Polyfuse (PROM)
পলিফিউজ হল এককালীন প্রোগ্রামযোগ্য মেমরি উপাদান যা সেমিকন্ডাক্টর সার্কিটগুলিতে চিপ শনাক্তকরণ সংখ্যা বা মেমরি মেরামতের তথ্যের মতো অনন্য তথ্য সংরক্ষণের জন্য ব্যবহৃত হয়, তবে সাধারণত শুধুমাত্র পঠনযোগ্য মেমরি ডিভাইস বা মাইক্রোকন্ট্রোলার চিপগুলির ছোট থেকে মাঝারি ভলিউম উৎপাদন হয়। এগুলি প্রোগ্রামেবল অ্যারে লজিকের অনুমতি প্রোগ্রামিং হিসাবেও ব্যবহৃত হত। ফিউজ ব্যবহারের ফলে যন্ত্রটি তৈরি হওয়ার কিছু সময় পরে বৈদ্যুতিকভাবে প্রোগ্রাম করা যায় এবং এর প্যাকেজিংয়ে সিল করা হয়। মেমরি তৈরির সময় আগে ফিউজগুলি লেজার ব্যবহার করে ফুঁকতে হত। পলিফিউজগুলি পূর্ববর্তী নিকেল-ক্রোমিয়াম (নি-ক্রোম) ফিউজগুলিকে প্রতিস্থাপনের জন্য তৈরি করা হয়েছিল। যেহেতু নি-ক্রোমে নিকেল থাকে, তাই নি-ক্রোম ফিউজ, যা একবার ফুঁড়ে গিয়েছিল, তার আবার বৃদ্ধি পাওয়ার এবং স্মৃতিকে অব্যবহারযোগ্য করে তোলার প্রবণতা ছিল। প্রথম পলিফিউজগুলি একটি পলিসিলিকন লাইন নিয়ে গঠিত ছিল, যা যন্ত্র জুড়ে একটি উচ্চ (10V-15V) ভোল্টেজ প্রয়োগ করে প্রোগ্রাম করা হয়েছিল। ফলস্বরূপ বিদ্যুৎ শারীরিকভাবে যন্ত্রটিকে পরিবর্তন করে এবং এর বৈদ্যুতিক প্রতিরোধ ক্ষমতা বাড়ায়। প্রতিরোধের এই পরিবর্তনটি সনাক্ত করা যায় এবং যৌক্তিক শূন্য হিসাবে নিবন্ধিত করা যায়। একটি প্রোগ্রামবিহীন পলিফিউজ যৌক্তিক হিসাবে নিবন্ধিত হবে। এই প্রাথমিক যন্ত্রগুলির উচ্চ প্রোগ্রামিং ভোল্টেজ এবং প্রোগ্রাম করা যন্ত্রগুলির অবিশ্বস্ততার মতো গুরুতর ত্রুটি ছিল। আধুনিক পলিফিউজগুলি একটি সিলিসাইড পলিসিলিকন লাইন নিয়ে গঠিত, যা যন্ত্র জুড়ে একটি ভোল্টেজ প্রয়োগ করে প্রোগ্রাম করা হয়। আবার, ফলস্বরূপ বিদ্যুৎ স্থায়ীভাবে প্রতিরোধকে পরিবর্তন করে। পলিসিলিকন লাইনকে আচ্ছাদনকারী সিলিসাইড স্তরটি তার প্রতিরোধকে (প্রোগ্রামিংয়ের আগে) হ্রাস করে, যা অনেক কম প্রোগ্রামিং ভোল্টেজ (1.8V-3.3V) ব্যবহারের অনুমতি দেয়। পলিফিউজগুলি নির্ভরযোগ্যভাবে প্রোগ্রাম করা তথ্য সংরক্ষণ করে এবং উচ্চ গতিতে প্রোগ্রাম করা যেতে পারে। 100এনএস এর প্রোগ্রামিং গতি রিপোর্ট করা হয়েছে। আরও দেখুন প্রোগ্রামেবল রিড-অনলি মেমোরি রেফারেন্স রেফারেন্স প্রতিরোধী উপাদান অ-উদ্বায়ী মেমোরি কম্পিউটার মেমরি