Field emitter array
ক্ষেত্র নির্গমনকারী বিন্যাস (এফ. ই. এ) হল বৃহৎ ক্ষেত্রের ক্ষেত্র ইলেকট্রন উৎসের একটি নির্দিষ্ট রূপ। ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট তৈরিতে ব্যবহৃত লিথোগ্রাফিক কৌশলগুলির মতো একটি সিলিকন স্তরের উপর এফইএ প্রস্তুত করা হয়। তাদের কাঠামো অনেকগুলি পৃথক, অনুরূপ, ছোট-ক্ষেত্রের ইলেক্ট্রন নির্গমনকারী নিয়ে গঠিত, যা সাধারণত একটি নিয়মিত দ্বি-মাত্রিক প্যাটার্নে সংগঠিত হয়। এফ. ই. এ-গুলিকে "ফিল্ম" বা "মাদুর" ধরনের বড়-এলাকার উৎস থেকে আলাদা করতে হবে, যেখানে একটি পাতলা ফিল্মের মতো উপাদানের স্তর একটি সাবস্ট্রেটে জমা করা হয়, একটি অভিন্ন জমা প্রক্রিয়া ব্যবহার করে, এই আশা বা প্রত্যাশায় যে (প্রক্রিয়ায় পরিসংখ্যানগত অনিয়মের ফলস্বরূপ) এই ফিল্মটিতে পর্যাপ্ত সংখ্যক পৃথক নির্গমন স্থান থাকবে। স্পিন্ড অ্যারে মূল ক্ষেত্র নির্গমনকারী অ্যারে ছিল স্পিন্ড অ্যারে, যেখানে পৃথক ক্ষেত্র নির্গমনকারীগুলি ছোট তীক্ষ্ণ মলিবডেনাম শঙ্কু। প্রতিটি একটি অক্সাইড ফিল্মে একটি নলাকার শূন্যতার ভিতরে জমা হয়, এবং ফিল্মের উপরে একটি পাল্টা তড়িৎপ্রবাহ জমা হয়। পাল্টা তড়িৎপ্রবাহ (যাকে "গেট" বলা হয়) প্রতিটি শঙ্কু নির্গমনকারীর জন্য একটি পৃথক বৃত্তাকার ছিদ্র ধারণ করে। এই যন্ত্রটির নামকরণ করা হয়েছে চার্লস এ স্পিন্ড্টের নামে, যিনি এস. আর. আই ইন্টারন্যাশনালে এই প্রযুক্তিটি তৈরি করেছিলেন, 1968 সালে একটি ওয়েফারের উপর মাইক্রোফ্যাব্রিকেটেড একক নির্গমনকারী টিপের বর্ণনা দিয়ে প্রথম নিবন্ধটি প্রকাশ করেছিলেন। স্পিন্ড, শোল্ডার্স এবং হেইনিক 1970 সালে নির্গমনকারী টিপস সমন্বিত একটি ভ্যাকুয়াম ডিভাইসের জন্য মার্কিন পেটেন্ট দায়ের করেন। প্রতিটি পৃথক শঙ্কু একটি স্পিন্ড টিপ হিসাবে উল্লেখ করা হয়। যেহেতু স্পিন্ড্ট টিপসের তীক্ষ্ণ এপিস রয়েছে, তাই তারা তুলনামূলকভাবে কম গেট ভোল্টেজ (100 ভি-এর কম) ব্যবহার করে একটি উচ্চ স্থানীয় বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র তৈরি করতে পারে। লিথোগ্রাফিক উৎপাদন কৌশল ব্যবহার করে, পৃথক নির্গমনকারীগুলিকে অত্যন্ত কাছাকাছি একসঙ্গে প্যাক করা যেতে পারে, যার ফলে উচ্চ গড় (বা "ম্যাক্রোস্কোপিক") বিদ্যুৎ ঘনত্ব 2 × 107 এ/মি2 পর্যন্ত হয়। অন্যান্য এফইএ প্রযুক্তির তুলনায় স্পিন্ড-টাইপ নির্গমনকারীদের উচ্চ নির্গমন তীব্রতা এবং আরও সংকীর্ণ কৌণিক বিতরণ রয়েছে। ন্যানো-স্পিন্ড অ্যারেগুলি ঐতিহ্যবাহী স্পিন্ড-টাইপ নির্গমকের বিবর্তনের প্রতিনিধিত্ব করে। প্রতিটি পৃথক অগ্রভাগ বেশ কয়েকটি মাত্রায় ছোট হয়; ফলস্বরূপ, গেটের ভোল্টেজ কম হতে পারে, কারণ অগ্রভাগ থেকে গেটের দূরত্ব হ্রাস পায়। উপরন্তু, প্রতিটি পৃথক টিপ থেকে নিষ্কাশিত বিদ্যুৎ কম, যার ফলে নির্ভরযোগ্যতা উন্নত হওয়া উচিত। কার্বন ন্যানোটিউব (সি. এন. টি) অ্যারে এফ. ই. এ-র একটি বিকল্প রূপ একটি অক্সাইড ফিল্মে শূন্যস্থান তৈরি করে (একটি স্পিন্ড অ্যারে হিসাবে) এবং তারপরে প্রতিটি শূন্যস্থানে এক বা একাধিক কার্বন ন্যানোটিউব (সি. এন. টি) বাড়ানোর জন্য মানক পদ্ধতি ব্যবহার করে তৈরি করা হয়। "মুক্ত-স্থায়ী" সিএনটি অ্যারে তৈরি করাও সম্ভব। প্রয়োগগুলি মূলত খুব ছোট ইলেক্ট্রন বিম জেনারেটর, এফইএ, বিভিন্ন ক্ষেত্রে প্রয়োগ করা হয়েছে। ফ্ল্যাট প্যানেল ডিসপ্লে তৈরি করতে এফইএ ব্যবহার করা হয়েছে (যেখানে এগুলি ফিল্ড ইমিশন ডিসপ্লে (বা "ন্যানো-ইমিজিভ ডিসপ্লে") নামে পরিচিত)। এগুলি মাইক্রোওয়েভ জেনারেটর এবং আরএফ যোগাযোগেও ব্যবহার করা যেতে পারে, যেখানে এগুলি ট্র্যাভেল ওয়েভ টিউবগুলিতে (টিডব্লিউটি) ক্যাথোড হিসাবে কাজ করতে পারে। সম্প্রতি, এক্স-রে টিউবগুলিতে ফিল্ড এফেক্ট অ্যারেগুলিকে ঠান্ডা ক্যাথোড হিসাবে ব্যবহার করার বিষয়ে নতুন করে আগ্রহ দেখা গেছে। এফইএগুলি প্রচলিত থার্মিওনিক ক্যাথোডের তুলনায় অনেকগুলি সম্ভাব্য সুবিধা প্রদান করে, যার মধ্যে রয়েছে কম বিদ্যুৎ খরচ, তাৎক্ষণিক পরিবর্তন এবং বিদ্যুৎ ও ভোল্টেজের স্বাধীনতা। আরও দেখুন ক্ষেত্র নির্গমন প্রদর্শন ক্ষেত্র ইলেকট্রন নির্গমন ভ্যাকুয়াম টিউবগুলি ক্ষেত্র ইলেকট্রন নির্গমনকারী ঠান্ডা ক্যাথোড ভ্যাকুয়াম টিউব ব্যবহার করে