フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
抵抗変化型メモリ
一方オランダのフィリップスの研究所は、安価な薄膜のチタン酸鉛を用いて1994年に室温での電界誘起による電気抵抗変化を実現したが、変化率が小さいという問題があった。しかし、2000年にヒューストン大学のZhuangらは室温でPCMO薄膜と銀・白金の界面で数十倍もの抵抗変化に成功し、同年にIBMもクロムを添加したチタン酸ストロンチウムで室温実験に成功して動作メカニズムについて発表を行ない、この頃から実用化へ向けた研究が急速に進展している。
2002年には、シャープが同社のアメリカ法人およびヒューストン大学と共同で、PCMO薄膜を用いた64ビットのReRAMデバイスを学会で発表している。