Everspin Technologies
এভারস্পিন টেকনোলজিস একটি পাবলিক সেমিকন্ডাক্টর কোম্পানি যার সদর দপ্তর মার্কিন যুক্তরাষ্ট্রের অ্যারিজোনার চ্যান্ডলারে অবস্থিত। এটি টগল এম. আর. এ. এম এবং স্পিন-ট্রান্সফার টর্ক এম. আর. এ. এম (এস. টি-এম. আর. এ. এম) পণ্য পরিবার সহ বিচ্ছিন্ন চৌম্বকীয় র্যাম বা চৌম্বকীয় র্যান্ডম-অ্যাক্সেস মেমরি (এম. আর. এ. এম) পণ্যগুলির বিকাশ ও উৎপাদন করে। এটি এমবেডেড এম. আর. এ. এম (ই. এম. আর. এ. এম) অ্যাপ্লিকেশন, চৌম্বক সেন্সর অ্যাপ্লিকেশনগুলির পাশাপাশি ই. এম. আর. এ. এম-এর জন্য ব্যাকএন্ড ফাউন্ড্রি পরিষেবাগুলিতে ব্যবহারের জন্য তার প্রযুক্তিকে লাইসেন্স দেয়। এমআরএএম-এর কার্যকারিতা বৈশিষ্ট্যগুলি স্ট্যাটিক র্যান্ডম-অ্যাক্সেস মেমরি (এসআরএএম)-এর কাছাকাছি রয়েছে এবং অ-উদ্বায়ী মেমরির অধ্যবসায়ও রয়েছে, যার অর্থ সিস্টেম থেকে বিদ্যুৎ অপসারণ করা হলে এটি তার চার্জ বা ডেটা হারাবে না। এই বৈশিষ্ট্যটি এম. আর. এ. এম-কে প্রচুর সংখ্যক প্রয়োগের জন্য উপযুক্ত করে তোলে যেখানে অধ্যবসায়, কর্মক্ষমতা, সহনশীলতা এবং নির্ভরযোগ্যতা গুরুত্বপূর্ণ। ইতিহাস এম. আর. এ. এম-এর পথ 1984 সালে শুরু হয় যখন অ্যালবার্ট ফার্ট এবং পিটার গ্রুনবার্গ জি. এম. আর প্রভাব আবিষ্কার করেন। বারো বছর পরে, 1996 সালে, স্পিন-ট্রান্সফার টর্ক প্রস্তাব করা হয়, যা একটি চৌম্বকীয় সুড়ঙ্গ জংশন বা স্পিন ভালভকে স্পিন-মেরুকৃত স্রোতের সাথে সংশোধন করতে সক্ষম করে। এই সময়ে, মটোরোলা তাদের এম. আর. এ. এম গবেষণা শুরু করে, যা 1998 সালে তাদের প্রথম এম. টি. জে-এর দিকে পরিচালিত করে। এক বছর পরে, 1999 সালে, মটোরোলা একটি 256কেবি এম. আর. এ. এম টেস্ট চিপ তৈরি করে যা এম. আর. এ. এম প্রযুক্তি উৎপাদনের কাজ শুরু করতে সক্ষম করে, যার পরে 2002 সালে মটোরোলা টগলের জন্য একটি পেটেন্ট মঞ্জুর করে। 2006 সালে এই শিল্পের প্রথম এম. আর. এ. এম (4 এম. বি) পণ্যটি বাণিজ্যিকভাবে উপলব্ধ হয়। প্রাথমিক এমআরএএম-এর বেশিরভাগ কাজ মটোরোলা করেছিল, যারা 2004 সালে তাদের সেমিকন্ডাক্টর ব্যবসা বন্ধ করে দিয়েছিল, 2008 সালে ফ্রিস্কেল সেমিকন্ডাক্টর তৈরি করেছিল, যা শেষ পর্যন্ত এমআরএএম ব্যবসাকে এভারস্পিন টেকনোলজিস হিসাবে ছড়িয়ে দিয়েছিল। 2008 সালে, এভারস্পিন তাদের এম. আর. এ. এম পণ্য পরিবারের জন্য বি. জি. এ প্যাকেজ ঘোষণা করে যা 256কে. বি থেকে 4 এম. বি পর্যন্ত ঘনত্বকে সমর্থন করবে। পরের বছর, 2009 সালে, এভারস্পিন তাদের প্রথম প্রজন্মের এস. পি. আই এম. আর. এ. এম পণ্য পরিবার প্রকাশ করে এবং গ্লোবালফাউন্ড্রিজের সাথে প্রথম এমবেডেড এম. আর. এ. এম নমুনা পাঠাতে শুরু করে। 