Transistor sambungan dwikutub
BJT terdiri dari tiga daerah semikonduktor yang berbeda pengotorannya, yaitu daerah "emitor", daerah "basis" dan daerah "kolektor". Daerah-daerah tersebut adalah tipe-p, tipe-n dan tipe-p pada transistor PNP, dan tipe-n, tipe-p dan tipe-n pada transistor NPN. Setiap daerah semikonduktor disambungkan ke saluran yang juga dinamai "emitor" (E), "basis" (B) dan "kolektor" (C).
"Basis" secara fisik terletak di antara "emitor" dan "kolektor", dan dibuat dari bahan semikonduktor terkotori ringan resistivitas tinggi. Kolektor mengelilingi daerah emitor, membuat hampir tidak mungkin untuk mengumpulkan elektron yang diinjeksikan ke daerah basis untuk melarikan diri, membuat harga α sangat dekat ke satu, dan juga memberikan β yang lebih besar. Irisan dari BJT menunjukkan bahwa pertemuan kolektor-basis jauh lebih besar dari pertemuan kolektor-basis.
Transistor pertemuan dwikutub tidak seperti transistor lainnya karena biasanya bukan merupakan peranti simetris. Ini berarti dengan mempertukarkan kolektor dan emitor membuat transistor meninggalkan moda aktif-maju dan mulai beroperasi pada moda terbalik. Karena struktur internal transistor dioptimalkan untuk operasi moda aktif-maju, mempertukarkan kolektor dan emitor membuat harga α dan β pada operasi mundur jauh lebih kecil dari harga operasi maju, seringkali α bahkan kurang dari 0.5. Buruknya simetrisitas terutama dikarenakan perbandingan pengotoran pada emitor dan kolektor. Emitor dikotori berat, sedangkan kolektor dikotori ringan, memungkinkan tegangan panjar terbalik yang besar sebelum pertemuan kolektor-basis bobol. Pertemuan kolektor-basis dipanjar terbalik pada operasi normal. Alasan emitor dikotori berat adalah untuk memperbesar efisiensi injeksi, yaitu perbandingan antara pembawa yang diinjeksikan oleh emitor dengan yang diinjeksikan oleh basis. Untuk penguatan arus yang tinggi, hampir semua pembawa yang diinjeksikan ke pertemuan emitor-basis harus datang dari emitor.
Perubahan kecil pada tegangan yang dikenakan membentangi saluran basis-emitor menyebabkan arus yang mengalir di antara emitor dan kolektor untuk berubah dengan signifikan. Efek ini dapat digunakan untuk menguatkan tegangan atau arus masukan. BJT dapat dianggap sebagai sumber arus terkendali tegangan, lebih sederhana dianggap sebagai sumber arus terkendali arus, atau penguat arus, dikarenakan rendahnya impedansi pada basis.
Transistor-transistor awal dibuat dari germanium tetapi hampir semua BJT modern dibuat dari silikon. Beberapa transistor juga dibuat dari galium arsenid, terutama untuk penggunaan kecepatan tinggi.
Bantuan langsung tunai
Kecurigaan bahwa BLT sebagai alat penarik simpati berkembang karena pemberian BLT selalu bertepatan dengan masa-masa pemilihan umum. Beberapa akademisi maupun kritikus menganggap program BLT yang diselenggarakan presiden Susilo Bambang Yudhoyono adalah semata-mata demi meningkatkan popularitas partainya yang sedang menurun. Kecurigaan tersebut diucapkan pada sebuah seminar diskusi di Universitas Gadjah Mada:
Sebelumnya BLT dianggap sukses pada tahun 2005 tepat setelah SBY dilantik menjadi presiden, lalu diwujudkan kembali pada tahun 2009 di saat musim pemilihan presiden. Hingga pada tahun 2013, kecurigaan kembali menguat ketika program BLT kembali digelontorkan tepat menjelang musim pemilu. Hal ini sama seperti pada tahun 2009, hanya saja program tersebut berganti nama menjadi Bantuan Langsung Sementara Masyarakat (BLSM). Para pengamat pun mengatakan, program BLT sebenarnya tidak diperlukan sebagai kompensasi jelang kenaikan harga BBM, karena masyarakat Indonesia tidak terkena imbas berupa kesulitan ekonomi pasca kenaikan BBM. Program BLT juga disinyalir rawan manipulasi politik dalam hal pengelolaannya. Strategi manipulasi itu mencakup jangka waktu distribusi, jumlah penerima, metode pembagian bantuan, serta landasan hukum yang menyertainya.