フラッシュメモリ
主要な種別はNAND型フラッシュメモリとNOR型フラッシュメモリの2種である。それぞれの基本的な特徴は次の通り。
書き込みがブロック単位であることはどちらも共通である。歴史的には、最初のフラッシュメモリとして発明されたのはNOR型で、続いてNAND型が発明された。いずれの発明も当時東芝の舛岡富士雄による。普及については主としてインテルによりNOR型が先行して市場に広がった。現在は、NAND型が東芝メモリとサンディスクとサムスン、NOR型がマイクロンとスパンション、といったところが大手である。
不揮発性メモリ
フラッシュメモリは、基本的にはEEPROMそのものである。しかし、一般のEEPROMと異なった構造に工夫があり、また消去の単位をブロックまたはページと呼ばれる単位として、密度と扱いやすさのバランスを取ったメモリである。EEPROMよりも記憶容量が大きくできることなどもあり、1990年代ごろからパーソナルコンピュータのBIOSチップなどをEEPROMから置き換えた他、2000年前後からはデジタルカメラなど電子機器でハードディスクが適さないものなどに多用されるようになり、メモリーカードの類が生産されるようになった。200x年代中旬以降はUSBストレージ（USBメモリ、いわゆるUSBスティック）として比較的小容量のストレージが、SSDとして比較的大容量のストレージが、主にノートパソコン等用を中心に大量生産されるようになった。