Nir Tessler
নির টেসলার (হিব্রু ভাষায়ঃ νειρ τσλER; জন্মঃ 1962) হলেন বারবারা এবং নরম্যান সেইডেন অধ্যাপক, বৈদ্যুতিক ও কম্পিউটার প্রকৌশল অনুষদের এবং টেকনিওন-ইসরায়েল ইনস্টিটিউট অফ টেকনোলজির মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স এবং ন্যানো ইলেক্ট্রনিক্স কেন্দ্রের প্রধান। প্রাথমিক জীবন ও শিক্ষা নির টেসলারের জন্ম ইসরায়েলের হাইফায়। তিনি হিব্রু রিয়ালি স্কুলে পড়াশোনা করেন এবং 1980 থেকে 1985 সাল পর্যন্ত ইসরায়েলি বিমান বাহিনীতে দায়িত্ব পালন করেন। টেসলার 1989 সালে ইলেকট্রিক্যাল ইঞ্জিনিয়ারিংয়ে বি. এসসি (সুম্মা কাম লাউড) এবং ইলেকট্রিক্যাল ইঞ্জিনিয়ারিংয়ে এম. এসসি (1992) অর্জন করেন। 1995 সালে টেকনিওন থেকে তাঁর পিএইচডি ডিগ্রি লাভ করেন। টেসলার গাদি আইজেনস্টাইনের তত্ত্বাবধানে ডাইনামিক প্রোপার্টিস অফ ইনভার্টেড কিউডব্লিউ লেজার স্ট্রাকচার শীর্ষক থিসিসটি রচনা করেন। ক্যারিয়ার টেসলার একজন গবেষণা সহযোগী এবং পরে 1995 থেকে 1999 সাল পর্যন্ত যুক্তরাজ্যের কেমব্রিজ বিশ্ববিদ্যালয়ের ক্যাভেন্ডিশ ল্যাবরেটরিতে ইপিএসআরসি-র একজন উন্নত ফেলো ছিলেন। এরপর তিনি টেকনিওনের ইলেকট্রিক্যাল ইঞ্জিনিয়ারিং অনুষদে সিনিয়র প্রভাষক হিসেবে যোগ দেন। টেসলার 2003 সালে সহযোগী অধ্যাপক এবং 2008 সালে পূর্ণ অধ্যাপক হন। 2010 সাল থেকে টেসলার টেকনিওনের মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স এবং ন্যানোইলেক্ট্রনিক্স কেন্দ্রের প্রধান। 2022 সালের এপ্রিল পর্যন্ত, টেসলার 27 জন স্নাতক ছাত্রের তত্ত্বাবধান করেছেন এবং 200 টিরও বেশি বৈজ্ঞানিক প্রকাশনা রচনা করেছেন। রিসার্চ টেসলারের গবেষণা কাজ নতুন উপকরণ এবং যন্ত্রের কার্যকারিতার সাথে তাদের রাসায়নিক ও পদার্থবিজ্ঞানের বৈশিষ্ট্যগুলির সম্পর্কের উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করে; যন্ত্রের রাসায়নিক-পদার্থবিজ্ঞান এবং যন্ত্রের কাঠামোগত নকশা। এর মধ্যে রয়েছে আলো-পদার্থের মিথস্ক্রিয়া (লেজার ক্রিয়া এবং মাইক্রো-গহ্বর সহ), ইলেকট্রন, গর্ত এবং আয়নগুলির পরিবহন, ইলেক্ট্রন-গর্ত জোড়া (এক্সাইটন), যন্ত্রের প্রক্রিয়াকরণ (ট্রানজিস্টর, ফটো-ইমেজ, ডিটেক্টর এবং সৌর কোষ)। 