F-center
একটি এফ কেন্দ্র বা ফারবে কেন্দ্র (মূল জার্মান ফারবজেন্ট্রাম থেকে, যেখানে ফারবে মানে রঙ এবং জেন্ট্রাম মানে কেন্দ্র) হল এক ধরনের স্ফটিকগত ত্রুটি যেখানে স্ফটিক জালিতে একটি অ্যানায়নিক শূন্যস্থান এক বা একাধিক অপ্রচলিত ইলেকট্রন দ্বারা দখল করা হয়। স্ফটিক জালিতে এমন একটি শূন্যস্থানে ইলেকট্রনগুলি দৃশ্যমান বর্ণালীতে আলো শোষণ করে যাতে সাধারণত স্বচ্ছ একটি উপাদান রঙিন হয়ে যায়। এফ কেন্দ্রের সংখ্যা যত বেশি হবে, যৌগের রঙ তত তীব্র হবে। এফ কেন্দ্রগুলি হল এক ধরনের রঙ কেন্দ্র। এটি অনেক যৌগ, বিশেষ করে জিঙ্ক অক্সাইড (হলুদ) সনাক্ত করতে ব্যবহৃত হয়। ইতিহাস বিন্দু ত্রুটি আবিষ্কারের আগে থেকেই জানা ছিল যে কিছু স্ফটিক বিভিন্ন পদ্ধতি ব্যবহার করে বিবর্ণ করা যেতে পারে। 1830 সালে টি. জে. পিয়ারসাল আবিষ্কার করেন যে, বেগুনি আলো ব্যবহার করে ফ্লোরস্পারকে বিবর্ণ করা যেতে পারে। ত্রিশ বছর পরে একটি নির্দিষ্ট ধাতুর সাথে স্ফটিকগুলি গলানোর মাধ্যমে অনুরূপ ফলাফল অর্জন করা হয়েছিল। 1921 সালে ডব্লিউ. রন্টজেন ব্যাপকভাবে শিলা লবণ পরিমাপ করেন। এই পরীক্ষাগুলির একটি সেট এক্স-রে দিয়ে লবণ বিকিরণ করার পরে একটি আলোক-বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা 40,000 গুণ বেশি পরিমাপ করে। স্ফটিকগুলিকে ধাতব বাষ্প দিয়ে রঙ করার মাধ্যমে এক্স-রে-র অনুরূপ ফলাফল অর্জন করা হয়েছিল। আলোক-বৈদ্যুতিক প্রভাব মূলত নির্দিষ্ট তরঙ্গদৈর্ঘ্যের আশেপাশে ঘটেছিল, যা পরে অ-কোলয়েডাল প্রকৃতির বলে মনে করা হয়েছিল। রঙিনকরণগুলি পরে এফ সেন্টার নামে নামকরণ করা হয়েছিল, যেমন ফারবেতে, রঙের জার্মান শব্দ। 1933 সালে মলও এই সিদ্ধান্তে উপনীত হন যে, এই এফ কেন্দ্রগুলি পারমাণবিক স্ফটিকের ত্রুটি। এই সময়ে লোকেরা দাবি করতে শুরু করে যে এই ত্রুটিগুলি ছিল অযুগ্ম ইলেকট্রন। শূন্যপদের মডেলটি প্রথম 1937 সালে বর্ণনা করা হয়েছিল কিন্তু তবুও এটি অস্থায়ী হিসাবে বিবেচিত হয়েছিল। ইলেক্ট্রন ঘূর্ণন অনুরণন ব্যবহার করে এটি সত্য প্রমাণ করতে 1957 সাল পর্যন্ত সময় লেগেছিল। এফ কেন্দ্রগুলি প্রাকৃতিকভাবে যৌগগুলিতে (বিশেষত ধাতব অক্সাইড) ঘটতে পারে কারণ উচ্চ তাপমাত্রায় উত্তপ্ত হলে আয়নগুলি উত্তেজিত হয়ে