Microvia
উন্নত প্যাকেজগুলির উচ্চ ইনপুট/আউটপুট (আই/ও) ঘনত্ব সামঞ্জস্য করতে উচ্চ ঘনত্ব আন্তঃসংযোগ (এইচডিআই) স্তর এবং মুদ্রিত সার্কিট বোর্ডগুলির (পিসিবি) স্তরগুলির মধ্যে আন্তঃসংযোগ হিসাবে মাইক্রোভিয়াস ব্যবহার করা হয়। বহনযোগ্যতা এবং বেতার যোগাযোগ দ্বারা চালিত, ইলেকট্রনিক্স শিল্প বর্ধিত কার্যকারিতা সহ সাশ্রয়ী, হালকা এবং নির্ভরযোগ্য পণ্য উত্পাদন করার চেষ্টা করে। বৈদ্যুতিন উপাদান স্তরে, এটি ছোট পদচিহ্ন এলাকা সহ বর্ধিত আই/ওএস সহ উপাদানগুলিতে অনুবাদ করে (যেমন। উচ্চ ঘনত্বের আন্তঃসংযোগের (এইচ. ডি. আই) ব্যবহারের জন্য (যেমন, চিপ-স্কেল প্যাকেজ এবং সরাসরি চিপ সংযুক্তি), এবং প্রিন্টেড সার্কিট বোর্ড এবং প্যাকেজ সাবস্ট্রেট স্তরে। সূক্ষ্ম রেখা এবং স্থান, এবং ছোট ভিয়াস)। আইপিসি মানগুলি 2013 সালে একটি মাইক্রোভিয়ার সংজ্ঞাকে সংশোধন করে এমন একটি গর্তে পরিণত করে যার গভীরতা এবং ব্যাসের অনুপাত 1:1 বা তার কম, এবং গর্তের গভীরতা 0.25mm অতিক্রম করবে না। পূর্বে, মাইক্রোভিয়া ছিল 0.15 মিমি ব্যাসের কম বা সমান যে কোনও গর্ত স্মার্টফোন এবং হাতে-ধরা বৈদ্যুতিন ডিভাইসের আবির্ভাবের সাথে সাথে, মাইক্রোভিয়া একক-স্তর থেকে স্ট্যাকড মাইক্রোভিয়াতে বিকশিত হয়েছে যা একাধিক এইচডিআই স্তর অতিক্রম করে। এইচ. ডি. আই বোর্ড তৈরির জন্য সিকোয়েন্সিয়াল বিল্ড-আপ (এস. বি. ইউ) প্রযুক্তি ব্যবহার করা হয়। এইচডিআই স্তরগুলি সাধারণত ঐতিহ্যগতভাবে তৈরি দ্বিমুখী কোর বোর্ড বা মাল্টিলেয়ার পিসিবি থেকে তৈরি করা হয়। এইচ. ডি. আই স্তরগুলি ঐতিহ্যবাহী পিসিবি-র উভয় পাশে মাইক্রোভিয়াসহ একের পর এক তৈরি করা হয়। এসবিইউ প্রক্রিয়াটি বেশ কয়েকটি ধাপ নিয়ে গঠিতঃ স্তর স্তরবিন্যাস, গঠনের মাধ্যমে, ধাতুকরণের মাধ্যমে এবং পূরণের মাধ্যমে। প্রতিটি ধাপের জন্য উপকরণ এবং/অথবা প্রযুক্তির একাধিক পছন্দ রয়েছে। মাইক্রোভিয়াগুলি বিভিন্ন উপকরণ এবং প্রক্রিয়াগুলিতে ভরাট করা যেতে পারেঃ ক্রমানুসারে স্তরবিন্যাস প্রক্রিয়া চলাকালীন ইপোক্সি রজন (বি-পর্যায়) দিয়ে ভরা হয় একটি পৃথক প্রক্রিয়াকরণ পদক্ষেপ হিসাবে তামা ব্যতীত অ-পরিবাহী বা পরিবাহী উপাদান দিয়ে ভরা হয় একটি তামার পেস্ট দিয়ে মুদ্রিত ইলেক্ট্রোপ্লেটেড তামার পর্দা দিয়ে বন্ধ করা হয় সমাহিত মাইক্রোভিয়াগুলি ভরাট করা প্রয়োজন, অন্যদিকে বাহ্যিক স্তরগুলিতে অন্ধ মাইক্রোভিয়াগুলির সাধারণত কোনও পূরণের প্রয়োজনীয়তা থাকে না। একটি স্ট্যাকড মাইক্রোভিয়া সাধারণত একাধিক এইচডিআই স্তরের মধ্যে বৈদ্যুতিক আন্তঃসংযোগ তৈরি করতে এবং মাইক্রোভিয়ার বাইরের স্তরের (গুলি) জন্য বা সবচেয়ে বাইরের তামার প্যাডে মাউন্ট করা কোনও উপাদানের জন্য কাঠামোগত