フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
アドックス
シュロイスナー博士は、1895年（明治28年）にヴィルヘルム・レントゲンが発見したX線を記録する媒体としての写真乾板を、世界で初めて開発する。「シュロイスナー＝レントゲン賞」に名を残すことになる。