フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。
スパンション
2003年にAMDと富士通のフラッシュメモリ部門の統合が発表され、2003年8月にアメリカサニーベール (カリフォルニア州)に新会社FASL LLCを、東京にFASL JAPANを設立し、会津若松のFASLは新会社に吸収された。出資比率はAMDが60%、富士通が40%で日米両国に本社を構える体制となっている。
製造するフラッシュメモリのブランドはSpansion（スパンション）と発表された。NOR型フラッシュメモリではトップシェアとなる。生産拠点は福島県会津若松市でテキサス州にも工場を持つ。フラッシュメモリにおける技術開発、半導体製造では携帯電話から組込み向けまで、幅広いラインナップを持つ。2004年6月に会社名をSpansionに変更。日本法人はスパンション・ジャパンとなり本社は後に神奈川県川崎市となった。