フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
電子媒体
フラッシュメモリを使ったUSBメモリやFlash SSD、各種メモリーカード（SDメモリーカード、コンパクトフラッシュなど）が該当する。テープメディアやディスクメディアと異なり完全な電子機器であるので、電気系のトラブル（接続や切断時の電気ショック、静電気、ショート、落雷など）に弱く、場合によっては故障する虞がある。構造上の問題から、特定ブロックへの書き込み集中を回避する構造を持たないタイプは書き込みに対する耐性が極端に低く、回避する構造を持つタイプでも磁気ディスクのそれには及ばないものが大半である。したがって極端に書き換え頻度の高い使用をすると、数年と持たずに寿命が尽きる。