フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
マイクロンメモリジャパン
マイクロンメモリジャパン（ 、略称:MMJ）は、最先端メモリ製品の開発、設計および生産を事業とする半導体メーカーで、主にDRAM、NAND型フラッシュメモリの製造を行う。