Polysilicon depletion effect
পলিসিলিকন হ্রাস প্রভাব হল এমন একটি ঘটনা যেখানে গেট উপাদান হিসাবে পলিসিলিকন ব্যবহার করে এম. ও. এস. এফ. ই. টি যন্ত্রগুলির প্রান্তিক ভোল্টেজের অবাঞ্ছিত পরিবর্তন লক্ষ্য করা যায়, যা বৈদ্যুতিন বর্তনীর অপ্রত্যাশিত আচরণের দিকে পরিচালিত করে। এই বৈচিত্র্যের কারণে সমস্যা সমাধানের জন্য হাই-কে ডাইলেক্ট্রিক মেটাল গেট (এইচকেএমজি) চালু করা হয়েছিল। পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন, যাকে পলিসিলিকনও বলা হয়, ছোট সিলিকন স্ফটিকের সমন্বয়ে গঠিত একটি উপাদান। পরেরটি অর্ধপরিবাহী ইলেকট্রনিক্স এবং সৌর কোষের জন্য ব্যবহৃত মক্রিস্টালাইন সিলিকন এবং পাতলা ফিল্ম ডিভাইস এবং সৌর কোষের জন্য ব্যবহৃত নিরাকার সিলিকন থেকে আলাদা। গেট উপাদানের পছন্দ গেট যোগাযোগটি পলিসিলিকন বা ধাতুর হতে পারে, পূর্বে পলিসিলিকন ধাতুর পরিবর্তে বেছে নেওয়া হয়েছিল কারণ পলিসিলিকন এবং গেট অক্সাইডের (সিওও2) মধ্যে সংযোগ অনুকূল ছিল। কিন্তু পলি-সিলিকন স্তরের পরিবাহিতা খুব কম এবং এই কম পরিবাহিতা হওয়ার কারণে, চার্জ জমা কম হয়, যার ফলে চ্যানেল গঠনে বিলম্ব হয় এবং এইভাবে বর্তনীতে অযাচিত বিলম্ব হয়। পলি স্তরটি এন-টাইপ বা পি-টাইপ অশুদ্ধতার সাথে ডোপ করা হয় যাতে এটি একটি নিখুঁত পরিবাহীর মতো আচরণ করে এবং বিলম্ব হ্রাস করে। ডোপড পলিসিলিকন গেটের অসুবিধাগুলি ভিজিএস = গেট ভোল্টেজ ভিথ = থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ এন + = উচ্চ ডোপড এন অঞ্চল একটি এন. এম. ও. এস ট্রানজিস্টরের চিত্র 1 (এ)-তে দেখা গেছে যে বাহ্যিক বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের অনুপস্থিতির কারণে মুক্ত সংখ্যাগরিষ্ঠ বাহকগুলি কাঠামো জুড়ে ছড়িয়ে ছিটিয়ে রয়েছে। যখন গেটে একটি ধনাত্মক ক্ষেত্র প্রয়োগ করা হয়, তখন বিক্ষিপ্ত বাহকগুলি নিজেদেরকে চিত্র 1 (বি) এর মতো সাজায়, ইলেকট্রনগুলি গেট টার্মিনালের কাছাকাছি চলে যায় তবে উন্মুক্ত বর্তনী বিন্যাসের কারণে তারা প্রবাহিত হতে শুরু করে না। চার্জ পৃথকীকরণের ফলে পলিসিলিকন-অক্সাইড ইন্টারফেসে একটি হ্রাস অঞ্চল তৈরি হয়, যা এম. ও. এস. এফ. ই. টি-তে চ্যানেল গঠনের উপর সরাসরি প্রভাব ফেলে। এন + পলিসিলিকন গেট সহ একটি এন. এম. ও. এস-এ, বহু হ্রাস প্রভাব দাতা আয়ন (এন. ডি)-এর (+) ভি ক্ষেত্র এবং গেট টার্মিনালে বাহ্যিকভাবে প্রয়োগ করা (+) ভি ক্ষেত্রের সম্মিলিত প্রভাব দ্বারা চ্যানেল গঠনে সহায়তা করে। মূলত পলিসিলিকনের উপর (+) ভি চার্জযুক্ত দাতা আয়নগুলির (এন. ডি) জমা হওয়া বিপরীতমুখী চ্যানেলের গঠনকে বাড়িয়ে তোলে এবং যখন একটি বিপরীতমুখী স্তর তৈরি হয়, যা চিত্র 1 (বি)-এ দেখা যায় যেখানে বিপরীতমুখী চ্যানেলটি গ্রহণকারী আয়নগুলির (এন. এ) (সংখ্যালঘু বাহক) গঠিত হয়। পলিসিলিকন হ্রাস ফ্যাব্রিকেশন প্রক্রিয়ার উপর নির্ভর করে ট্রানজিস্টর জুড়ে পার্শ্বীয়ভাবে পরিবর্তিত হতে পারে, যা নির্দিষ্ট ট্রানজিস্টর মাত্রায় উল্লেখযোগ্য ট্রানজিস্টর পরিবর্তনশীলতার দিকে পরিচালিত করতে পারে। ধাতব গেটগুলি পুনরায় চালু করা হয়েছে উপরের কারণে যন্ত্রগুলি স্কেলিং (32-28 nm নোড)-এ নেমে যাওয়ার সাথে সাথে পলি গেটগুলি ধাতব গেট দ্বারা প্রতিস্থাপিত হচ্ছে। নিম্নলিখিত প্রযুক্তিটি হাই-কে ডাইলেক্ট্রিক মেটাল গেট (এইচকেএমজি) ইন্টিগ্রেশন নামে পরিচিত। 2011 সালে ইন্টেল তাদের বিভিন্ন নোডের বানোয়াট পদ্ধতি সম্পর্কে একটি প্রেস-কিট প্রকাশ করেছে, যা মেটাল গেট প্রযুক্তির ব্যবহার দেখিয়েছে। ডোপড পলিসিলিকন আগে এম. ও. এস ডিভাইসে গেট উপাদান হিসাবে পছন্দ করা হত। পলিসিলিকনগুলি ব্যবহার করা হত কারণ তাদের কাজের কার্যকারিতা সি সাবস্ট্রেটের সাথে মিলে যায় (যার ফলে এম. ও. এস. এফ. ই. টি-র নিম্ন প্রান্তিক ভোল্টেজ হয়)। ধাতব গেটগুলি সেই সময়ে পুনরায় চালু করা হয়েছিল যখন মূলধারার সি. এম. ও. এস প্রযুক্তিতে হাফনিয়াম অক্সাইডের মতো হাই-কে ডাইলেক্ট্রিক দ্বারা প্রতিস্থাপিত হচ্ছে। এছাড়াও গেট ডাইলেক্ট্রিকের সাথে ইন্টারফেসে, পলিসিলিকন একটি সিওএক্স স্তর গঠন করে। উপরন্তু, ফার্মি স্তরের পিনিং হওয়ার উচ্চ সম্ভাবনা রয়েছে। সুতরাং ডোপড পলির প্রভাব হল প্রান্তিক ভোল্টেজের একটি অযাচিত হ্রাস যা সার্কিট সিমুলেশনের সময় বিবেচনায় নেওয়া হয়নি। এম. ও. এস. এফ. ই. টি-র ভি. টি-তে এই ধরনের বৈচিত্র্য এড়ানোর জন্য, বর্তমানে পলিসিলিকনের চেয়ে ধাতব গেট পছন্দ করা হয়। আরও দেখুন এন. এম. ও. এস-এ পলিসিলিকন গেট হ্রাস প্রভাব হ্রাস নিষ্কাশন-প্ররোচিত বাধা গেট উপাদান হ্রাস করে ইন্টেল রেফারেন্স ট্রানজিস্টর সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস দ্বারা মাইক্রোপ্রসেসরের গঠন সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তি এম. ও. এস. এফ. ই. টি