フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
半導体産業
従来からシリコンディスクやSSD (Solid State Drive) と呼ばれていたHDD等価の半導体メモリ装置が、フラッシュメモリを使用することで2008年から本格的なFlash SSD製品として広く普及をはじめた。