フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
東芝メモリ
8月1日付で、買収目的会社であった株式会社Pangeaは（旧）東芝メモリを吸収合併し、商号を「東芝メモリ」に変更した。これをもって一連の買収手続きが完了した。東芝は、舛岡富士雄を中心にフラッシュメモリの開発を進め、1980年にNOR型フラッシュメモリを、1986年にNAND型フラッシュメモリを発明した。