যায় এবং তাদের স্বাভাবিক স্ফটিকীয় অবস্থান থেকে স্থানচ্যুত হয়, খালি জায়গায় কিছু ইলেকট্রন রেখে যায়। এই প্রভাব ধাতব-অতিরিক্ত ত্রুটিযুক্ত আয়নিক যৌগগুলির দ্বারাও প্রদর্শিত হয়। প্রায়শই এফ কেন্দ্রগুলি প্যারাম্যাগনেটিক হয় এবং ইলেক্ট্রন প্যারাম্যাগনেটিক অনুরণন কৌশল দ্বারা অধ্যয়ন করা যেতে পারে। যে এফ কেন্দ্রগুলি সবচেয়ে বেশি অধ্যয়ন করা হয় সেগুলি হল ক্ষারীয় ধাতব হ্যালাইডে ঘটে। ক্ষারীয় ধাতব হ্যালাইডগুলি সাধারণত স্বচ্ছ হয়; এগুলি দূরবর্তী অতিবেগুনী থেকে দূরবর্তী ইনফ্রারেডে শোষণ দেখায় না। সুতরাং আলোকীয় শোষণের যে কোনও পরিবর্তন সহজেই সনাক্ত এবং অধ্যয়ন করা যেতে পারে। সোডিয়াম ক্লোরাইডে এফ কেন্দ্রগুলির শোষণ ব্যান্ড নীল আলোর চারপাশে অবস্থিত, যা পর্যাপ্ত এফ কেন্দ্রের ত্রুটি সহ একটি সোডিয়াম ক্লোরাইড স্ফটিককে হলুদ রঙ দেয়। অন্যান্য ক্ষারীয় ক্লোরাইডগুলিতে এফ কেন্দ্র শোষণ ব্যান্ডের অবস্থান বেগুনি থেকে হলুদ আলো পর্যন্ত হয়। এফ কেন্দ্রগুলির গঠনের কারণে লিথিয়াম ক্লোরাইড, পটাসিয়াম ক্লোরাইড এবং জিঙ্ক অক্সাইডের মতো কিছু স্ফটিক উত্তপ্ত হলে যথাক্রমে গোলাপী, লিলাক এবং হলুদ হয়ে যায়। যদিও অন্যান্য উপাদানে এফ কেন্দ্রগুলি লক্ষ্য করা গেছে, তবে সেগুলি সাধারণত সেই উপাদানে রঙের কারণ নয়। প্রাকৃতিকভাবে ঘটে যাওয়া এফ কেন্দ্রগুলির কয়েকটি উদাহরণ রয়েছে যা রঙ সৃষ্টি করে। একটি সম্ভাব্য প্রার্থী হল খনিজ ব্লু জন। এটি ফ্লোরাইটের একটি রূপ, CaF2। যদিও এটি নিশ্চিত করা হয়নি, এটি বিশ্বাস করা হয় যে রঙটি ইলেক্ট্রন এফ কেন্দ্রগুলির কারণে হয়েছে। মনে করা হয় যে এই এফ কেন্দ্রটি শিলায় নিকটবর্তী ইউরেনিয়াম আমানতের কারণে গঠিত হয়েছে; তেজস্ক্রিয় ক্ষয় বিকিরণ এফ কেন্দ্র গঠনের জন্য প্রয়োজনীয় শক্তি সৃষ্টি করেছিল। প্রকৃতিতে পাওয়া এফ কেন্দ্রের আরেকটি উদাহরণ হল একটি তুলনামূলকভাবে দীর্ঘস্থায়ী এফ কেন্দ্র যা নীলমণিতে লুমিনেসেন্সের মাধ্যমে পাওয়া যায়, যার একটি গবেষণায় প্রায় 36 এমএস সময়কাল ছিল। উপাদান এবং বিকিরণ শক্তির উপর নির্ভর করে বিভিন্ন ধরনের ইলেক্ট্রন কেন্দ্র রয়েছে। একটি এফ কেন্দ্র সাধারণত একটি জালকের একটি অবস্থান যেখানে একটি অ্যানায়ন, একটি