MOSFET
Sebuah transistor efek-medan semikonduktor–logam–oksida (MOSFET) adalah berdasarkan pada modulasi konsentrasi muatan oleh kapasitansi MOS di antara elektrode badan dan elektrode gerbang yang terletak di atas badan dan diisolasikan dari semua daerah peranti dengan sebuah lapisan dielektrik gerbang yang dalam MOSFET adalah sebuah oksida, seperti silikon dioksida. Jika dielektriknya bukan merupakan oksida, peranti mungkin disebut sebagai FET semikonduktor–logam–terisolasi (MISFET) atau FET gerbang–terisolasi (IGFET). MOSFET menyertakan dua saluran tambahan yaitu sumber dan cerat yang disambungkan ke daerah dikotori berat tersendiri yang dipisahkan dari daerah badan. Daerah tersebut dapat berupa tipe-p ataupun tipe-n, tetapi keduanya harus dari tipe yang sama, dan berlawanan tipe dengan daerah badan. Daerah sumber dan cerat yang dikotori berat biasanya ditandai dengan '+' setelah tipe pengotor. Sedangkan daerah yang dikotori ringan tidak diberikan tanda.
Wolfram
Wolfram ada dalam dua bentuk kristal utama: α dan β. Bentuk pertama memiliki struktur kubus pusat badan dan bentuknya lebih stabil. Struktur fase β disebut A15 kubik; ia metastabil, namun dapat berdampingan dengan fasa α pada kondisi ambien karena sintesis atau stabilisasi non-ekuilibrium oleh ketakmurnian. Bertentangan dengan fase α yang mengkristal dalam butir isometrik, bentuk β menunjukkan perawakan kolumnar. Fasa α memiliki sepertiga resistivitas listrik dan suhu transisi superkonduksi T yang jauh lebih rendah dibandingkan fase β: ca. 0,015 K vs 1-4 K; mencampur dua fase memungkinkan memperoleh nilai T menengah. Nilai T juga dapat dinaikkan dengan memadukan wolfram dengan logam lain (misalnya 7,9 K untuk W-Tc). Paduan wolfram semacam itu kadang-kadang digunakan pada sirkuit superkonduksi suhu rendah.