フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
メモリースティック
メモリースティックは1997年7月17日にソニーから発表された。ソニーのVAIOセンター、富士通などによる共同開発で、アイワ（初代法人）、オリンパス、カシオ計算機、三洋電機、シャープ、ソニーが発表時から協賛していた。