舛岡富士雄
舛岡 富士雄（ますおか ふじお、1943年5月8日 - ）は日本の電子工学研究者。東北大学名誉教授。フラッシュメモリの発明者である。半導体事業は莫大な初期投資費用がかかるため、東芝在籍時には厚遇されていなかったが半導体需要の激増でフラッシュメモリは一大産業に成長している。
不揮発性メモリ
ReRAM、抵抗変化型メモリは2000年頃から実用化研究がなされている不揮発性メモリで、電界誘起巨大抵抗変化(CER:Colossal electroresistance)と呼ばれる現象を応用している。消費電力が小さく、高集積化が可能、読み出し速度が高速と言う特徴を持つ。フラッシュメモリの代替用途が目論見られている。