フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
強誘電体メモリ
SrBiTaO（タンタル酸ビスマスストロンチウム）(Bi,Ln)TiO Ln=La, Nd, Pr, etc. 世界で初めてFeRAMを実用化したのはレイコム・システムズである。それは256bits品で非接触ICカードでの利用をターゲットとして開発された。