フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
ブロック (データ)
フラッシュ・メモリは、高性能化や小面積実装のため、ある一定数のメモリ素子の消去ゲートを共有する構造を特徴とする。この最小消去単位がブロックと呼ばれる。