フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
フェアチャイルドセミコンダクター
カーターの後任は当然ノイスだと見られていたが、取締役会は彼を選ばなかった。シャーマンが取締役会を誘導してリチャード・ホジスンが社長に就任。数カ月後、ノイスが経営委員会を結成してホジスンを辞任させると、シャーマン・フェアチャイルドはノイス以外の新CEOを探し始めた。それを察知したノイスは研究開発部門責任者だったゴードン・ムーアと新会社を創業する計画を慎重に進めた。1968年、2人はフェアチャイルドを辞めてインテルを創業。間もなくアンドルー・グローヴを引き抜き、同時にフェアチャイルドの研究所で生まれた革新的なMOSシリコンゲート技術 (SGT) を入手した。MOS-SGTを生み出したのはフェデリコ・ファジンである。フェアチャイルドでは、SGTが単に高速・高信頼・高密度の集積回路製造技術というだけでない可能性を秘めていることは、すぐには理解されなかった。例えば、CCDイメージセンサ、DRAM、EPROMやフラッシュメモリなどの不揮発性メモリもMOS-SGTが基盤となっている。インテルはSGTをメモリ開発にすぐさま応用した。フェデリコ・ファジンはフェアチャイルド内で不満を溜め、1970年にインテルに移り、SGTを使った最初のマイクロプロセッサ設計に携わることになった。インテルの出資者としては、ホジスンとフェアチャイルド創設メンバー5人が名を連ねている。