ঋণাত্মক আধানযুক্ত আয়ন, একটি ইলেক্ট্রন দ্বারা প্রতিস্থাপিত হয়। একটি এইচ কেন্দ্র (একটি হ্যালোজেন অন্তর্বর্তী) এক অর্থে একটি এফ কেন্দ্রের বিপরীত, যাতে যখন দুটি একটি স্ফটিকের সংস্পর্শে আসে তখন তারা একত্রিত হয় এবং উভয় ত্রুটি বাতিল করে দেয়। এই প্রক্রিয়াটি ফটোইনডুস করা যেতে পারে, উদাহরণস্বরূপ, একটি লেজার ব্যবহার করে। কখনও কখনও এফ কেন্দ্র একটি অতিরিক্ত ইলেক্ট্রন অর্জন করতে পারে, যার ফলে এফ কেন্দ্রটি নেতিবাচকভাবে চার্জ করা হয়, যেমন এটিকে এফ-কেন্দ্র বলা হয়। একইভাবে, যখন এফ কেন্দ্রটি একটি ইলেক্ট্রন মিস করে, যখন এটি আয়নিত হয়, তখন এটি একটি এফ + কেন্দ্র হবে। একটি-2ই আধানযুক্ত অ্যানায়ন থাকাও সম্ভব, যার জন্য একটি এফ কেন্দ্র গঠনের জন্য 2টি ইলেকট্রনের প্রয়োজন হয়। কনভেনশন অনুসারে একটি ইলেক্ট্রন যোগ করা বা সরিয়ে নেওয়া এটিকে যথাক্রমে একটি এফ-বা এফ + কেন্দ্রে পরিণত করবে। আরেকটি ধরনের একক শূন্যস্থান এফ কেন্দ্র হল এফ. এ কেন্দ্র যা একটি এফ কেন্দ্র নিয়ে গঠিত যার একটি পার্শ্ববর্তী ধনাত্মক আয়ন একটি ভিন্ন ধরনের ধনাত্মক আয়ন দ্বারা প্রতিস্থাপিত হয়। প্রতিস্থাপন আয়ন প্রকারের উপর নির্ভর করে এই এফ. এ কেন্দ্রগুলি দুটি গ্রুপে বিভক্ত, এফ. এ (আই) এবং এফ. এ (আই)। এফ. এ (আই) কেন্দ্রগুলির নিয়মিত এফ কেন্দ্রগুলির মতো একই বৈশিষ্ট্য রয়েছে, যেখানে এফ. এ (আই) কেন্দ্রগুলি একটি হ্যালাইড আয়ন প্রতিস্থাপনের কারণে উত্তেজিত অবস্থায় দুটি সম্ভাব্য কূপ তৈরি করে। এফএ-এর অনুরূপ হল এফবি কেন্দ্র, যা দুটি পার্শ্ববর্তী ধনাত্মক আয়ন সহ একটি এফ কেন্দ্র নিয়ে গঠিত, যা একটি ভিন্ন ধরনের ধনাত্মক আয়ন দ্বারা প্রতিস্থাপিত হয়। এফ. এ (আই) এবং এফ. এ (আই) কেন্দ্রগুলির অনুরূপ আচরণ সহ এফ. বি (আই) এবং এফ. বি (আই) কেন্দ্রগুলিও দুটি গ্রুপে বিভক্ত। অশুচি আয়নগুলির বিতরণের পরিসংখ্যানগত প্রকৃতির কারণে, এফবি কেন্দ্রগুলি এফএ কেন্দ্রগুলির তুলনায় অনেক বেশি বিরল। পার্শ্ববর্তী অ্যানায়ন শূন্যপদের কারণে পার্শ্ববর্তী এফ কেন্দ্রগুলির জটিল এফ কেন্দ্রের সংমিশ্রণগুলি যথাক্রমে দুই এবং তিনটি প্রতিবেশী, এফ 2 এবং এফ 3 কেন্দ্রের জন্য ডাকা হবে। এফ কেন্দ্রগুলির বৃহত্তর সমষ্টি অবশ্যই