フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
メモリースティック
なお、発売当初は10MB/sの高速転送に対応したソニー製メモリースティックPROメディアがフラッシュメモリの供給状況の影響を受け、発売延期・生産終了・再発売などの発表が短期間に連続して行われる、大容量メディアと一部旧機器の間で互換性問題が発生するなど、いくつかの混乱が散見された。