Ion layer gas reaction
আয়ন স্তর গ্যাস বিক্রিয়া (আইএলজিএআর®) একটি অ-ভ্যাকুয়াম, পাতলা-ফিল্ম জমা করার কৌশল যা জার্মানির বার্লিনে হেল্মহোল্টজ-জেন্ট্রাম বার্লিনের অধ্যাপক ডঃ ক্রিশ্চিয়ান-হারবার্ট ফিশারের দল দ্বারা উপাদান এবং শক্তির জন্য তৈরি এবং পেটেন্ট করা হয়েছে। এটি একটি ক্রমিক এবং চক্রাকার প্রক্রিয়া যা প্রধানত ফটোভোলটাইক প্রয়োগের জন্য (যদিও সীমাবদ্ধ নয়), বিশেষত ক্যালকোপিরাইট শোষক স্তর এবং বাফার স্তরগুলির জন্য অর্ধপরিবাহী পাতলা ফিল্মগুলির জমা সক্ষম করে। আইএলজিএআর কৌশলটি ফ্রাউনহোফার সোসাইটি দ্বারা জার্মান হাই টেক চ্যাম্পিয়ন 2011 হিসাবে ভূষিত হয়েছিল। আই. এল. জি. এ. আর হল একটি রাসায়নিক প্রক্রিয়া যা ভ্যাকুয়াম বা উচ্চ তাপমাত্রা ব্যবহার না করে সমজাতীয়, আনুগত্যপূর্ণ এবং যান্ত্রিকভাবে স্থিতিশীল আকারে স্তরগুলি জমা করার অনুমতি দেয়। এটি একটি ক্রমিক এবং চক্রাকার প্রক্রিয়া যা স্বয়ংক্রিয় এবং স্কেল আপ করা যেতে পারে। এটি মূলত নিম্নলিখিত ধাপগুলি নিয়ে গঠিতঃ ডুবিয়ে (ডিপ-ইলগার) বা স্প্রে করে (স্প্রে ইলগার) একটি স্তরের উপর পূর্ববর্তী দ্রবণ প্রয়োগ করা। হাইড্রোজেন ক্যালকোজেনাইড গ্যাসের সাথে শুষ্ক কঠিন অগ্রদূত স্তরের প্রতিক্রিয়া। পছন্দসই স্তরের পুরুত্ব না পাওয়া পর্যন্ত এই পদক্ষেপগুলি পুনরাবৃত্তি করা হয়। স্প্রে-আই. এল. জি. এ. আর-এর ক্ষেত্রে, আয়নিক স্তরের স্প্রে জমা বায়ুমণ্ডলীয় চাপ অ্যারোসল সহায়তা রাসায়নিক বাষ্প জমা বা স্প্রে পাইরোলাইসিসের অনুরূপ সরঞ্জাম ব্যবহার করে সঞ্চালিত হয়। স্প্রে পাইরোলাইসিসকে স্প্রে আইএলজিএআর প্রক্রিয়ার একটি সরলীকৃত সংস্করণ হিসাবে বিবেচনা করা যেতে পারে, যেখানে প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাসের সাথে পূর্ববর্তী স্তরটির কোনও প্রতিক্রিয়া হয় না। এই প্রক্রিয়ার চক্রাকার প্রকৃতি এটিকে পারমাণবিক স্তর নিক্ষেপণের (এএলডি) অনুরূপ করে তোলে, যা বাফার স্তর নিক্ষেপণের জন্যও ব্যবহৃত হয়। হেল্মহোল্টজ-জেন্ট্রাম বার্লিনে আই. এল. জি. এ. আর এবং স্প্রে-পাইরোলাইসিস কৌশলের প্রয়োগগুলি মূলত ক্যালকোপাইরাইট থিন-ফিল্ম সৌর কোষের ক্ষেত্রে রয়েছে, যদিও এই কৌশলগুলি পাতলা ফিল্মের সাথে স্তর আবরণ জড়িত অন্যান্য প্রয়োগের জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে। নিম্নলিখিত তালিকাটি এই কৌশলগুলির প্রয়োগগুলির সংক্ষিপ্তসার দেয়ঃ চালকোপাইরাইট-ভিত্তিক পাতলা-ফিল্ম ডিভাইসগুলির জন্য বাফার স্তরঃ পরিবেশগতভাবে আরও অনুকূল উপকরণ দ্বারা স্ট্যান্ডার্ড সি. ডি. এস-এর প্রতিস্থাপন (ইন2এস3, ইত্যাদি)। বিভিন্ন শোষণকারী পদার্থের উপর স্প্রে-ইলগার ব্যবহার করে জমা করা হয়। ন্যানো-বিন্দু প্যাসিভেশন স্তরঃ স্প্রে আইএলজিএআর কৌশল ব্যবহার করে নিয়ন্ত্রিত উপায়ে ন্যানো ডট জমা করা যেতে পারে। জেড. এন. এস ন্যানোডটগুলি চ্যালকোপাইরাইট ভিত্তিক পাতলা-ফিল্ম সৌর কোষে প্যাসিভেশন স্তর-বিন্দু যোগাযোগ বাফার স্তর হিসাবে ব্যবহৃত হয়েছে। এই বিন্দুগুলি (ব্যাসের 5-10 এনএম) শোষক-বাফার ইন্টারফেসে একটি নিষ্ক্রিয় স্তর হিসাবে কাজ করে যার ফলস্বরূপ কিছু ক্ষেত্রে 2 শতাংশ পর্যন্ত দক্ষতা বৃদ্ধি হয়। অ্যাল2ও3 বাধা স্তরঃ ইস্পাত ফয়েলের মতো ধাতব স্তরগুলির উপর পাতলা-ফিল্ম সৌর মডিউলগুলির বৈদ্যুতিক নিরোধক এবং শোষকের মধ্যে ক্ষতিকারক লোহার বিস্তার রোধ করার জন্য স্তর এবং মো ব্যাক-যোগাযোগের মধ্যে একটি বাধা স্তর প্রয়োজন। এছাড়াও কাচের স্তর থেকে অনিয়ন্ত্রিত সোডিয়াম বিচ্ছুরণ ইচ্ছাকৃতভাবে কাঙ্ক্ষিত পরিমাণে সোডিয়াম দিয়ে শোষককে ডোপ করার আগে একটি বাধা দ্বারা থামানো যেতে পারে। স্প্রে-পাইরোলাইসিস দ্বারা জমা হওয়া Al2O3 স্তরগুলি ZnO উইন্ডো স্তরগুলির উপরে বর্ণিত ক্ষেত্রে সম্পূর্ণরূপে কার্যকরী বাধা স্তরগুলির ফলস্বরূপঃ উচ্চ মানের i-ZnO উইন্ডো স্তরগুলি স্প্রে পাইরোলাইসিস দ্বারা উত্থিত হয়েছে এবং স্ট্যান্ডার্ড স্পাটার্ড i-ZnO স্তরগুলির একটি সম্ভাব্য প্রতিস্থাপন গঠন করে। চ্যালকোপাইরাইট শোষক স্তরঃ স্প্রে-আইএলজিএআর একটি নিম্ন তাপমাত্রার কৌশল যা চ্যালকোপাইরাইট শোষক স্তরগুলির বৃদ্ধি করতে সক্ষম করে যেমন কিউআইএনএস2 এবং। স্প্রে-ইলগার কিউইএনএস2 স্তরগুলি পাতলা-ফিল্ম সৌর কোষে শোষক হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে। সারফেস লেপঃ আইএলজিএআর কৌশল ব্যবহার করে অনুঘটকের উদ্দেশ্যে সিরামিক, ধাতু, কাচ এবং এমনকি প্লাস্টিকের পৃষ্ঠ আবরণের পাশাপাশি অ্যান্টি-জারা, অ্যান্টিস্ট্যাটিক বা যান্ত্রিক সুরক্ষা সম্ভব। রাসায়নিক স্নান নিক্ষেপণের প্রতিস্থাপন হিসাবে আই. এল. জি. এ. আর রাসায়নিক স্নান নিক্ষেপণের (সি. বি. ডি) তুলনায় আই. এল. জি. এ. আর-এর সুবিধা হল যে, সরাসরি ক্যালকোজেনাইড পাতলা ফিল্ম জমা করার চেয়ে উচ্চমানের পূর্ববর্তী স্তর জমা করা এবং সেগুলিকে ক্যালকোজেনাইডে রূপান্তর করা সহজ। পূর্ববর্তী বা প্রক্রিয়া পরামিতিগুলি পরিবর্তন করে শ্রেণীবদ্ধ বৈশিষ্ট্য বা রচনা সহ চলচ্চিত্র তৈরি করাও সম্ভব। উপরন্তু, আইএলজিএআর একটি ইন-লাইন প্রক্রিয়া যেখানে রাসায়নিক স্নান জমা একটি ব্যাচ প্রক্রিয়া। তথ্যসূত্র সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস ফ্যাব্রিকেশন থিন ফিল্ম ডিপোজিশন আবরণ