Anisotropic conductive film
অ্যানিসোট্রপিক পরিবাহী ফিল্ম (এসিএফ) একটি আঠালো আন্তঃসংযোগ ব্যবস্থা যা সাধারণত তরল স্ফটিক প্রদর্শন তৈরিতে চালক ইলেকট্রনিক্স থেকে এলসিডির কাচের স্তরগুলিতে বৈদ্যুতিক এবং যান্ত্রিক সংযোগ তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়। উপাদানটি অ্যানিসোট্রপিক পরিবাহী পেস্ট (এসিপি) হিসাবে পরিচিত একটি পেস্ট আকারে পাওয়া যায় এবং উভয়কেই অ্যানিসোট্রপিক পরিবাহী আঠালো (এসিএ) হিসাবে একত্রিত করা হয়। এসিএগুলি আরও সম্প্রতি মোবাইল ফোন, এমপি 3 প্লেয়ার বা সিএমওএস ক্যামেরা মডিউলগুলির সমাবেশে হাতে ধরা ইলেকট্রনিক ডিভাইসে ব্যবহৃত ফ্লেক্স-টু-বোর্ড বা ফ্লেক্স-টু-ফ্লেক্স সংযোগগুলি সম্পাদন করতে ব্যবহৃত হয়েছে। 1970-এর দশকের শেষের দিকে এবং 1980-এর দশকের গোড়ার দিকে নিপ্পন গ্রাফাইট ইন্ডাস্ট্রিজ দ্বারা হিট সিল সংযোগকারী এবং হিটাচি কেমিক্যালস এবং ডেক্সেরিয়ালস (পূর্বে সোনি কেমিক্যালস এবং ইনফরমেশন ডিভাইস নামে পরিচিত) দ্বারা এসিএফ সহ ইতিহাস এসিএগুলি বিকশিত হয়েছিল। বর্তমানে হিট সিল সংযোগকারী এবং এ. সি. এ-র অনেক প্রস্তুতকারক রয়েছে, তবে হিটাচি এবং সোনি বাজারের অংশীদারিত্বের দিক থেকে এই শিল্পে আধিপত্য বজায় রেখেছে। এসিএ-র অন্যান্য নির্মাতাদের মধ্যে রয়েছে থ্রিএম, লকটাইট, ডিইএলও, ক্রিয়েটিভ ম্যাটেরিয়ালস, হেনকেল, সান রে সায়েন্টিফিক, কিয়োসেরা, থ্রি বন্ড, প্যানাকল এবং বিটেক। খুব প্রাথমিক বছরগুলিতে, এসিএগুলি রাবার, এক্রাইলিক এবং অন্যান্য আঠালো যৌগ থেকে তৈরি করা হত, তবে তারা দ্রুত থার্মোসেট বাইফিনাইল ধরনের ইপোক্সি রজনগুলির বিভিন্ন বৈচিত্র্যের সাথে একত্রিত হয়েছিল। তবে প্রয়োজনীয় তাপমাত্রা 170-180 সেলসিয়াসে তুলনামূলকভাবে বেশি ছিল এবং বাজারের শীর্ষস্থানীয় সনি ও হিটাচি 2000-এর দশকের গোড়ার দিকে এক্রাইলিক-ভিত্তিক উপকরণ তৈরি ও প্রকাশ করেছিল যা নিরাময়ের সময়কে 10-12 দ্বিতীয় পরিসরে রেখে নিরাময়ের তাপমাত্রা 150 ডিগ্রি সেলসিয়াসের নিচে নিয়ে এসেছিল। ব্যবহৃত এক্রাইলিক যৌগগুলিতে আরও অগ্রগতি অনেক ক্ষেত্রে নিরাময় চক্রের সময়কে 5 সেকেন্ডের নিচে নামিয়ে এনেছে, যেখানে তারা এই লেখার হিসাবে রয়ে গেছে। উপরে তালিকাভুক্ত সমস্ত প্রস্তুতকারকের সাইটে