フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
東芝
メモリーでは、1985年（昭和60年）に世界初となる1メガビットCMOSのDRAMを開発。メモリー開発分野で世界トップとなった。だが、1990年代に入ってから韓国など海外に技術者が流出し、DRAMではサムスン電子にシェアを奪われた。当初は半導体技術者が、サムスン電子に技術情報をリークしていたが、後に東芝が公式に技術提供を行うようになった。この結果、東芝はマーケットシェアを失った。