1996 সালে টেসলার প্রথম অর্ধপরিবাহী জৈব অণু (পলিমার)-এর উপর ভিত্তি করে একটি "প্লাস্টিক লেজার" চালু করেন। দুই বছর পর তিনি প্রথম স্মার্ট-পিক্সেল নির্মাণের কাজ শুরু করেন, যা প্রমাণ করে যে পাতলা নমনীয় পর্দা সম্ভব। 2002 সালে তিনি দেখিয়েছিলেন যে জৈব এলইডি (ওএলইডি) একটি তরঙ্গদৈর্ঘ্যে ("রঙ") আলো নির্গত করার জন্য তৈরি করা যেতে পারে যা ফাইবার-ভিত্তিক যোগাযোগের জন্য প্রাসঙ্গিক (অর্থাৎ, 1.3 মাইক্রন)। 2006 সালে, তিনি একটি নতুন ট্রানজিস্টর কাঠামোর জন্য একটি পেটেন্ট জমা দিয়েছিলেন যার একটি উল্লম্ব অভিযোজন ছিল যেখানে গেট, উৎস, চ্যানেল এবং ড্রেনের ট্রানজিস্টর ফাংশনগুলি অন্যটির উপরে স্ট্যাক করা থাকে। সম্মান ও পুরস্কার 1995 রথসচাইল্ড পোস্ট ডক্টরাল ফেলোশিপ 1999 অ্যালন ফেলোশিপ 2009 রসায়নের ক্ষেত্রে শীর্ষ 1 শতাংশ। "কনজুগেটেড পলিমার লেজার, নিকটবর্তী ইনফ্রারেড পলিমার এলইডি, জৈব অর্ধপরিবাহী চার্জ পরিবহন এবং উল্লম্ব কাঠামো জৈব ক্ষেত্র প্রভাব ট্রানজিস্টর ডিভাইসের ক্ষেত্রে অগ্রণী অবদানের জন্য চীনা রাসায়নিক সমাজের 2020 সালের সম্মানসূচক ফেলো" রয়েল সোসাইটি অফ কেমিস্ট্রির 2020 সালের ফেলো নির্বাচিত নিবন্ধগুলি এন টেসলার এবং জি আইজেনস্টাইন, কোয়ান্টাম ওয়েল লেজারগুলিতে ক্যারিয়ার ইনজেকশন এবং লাভের গতিবিদ্যা সম্পর্কে, আইইইই জার্নাল অফ কোয়ান্টাম ইলেকট্রনিক্স, 1993,29,1586-1595। এন. টেসলার, জি. জে. ডেন্টন এবং আর. এইচ. ফ্রেন্ড, লেজিং ফ্রম কনজুগেটেড-পলিমার মাইক্রোক্যাভিটিস, নেচার, 1996,382,695-697। জি. জে. ডেন্টন, এন. টেসলার, এন. টি. হ্যারিসন এবং আর. এইচ. ফ্রেন্ড, পলি (পি-ফেনিলিনভিনাইলিন) থেকে উদ্দীপিত নির্গমনকে প্রভাবিত করার কারণগুলি, ফিজিক্যাল রিভিউ লেটারস, 1997,78,733-736। এইচ. সিরিংহাউস, এন. টেসলার এবং আর. এইচ. ফ্রেন্ড, ইন্টিগ্রেটেড অপ্টোইলেক্ট্রনিক ডিভাইসস বেসড অন কনজুগেটেড পলিমারস, সায়েন্স, 1998,280,1741-1744। এন. টেসলার, এন. টি. হ্যারিসন এবং আর. এইচ. ফ্রেন্ড, হাই পিক ব্রাইটনেস পলিমার লাইট-ইমিটিং ডায়োডস, অ্যাডভান্সড ম্যাটেরিয়ালস, 1998,10,6-4 +। ভি. ক্লিভ, জি. ইয়াহিওগ্লু, পি. লে বার্নি, আর. এইচ. ফ্রেন্ড এবং এন. টেসলার, পলিমার এল. ই. ডি-তে একক এবং তিনগুণ শক্তি উৎপাদন, উন্নত উপাদান, 1999,11,285-288। এন. টেসলার, অর্ধপরিবাহী জৈব পদার্থের উপর ভিত্তি করে লেজার, উন্নত