সম্ভব, তবে এর আচরণের বিশদ বিবরণ এখনও অজানা। একটি এফ2 কেন্দ্র আয়নিতও হতে পারে এবং একটি এফ2 + কেন্দ্র গঠন করতে পারে। যখন এই প্রকারটি একটি ক্যাটায়ন অশুদ্ধতার পাশে পাওয়া যায়, তখন এটি একটি (এফ2 +) এ কেন্দ্র। এফএস কেন্দ্রগুলি স্ফটিকের যে কোনও জায়গায় উপস্থিত হতে পারে তবে অক্সাইড স্ফটিকের পৃষ্ঠে গঠিত হলে এর উল্লেখযোগ্যভাবে ভিন্ন বৈশিষ্ট্য রয়েছে। Fs কেন্দ্রগুলিতে আবদ্ধ ইলেকট্রনগুলির বাল্ক F কেন্দ্রগুলির তুলনায় কম রূপান্তর শক্তি থাকে। ক্ষারীয় হ্যালাইড স্ফটিকের পৃষ্ঠতল এফ কেন্দ্রগুলি সামান্য বিচলিত বাল্ক কেন্দ্র হিসাবে আচরণ করে, যার নিচে একটি স্থানান্তর-0.1eV। নিয়মিত জালের বিন্দুর তুলনায় এগুলি পৃষ্ঠ থেকে বেরিয়ে আসার প্রবণতা রাখে। নিয়মিত জালের স্থানে এফ কেন্দ্রগুলি ইলেকট্রনের তুলনায় কম আবদ্ধ থাকায়, তারা শোষণের জন্য অনুঘটক হিসাবে কাজ করে। তবে এর অর্থ হল এই ত্রুটিগুলি অক্সিজেন শোষণ করে খোলা বাতাসে দ্রুত খারাপ হয়ে যায়, তবে পরিবেশ থেকে অক্সিজেন অপসারণ করে বিপরীতমুখী হয়। Fs কেন্দ্রের ESR বর্ণালী অক্সাইডের হাইপারফাইন কাঠামোতে তাপমাত্রার উপর নির্ভরশীল। এটি অবশ্যই ধনাত্মক আয়নটির নিউক্লিয়াসে অপ্রচলিত ইলেক্ট্রন তরঙ্গ ফাংশনের ক্রমবর্ধমান ওভারল্যাপ থেকে উদ্ভূত হতে হবে। গরম করে এফ. এস কেন্দ্র পরিবর্তন বা ধ্বংস করা যেতে পারে। ক্ষারীয় হ্যালাইড স্ফটিকের ত্রুটিগুলি কম তাপমাত্রায় ধ্বংস হয়। স্ফটিকগুলি 200 কেলভিন তাপমাত্রায় ধীরে ধীরে বিবর্ণ হতে শুরু করে। অক্সাইডের জন্য এই ত্রুটিগুলি ধ্বংস করার জন্য তাপমাত্রা যথেষ্ট বেশি, CaO এর জন্য 570 কেলভিন। অক্সাইডে অ্যানিলিং করে জটিল এফএস কেন্দ্র তৈরি করা সম্ভব। পরীক্ষাগারে এফ কেন্দ্র তৈরি করা বিকিরণ প্রথম এফ কেন্দ্র তৈরি করা হয়েছিল ক্ষারীয় হ্যালাইড স্ফটিকগুলিতে। এই হ্যালাইডগুলি উচ্চ-শক্তির বিকিরণের সংস্পর্শে ছিল, যেমন এক্স-রে, গামা বিকিরণ বা টেসলা কয়েল। বিকিরণ দ্বারা শক্তি শোষণের তিনটি প্রক্রিয়া রয়েছেঃ ক) এক্সাইটন গঠন। এটি একটি হ্যালাইড আয়নে একটি ভ্যালেন্স ইলেক্ট্রনের উত্তেজনার সমান। একটি আলোকিত ফোটন নির্গমনের মাধ্যমে অর্জিত শক্তি (সাধারণত 7 বা 8 ই. ভি) আংশিকভাবে আবার