্ভুলতা এবং পুনরুত্পাদনযোগ্যতা রোধ করার জন্য এটি প্রয়োজন। পারস্পরিক স্থান এবং ফার্মি পৃষ্ঠের মানচিত্রে শক্তি ধ্রুবক পৃষ্ঠগুলি ন্যানো-এআরপিইএস সেটআপে, ব্যবহৃত বিশ্লেষকগুলি হল অর্ধগোলাকার ইলেক্ট্রন শক্তি যা সাধারণত উচ্চ শক্তি এবং কৌণিক রেজোলিউশনের প্রচলিত এআরপিইএস যন্ত্রে ইনস্টল করা থাকে। তারা গতিবেগ এবং শক্তি চ্যানেলের মিশ্রণ রোধ করতে একটি ছিদ্র ব্যবহার করে এবং ফলস্বরূপ, শুধুমাত্র এক দিকে কৌণিক মানচিত্র নিতে পারে। প্রচলিত এ. আর. পি. ই. এস-এর মতো শক্তি এবং দ্বি-মাত্রিক ভরবেগ স্থানের উপর মানচিত্র রেকর্ড করার জন্য, হয় নমুনাটি ঘোরানো প্রয়োজন, অথবা সংগৃহীত ফটোইলেক্ট্রন বিমটি ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক লেন্সের সাথে স্পেকট্রোমিটারের ভিতরে বৈষম্য করা উচিত, নমুনাটি স্থির রেখে। শক্তি-কোণ-কোণ মানচিত্রগুলি বন্ধন শক্তি-কে// এক্স-কে// ওয়াই মানচিত্রে রূপান্তরিত হয়। এই চিত্রগুলি পারস্পরিক স্থানের k// x এবং k// y তরঙ্গ ভেক্টরের একটি ফাংশন হিসাবে ধ্রুবক শক্তি পৃষ্ঠগুলি প্রদর্শন করে। সবচেয়ে উল্লেখযোগ্য ধ্রুবক শক্তি পৃষ্ঠ হল ফার্মি পৃষ্ঠের মানচিত্র, যা ফার্মি স্তরে বাঁধাই শক্তি সহ সেই ফটোইলেক্ট্রনগুলি সনাক্ত করে প্রাপ্ত হয়। প্রয়োগ ন্যানো-এ. আর. পি. ই. এস কৌশলটি বিভিন্ন ঘনীভূত পদার্থের ক্ষেত্রে মেসোস্কোপিক বা ভিন্নধর্মী পদার্থের বৈদ্যুতিন ব্যান্ড কাঠামো সমাধানের জন্য একটি অপরিহার্য হাতিয়ার, যেমন কোয়ান্টাম পদার্থ উচ্চ-তাপমাত্রার অতিপরিবাহী, টপোলজিক্যাল পদার্থ অর্ধপরিবাহী ধাতু, খুব বেশি বড় নয় এমন ব্যান্ড ফাঁক সহ ইনসুলেটর এবং বিভিন্ন ধরনের নিম্ন-মাত্রিক পদার্থ এবং হেটেরোস্ট্রাকচারের মধ্যে সীমাবদ্ধতার প্রভাব, বিভিন্ন স্ট্যাকিং এবং সংকরকরণ। এছাড়াও, সমস্ত ধরনের পর্যায় রূপান্তর, চার্জ ঘনত্ব তরঙ্গ, ব্যান্ড সংকরকরণ পর্যায় পৃথকীকরণ, চার্জ স্থানান্তর এবং ইন-অপারেন্ডো ডিভাইসের সাথে সম্পর্কিত বৈদ্যুতিন কাঠামোর পরিবর্তনগুলি উচ্চ শক্তি এবং গতিবেগ রেজোলিউশনের সাথে ন্যানো-পার্শ্বীয় রেজোলিউশনের সংমিশ্রণের মাধ্যমে প্রকাশ করা যেতে পারে। রেফারেন্স ঘনীভূত পদার্থ পদার্থবিজ্ঞানে পরীক্ষাগার কৌশল নির্গমন বর্ণালীবীক্ষণ ইলেকট্রন বর্ণালীবীক্ষণ