フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
NAND型フラッシュメモリ
また、2008年8月に東芝がチップ当り32GbitのNAND型フラッシュメモリを発表し、同年第4四半期から量産を開始している。2013年7月には、米Micron Technologyが128Gbit MLC NANDフラッシュメモリを発表し、同年第4四半期から出荷を開始する。