Staebler–Wronski effect
স্টেবলার-ব্রোন্স্কি প্রভাব (এস. ডব্লিউ. ই) হাইড্রোজেনেটেড নিরাকার সিলিকনের বৈশিষ্ট্যগুলিতে আলো-প্ররোচিত মেটাস্টেবল পরিবর্তনকে বোঝায়। হাইড্রোজেনেটেড নিরাকার সিলিকন (এ-সিঃ এইচ)-এর ত্রুটিযুক্ত ঘনত্ব আলোর সংস্পর্শে আসার সাথে সাথে বৃদ্ধি পায়, যার ফলে পুনঃসংযোগ প্রবাহ বৃদ্ধি পায় এবং সূর্যালোককে বিদ্যুতে রূপান্তর করার দক্ষতা হ্রাস পায়। 1977 সালে ডেভিড এল. স্টেবলার এবং ক্রিস্টোফার আর. ঵্রনস্কি এটি আবিষ্কার করেন। তারা দেখিয়েছেন যে তীব্র আলোর সাথে দীর্ঘায়িত আলোকসজ্জার মাধ্যমে হাইড্রোজেনেটেড নিরাকার সিলিকনের অন্ধকার প্রবাহ এবং আলোকপরিবাহীতা উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করা যেতে পারে। তবে, নমুনাগুলি 150 ডিগ্রি সেলসিয়াসের উপরে গরম করলে, তারা প্রভাবটি বিপরীত করতে পারে। ব্যাখ্যা কিছু পরীক্ষামূলক ফলাফল আলোক-পরিবাহিতা এবং গাঢ় পরিবাহিতা কম মান স্থির হওয়ার আগে প্রথমে দ্রুত হ্রাস পায়। আলোকসজ্জায় বাধা পরবর্তী পরিবর্তনের হারে কোনও প্রভাব ফেলে না। একবার নমুনাটি আবার আলোকিত হয়ে গেলে, ফোটোকন্ডাক্টিভিটি এমনভাবে কমে যাবে যেন কোনও বাধা নেই। প্রস্তাবিত ব্যাখ্যা স্টেবলার-ব্রোন্স্কি প্রভাবের সঠিক প্রকৃতি এবং কারণ এখনও সুপরিচিত নয়। অ্যামোরফাস সিলিকনের তুলনায় ন্যানোক্রিস্টালাইন সিলিকন স্টেবলার-ব্রোন্স্কি প্রভাব থেকে কম ভুগছে, যা ইঙ্গিত করে যে অ্যামোরফাস সিলিকন সি নেটওয়ার্কের ব্যাধি একটি প্রধান ভূমিকা পালন করে। অন্যান্য বৈশিষ্ট্য যা একটি ভূমিকা পালন করতে পারে তা হল হাইড্রোজেনের ঘনত্ব এবং এর জটিল বন্ধন প্রক্রিয়া, পাশাপাশি অমেধ্যের ঘনত্ব। ঐতিহাসিকভাবে, সবচেয়ে পছন্দের মডেল হল হাইড্রোজেন বন্ড স্যুইচিং মডেল। এটি প্রস্তাব করে যে আপতিত আলো দ্বারা গঠিত একটি ইলেক্ট্রন-গর্ত জোড়া একটি দুর্বল সি-সি বন্ধনের কাছাকাছি পুনরায় একত্রিত হতে পারে, যা বন্ধন ভাঙার জন্য যথেষ্ট শক্তি মুক্ত করে। একটি পার্শ্ববর্তী H পরমাণু তারপর একটি ঝুলন্ত বন্ধন রেখে একটি Si পরমাণুর সাথে একটি নতুন বন্ধন তৈরি করে। এই ঝুলন্ত বন্ধনগুলি ইলেক্ট্রন-গর্ত জুটিকে আটকে রাখতে পারে, যার ফলে যে বিদ্যুৎ প্রবাহিত হতে পারে তা হ্রাস পায়। যাইহোক, নতুন পরীক্ষামূলক প্রমাণ এই মডেলের উপর সন্দেহ সৃষ্টি করছে। আরও সম্প্রতি, এইচ সংঘর্ষের মডেল প্রস্তাব করেছে যে দুটি স্থানিকভাবে পৃথক পুনঃসংযোগের ঘটনাগুলি সি-এইচ বন্ধন থেকে মোবাইল হাইড্রোজেনের নির্গমন ঘটিয়ে দুটি ঝুলন্ত বন্ধন তৈরি করে, একটি মেটাস্টেবল জোড়া এইচ অবস্থা দূরবর্তী স্থানে হাইড্রোজেন পরমাণুগুলিকে আবদ্ধ করে। প্রভাব একটি নিরাকার সিলিকন সৌর কোষের দক্ষতা সাধারণত পরিচালনার প্রথম ছয় মাসে হ্রাস পায়। উপাদানের গুণমান এবং যন্ত্রের নকশার উপর নির্ভর করে এই হ্রাস 10 শতাংশ থেকে 30 শতাংশ পর্যন্ত হতে পারে। এই ক্ষতির বেশিরভাগই কোষের ফিল ফ্যাক্টরে আসে। এই প্রাথমিক পতনের পরে, প্রভাবটি একটি ভারসাম্যে পৌঁছায় এবং সামান্য আরও অবক্ষয়ের কারণ হয়। অপারেটিং তাপমাত্রার সাথে ভারসাম্য স্তর পরিবর্তিত হয় যাতে মডিউলগুলির কার্যকারিতা গ্রীষ্মের মাসগুলিতে কিছুটা পুনরুদ্ধার করে এবং শীতের মাসগুলিতে আবার হ্রাস পায়। বেশিরভাগ বাণিজ্যিকভাবে উপলব্ধ এ-সি মডিউলগুলির 10-15% পরিসরে এসডাব্লুই অবক্ষয় রয়েছে এবং সরবরাহকারীরা সাধারণত এসডাব্লুই অবক্ষয় স্থিতিশীল হওয়ার পরে কর্মক্ষমতার উপর ভিত্তি করে দক্ষতা নির্দিষ্ট করে। একটি সাধারণ নিরাকার সিলিকন সৌর কোষে স্টেবলার-রনস্কি প্রভাবের ফলে প্রথম 6 মাসে দক্ষতা 30 শতাংশ পর্যন্ত হ্রাস পায় এবং ফিল ফ্যাক্টর 0.7 থেকে প্রায় 0.6-এ নেমে আসে। এই আলোক-প্ররোচিত অবক্ষয় ফটোভোলটাইক উপাদান হিসাবে নিরাকার সিলিকন-এর প্রধান অসুবিধা। এসডাব্লুই হ্রাস করার পদ্ধতিগুলি উচ্চতর তাপমাত্রায় অপারেটিং নিরাকার সিলিকন পরিবর্তে ন্যানোক্রিস্টালাইন সিলিকন ব্যবহার করে। ফটোভোলটাইক থার্মাল হাইব্রিড সৌর সংগ্রাহক (পিভিটি)-তে পিভিকে সংহত করে এটি সম্পন্ন করা যেতে পারে। একটি বহুমুখী সৌর কোষ গঠনের জন্য অন্যান্য উপকরণের সাথে নিরাকার সিলিকনের এক বা একাধিক পাতলা স্তর একত্রিত করা। পাতলা স্তরগুলিতে প্রয়োগ করা উচ্চতর বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রটি এসডাব্লুই হ্রাস করে বলে মনে হয়। তথ্যসূত্র সিলিকন ফটোভোলটাইক