নির্দিষ্টকরণ পত্র পাওয়া যায়। মূলত উপাদানের আয়তন, যে কোনও নমুনায় কণাগুলির ঘনত্ব এবং নমুনার মধ্যে সেই কণাগুলির বিতরণ সঠিকভাবে নিয়ন্ত্রণ করার দক্ষতার কারণে বর্তমান বাজার এসিএফ এসিএ-র জন্য সবচেয়ে জনপ্রিয় ফর্ম ফ্যাক্টর হিসাবে অব্যাহত রয়েছে। এটি বিশেষত ডিসপ্লে আন্তঃসংযোগের ঐতিহ্যবাহী এসিএফ দুর্গের ক্ষেত্রে সত্য, তবে এসিএফ ডিসপ্লে শিল্প থেকে এবং দীর্ঘকাল ধরে পৃষ্ঠ-মাউন্ট প্রযুক্তি দ্বারা প্রভাবিত অঞ্চলে শক্তিশালী বৃদ্ধি পেয়েছে। একটি খুব ছোট এক্সওয়াইজেড স্থানে আন্তঃসংযোগ করার ক্ষমতা এই সম্প্রসারণের মূল চালিকাশক্তি হয়ে দাঁড়িয়েছে, যা নির্দিষ্ট পরিস্থিতিতে উপাদানের সংখ্যা হ্রাস বা ব্যবহৃত মোট উপাদানের দ্বারা ব্যয়কে ব্যাপকভাবে হ্রাস করার ক্ষমতা দ্বারা সহায়তা করেছে। এসিপিগুলি নিম্ন-প্রান্তের অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, প্রাথমিকভাবে আরএফআইডি অ্যান্টেনার স্তরগুলিতে চিপগুলির সমাবেশে। এগুলি কিছু বোর্ড বা ফ্লেক্স অ্যাসেম্বলি অ্যাপ্লিকেশনগুলিতেও ব্যবহৃত হয়, তবে এসিএফগুলির তুলনায় অনেক কম স্তরে। যদিও এসিপিগুলি সাধারণত এসিএফ-এর তুলনায় কম খরচ হয়, তারা এসিএফ-এর মতো আঠালো পরিমাণ এবং কণার বিচ্ছুরণে একই স্তরের নিয়ন্ত্রণ প্রদান করতে পারে না। এই কারণে উচ্চ-ঘনত্বের প্রয়োগের জন্য এগুলি ব্যবহার করা খুব কঠিন। এসিএফ প্রযুক্তি চিপ-অন-গ্লাস (সিওজি), ফ্লেক্স-অন-গ্লাস (এফওজি), ফ্লেক্স-অন-বোর্ড (এফওবি), ফ্লেক্স-অন-ফ্লেক্স (এফওএফ), চিপ-অন-ফ্লেক্স (সিওএফ), চিপ-অন-বোর্ড (সিওবি) এবং উচ্চ সংকেত ঘনত্ব এবং ছোট সামগ্রিক প্যাকেজগুলির জন্য অনুরূপ অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয়। এসিপিগুলি সাধারণত কম ঘনত্ব এবং খরচের প্রয়োজনীয়তা সহ চিপ-অন-ফ্লেক্স (সিওএফ) অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয়, যেমন আরএফআইডি অ্যান্টেনার জন্য, বা হ্যান্ডহেল্ড ইলেকট্রনিক্সের এফওএফ এবং এফওবি সমাবেশগুলিতে। সিওজি, বিশেষত, ডিসপ্লের সাথে সংযোগ স্থাপনের জন্য সোনার বাম্পও ব্যবহার করে। সব ক্ষেত্রেই অ্যানিসোট্রপিক উপাদান, উদাহরণস্বরূপ, পরিবাহী কণা সম্বলিত একটি থার্মোসেটিং রজন, প্রথমে বেস সাবস্ট্রেটে জমা হয়। এটি এসিএফ-এর জন্য একটি