フラッシュメモリ
主要な種別はNAND型フラッシュメモリとNOR型フラッシュメモリの2種である。それぞれの基本的な特徴は次の通り。
書き込みがブロック単位であることはどちらも共通である。歴史的には、最初のフラッシュメモリとして発明されたのはNOR型で、続いてNAND型が発明された。いずれの発明も当時東芝の舛岡富士雄による。普及については主としてインテルによりNOR型が先行して市場に広がった。現在は、NAND型が東芝メモリとサンディスクとサムスン、NOR型がマイクロンとスパンション、といったところが大手である。
東芝メモリ
1993年（平成5年）に「第1製造棟」が本格稼働してDRAMの生産を始めて以来、工場は拡張を繰り返してきた。1996年（平成8年）には「第2製造棟」の稼働が開始した。インターネット・バブル崩壊後、四日市工場は停滞期を経験したが、主力製品がNAND型フラッシュメモリに移行した後は、需要の急拡大に合わせて、工場の拡張が急速に進められた。