フラッシュメモリ
主要な種別はNAND型フラッシュメモリとNOR型フラッシュメモリの2種である。それぞれの基本的な特徴は次の通り。
書き込みがブロック単位であることはどちらも共通である。歴史的には、最初のフラッシュメモリとして発明されたのはNOR型で、続いてNAND型が発明された。いずれの発明も当時東芝の舛岡富士雄による。普及については主としてインテルによりNOR型が先行して市場に広がった。現在は、NAND型が東芝メモリとサンディスクとサムスン、NOR型がマイクロンとスパンション、といったところが大手である。
フェアチャイルドセミコンダクター
カーターの後任は当然ノイスだと見られていたが、取締役会は彼を選ばなかった。シャーマンが取締役会を誘導してリチャード・ホジスンが社長に就任。数カ月後、ノイスが経営委員会を結成してホジスンを辞任させると、シャーマン・フェアチャイルドはノイス以外の新CEOを探し始めた。それを察知したノイスは研究開発部門責任者だったゴードン・ムーアと新会社を創業する計画を慎重に進めた。1968年、2人はフェアチャイルドを辞めてインテルを創業。間もなくアンドルー・グローヴを引き抜き、同時にフェアチャイルドの研究所で生まれた革新的なMOSシリコンゲート技術 (SGT) を入手した。MOS-SGTを生み出したのはフェデリコ・ファジンである。フェアチャイルドでは、SGTが単に高速・高信頼・高密度の集積回路製造技術というだけでない可能性を秘めていることは、すぐには理解されなかった。例えば、CCDイメージセンサ、DRAM、EPROMやフラッシュメモリなどの不揮発性メモリもMOS-SGTが基盤となっている。インテルはSGTをメモリ開発にすぐさま応用した。フェデリコ・ファジンはフェアチャイルド内で不満を溜め、1970年にインテルに移り、SGTを使った最初のマイクロプロセッサ設計に携わることになった。インテルの出資者としては、ホジスンとフェアチャイルド創設メンバー5人が名を連ねている。