2010 সালের মধ্যে, এভারস্পিন উৎপাদন বৃদ্ধি করতে শুরু করে এবং তার প্রথম মিলিয়ন এম. আর. এ. এম বিক্রি করে। একই বছর এই শিল্পের প্রথম এম. আর. এ. এম-এর যোগ্যতা সম্পন্ন হয় এবং 16 এম. বি ঘনত্ব প্রকাশ করা হয়। উৎপাদন বৃদ্ধি সহ, এভারস্পিন 2011 সালের মধ্যে তার 40 লক্ষতম স্বতন্ত্র এম. আর. এ. এম এবং 20 লক্ষতম এমবেডেড এম. আর. এ. এম প্রেরণ করে। 64 এম. বি. এস. টি-এম. আর. এ. এম, যা 90 এন. এম প্রক্রিয়ায় তৈরি করা হয়েছিল, 2012 সালে ঘটেছিল। 2014 সালে এভারস্পিন 40 এনএম এবং 28 এনএম নোড প্রক্রিয়া ব্যবহার করে 300 মিমি ওয়েফারে সমতল এবং লম্ব এমটিজে এসটি-এমআরএএম উৎপাদনের জন্য গ্লোবালফাউন্ড্রিজের সাথে অংশীদারিত্ব করেছে। 2016 সালের মধ্যে, এভারস্পিন ঘোষণা করেছিল যে এটি গ্রাহকদের কাছে শিল্পের প্রথম 256 এম. বি. এস. টি-এম. আর. এ. এম-এর নমুনা পাঠাচ্ছে, গ্লোবালফাউন্ড্রিজ এভারস্পিনের সাথে একত্রে 22 এন. এম এম. এমবেডেড এম. আর. এ. এম ঘোষণা করেছে, এবং এভারস্পিন বছরের শেষের দিকে 7ই অক্টোবর একটি আই. পি. ও-তে প্রকাশ্যে আসে। 2017 সালে, এভারস্পিন তার এস. টি-এম. আর. এ. এম পণ্যগুলিতে ডি. ডি. আর 3 এবং ডি. ডি. আর 4 সামঞ্জস্য এনে এম. আর. এ. এম থেকে এফ. পি. জি. এ-তে সমর্থন প্রসারিত করে, এটি জিলিঙ্কসের আল্ট্রা-স্কেল এফ. পি. জি. এ মেমরি নিয়ামকের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ করে তোলে। 1লা সেপ্টেম্বর, 2017-এ, কেভিন কনলিকে এভারস্পিনের সিইও এবং প্রেসিডেন্ট হিসেবে মনোনীত করা হয়। কনলি স্যান্ডিস্কের প্রাক্তন সিটিও ছিলেন এবং কোম্পানিতে এন্টারপ্রাইজ স্টোরেজ দক্ষতা নিয়ে আসেন। 2018 সালে, এভারস্পিন তার 256 এমবি এস. টি. টি-এম. আর. এ. এম-এর উৎপাদন পরিমাণ বৃদ্ধি করে এবং ডিসেম্বরে 1 জিবি এস. টি. টি-এম. আর. এ. এম-এর প্রথম গ্রাহক নমুনা পাঠায়। 2019 সালে, এভারস্পিন জুন মাসে তার 1 জিবি এস. টি. টি-এম. আর. এ. এম-এর প্রাক-উৎপাদন শুরু করে এবং সিস্টেম ডিজাইনারদের তাদের নকশায় 1 জিবি এস. টি-ডি. ডি. আর. 4 পণ্য বাস্তবায়িত করতে সক্ষম করার জন্য ডিজাইন-ইন বাস্তুতন্ত্রের সম্প্রসারণের ঘোষণা করে। প্রযুক্তি এম. আর. এ. এম দ্রুত এবং স্থায়ী অ-উদ্বায়ী স্মৃতি সরবরাহ করতে ইলেক্ট্রন স্পিনের চুম্বকত্ব ব্যবহার করে। এমআরএএম চৌম্বকীয় উপাদানগুলিতে তথ্য সঞ্চয় করে যা সিলিকন সার্কিট্রির সাথে সংহত করা হয় যাতে ফ্ল্যাশের অ-উদ্বায়ীতার সাথে র্যামের গতি সরবরাহ করা যায়। চ্যান্ডলার, অ্যারিজোনায় সদর দফতর, এভারস্পিন তার চৌম্বকীয় ব্যাক-এন্ড-অফ-লাইন ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণের জন্য একটি উত্পাদন লাইনের মালিক এবং পরিচালনা করে, ফাউন্ড্রি থেকে স্ট্যান্ডার্ড সিএমওএস ওয়েফার ব্যবহার