舛岡富士雄
舛岡 富士雄（ますおか ふじお、1943年5月8日 - ）は日本の電子工学研究者。東北大学名誉教授。フラッシュメモリの発明者である。半導体事業は莫大な初期投資費用がかかるため、東芝在籍時には厚遇されていなかったが半導体需要の激増でフラッシュメモリは一大産業に成長している。
抵抗変化型メモリ
一方オランダのフィリップスの研究所は、安価な薄膜のチタン酸鉛を用いて1994年に室温での電界誘起による電気抵抗変化を実現したが、変化率が小さいという問題があった。しかし、2000年にヒューストン大学のZhuangらは室温でPCMO薄膜と銀・白金の界面で数十倍もの抵抗変化に成功し、同年にIBMもクロムを添加したチタン酸ストロンチウムで室温実験に成功して動作メカニズムについて発表を行ない、この頃から実用化へ向けた研究が急速に進展している。
2002年には、シャープが同社のアメリカ法人およびヒューストン大学と共同で、PCMO薄膜を用いた64ビットのReRAMデバイスを学会で発表している。