Transistor efek–medan
Semua FET mempunyai sebuah saluran gerbang (gate), cerat (drain) dan sumber (source) yang kira-kira sama dengan basis, kolektor dan emitor pada BJT. Selain JFET, semua FET juga mempunyai saluran keempat yang dinamakan badan, dasar atau substrat. Saluran keempat ini melayani kegunaan teknis dalam pemanjaran transistor kedalam titik operasi. Terminal ini sangat jarang digunakan pada desain sirkuit, tetapi keberadaannya penting saat merancang penataan sirkuit terpadu.
Transistor sambungan-paduan
Dalam metode pertemuan-paduan, transistor-transistor dibuat secara individual. Dua butir indium yang merupakan suatu kotoran akseptor, diletakan pada sisi-sisi berlawanan suatu kepingan tipis germanium tipe-N (setebal 50 formula_1m). Rakitan kecil ini dipanaskan sampai 500C, yaitu diatas titik lebur indium tetapi dibawah titik lebur germanium, untuk menciptakan dua daerah-P. Daerah-P ini akan menjadi emitor dan kolektor dengan ruang-N tipis yang membentuk daerah basis. Kemudian kabel-kabel disambungkan dengan disolder atau dilas, dan transistor disimpan rapat dalam kaleng.