করে। এভারস্পিনের বর্তমান এমআরএএম পণ্যগুলি 180-এনএম, 130-এনএম, 40-এনএম এবং 28-এনএম প্রক্রিয়া প্রযুক্তি নোড এবং শিল্প মান প্যাকেজগুলির উপর ভিত্তি করে তৈরি। পণ্য টগল এম. আর. এ. এম টগল এম. আর. এ. এম মেমোরি ইলেকট্রন স্পিনের চুম্বকত্ব ব্যবহার করে, যা অস্থিরতা বা ক্ষয়-ক্ষতি ছাড়াই তথ্য সংরক্ষণ করতে সক্ষম করে। টগল এমআরএএম একটি টেকসই, উচ্চ-ঘনত্বের মেমরি সরবরাহ করার জন্য একটি একক ট্রানজিস্টর এবং একটি একক এমটিজে কোষ ব্যবহার করে। টগল এমআরএএম-এর অ-উদ্বায়ীতার কারণে, এই স্মৃতিতে রাখা তথ্য 20 বছরের জন্য তাপমাত্রায় (-40 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড থেকে 150 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড পর্যন্ত) অ্যাক্সেসযোগ্য। এম. টি. জে একটি স্থির চৌম্বক স্তর, একটি পাতলা অস্তরক সুড়ঙ্গ বাধা এবং একটি মুক্ত চৌম্বক স্তর নিয়ে গঠিত। যখন স্পিন টগলের এম. টি. জে-তে একটি পক্ষপাত প্রয়োগ করা হয়, তখন যে ইলেকট্রনগুলি ঘূর্ণিত হয় সেগুলি অস্তরক বাধা জুড়ে চৌম্বকীয় স্তর "সুড়ঙ্গ" দ্বারা মেরুকৃত হয়। মুক্ত স্তরের চৌম্বকীয় মুহূর্তটি স্থির স্তরের সমান্তরালে থাকলে এম. টি. জে যন্ত্রের প্রতিরোধ ক্ষমতা কম থাকে এবং মুক্ত স্তরের মুহূর্তটি স্থির স্তরের সমান্তরালে বিপরীতমুখী হলে উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা থাকে। উৎপাদন ঘনত্বের মধ্যে রয়েছে 128কেবি থেকে 16এমবি; সমান্তরাল এবং এসপিআই ইন্টারফেসে পাওয়া যায়; ডিএফএন, এসওআইসি, বিজিএ, এবং টিএসওপি2 প্যাকেজ স্পিন-ট্রান্সফার টর্ক এমআরএএম স্পিন-ট্রান্সফার টর্ক হল এক ধরনের এমআরএএম মেমরি (এসটিটি-এমআরএএম) যা একটি লম্ব এমটিজে দিয়ে নির্মিত যা স্পিন-ট্রান্সফার টর্ক সম্পত্তি (মেরুকরণ বর্তমান সহ ইলেকট্রনগুলির ঘূর্ণনের হেরফের) ব্যবহার করে মুক্ত স্তরটির চৌম্বকীয় অবস্থাকে প্রোগ্রাম বা লেখার জন্য, মেমরি অ্যারের বিটগুলিতে পরিচালনা করে। উচ্চ লম্ব চৌম্বকীয় অ্যানিসোট্রপি সহ এভারস্পিনের লম্ব এমটিজে স্ট্যাক ডিজাইনগুলি দীর্ঘ তথ্য ধারণ, ছোট কোষের আকার, উচ্চ ঘনত্ব, উচ্চ সহনশীলতা এবং কম শক্তি নিয়ে আসে। টগল এম. আর. এ. এম-এর তুলনায় এস. টি. টি-এম. আর. এ. এম-এর স্যুইচিং শক্তি কম এবং উচ্চ ঘনত্বে পৌঁছতে পারে। এভারস্পিন থেকে এস. টি. টি-এম. আর. এ. এম পণ্যগুলি ডি. ডি. আর 3 এবং ডি. ডি. আর 4-এর জন্য জে. ই. ডি. ই. সি স্ট্যান্ডার্ড ইন্টারফেসের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ (এম. আর. এ. এম প্রযুক্তির জন্য প্রয়োজনীয় কিছু পরিবর্তন সহ)। এই মোডে, ডি. ডি. আর. 3 পণ্যটি একটি স্থায়ী (অ-উদ্বায়ী) ডি. আর. এ. এম-এর মতো কাজ করতে পারে এবং কোনও রিফ্রেশ প্রয়োজন হয় না, যেখানে ডি. ডি. আর. 4 পণ্যটির নিষ্ক্রিয় অবস্থার অধীনে স্ব-রিফ্রেশ মোড থাকে। 