Tübinger Straße 123, 72762, Reutlingen, DE Vollzeit Unternehmensbeschreibung Bei Bosch gestalten wir Zukunft mit hochwertigen Technologien und Dienstleistungen, die Begeisterung wecken und das Leben der Menschen verbessern. Unser Versprechen an unsere Mitarbeiterinnen und Mitarbeiter steht dabei felsenfest: Wir wachsen gemeinsam, haben Freude an unserer Arbeit und inspirieren uns gegenseitig. Willkommen bei Bosch. Die Robert Bosch GmbH freut sich auf Ihre Bewerbung! Stellenbeschreibung - Als Entwicklungsingenieurin treiben und steuern Sie innovative Technologieentwicklungen für komplexe Produkte im Bereich Wide-Band-Gap-Materialien (SiC und GaN) mit Schwerpunkt bei GaN. Zu Ihrem Arbeitsgebiet gehören insbesondere Einzelprozess MOCVD Epitaxie für GaN, sowie weitere Prozesse im Bereich der GaN Technologie. - Des Weiteren übernehmen Sie die Verantwortung für die Einzelprozessentwicklung bis zur Serienreife, erarbeiten das notwendige Prozess- und Anlagenwissen und sorgen für eine erfolgreiche und effiziente Übergabe an die Fertigung. - Sie planen und führen selbstständig Versuche durch, koordinieren die notwendigen Analysen und bewerten die Ergebnisse in enger Abstimmung mit dem Team. - Zusammen mit weiteren Experten aus Entwicklung und Fertigung entwickeln sie Prozessmodule, die auf Ihren Einzelprozess aufsetzen, inklusive der notwendigen Vor- und Nachbehandlung. - Zudem nutzen Sie neue Prozesse und Materialen und führen sowohl eine technische als auch wirtschaftliche Bewertung der Machbarkeit neuer Verfahren durch. - Nicht zuletzt sind Sie verantwortlich für die Kooperation mit Forschungseinrichtungen zur Grundlagenentwicklung und die Leitung von Qualitätsbewertungen und Prozessfreigaben. Qualifikationen - Ausbildung : abgeschlossenes Hochschulstudium (Master/Diplom/Promotion) der Physik, Chemie, Materialwissenschaften, Ingenieurs- oder Naturwissenschaften oder eines vergleichbaren Studienganges - Erfahrungen und Know-how : mehrjährige Berufserfahrung in der Entwicklung innovativer Halbleiter-Technologie, vor allem in den Bereichen Wide Band Gap oder Power; fundiertes Wissen in der Halbleitertechnologie inklusive relevanter analytischer Verfahren, idealerweise im Bereich der Epitaxie; hervorragendes Verständnis physikalischer Grundlagen und Zusammenhänge - Persönlichkeit und Arbeitsweise : Sie sind begeisterungsfähig, lösungsorientiert, entscheidungsfreudig und eigeninitiativ; Sie arbeiten gerne im Team, sind kreativ, belastbar und durchsetzungsstark; systematisches und zielorientiertes Arbeiten zeichnen Sie aus - Sprachen : sehr gutes Deutsch und Englisch in Wort und Schrift Zusätzliche Informationen Wir bieten tolle Möglichkeiten des remoten Arbeitens sowie unterschiedliche Teilzeitmodelle bis hin zum Jobsharing. Sprechen Sie uns gerne dazu an. Vielfalt und Inklusion sind für uns keine Trends, sondern fest verankert in unserer Unternehmenskultur. Daher freuen wir uns über alle Bewerbungen: unabhängig von Geschlecht, Alter, Behinderung, Religion, ethnischer Herkunft oder sexueller Identität. Sie haben Fragen zum Bewerbungsprozess? Sarah Sosnowski (Personalabteilung) Sie haben fachliche Fragen zum Job? Christian Bierhoff (Fachabteilung) Noch unsicher, welche Stelle wirklich zu Ihnen passt? Dann melden Sie sich für dieBosch Insights an.
Entwicklungsingenieur für GaN Epitaxie und Technologieentwicklung (w/m/div.) (Physiker/in)