হারিয়ে যাবে। অবশিষ্ট শক্তি আয়নগুলিকে স্থানচ্যুত করার জন্য উপলব্ধ। এই শক্তি জালের মধ্য দিয়ে তাপ হিসাবে বিকিরণ করে। যাইহোক, দেখা যাচ্ছে যে তার শক্তি আয়নগুলি সরানোর জন্য খুব কম এবং তাই এফ কেন্দ্র তৈরি করতে সক্ষম নয়। খ) একক আয়নীকরণ। এটি একটি ইলেক্ট্রনকে হ্যালাইড আয়ন থেকে পৃথক করার সাথে মিলে যায়; প্রয়োজনীয় শক্তি এক্সাইটন গঠনের চেয়ে প্রায় 2 eV বেশি। কল্পনা করা যায় যে, যে হ্যালাইড আয়নটি একটি ইলেক্ট্রন হারিয়েছিল, তা তার জালের জায়গায় আর সঠিকভাবে আবদ্ধ নয়। এটা সম্ভব যে এটি জালের মধ্য দিয়ে চলে যাবে। তৈরি হওয়া শূন্যস্থানটি এখন ইলেকট্রনকে আটকে রাখতে পারে, যার ফলে এফ কেন্দ্র তৈরি হয়। যদি হ্যালাইড আয়নটি প্রথমে ইলেক্ট্রনকে পুনরুদ্ধার করে, তবে এটি এক্সাইটন গঠনের (2 ই. ভি বেশি) চেয়ে বেশি তাপ শক্তি মুক্ত করতে পারে এবং এটি অন্যান্য আয়নগুলিকেও সরাতে পারে। গ) একাধিক আয়নীকরণ। এই প্রক্রিয়ায় সবচেয়ে বেশি শক্তির প্রয়োজন হয়। একটি ফোটন একটি হ্যালাইড আয়ন-এর সঙ্গে মিথস্ক্রিয়া করে, এটিকে দুইবার আয়নিত করে, ধনাত্মক আধান রেখে যায়। অবশিষ্ট আয়নটি খুব অস্থির এবং দ্রুত অন্য অবস্থানে চলে যাবে, একটি শূন্যস্থান রেখে যা একটি ইলেক্ট্রনকে এফ কেন্দ্রে পরিণত হতে বাধা দিতে পারে। দুটি ইলেকট্রন মুক্ত করতে প্রায় 18টি ই. ভি প্রয়োজন (কে. সি. এল বা এন. এ. সি. এল-এর ক্ষেত্রে)। গবেষণা থেকে জানা যায় যে দশটি একক আয়নীকরণের মধ্যে প্রায় একটি দ্বিগুণ আয়নীকরণ ঘটে। যাইহোক, তৈরি ধনাত্মক হ্যালাইড আয়ন সহজেই এবং দ্রুত একটি ইলেক্ট্রন গ্রহণ করবে; এটি এফ কেন্দ্র তৈরি করতে অক্ষম করে তোলে। এফ কেন্দ্র তৈরির সম্ভাব্য প্রক্রিয়াটি এখনও নির্ধারিত হয়নি। উভয়ই সম্ভব এবং সম্ভাব্য, কিন্তু কোনটি একবার সবচেয়ে বেশি ঘটে তা অজানা। একটি এফ2 কেন্দ্রের গঠন খুব অনুরূপ। একটি এফ কেন্দ্র আয়নিত হয় এবং একটি শূন্যস্থানে পরিণত হয়; ইলেক্ট্রনটি অন্য এফ কেন্দ্রের সাথে আবদ্ধ হওয়ার জন্য উপাদানটির মধ্য দিয়ে চলে যায়, যা একটি এফ-কেন্দ্রে পরিণত হয়। ইলেকট্রন শূন্যস্থানটি উপাদানটির মধ্য দিয়ে চলে যায় এবং এফ-কেন্দ্রের পাশে শেষ হয়, যা তার ইলেক্ট্রনকে শূন্যস্থানে