フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
フラッシュ (DCコミックス)
この原理を発見したのは、3代目フラッシュだった。このリンクを強化することで彼は光速で走れるようになり、歴代フラッシュ最速となっている。