Transistor sambungan dwikutub
Jenis lain dari BJT adalah PNP,
Transistor PNP terdiri dari selapis semikonduktor tipe-n di antara dua lapis semikonduktor tipe-p. Arus kecil yang meninggalkan basis pada moda tunggal emitor dikuatkan pada keluaran kolektor. Dengan kata lain, transistor PNP hidup ketika basis lebih rendah daripada emitor.
Tanda panah pada simbol diletakkan pada emitor dan menunjuk kedalam.
Hafnium dioksida
Hafnia digunakan dalam lapisan optik, dan sebagai kapasitor dielektrik κ tinggi] pada kapasitor DRAM dan di perangkat semikonduktor logam oksida modern. Oksida berbasis Hafnium diperkenalkan oleh Intel pada tahun 2007 sebagai pengganti silikon oksida sebagai isolator gerbang dalam transistor efek–medan. Keuntungan transistor jenis ini adalah konstanta dielektrik yang tinggi: monstanta dielektrik HfO adalah 4–6 kali lebih tinggi daripada SiO. Konstanta dielektrik dan sifat lainnya bergantung pada metode deposisi, komposisi dan struktur mikro material.