Piezotronics
পাইজোট্রনিক্স প্রভাব নতুন যন্ত্র তৈরির জন্য চার্জ বাহক পরিবহন বৈশিষ্ট্যগুলি সুর/নিয়ন্ত্রণ করতে "গেট" ভোল্টেজ হিসাবে পাইজোইলেক্ট্রিসিটি সহ উপকরণগুলিতে তৈরি পাইজোইলেক্ট্রিক সম্ভাব্যতা (পাইজোপোটেনশিয়াল) ব্যবহার করছে। নীল এ ডাউনি দেখিয়েছিলেন যে পাইজোইলেক্ট্রিক উপাদান এবং কার্বন পাইজোরেসিস্টিভ উপাদানের স্যান্ডউইচ ব্যবহার করে ম্যাক্রো-স্কেলে একটি এফইটি-এর মতো পরিবর্ধনকারী যন্ত্র তৈরি করা এবং 2006 সালে শিক্ষার্থীদের জন্য বিজ্ঞান প্রকল্পের একটি বইয়ে রাখা কতটা সহজ ছিল। 2007 সালে জর্জিয়া ইনস্টিটিউট অফ টেকনোলজিতে অধ্যাপক ঝং লিন ওয়াং পাইজোট্রনিক্সের মৌলিক নীতি চালু করেছিলেন। 2006 সাল থেকে, এই প্রভাবের উপর ভিত্তি করে একাধিক বৈদ্যুতিন যন্ত্র প্রদর্শিত হয়েছে, যার মধ্যে রয়েছে পাইজোপোটেনশিয়াল গেটেড ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টর, পাইজোপোটেনশিয়াল গেটেড ডায়োড, স্ট্রেন সেন্সর, ফোর্স/ফ্লো সেন্সর, হাইব্রিড ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টর, পাইজোট্রনিক লজিক গেট, ইলেক্ট্রোমেকানিকাল মেমোরি ইত্যাদি। পাইজোট্রনিক যন্ত্রগুলিকে একটি নতুন অর্ধপরিবাহী-যন্ত্র বিভাগ হিসাবে বিবেচনা করা হয়। সেন্সর, হিউম্যান-সিলিকন টেকনোলজি ইন্টারফেসিং, এমইএমএস, ন্যানোরোবটিক্স এবং অ্যাক্টিভ ফ্লেক্সিবল ইলেকট্রনিক্সে পিজোট্রনিক্সের গুরুত্বপূর্ণ প্রয়োগ থাকতে পারে। প্রক্রিয়া ওয়ার্টজাইট কাঠামোগত ZnO, GaN এবং InN-এর মতো উপকরণগুলিতে অ-কেন্দ্রীয় প্রতিসাম্যের কারণে, একটি চাপ প্রয়োগ করে স্ফটিকের মধ্যে একটি পাইজোপোটেনশিয়াল তৈরি করা হয়। পাইজোইলেক্ট্রিসিটি এবং সেমিকন্ডাক্টর বৈশিষ্ট্যগুলির একযোগে দখলের কারণে, স্ফটিকের মধ্যে তৈরি পাইজোপোটেনশিয়াল বাহক পরিবহন প্রক্রিয়ার উপর একটি শক্তিশালী প্রভাব ফেলে। সাধারণত, মৌলিক পাইজোট্রনিক যন্ত্রগুলির নির্মাণকে দুটি বিভাগে ভাগ করা যেতে পারে। এখানে আমরা উদাহরণ হিসেবে ন্যানোওয়্যার ব্যবহার করি। প্রথম প্রকারটি হল পাইজোইলেক্ট্রিক ন্যানোওয়্যারটি একটি নমনীয় স্তরের উপর স্থাপন করা হয়েছিল যার দুটি প্রান্ত বিদ্যুদ্বাহক দ্বারা স্থির করা হয়েছিল। এই ক্ষেত্রে, যখন স্তরটি বাঁকানো হবে, ন্যানোওয়্যারটি সম্পূর্ণরূপে প্রসারিত বা সংকুচিত হবে। পাইজোপোটেনশিয়াল তার অক্ষ বরাবর চালু করা হবে। এটি যোগাযোগ এলাকায় বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র বা স্কটকি বাধা (এসবি) উচ্চতা পরিবর্তন করবে। এক প্রান্তে ইনডিউসড পজিটিভ পাইজোপোটেনশিয়াল এসবি উচ্চতা হ্রাস করবে, অন্যদিকে নেতিবাচক পাইজোপোটেনশিয়াল এটি বৃদ্ধি করবে। এইভাবে বৈদ্যুতিক পরিবহনের বৈশিষ্ট্যগুলি পরিবর্তিত হবে। দ্বিতীয় ধরনের পাইজোট্রনিক যন্ত্রটি হল ন্যানোওয়ারের এক প্রান্তটি বিদ্যুদ্বাহক দ্বারা স্থির করা হয়, অন্য প্রান্তটি মুক্ত। এই ক্ষেত্রে, যখন ন্যানোওয়ারের মুক্ত প্রান্তে এটিকে বাঁকানোর জন্য একটি বল প্রয়োগ করা হয়, তখন পাইজোপোটেনশিয়াল ডিস্ট্রিবিউশন ন্যানোওয়ারের অক্ষের লম্ব হবে। প্রবর্তিত পাইজোইলেক্ট্রিক ক্ষেত্রটি ইলেকট্রন পরিবহনের দিকের লম্ব, ঠিক যেমন প্রচলিত ক্ষেত্র-প্রভাব ট্রানজিস্টরে একটি গেট ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয়। এইভাবে ইলেক্ট্রন পরিবহনের বৈশিষ্ট্যও পরিবর্তিত হবে। পাইজোট্রনিক্সের উপকরণগুলি পাইজোইলেক্ট্রিক সেমিকন্ডাক্টর হওয়া উচিত, যেমন জেডএনও, জিএএন এবং আইএনএন। পাইজোইলেক্ট্রিসিটি, ফটোএক্সাইটেশন এবং সেমিকন্ডাক্টরের মধ্যে ত্রিমুখী সংযোগ পাইজোট্রনিক্স (পাইজোইলেক্ট্রিসিটি-সেমিকন্ডাক্টর কাপলিং), পাইজোফোটনিক্স (পাইজোইলেক্ট্রিক-ফোটন এক্সাইটেশন কাপলিং), অপটোইলেক্ট্রনিক্স এবং পাইজোফোট্রনিক্স (পাইজোইলেক্ট্রিসিটি-সেমিকন্ডাক্টর-ফটোএক্সাইটেশন)-এর ভিত্তি। এই সংযোগের মূল অংশ পাইজোইলেক্ট্রিক উপকরণ দ্বারা তৈরি পাইজোপোটেনশিয়ালের উপর নির্ভর করে। আরও দেখুন পাইজোইলেক্ট্রিসিটি মেরু অর্ধপরিবাহীতে অ-রৈখিক পাইজোইলেক্ট্রিক প্রভাব ওয়ার্টজাইট-ইইউ প্রকল্প রেফারেন্স মাইক্রোটেকনোলজি ন্যানোইলেক্ট্রনিক্স অর্ধপরিবাহী যন্ত্র