MOSFET
Transistor efek-medan semikonduktor logam-oksida (MOSFET) adalah salah satu jenis transistor efek medan. Prinsip dasar perangkat ini pertama kali diusulkan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada tahun 1925 . MOSFET mencakup kanal dari bahan semikonduktor tipe-N dan tipe-P, dan disebut NMOSFET atau PMOSFET (juga biasa nMOS, pMOS). Ini adalah transistor yang paling umum pada sirkuit digital maupun analog, namun transistor sambungan dwikutub pada satu waktu lebih umum.
Transistor efek medan semikonduktor-logam
Transistor efek medan semikonduktor logam (MESFET) adalah salah satu jenis transistor efek medan. MESFET hampir serupa dengan JFET dalam hal konstruksi dan terminologi, perbedaannya adalah MESFET tidak menggunakan sambungan p-n sebagai gerbang tetapi menggunakan pertemuan logam-semikonduktor Schottky. MESFET biasanya dibuat di teknologi semikonduktor majemuk untuk mengurangi pemasif permukaan mutu tinggi seperti galium arsenid (GaAs), indium fosfida (InP), atau Silikon karbida (SiC). MESFET lebih cepat, tetapi juga lebih mahal daripada JFET atau MOSFET yang berbasis silikon. MESFET dapat digunakan hingga frekuensi kira-kira 30 GHz, dan biasanya digunakan untk komunikasi frekuensi gelombang mikro dan radar. Untuk penggunaan dalam sirkuit digital, sangat sulit menggunakan MESFET untuk dasar dari sirkuit terpadu digital karena besarnya pemaduan terus meningkat, dan mutunya yang tidak lebih baik dari produksi berbasis CMOS.