Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF zählt zu den führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf den Gebieten der III-V-Halbleiter und des synthetischen Diamanten. Wir erforschen und entwickeln gemeinsam mit unseren Partnern aus Industrie und Wissenschaft elektronische, optoelektronische sowie quantentechnologische Bauelemente und Systeme. Dabei stehen Forschung und Entwicklung für Anwendungen in den Bereichen Sicherheit, Gesundheit, Energie, Information und Kommunikation im Vordergrund. Was Sie bei uns tun Der Schwerpunkt Ihrer Arbeit als Wissenschaftlerin liegt in der Erforschung geeigneter Prozesse für die Herstellung komplexer arsenidischer und phosphidischer Halbleiter-Schichtfolgen mit dem Verfahren der Molekularstrahl-Epitaxie. Sie sind dabei als Teil eines Teams aus Wissenschaftlerinnen, Ingenieurinnen und Technikerinnen an aktuellen Forschungsprojekten zur Entwicklung innovativer elektronischer und optoelektronischer Bauteile für zahlreiche Anwendungen z. B. in der Sensorik und Diagnostik beteiligt. Sie entwickeln und optimieren bestehende und neue Molekularstrahl-Epitaxie-(MBE-)Prozesse für innovative optoelektronische und elektronische Bauelemente. Dabei übernehmen Sie die Analyse und Modellbildung der Wachstumskinetik der Epitaxie-Prozesse. In Ihrer Rolle leiten Sie epitaxiespezifische Forschungsprojekte bzw. Teilprojekte und arbeiten dabei eng mit anderen Gruppen und Abteilungen am Institut zusammen. Sie wirken bei der Akquise neuer Forschungsprojekte öffentlicher und industrieller Auftraggeber mit. Gemeinsam mit dem zuständigen Gruppenleiter tragen Sie die wissenschaftliche Verantwortung für die Molekularstrahl-Epitaxie von III-V-Verbindungshalbleitern sowie den sicheren und effektiven Betrieb der dafür eingesetzten Großanlagen. Dabei unterstützen Sie unsere Technikerinnen bzw. Ingenieurinnen und leiten sie bei Betrieb, Optimierung und Wartung der Anlagen an. Was Sie mitbringen Sie verfügen über ein abgeschlossenes Master- oder Diplomstudium in Physik, Kristallographie, Ingenieurwissenschaften oder einer vergleichbaren Fachrichtung. Ihre Fähigkeit zur selbstständigen Forschungs- und Entwicklungstätigkeit können Sie vorzugsweise durch eine erfolgreiche Promotion in der Halbleiterphysik oder Festkörperphysik nachweisen. Dazu bringen Sie wissenschaftliches Interesse an Epitaxie, Kristallzucht oder Wachstumskinetik mit und haben ein grundlegendes Verständnis von Halbleiter-Bauelementen. Sie konnten bereits Erfahrung in der Molekularstrahl-Epitaxie oder Ultrahochvakuumtechnik sammeln. Sie zeichnen sich durch Ihren Teamgeist, Ihr Kommunikationsgeschick sowie eine eigenständige, zielgerichtete Arbeitsweise aus. Gute Englischkenntnisse (mind. B2) runden Ihr Profil ab. Was Sie erwarten können Eine offene und teamorientierte Unternehmenskultur Ein modern ausgestattetes und international geprägtes Arbeitsumfeld mit Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und kreatives Mitgestalten Persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsmaßnahmen Umfangreiche Zusatzleistungen wie eine betriebliche Altersvorsorge (VBL), ein vergünstigtes Jobticket für den ÖPNV sowie unterschiedliche Gesundheitsangebote (z. B. Pilates) zum Ausgleich und zur Fitness Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Familie und Beruf (u. a. mobiles Arbeiten, Mit-Kind-Büro, Beratungsleistungen im Bereich Home- und Eldercare) Fragen zu dieser Ausschreibung beantwortet Ihnen gerne: Kathrin Escher Fraunhofer IAF Personalabteilung Tullastraße Freiburg
Wissenschaftler*in - Molekularstrahlepitaxie (MBE) Arsenide / Phosphide (Physiker/in)