Transistor sambungan dwikutub
BJT terdiri dari tiga daerah semikonduktor yang berbeda pengotorannya, yaitu daerah "emitor", daerah "basis" dan daerah "kolektor". Daerah-daerah tersebut adalah tipe-p, tipe-n dan tipe-p pada transistor PNP, dan tipe-n, tipe-p dan tipe-n pada transistor NPN. Setiap daerah semikonduktor disambungkan ke saluran yang juga dinamai "emitor" (E), "basis" (B) dan "kolektor" (C).
"Basis" secara fisik terletak di antara "emitor" dan "kolektor", dan dibuat dari bahan semikonduktor terkotori ringan resistivitas tinggi. Kolektor mengelilingi daerah emitor, membuat hampir tidak mungkin untuk mengumpulkan elektron yang diinjeksikan ke daerah basis untuk melarikan diri, membuat harga α sangat dekat ke satu, dan juga memberikan β yang lebih besar. Irisan dari BJT menunjukkan bahwa pertemuan kolektor-basis jauh lebih besar dari pertemuan kolektor-basis.
Transistor pertemuan dwikutub tidak seperti transistor lainnya karena biasanya bukan merupakan peranti simetris. Ini berarti dengan mempertukarkan kolektor dan emitor membuat transistor meninggalkan moda aktif-maju dan mulai beroperasi pada moda terbalik. Karena struktur internal transistor dioptimalkan untuk operasi moda aktif-maju, mempertukarkan kolektor dan emitor membuat harga α dan β pada operasi mundur jauh lebih kecil dari harga operasi maju, seringkali α bahkan kurang dari 0.5. Buruknya simetrisitas terutama dikarenakan perbandingan pengotoran pada emitor dan kolektor. Emitor dikotori berat, sedangkan kolektor dikotori ringan, memungkinkan tegangan panjar terbalik yang besar sebelum pertemuan kolektor-basis bobol. Pertemuan kolektor-basis dipanjar terbalik pada operasi normal. Alasan emitor dikotori berat adalah untuk memperbesar efisiensi injeksi, yaitu perbandingan antara pembawa yang diinjeksikan oleh emitor dengan yang diinjeksikan oleh basis. Untuk penguatan arus yang tinggi, hampir semua pembawa yang diinjeksikan ke pertemuan emitor-basis harus datang dari emitor.
Perubahan kecil pada tegangan yang dikenakan membentangi saluran basis-emitor menyebabkan arus yang mengalir di antara emitor dan kolektor untuk berubah dengan signifikan. Efek ini dapat digunakan untuk menguatkan tegangan atau arus masukan. BJT dapat dianggap sebagai sumber arus terkendali tegangan, lebih sederhana dianggap sebagai sumber arus terkendali arus, atau penguat arus, dikarenakan rendahnya impedansi pada basis.
Transistor-transistor awal dibuat dari germanium tetapi hampir semua BJT modern dibuat dari silikon. Beberapa transistor juga dibuat dari galium arsenid, terutama untuk penggunaan kecepatan tinggi.
Ina-TEWS
Cara kerja dari TWS ini terbilang cukup rumit, karena melibatkan banyak pihak seperti badan regional, nasional, daerah, hingga internasional. Pada terjadi gempa, seismograf akan mencatat dan memberikan info tentang lokasi gempa, besaran gempa, hingga waktunya. Lalu data tersebut akan diintegrasikan pada DSS (Device Support System) sehingga dapat diketahui bahwa gempa tersebut akankah berpotensi menjadi tsunami atau tidak. Data itu pun harus disamakan dulu dengan data yang diperoleh dari buoy atau OBU. Bila data tersebut memang berpotensi menimbulkan tsunami, maka BMKG akan mengeluarkan info peringatan tsunami kepada masyarakat. Data dikirim secara aktif oleh OBU melalui underwater acoustic modem yang nantinya akan sampai ke tsunami buoy yang terpasang di permukaan laut. Kemudian, data yang diterima buoy akan ditransmisikan via satelit ke pusat pemantau tsunami Read Down Station (RDS) di BPPT. Alat inilah yang berfungsi merekam kedatangan gelombang tsunami. lalu diteruskan ke Warning Center di BMKG.