フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
NVM Express
NVMは、SSDの中に広く用いられているフラッシュメモリ、つまり"non-volatile memory"の頭文字を取ったものである。論理デバイスインターフェースとしてのNVM Expressは、近代的なCPU、プラットフォーム、アプリケーションの並列性を反映するように、フラッシュメモリーベースのストレージとして、その低いレイテンシ、内部並列性を最大限利用するようデザインされた。