フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
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東芝・オリンパス・富士写真フイルム（当時）・東京エレクトロン・セガの5社で結成したSSFDCフォーラムによって規格策定され、1995年から市販された。CF・SDなどでも幅広く採用されたNAND型フラッシュメモリを用いている。