フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
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フラッシュメモリを使う製品では機構が全て電子回路で構成され、振動に弱いハードディスクや光学ディスクなどの可動部を持たないため、加速・衝撃に強いなどの利点が存在する。ハードディスクや光学ディスクは大容量に対応した、据え置き使用を前提とする機器に、フラッシュメモリ型は振動や衝撃にさらされる事の多い携帯型の機器にといった「住み分け」がみられる。