フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
不揮発性メモリ
不揮発性メモリには、ROM、フラッシュメモリ、ほとんどの種類の磁気記憶装置（ハードディスクドライブ、フロッピーディスク、磁気テープなど）、光ディスク、初期のコンピュータで使われた紙テープやパンチカードなどがある。アドレスを電気的に指定するもの（半導体メモリなど）と機械的に指定するもの（ハードディスク、光ディスク、磁気テープなど）に分類され、電気的にアドレス指定するものはビット単価が高価だが高速であり、機械的に指定するものはビット単価が安いが低速である。