ফিরিয়ে দেয়, দুটি পার্শ্ববর্তী এফ কেন্দ্র গঠন করে, অর্থাৎ। একটি এফ2 কেন্দ্র। যোগাত্মক রঙ রঙ কেন্দ্র তৈরি করার একটি ভিন্ন উপায় হল যোগাত্মক রঙ করা। এফ কেন্দ্র সহ একটি স্ফটিক রাসায়নিকভাবে একটি নিখুঁত স্ফটিক এবং ক্ষার ধাতুর স্টোইকিওমেট্রিক অতিরিক্ত হিসাবে সমতুল্য। সংশ্লিষ্ট ধাতুর বাষ্পে স্ফটিককে উচ্চ তাপমাত্রায় গরম করে এটি করা হয়। তাপমাত্রা তার গলনাঙ্ক এবং যে তাপমাত্রায় কলয়েড তৈরি হয় তার দ্বারা সীমাবদ্ধ, যেমন। ~ 400 এবং 768 ডিগ্রি সেলসিয়াসের মধ্যে কেসিএল-এর জন্য। ধাতব পরমাণুগুলি স্ফটিকের পৃষ্ঠে ধরা পড়ে, যেখানে সেগুলি আয়নিত হয় এবং ভ্যালেন্স ইলেক্ট্রনটি স্ফটিক জালিতে স্থানান্তরিত হয়। যেহেতু এই প্রক্রিয়াটি উচ্চ তাপমাত্রায় ঘটে, তাই আয়নগুলির গতিশীলতাও বেশি। একটি ঋণাত্মক আয়ন নবগঠিত আয়নটির দিকে অগ্রসর হবে। এটি একটি অ্যানায়োনিক শূন্যস্থান রেখে যায় যা একটি এফ কেন্দ্র গঠনের জন্য ইলেক্ট্রনকে আটকে রাখতে পারে। এর পরে স্ফটিকটি নিভে যায় যাতে স্ফটিকের মধ্য দিয়ে এফ কেন্দ্রগুলি কোলয়েড তৈরি করতে না পারে। এই প্রক্রিয়ার একটি উদাহরণ হল ধাতব সোডিয়াম বায়ুমণ্ডলে NaCl গরম করা। Na0 → Na + + e − Na + একটি ইলেক্ট্রন ছেড়ে দেওয়ার পরে NaCl স্ফটিকের মধ্যে অন্তর্ভুক্ত করা হয়। অতিরিক্ত Na +-এর ভারসাম্য বজায় রাখার জন্য একটি Cl-শূন্যপদ তৈরি করা হয়। ক্ল-শূন্যতার কার্যকরী ধনাত্মক আধান Na পরমাণু দ্বারা নির্গত ইলেক্ট্রনকে আটকে রাখে। অক্সাইডে ক্যাটিয়নের চেয়ে আলাদা ধাতু দিয়ে একটি স্ফটিককে যোগাত্মকভাবে রঙ করা সম্ভব। ফলস্বরূপ শোষণ বর্ণালী যথেষ্ট পরিমাণে একই রকম হয় যেন উপাদান ধাতুটি ব্যবহার করা হয়েছিল। নিম্ন তাপমাত্রার বাষ্প জমা-200 ডিগ্রি সেলসিয়াসের নিচে নিম্ন তাপমাত্রায় বাষ্প জমা ব্যবহার করে ক্ষারযুক্ত হ্যালাইড স্ফটিকের উপর স্থিতিশীল এফএস কেন্দ্র তৈরি করা সম্ভব। রঙ কেন্দ্রগুলির উপর ভিত্তি করে লেজারগুলি ডাই লেজারের অনুরূপভাবে পরিচালিত হয়। এগুলি আলোর নিকটবর্তী ইনফ্রারেড অঞ্চল 0.8 থেকে 4.0 মাইক্রোমিটার পর্যন্ত তরঙ্গদৈর্ঘ্যের পরিসীমা প্রদান করে, এইভাবে যেখানে ডাই লেজারগুলি কাজ করতে ব্যর্থ হয় সেখানে উঠে আসে। বর্ণালীর