Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF zählt zu den führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf den Gebieten der III-V-Halbleiter und des synthetischen Diamanten. Wir erforschen und entwickeln gemeinsam mit unseren Partnern aus Industrie und Wissenschaft elektronische, optoelektronische sowie quantentechnologische Bauelemente und Systeme. Dabei stehen Forschung und Entwicklung für Anwendungen in den Bereichen Sicherheit, Gesundheit, Energie, Information und Kommunikation im Vordergrund. Was Sie bei uns tun Ihre Tätigkeitsbereiche liegen in der Entwicklung vereinfachter Simulationsmodelle von (vierpoligen) Hochfrequenz-Bauelementen und Schaltungen auf Basis verschiedener III-V-Verbindungshalbleiter im Frequenzbereich von 0,1 GHz bis über 300 GHz. Für die Charakterisierung dieser Bauelemente stehen am Institut hochmodern ausgerüstete Labore mit neuster Messtechnik zur Verfügung. Die Simulationsmodelle finden Verwendung im Entwurf von monolithisch integrierten Schaltungen für vielfältige Anwendungsgebiete in den Bereichen Sensorsysteme, Kommunikation und Raumfahrt. Was Sie mitbringen Sie verfügen über ein erfolgreich abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master) der Elektrotechnik, Mikrosystemtechnik, Nachrichtentechnik, Physik oder eine vergleichbare Qualifikation, idealerweise mit Promotion. Dazu bringen Sie erste Erfahrung in der Charakterisierung und Modellierung von aktiven und passiven Bauelementen im Hochfrequenzbereich mit. Praxis in der Entwicklung von Hochfrequenz-Schaltungen ist von Vorteil. Sie haben Kenntnisse im Umgang mit Schaltungssimulations- und 3D-Feldsimulationsprogrammen wie z. B. Keysight Advanced Design System (ADS) und CST Microwave Studio. Idealerweise kennen Sie sich in der Akquise und Leitung von Förderprojekten aus. Ihre Fähigkeit, sich schnell in neue Problemstellungen einzuarbeiten, sowie ein selbstständiger wissenschaftlicher Arbeitsstil zeichnen Sie aus. Verhandlungssicheres Deutsch und Englisch, gute Team- und Kommunikationsfähigkeiten sowie Freude an experimenteller Arbeit runden Ihr Profil ab. Was Sie erwarten können Eine offene und teamorientierte Unternehmenskultur Ein modern ausgestattetes und international geprägtes Arbeitsumfeld mit Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und kreatives Mitgestalten Forschung auf hohem internationalem Level an weltweit vorderster Front der Hochfrequenzelektronik Eine enge Zusammenarbeit mit den institutseigenen Arbeitsgruppen auf dem Gebiet der Schaltungsentwicklung, Mess- und Aufbautechnik Enge Kontakte zu in- und ausländischen Forschungseinrichtungen sowie zur Industrie und zu öffentlichen Auftraggebern Fachliche und persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote Umfangreiche Zusatzleistungen wie betriebliche Altersvorsorge (VBL), Jobticket und Sportangebote (z. B. Pilates) Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Familie und Beruf (u. a. mobiles Arbeiten, Mit-Kind-Büro, Beratungsleistungen im Bereich Home- und Eldercare) Fragen zu dieser Ausschreibung beantwortet Ihnen gerne: Kathrin Escher Fraunhofer IAF Personalabteilung Tullastraße Freiburg
Entwicklungsingenieur*in - Vierpolige Transistoren & MM-Wellen-Schaltungen (Physiker/in)