1 জিবি ঘনত্ব সহ ডিডিআর4 সামঞ্জস্যপূর্ণ এস. টি. টি-এম. আর. এ. এম ডিভাইসগুলি 2017 সালের আগস্টের শুরুতে গ্রাহকদের কাছে প্রাথমিক নমুনা সংগ্রহ শুরু করে। 2019 সালের জুন মাসে, 1 জিবি এস. টি. টি-এম. আর. এ. এম পরীক্ষামূলক উৎপাদনে প্রবেশ করে। এন. ভি. এন. আই. টি. আর. ও স্টোরেজ অ্যাক্সিলারেটরস এভারস্পিন এন. ভি. এন. আই. টি. আর. ও পণ্যগুলি তৈরি করেছে যা সাধারণত এন. ভি. এম. ই পণ্যগুলির দ্বারা সরবরাহ করা হয়। দুটি ভিন্ন ফর্ম ফ্যাক্টর রয়েছে, এইচ. এইচ. এইচ. এল (পি. সি. আই. ই জেন3 এক্স8) এবং ইউ. 2। সময়ের সাথে সাথে এম. আর. এ. এম-এর ঘনত্ব বৃদ্ধি পাওয়ায় এই যন্ত্রগুলি আজ 1 জিবি পর্যন্ত ডেটা সঞ্চয় করতে পারে। এনভিএনআইটিআরও পণ্যগুলি এনভিএমই 1.1 এবং ব্লক স্টোরেজ প্রয়োজনীয়তা উভয়ই পরিচালনা করতে পারে। যেহেতু এই পণ্যগুলি এম. আর. এ. এম-এ নির্মিত, তাই উড়ানের সময় তথ্য সুরক্ষার জন্য তাদের সাধারণ চৌম্বকীয় সঞ্চয় পণ্যগুলির ব্যাটারি ব্যাকআপের প্রয়োজন হয় না। এভারস্পিন আনুষ্ঠানিকভাবে 2017 সালের আগস্টে 256 এম. বি. এস. টি-এম. আর. এ. এম (1 জিবি এবং 2 জিবি ক্ষমতা)-এর উপর ভিত্তি করে এন. ভি. এন. আই. টি. আর. ও-এর প্রথম সংস্করণ চালু করে। ভবিষ্যতের সংস্করণগুলি আসন্ন 1 জিবি এস. টি-এম. আর. এ. এম ঘনত্বের উপর ভিত্তি করে তৈরি করা হবে যা সম্প্রতি গ্রাহকদের কাছে নমুনা সংগ্রহ শুরু করেছে। স্মার্ট মডুলার টেকনোলজিস একটি এনভিএনআইটিআরও প্রযুক্তি অংশীদার হিসাবে সাইন আপ করেছে এবং তাদের ব্র্যান্ড নামে এনভিএনআইটিআরও স্টোরেজ অ্যাক্সিলারেটর বিক্রি করবে। এমআরএএম-কে স্ট্যান্ডার্ড সিএমওএস প্রযুক্তিতে সংহত করার জন্য এমআরএএম এভারস্পিন গ্লোবালফাউন্ড্রিজের সাথে অংশীদারিত্ব করেছে, যা এটিকে সিএমওএস লজিক ডিজাইনের মধ্যে অ-ধ্বংসাত্মকভাবে সংহত করতে সক্ষম করে। এম. আর. এ. এম যে কোনও সি. এম. ও. এস নকশায় এমবেডেড ফ্ল্যাশ, ডি. আর. এ. এম বা এস. আর. এ. এম প্রতিস্থাপন করতে পারে, যা অস্থিরতার সাথে মেমরির অনুরূপ ক্ষমতা প্রদান করে। অন্তর্নির্মিত এমআরএএম 65 এনএম, 40 এনএম, 28 এনএম এবং এখন গ্লোবালফাউন্ড্রিজ 22এফডিএক্স প্রক্রিয়ায় সংহত করা যেতে পারে যা 22 এনএম এবং সম্পূর্ণরূপে ক্ষয়প্রাপ্ত সিলিকন-অন-ইনসুলেটর (এফডি-এসওআই) ব্যবহার করে। রেফারেন্স বাহ্যিক লিঙ্ক এভারস্পিন অফিসিয়াল ওয়েবসাইট মার্কিন যুক্তরাষ্ট্রের সেমিকন্ডাক্টর কোম্পানি 2008 সালে প্রতিষ্ঠিত আমেরিকান কোম্পানিগুলি নাসডাক 2016-এ তালিকাভুক্ত প্রাথমিক পাবলিক অফার কোম্পানিগুলি চ্যান্ডলার, অ্যারিজোনা ভিত্তিক