Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF zählt zu den führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf den Gebieten der III-V-Halbleiter und des synthetischen Diamanten. Wir erforschen und entwickeln gemeinsam mit unseren Partnern aus Industrie und Wissenschaft elektronische, optoelektronische sowie quantentechnologische Bauelemente und Systeme. Dabei stehen Forschung und Entwicklung für Anwendungen in der Sicherheit, Gesundheit, Energie, Information und Kommunikation im Vordergrund. Was Sie bei uns tun Wir bieten Ihnen eine spannende Tätigkeit als Wissenschaftlerin in der Entwicklung von Hochfrequenz-Bauelementen &amp; -Schaltungen. Auf Basis schneller Galliumnitrid- und Galliumarsenid-Feldeffekttransistor-Technologien entwickeln, charakterisieren und modellieren Sie aktive und passive Bauelemente und Schaltungen. Die zu entwickelnden monolithisch integrierten Schaltungen umfassen Leistungsverstärker, rauscharme Verstärker, HF-Schalter, Frequenz-Vervielfacher sowie Mischer für eine Anwendung im Frequenzbereich von 2 GHz bis 600 GHz in Sensorsystemen, Kommunikationsanwendungen und der Raumfahrt. Im Team akquirieren und koordinieren Sie zukunftsweisende nationale und internationale Forschungs- und Entwicklungsprojekte. Was Sie mitbringen Sie verfügen über ein erfolgreich abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master) der Elektrotechnik, Mikrosystemtechnik, Nachrichtentechnik, Physik oder eine vergleichbare Qualifikation. Sie haben fundierte Kenntnisse in Hochfrequenztechnik und elektronischen Bauelementen. Sie bringen erste Erfahrung auf dem Gebiet der Modellierung von Bauelementen, des HF-Schaltungsentwurfs und der HF-Messtechnik mit. Idealerweise haben Sie bereits Know-how im Umgang mit Schaltungssimulations- und 3D-Feldsimulationsprogrammen wie z. B. Keysight Advanced Design System (ADS), CST Microwave Studio und Cadence Virtuoso. Außerdem haben sie erste Praxis mit Software zur automatischen Datenauswertung, wie z. B. Python oder Matlab. Im besten Falle kennen Sie sich in der Akquise und Leitung von Förderprojekten aus. Ihre Fähigkeit, sich schnell in neue Probleme einzuarbeiten, sowie ein selbstständiger, wissenschaftlicher Arbeitsstil zeichnen Sie aus. Verhandlungssicheres Deutsch und Englisch, gute Team- und Kommunikationsfähigkeiten sowie Freude an experimenteller Arbeit runden Ihr Profil ab. Was Sie erwarten können Ein modern ausgestattetes und international geprägtes Arbeitsumfeld mit Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und kreatives Mitgestalten Forschung auf hohem internationalem Level an weltweit vorderster Front der Hochfrequenzelektronik Eine enge Zusammenarbeit mit den institutseigenen Arbeitsgruppen auf dem Gebiet der Schaltungsentwicklung, Mess- und Aufbautechnik Enge Kontakte zu in- und ausländischen Forschungseinrichtungen sowie zur Industrie und zu öffentlichen Auftraggebern Fachliche und persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote Umfangreiche Zusatzleistungen wie eine betriebliche Altersvorsorge (VBL), ein vergünstigtes Jobticket für den ÖPNV sowie unterschiedliche Gesundheitsangebote (z. B. Pilates) Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Familie und Beruf (u. a. mobiles Arbeiten, Mit-Kind-Büro, Beratungsleistungen im Bereich Home- und Eldercare) Fragen zu dieser Ausschreibung beantwortet Ihnen gerne: Kathrin Escher Fraunhofer IAF Personalabteilung Tullastraße Freiburg
Wissenschaftler*in ‒ Entwicklung von Hochfrequenz-Bauelementen & -Schaltungen (Physiker/in)