フラッシュメモリ
主要な種別はNAND型フラッシュメモリとNOR型フラッシュメモリの2種である。それぞれの基本的な特徴は次の通り。
書き込みがブロック単位であることはどちらも共通である。歴史的には、最初のフラッシュメモリとして発明されたのはNOR型で、続いてNAND型が発明された。いずれの発明も当時東芝の舛岡富士雄による。普及については主としてインテルによりNOR型が先行して市場に広がった。現在は、NAND型が東芝メモリとサンディスクとサムスン、NOR型がマイクロンとスパンション、といったところが大手である。
東芝
メモリーでは、1985年（昭和60年）に世界初となる1メガビットCMOSのDRAMを開発。メモリー開発分野で世界トップとなった。だが、1990年代に入ってから韓国など海外に技術者が流出し、DRAMではサムスン電子にシェアを奪われた。当初は半導体技術者が、サムスン電子に技術情報をリークしていたが、後に東芝が公式に技術提供を行うようになった。この結果、東芝はマーケットシェアを失った。