নিকটবর্তী ইনফ্রারেড অঞ্চলে কাজ করে এমন লেজারগুলি ইনফ্রারেড স্পেকট্রোস্কোপি-তে আলোর উৎস হিসাবে ব্যবহৃত হয়, উদাহরণস্বরূপ আণবিক কম্পন অধ্যয়নের জন্য ব্যবহৃত হয়। শুধুমাত্র নির্দিষ্ট এফ কেন্দ্রগুলি রঙ কেন্দ্র লেজারগুলিতে প্রয়োগের জন্য উপযুক্ত, যা লেজার-সক্রিয় এফ কেন্দ্র হিসাবে পরিচিত। সরল এফ কেন্দ্রগুলি লেজার-সক্রিয় নয়, তবে আরও জটিল এফ কেন্দ্রগুলি স্থিতিশীল রঙ কেন্দ্র লেজার গঠন করতে দেখা গেছে। এগুলি হল এফএ (II), এফবি (II), এফ2 + এবং (এফ2 +) এ কেন্দ্র। অন্যান্য আরও জটিল এফ কেন্দ্রগুলি সম্ভাব্য লেজার-সক্রিয়, তবে তারা রঙ কেন্দ্র লেজার পদার্থবিজ্ঞানে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে না। রঙ কেন্দ্র লেজারগুলিতে ব্যবহৃত এফ. এ কেন্দ্রগুলির একটি উপাদানের উদাহরণ হল পটাসিয়াম ক্লোরাইড (কে. সি. এল) বা লিথিয়াম ক্লোরাইড (এল. আই. সি. এল)-এর সাথে ডোপ করা রুবিডিয়াম ক্লোরাইড (আর. বি. সি. এল)-এর স্ফটিক, যার মধ্যে এফ. এল. আই-কেন্দ্র রয়েছে। এই স্ফটিকগুলি 2.45 থেকে 3.45 মাইক্রোমিটার তরঙ্গদৈর্ঘ্যের নির্গমন রেখা সহ রঙ কেন্দ্র লেজারের জন্য ভাল উপকরণ হিসাবে পাওয়া গেছে। এফ কেন্দ্রগুলিতে সাধারণত দৃশ্যমান পরিসরে একটি শোষণ ব্যান্ড থাকে এবং নির্গমন স্টোকস দীর্ঘ তরঙ্গদৈর্ঘ্যে স্থানান্তরিত হয়। শিখরের পার্থক্য প্রায়শই 2-এর গুণকের চেয়ে বড় হয় এবং ফলস্বরূপ নির্গমন ইনফ্রারেডের কাছাকাছি হয়। তবে কম তাপমাত্রায় স্থানান্তরটি ছোট হয়ে যায়, যদিও কিছু স্ফটিক রয়েছে যা দৃশ্যমান আলো নির্গত করতে সক্ষম। এরকম একটি উদাহরণ হল গুঁড়ো এমজিও, যা যোগাত্মক রঙ দিয়ে চিকিত্সা করা হয়, ভ্যাকুয়ামে বেগুনি আলো শোষণ করে বেগুনি-নীল আলো নির্গত করে। আরও দেখুন ইলেক্ট্রাইড, একটি স্ফটিক যেখানে সমস্ত অ্যানায়নগুলি ইলেকট্রন। শূন্যপদের ত্রুটি স্কটকি ত্রুটি ফ্রেঙ্কেল ত্রুটি নাইট্রোজেন-শূন্যপদের কেন্দ্র রেফারেন্স ফটোনিক্স ডিকশনারি ডব্লিউ. হেইস, এ. এম. স্টোনহ্যাম "ননমেটালিক সলিডগুলিতে ত্রুটি এবং ত্রুটি প্রক্রিয়া" উইলি 1985 কে এস জিটা এবং অন্যান্য। আইইউএসি দিল্লি, ইন্ডিয়ান জার্নাল অফ পিউয়ার অ্যান্ড অ্যাপ্লায়েড ফিজিক্স 2008 ক্রিস্টালোগ্রাফিক ডিফেক্টস