フラッシュメモリ
主要な種別はNAND型フラッシュメモリとNOR型フラッシュメモリの2種である。それぞれの基本的な特徴は次の通り。
書き込みがブロック単位であることはどちらも共通である。歴史的には、最初のフラッシュメモリとして発明されたのはNOR型で、続いてNAND型が発明された。いずれの発明も当時東芝の舛岡富士雄による。普及については主としてインテルによりNOR型が先行して市場に広がった。現在は、NAND型が東芝メモリとサンディスクとサムスン、NOR型がマイクロンとスパンション、といったところが大手である。
単一レベル記憶
また、フラッシュメモリの読み書きを、従来のディスクを前提としたAPIやSCSIなどのインタフェースを通して行うのはインピーダンスミスマッチであり、PCIeでストレージを直結するNVMeでは、論理的にも従来のAPIを介さずに直接制御することが考慮されている。既に、それに対応した を実装・製造した報告もある。また個別の（プロプライエタリな）ソリューションでは ioMemory（を参照）などがある。さらに21世紀に入った後、研究開発が以前に比べ盛んになってきている、フラッシュメモリ以外の不揮発性メモリが主記憶用として代替になる可能性もあり、そうなった場合にはシステム全体が以前とは大きく変わると見込んで「ノーマリーオフコンピューティング」として検討が始まっている。実用面では、従来のDRAMモジュールに不揮発性メモリも混載するハイブリッドモジュールのための、「NVDIMM」（Non Volatile DIMM）と呼ばれているものの仕様が標準化（DDR4の追加規格）されるなどしている。