সহায়তা প্রদান করতে ইলেক্ট্রোপ্লেটেড তামা দিয়ে ভরা হয়। মাইক্রোভিয়া নির্ভরযোগ্যতা এইচ. ডি. আই কাঠামোর নির্ভরযোগ্যতা পিসিবি শিল্পে এর সফল ব্যাপক বাস্তবায়নের জন্য অন্যতম প্রধান বাধা। মাইক্রোভিয়াসের ভাল তাপ-যান্ত্রিক নির্ভরযোগ্যতা এইচ. ডি. আই নির্ভরযোগ্যতার একটি অপরিহার্য অংশ। অনেক গবেষক এবং পেশাদাররা এইচডিআই পিসিবি-তে মাইক্রোভিয়াসের নির্ভরযোগ্যতা অধ্যয়ন করেছেন। মাইক্রোভিয়াসের নির্ভরযোগ্যতা মাইক্রোভিয়া জ্যামিতি পরামিতি, অস্তরক উপাদান বৈশিষ্ট্য এবং প্রক্রিয়াকরণ পরামিতিগুলির মতো অনেক কারণের উপর নির্ভর করে। মাইক্রোভিয়া নির্ভরযোগ্যতা গবেষণা একক-স্তরের অপূর্ণ মাইক্রোভিয়াদের নির্ভরযোগ্যতার পরীক্ষামূলক মূল্যায়নের পাশাপাশি একক-স্তরের মাইক্রোভিয়া এবং মাইক্রোভিয়া ক্লান্তি জীবনের অনুমানের মধ্যে স্ট্রেস/স্ট্রেন বিতরণের উপর সীমাবদ্ধ উপাদান বিশ্লেষণের উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করেছে। গবেষণা থেকে চিহ্নিত মাইক্রোভিয়া ব্যর্থতার মধ্যে রয়েছে আন্তঃমুখীয় পৃথকীকরণ (মাইক্রোভিয়া এবং টার্গেট প্যাডের মধ্যে বিচ্ছেদ), ব্যারেল ফাটল, কোণ/হাঁটুর ফাটল এবং টার্গেট প্যাডের ফাটল (মাইক্রোভিয়া পুল আউট হিসাবেও উল্লেখ করা হয়)। এই ব্যর্থতাগুলি তাপীয় সম্প্রসারণ (সিটিই) অসামঞ্জস্যের গুণাঙ্কের কারণে, পিসিবি পুরুত্বের দিকে, একটি মাইক্রোভিয়া কাঠামোর ধাতুকরণ এবং ধাতুটির চারপাশের অস্তরক পদার্থের মধ্যে সৃষ্ট তাপ-যান্ত্রিক চাপের ফলে ঘটে। নিম্নলিখিত অনুচ্ছেদে মাইক্রোভিয়া নির্ভরযোগ্যতা গবেষণার কিছু বিষয় তুলে ধরা হয়েছে। ওগুঞ্জিমি এবং অন্যান্য। মাইক্রোভিয়াসের ক্লান্তি জীবনের উপর উৎপাদন এবং নকশা প্রক্রিয়া ভেরিয়েবলের প্রভাবের দিকে নজর দেওয়া হয়, যার মধ্যে রয়েছে ট্রেস (কন্ডাক্টর) পুরুত্ব, ট্রেসের চারপাশে এবং মাইক্রোভিয়ায় ডাইলেক্ট্রিকের স্তর বা স্তর, জ্যামিতির মাধ্যমে, প্রাচীর কোণের মাধ্যমে, কন্ডাক্টর উপাদানের নমনীয়তা সহগ, এবং স্ট্রেন ঘনত্ব ফ্যাক্টর। সীমাবদ্ধ উপাদান মডেলগুলি বিভিন্ন জ্যামিতি দিয়ে তৈরি করা হয়েছিল এবং বিভিন্ন প্রক্রিয়া ভেরিয়েবলের তাৎপর্য নির্ধারণ করতে এ. এন. ও. ভি. এ পদ্ধতি ব্যবহার করা হয়েছিল। এ. এন. ও. ভি. এ ফলাফলগুলি দেখায় যে স্ট্রেন ঘনত্ব ফ্যাক্টরটি সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ পরিবর্তনশীল ছিল, তারপরে নমনীয়তা ফ্যাক্টর, ধাতবকরণের পুরুত্ব এবং প্রাচীর কোণের মাধ্যমে। প্রভু ও অন্যান্যরা। ত্বরান্বিত তাপমাত্রা সাইক্লিং এবং তাপীয় শকের প্রভাব নির্ধারণের জন্য একটি এইচডিআই মাইক্রোভিয়া কাঠামোর উপর একটি সীমাবদ্ধ উপাদান বিশ্লেষণ (এফইএ) পরিচালনা