Transistor efek–medan
Semua FET mempunyai sebuah saluran gerbang (gate), cerat (drain) dan sumber (source) yang kira-kira sama dengan basis, kolektor dan emitor pada BJT. Selain JFET, semua FET juga mempunyai saluran keempat yang dinamakan badan, dasar atau substrat. Saluran keempat ini melayani kegunaan teknis dalam pemanjaran transistor kedalam titik operasi. Terminal ini sangat jarang digunakan pada desain sirkuit, tetapi keberadaannya penting saat merancang penataan sirkuit terpadu.
Transistor pergerakan-elektron tinggi
Transistor pergerakan elektron tinggi (HEMT), juga disebut dengan FET struktur-taksejenis (HFET) atau FET terkotori-modulasi(MODFET). HEMT adalah sebuah transistor efek medan yang mencakup sebuah pertemuan antara dua bahan dengan celah-jalur yang berbeda (dengan kata lain, pertemuan taksejenis) sebagai bahan kanal, bukannya daerah terkotori seperti pada MOSFET pada umumnya. Kombinasi bahan yang umum adalah Galium arsenid (GaAs) dengan Aluminium galium arsenid (AlGaAs), walaupun begitu ada berbagai variasi berbeda, tergantung pada penggunaan utama peranti. Peranti yang menggunakan lebih banyak indium menunjukkan performansi frekuensi tinggi yang lebih baik, sedangkan akhir-akhir ini penelitian untuk penggunaan galium nitrit sangat meningkat dikarenakan kemampuannya menangani daya tinggi.