フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
東芝メモリ
もともと、世界で先駆けてNAND型フラッシュメモリを開発し、製品化した東芝が、1992年（平成4年）に初めて量産を開始したのは岩手東芝エレクトロニクス（現・ジャパンセミコンダクター岩手事業所）においてであり、約四半世紀の時を経て、NAND型フラッシュメモリの量産拠点が岩手に戻ってくることとなった。