স্তরবিন্যাস প্রক্রিয়া ব্যবহার করে করা যেতে পারে, অথবা এসিপি-র জন্য একটি বিতরণ বা মুদ্রণ প্রক্রিয়া ব্যবহার করে করা যেতে পারে। ডিভাইস বা সেকেন্ডারি সাবস্ট্রেটটি তখন বেস সাবস্ট্রেটের উপরে স্থাপন করা হয় এবং সেকেন্ডারি সাবস্ট্রেট বা ডিভাইসটিকে বেস সাবস্ট্রেটে মাউন্ট করার জন্য উভয় পক্ষকে একসঙ্গে চেপে রাখা হয়। অনেক ক্ষেত্রে এই মাউন্টিং প্রক্রিয়াটি কোনও তাপ বা ন্যূনতম পরিমাণে তাপ ছাড়াই করা হয় যা অ্যানিসোট্রপিক উপাদানটিকে সামান্য শক্ত করে তোলার জন্য যথেষ্ট। পরিবাহী কণা সম্বলিত থার্মোসেটিং রজন ব্যবহার করার ক্ষেত্রে, কণাগুলি সাবস্ট্রেট এবং উপাদানটির মধ্যে ইলেক্ট্রোডের মতো বিশিষ্ট বিন্দুর মধ্যে আটকা পড়ে, যার ফলে এর মধ্যে একটি বৈদ্যুতিক সংযোগ তৈরি হয়। অন্যান্য কণাগুলি থার্মোসেটিং রজন দ্বারা উত্তাপিত হয়। কিছু ক্ষেত্রে এই মাউন্টিং ধাপটি বাদ দেওয়া হয় এবং উভয় পক্ষ সরাসরি প্রক্রিয়াটির বন্ধন অংশে যায়। উচ্চ মাত্রার উৎপাদনে, তবে, এটি উৎপাদন প্রক্রিয়ায় অদক্ষতার দিকে পরিচালিত করবে, তাই সরাসরি বন্ধন সাধারণত শুধুমাত্র পরীক্ষাগারে বা ছোট আকারের উৎপাদনে করা হয়। বন্ধন হল একটি এসিএফ সমাবেশ সম্পূর্ণ করার জন্য প্রয়োজনীয় তৃতীয় এবং চূড়ান্ত প্রক্রিয়া। প্রথম দুটি প্রক্রিয়ায় তাপমাত্রা পরিবেষ্টিত থেকে 100 ডিগ্রি সেলসিয়াস পর্যন্ত হতে পারে, যেখানে 1 সেকেন্ড বা তার কম সময়ের জন্য তাপ প্রয়োগ করা হয়। বন্ধনের জন্য, প্রথমে আঠালো প্রবাহিত করার এবং উভয় পক্ষকে বৈদ্যুতিক সংস্পর্শে একত্রিত হওয়ার এবং তারপরে আঠালো নিরাময় করার এবং একটি স্থায়ী নির্ভরযোগ্য বন্ধন তৈরি করার প্রয়োজনের কারণে তাপীয় শক্তির পরিমাণ বেশি। নিম্নলিখিত সারণিতে যেমন দেখানো হয়েছে, এই প্রক্রিয়াগুলির জন্য প্রয়োজনীয় তাপমাত্রা, সময় এবং চাপ পরিবর্তিত হতে পারে। সারণি 1: সাধারণ এসিএফ সমাবেশের শর্তাবলী Â ফ্লেক্স সমাবেশের জন্য চাপ (এফওজি, এফওবি, এফওএফ) বন্ডহেডের নীচে পুরো এলাকা জুড়ে পরিমাপ করা হয়। চিপ সমাবেশের জন্য চাপ (সিওজি, সিওএফ) চিপের উপর বাম্পগুলির ক্রমবর্ধমান পৃষ্ঠের ক্ষেত্রফলের উপর গণনা করা হয়। আরও দেখুন ইলাস্টোমেরিক সংযোগকারী, আরেকটি সংযোগকারী প্রযুক্তি এলসিডি রেফারেন্স তরল স্ফটিক প্রদর্শন