Lead tin telluride
সীসা টিন টেলুরাইড, যা পিবিএসএনটিই বা পিবি1 − এক্সএসএনএক্সটিই নামেও পরিচিত, হল সীসা, টিন এবং টেলুরিয়ামের একটি ত্রয়ী মিশ্র ধাতু, যা সাধারণত টিনের মধ্যে সীসা টেলুরাইড বা সীসা টিনের টেলুরাইডে মিশ্রিত করে তৈরি করা হয়। এটি একটি IV-VI সংকীর্ণ ব্যান্ড ফাঁক অর্ধপরিবাহী উপাদান। Pb1 − xSnxTe-এর ব্যান্ড ফাঁক উপাদানের গঠন (x) পরিবর্তন করে সুর করা হয়। এস. এন. টি. ই-কে পি. বি (অথবা পি. বি. টি. ই-এর সাথে এস. এন)-এর সাথে মিশ্রিত করা যেতে পারে যাতে ব্যান্ড ফাঁকটি 0.09 ই. ভি (পি. বি. টি. ই) থেকে 0.18 ই. ভি (এস. এন. টি. ই)-তে সুর করা যায়। এটি লক্ষ করা গুরুত্বপূর্ণ যে II-VI ক্যালকোজেনাইডসের বিপরীতে, যেমন। ক্যাডমিয়াম, পারদ এবং দস্তা ক্যালকোজেনাইডস, Pb1 − xSnxTe-তে ব্যান্ড ফাঁক দুটি চূড়ান্ততার মধ্যে রৈখিকভাবে পরিবর্তিত হয় না। বিপরীতে, গঠন (x) বৃদ্ধি হওয়ার সাথে সাথে ব্যান্ড ফাঁক হ্রাস পায়, ঘনত্ব ব্যবস্থায় শূন্যের কাছাকাছি পৌঁছায় (0.32-0.65 যথাক্রমে তাপমাত্রা 4-300 K এর সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ) এবং SnTe এর বাল্ক ব্যান্ড ফাঁকের দিকে আরও বৃদ্ধি পায়। অতএব, সীসা টিনের টেলুরাইড মিশ্র ধাতুতে তাদের শেষ বিন্দু সমতুল্যগুলির তুলনায় সংকীর্ণ ব্যান্ড ফাঁক থাকে যা সীসা টিনের টেলুরাইডকে মধ্য ইনফ্রারেড, 3-14 μm অপ্টো-ইলেকট্রনিক প্রয়োগের জন্য একটি আদর্শ প্রার্থী করে তোলে। সীসা টিনের টেলুরাইডের বৈশিষ্ট্য হল 300 কেলভিন তাপমাত্রায় পি-টাইপ অর্ধপরিবাহী। টিনের পরিমাণ বাড়ার সাথে সাথে গর্তের ঘনত্ব বৃদ্ধি পায় যার ফলে বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা বৃদ্ধি পায়। কম্পোজিশন রেঞ্জের জন্য x = 0 থেকে 0.1 পর্যন্ত, বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা 500 কেলভিন পর্যন্ত তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে হ্রাস পায় এবং 500 কেলভিন অতিক্রম করে। কম্পোজিশন রেঞ্জের জন্য, x ≤0.25, তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সাথে বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা হ্রাস পায়। Pb1 − xSnxTe এর সীবেক সহগ 300 কেলভিন এ Sn উপাদান বৃদ্ধির সাথে হ্রাস পায়। x> 0.25 গঠনের জন্য, Pb1 − xSnxTe এর তাপ পরিবাহিতা Sn উপাদান বৃদ্ধির সাথে বৃদ্ধি পায়। তাপ পরিবাহিতা মানগুলি সমগ্র গঠন পরিসরে তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে হ্রাস পায়, x> 0। Pb1 − xSnxTe-এর জন্য, সর্বাধিক তাপবিদ্যুৎ শক্তি ফ্যাক্টরের সাথে সম্পর্কিত সর্বোত্তম তাপমাত্রা x-এর গঠন বৃদ্ধির সাথে সাথে বৃদ্ধি পায়। লেড টিনের টেলুরাইডের ছদ্ম বাইনারি খাদ 400-700 K তাপমাত্রার পরিসরে তাপবিদ্যুৎ উপাদান হিসাবে কাজ করে। লেড টিনের টেলুরাইডের ধনাত্মক তাপমাত্রা সহগ রয়েছে। একটি প্রদত্ত কম্পোজিশন x-এর জন্য, তাপমাত্রার সাথে ব্যান্ড ফাঁক বৃদ্ধি পায়। অতএব, সীসা টিন টেলুরাইড ভিত্তিক লেজারের সাথে কাজ করার সময় তাপমাত্রার স্থিতিশীলতা বজায় রাখতে হবে। তবে, সুবিধাটি হল যে লেজারের অপারেটিং তরঙ্গদৈর্ঘ্য কেবল অপারেটিং তাপমাত্রার পরিবর্তন করে সুর করা যেতে পারে। লেড টিনের টেলুরাইডের আলোকীয় শোষণ সহগ সাধারণত ~ 750 সেমি-1 হয়, যখন ডোপড সিলিকন-এর মতো বহির্মুখী অর্ধপরিবাহীর ক্ষেত্রে এটি ~ 50 সেমি-1 হয়। উচ্চ আলোকীয় সহগ মান শুধুমাত্র উচ্চ সংবেদনশীলতা নিশ্চিত করে না, বরং ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট প্রযুক্তিকে সহজেই অ্যাক্সেসযোগ্য করে তুলতে অপটিক্যাল ক্রস টক প্রতিরোধ করতে পৃথক ডিটেক্টর উপাদানগুলির মধ্যে প্রয়োজনীয় ব্যবধানও হ্রাস করে। পারদ ক্যাডমিয়াম টেলুরাইডের তুলনায় টিউনেবল সংকীর্ণ ব্যান্ড ফাঁক এবং সীসা টিনের টেলুরাইডের তুলনামূলকভাবে উচ্চতর অপারেটিং তাপমাত্রার কারণে, এটি আইআর উৎস, ব্যান্ড-পাস ফিল্টার এবং আইআর ডিটেক্টরগুলিতে বাণিজ্যিক প্রয়োগের জন্য পছন্দের উপাদান হয়ে দাঁড়িয়েছে। এটি 8-14 মাইক্রোমিটার উইন্ডোতে বিকিরণ অনুধাবন করার জন্য ফটোভোলটাইক যন্ত্র হিসাবে প্রয়োগ খুঁজে পেয়েছে। সালফার ডাই অক্সাইডের মতো বায়বীয় দূষণকারী সনাক্তকরণের জন্য একক স্ফটিক Pb1 − xSnxTe ডায়োড লেজার ব্যবহার করা হয়েছে। থার্মোইলেক্ট্রিক যন্ত্রগুলিতে লেড টিনের টেলুরাইড ব্যবহার করা হয়েছে। তথ্যসূত্র টেলুরাইডস লিড অ্যালয় টিন অ্যালয় চতুর্থ-ষষ্ঠ অর্ধপরিবাহী