フラッシュメモリ
主要な種別はNAND型フラッシュメモリとNOR型フラッシュメモリの2種である。それぞれの基本的な特徴は次の通り。
書き込みがブロック単位であることはどちらも共通である。歴史的には、最初のフラッシュメモリとして発明されたのはNOR型で、続いてNAND型が発明された。いずれの発明も当時東芝の舛岡富士雄による。普及については主としてインテルによりNOR型が先行して市場に広がった。現在は、NAND型が東芝メモリとサンディスクとサムスン、NOR型がマイクロンとスパンション、といったところが大手である。
磁気ドラムメモリ
磁気ドラムメモリは1950年代から1960年代にかけて、コンピュータの記憶装置として広く使われた。ICによるRAMが開発され大量生産される前であったこの時代、高速さを要求される主記憶装置用の記憶素子としては磁気コアメモリがあった。しかし、1ビットあたり1個のフェライトビーズが使用され、マトリックス方式とはいえ多数の配線を必要とし大量生産によるコスト低下にも限度があるコアメモリはあまりに高価であった。速度は遅くてもいいからとにかくコンピュータが欲しいという需要に対して主記憶装置としても多用されたが、低速さと大容量という点は、どちらかと言えば補助記憶装置向きである（不揮発という点ではコアメモリも不揮発ではあった（ただし信頼性は低かった））。安価なマシンは一般に生産量が多いため、非常に一般的にもなりコンピュータを"ドラムマシン"と呼ぶこともあった。その後、主記憶装置用としては磁気コアメモリの価格低下や、さらにはICによるRAMによる価格低下により置き換えられ、補助記憶装置用としては磁気ディスク装置に置き換えられていった。