フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
レーストラック・メモリ
IBMが2008年4月10日に概念と基礎実験の結果を発表した。レーストラック・メモリは大容量と高速、低消費電力、不揮発性、低コストを兼ね備えるとされる。レーストラック・メモリの基本的な原理は、磁気メモリでHDDとMRAMの特長を兼ね備え、細長いワイヤ状の磁性体(磁気ナノワイヤ)を磁区で細かく区切り、磁区における磁化の方向でデータを記録し、読み出すのでフラッシュメモリのように電荷の移動を伴わないため、書き込み、読み出しの高速化が可能。