উপাদান, 1999,11,363-370। ওয়াই. রইচম্যান এবং এন. টেসলার, জেনারেলাইজড আইনস্টাইন রিলেশন ফর ডিসঅর্ডার্ড সেমিকন্ডাক্টরস-ইমপ্লিকেশনস ফর ডিভাইস পারফরম্যান্স, অ্যাপ্লায়েড ফিজিক্স লেটারস, 2002,80,1948-1950। এন. টেসলার, ভি. মেদভেদেভ, এম. কাজেস, এস. এইচ. কান এবং ইউ. বানিন, দক্ষ নিকট-ইনফ্রারেড পলিমার ন্যানোক্রিস্টাল আলো-নির্গমনকারী ডায়োড, বিজ্ঞান, 2002,295,1506-1508। এম. সোরেনি-হারারি, এন. ইয়াকোবি-গ্রস, ডি. স্টেইনার, এ. অহরোনি, ইউ. বানিন, ও. মিলো এবং এন. টেসলার, সারফেস ম্যানিপুলেশনের মাধ্যমে ন্যানোক্রিস্টাল কোয়ান্টাম বিন্দুতে এনার্জেটিক লেভেল টিউনিং, ন্যানো লেটারস, 2008,8,678-684। এন. টেসলার, ওয়াই. প্রিজান্ট, এন. র্যাপাপোর্ট এবং ওয়াই. রইচম্যান, চার্জ ট্রান্সপোর্ট ইন ডিসঅর্ডার্ড অর্গানিক ম্যাটেরিয়ালস অ্যান্ড ইটস রিলেভেন্স টু থিন-ফিল্ম ডিভাইসসঃ এ টিউটোরিয়াল রিভিউ, অ্যাডভান্সড ম্যাটেরিয়ালস, 2009,21,2741-2761। "গ্রাউন্ড-স্টেট ইন্টারেকশন অ্যান্ড ইলেকট্রিক্যাল ডোপিং অফ ফ্লুরিনেটেড সি-60 ইন কনজুগেটেড পলিমারস", অ্যাডভান্সড ম্যাটেরিয়ালস, ভলিউম। 21, না। 44, 0935-9648, পিপি। 4456-+, 2009 এইচ. শেখর, ও. সলোমেশ, ডি. লিরাজ এবং এন. টেসলার, জৈব প্ল্যানার হেটেরোজাংশন ফটোডিয়োডে লো ডার্ক লিকেজ কারেন্ট, অ্যাপ্লায়েড ফিজিক্স লেটারস, 2017,111। এইচ. শেখর, এ. ফেনিগস্টাইন, টি. লেইটনার, বি. লাভি, ডি. ভিঙ্গার এবং এন. টেসলার, "সিএমওএস-ইন্টিগ্রেশন অ্যান্ড ক্যারেক্টরাইজেশন-এ ছোট অণু জৈব ফটোডিয়ডের হাইব্রিড ইমেজ সেন্সর", সাই রেপ, ভলিউম। 10, না। 1, পৃ. 7594,2020। বহিরাগত লিঙ্ক নির টেসলারের ল্যাব, জৈব উপাদান ও যন্ত্রপাতি ল্যাব, টেকনিওন নির টেসলারের ল্যাব ইউটিউব চ্যানেল, ইউটিউব নির টেসলার, গুগল স্কলার নির টেসলার, গুগল পেটেন্ট ইন্টারভিউ উইথ নির টেসলার, sciencewatch.com ইন্টারভিউ উইথ নির টেসলার, ফোর্বস ইন্টারভিউ উইথ নির টেসলার, ওয়াইনেট (হিব্রু ভাষায়) রেফারেন্স 1962 জন্ম টেকনিওন-ইসরায়েল ইনস্টিটিউট অফ টেকনোলজি টেকনিওন-ইসরায়েল ইনস্টিটিউট অফ টেকনোলজির প্রাক্তন শিক্ষার্থী ফেলো রয়্যাল সোসাইটি অফ কেমিস্ট্রির ইসরায়েলি বৈদ্যুতিক প্রকৌশলী হিব্রু রিয়ালি স্কুলের প্রাক্তন শিক্ষার্থী তিনিঃ নাইর টেসলার