フラッシュメモリ
主要な種別はNAND型フラッシュメモリとNOR型フラッシュメモリの2種である。それぞれの基本的な特徴は次の通り。
書き込みがブロック単位であることはどちらも共通である。歴史的には、最初のフラッシュメモリとして発明されたのはNOR型で、続いてNAND型が発明された。いずれの発明も当時東芝の舛岡富士雄による。普及については主としてインテルによりNOR型が先行して市場に広がった。現在は、NAND型が東芝メモリとサンディスクとサムスン、NOR型がマイクロンとスパンション、といったところが大手である。
スパンション
2003年にAMDと富士通のフラッシュメモリ部門の統合が発表され、2003年8月にアメリカサニーベール (カリフォルニア州)に新会社FASL LLCを、東京にFASL JAPANを設立し、会津若松のFASLは新会社に吸収された。出資比率はAMDが60%、富士通が40%で日米両国に本社を構える体制となっている。
製造するフラッシュメモリのブランドはSpansion（スパンション）と発表された。NOR型フラッシュメモリではトップシェアとなる。生産拠点は福島県会津若松市でテキサス州にも工場を持つ。フラッシュメモリにおける技術開発、半導体製造では携帯電話から組込み向けまで、幅広いラインナップを持つ。2004年6月に会社名をSpansionに変更。日本法人はスパンション・ジャパンとなり本社は後に神奈川県川崎市となった。