করে। লিউ এবং অন্যান্য। এবং রামকৃষ্ণ ও অন্যান্য। মাইক্রোভিয়া নির্ভরযোগ্যতার উপর ডাইলেক্ট্রিক উপাদান বৈশিষ্ট্য এবং মাইক্রোভিয়া জ্যামিতি পরামিতি, যেমন মাইক্রোভিয়া ব্যাস, প্রাচীর কোণ এবং ধাতুপট্টাবৃত বেধের প্রভাব অধ্যয়নের জন্য যথাক্রমে তরল থেকে তরল এবং বায়ু থেকে বায়ু তাপীয় শক পরীক্ষা পরিচালনা করা হয়। অ্যান্ড্রুজ এবং অন্যান্য। আই. এস. টি (আন্তঃসংযোগ চাপ পরীক্ষা) ব্যবহার করে একক-স্তরের মাইক্রোভিয়া নির্ভরযোগ্যতা তদন্ত করে এবং সীসা-মুক্ত সোল্ডারের রিফ্লো চক্রের প্রভাব বিবেচনা করে। ওয়াং এবং লাই সীমাবদ্ধ উপাদান মডেলিং ব্যবহার করে মাইক্রোভিয়াসের সম্ভাব্য ব্যর্থতার স্থানগুলি তদন্ত করেছিলেন। তাঁরা দেখেছেন যে, ভরাট মাইক্রোভিয়াগুলিতে অপূর্ণ মাইক্রোভিয়াগুলির তুলনায় কম চাপ থাকে। চোই এবং দাশগুপ্ত তাদের কাজে মাইক্রোভিয়া অ-ধ্বংসাত্মক পরিদর্শন পদ্ধতি চালু করেছিলেন। যদিও বেশিরভাগ মাইক্রোভিয়া নির্ভরযোগ্যতা গবেষণা একক-স্তরের মাইক্রোভিয়াদের উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করে, বার্চ আই. এস. টি পরীক্ষা ব্যবহার করে একাধিক-স্তরের স্ট্যাকড এবং স্তম্ভিত মাইক্রোভিয়াদের পরীক্ষা করেছিলেন। পরীক্ষার তথ্যের উপর ওয়েইবুল বিশ্লেষণে দেখা গেছে যে একক এবং 2-স্তরের স্ট্যাকড মাইক্রোভিয়াগুলি 3-এবং 4-স্তরের মাইক্রোভিয়াগুলির চেয়ে দীর্ঘস্থায়ী হয় (যেমন 2-স্তরের স্ট্যাকড মাইক্রোভিয়াগুলি 4-স্তরের স্ট্যাকড মাইক্রোভিয়াগুলির তুলনায় প্রায় 20 গুণ বেশি ব্যর্থতার চক্র অনুভব করে)। মাইক্রোভিয়া ভয়েডিং উচ্চ ঘনত্বের আন্তঃসংযোগ বোর্ড বিকাশের জন্য একটি চ্যালেঞ্জ হল নির্ভরযোগ্য মাইক্রোভিয়া তৈরি করা, বিশেষ করে স্ট্যাকড মাইক্রোভিয়াদের জন্য, যার ফলে তামার ধাতুপট্টাবৃত প্রক্রিয়ায় অসম্পূর্ণ ভর্তি, ডিম্পল বা শূন্য হয় না। এর লেখকরা পরীক্ষামূলক পরীক্ষা এবং সীমাবদ্ধ উপাদান বিশ্লেষণ উভয়ই ব্যবহার করে শূন্যস্থান এবং অন্যান্য ত্রুটির ক্ষেত্রে মাইক্রোভিয়াসের ঝুঁকি তদন্ত করে চলেছেন। তারা দেখেছেন যে অসম্পূর্ণ তামা ভরাট মাইক্রোভিয়াতে চাপের মাত্রা বাড়ায় এবং তাই মাইক্রোভিয়া ক্লান্তির জীবন হ্রাস করে। ভয়েডগুলির ক্ষেত্রে, বিভিন্ন ভয়েডিং শর্ত, যেমন বিভিন্ন অকার্যকর আকার, আকৃতি এবং অবস্থানের ফলে মাইক্রোভিয়া নির্ভরযোগ্যতার উপর বিভিন্ন প্রভাব পড়ে। গোলাকার আকারের ছোট ছোট শূন্যস্থান মাইক্রোভিয়া ক্লান্তির আয়ু হালকাভাবে বৃদ্ধি করে, তবে চরম শূন্যস্থান পরিস্থিতি মাইক্রোভিয়াসের সময়কালকে ব্যাপকভাবে হ্রাস করে। তথ্যসূত্র ইলেকট্রনিক্স সাবস্ট্রেট ইলেকট্রনিক্স উৎপাদন ইলেকট্রনিক ইঞ্জিনিয়ারিং প্রিন্টেড সার্কিট বোর্ড উৎপাদন