Transistor sambungan dwikutub
Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis (HBT) adalah sebuah penyempurnaan BJT sehingga dapat menangani isyarat frekuensi sangat tinggi hingga beberapa ratus GHz. Sekarang sering digunakan dalam sirkuit ultracepat, terutama sistem RF.
Transistor pertemuan-taksejenis mempunyai semikonduktor yang berbeda untuk tiap unsur dalam transistor. Biasanya emitor dibuat dari bahan yang memiliki celah-jalur lebih besar dari basis. Ilustrasi menunjukkan perbedaan celah-jalur memungkinkan penghalang lubang untuk menginjeksikan lubang kembali ke basis (diperlihatkan sebagai Δφ), dan penghalang elektron untuk menginjeksikan ke basis (Δφ). Susunan penghalang ini membantu mengurangi injeksi pembawa minoritas dari basis ketika pertemuan emitor-basis dipanjar terbalik, dan dengan demikian mengupansi arus basis dan menaikkan efisiensi injeksi emitor.
Injeksi pembawa menuju ke basis yang telah diperbaiki memungkinkan basis untuk dikotori lebih berat, menghasilkan resistansi yang lebih rendah untuk mengakses elektrode basis. Dalam BJT tradisional, atau BJT pertemuan-sejenis, efisiensi injeksi pembawa dari emitor ke basis terutama dipengaruhi oleh perbandingan pengotoran di antaran emitor dan basis, yang berarti basis harus dikotori ringan untuk mendapatkan efisiensi injeksi yang tinggi, membuat resistansioya relatif tinggi. Sebagai tambahan, pengotoran basis yang lebih tinggi juga memperbaiki karakteristik seperti tegangan mula dengan membuat basis lebih sempit.
Pembedaan tingkat komposisi dalam basis, misalnya dengan menaikkan jumlah germanium secara progresif pada transistor SiGe, menyebabkan gradien dalam celah-jalur di basis netral (ditunjukkan sebagai Δφ), memberikan medan terpatri di dalam yang membantu pengangkutan elektron melewati basis. Komponen alir tersebut membantu pengangkutan sebaran normal, menaikkan respons frekuensi transistor dengan memperpendek waktu pemindahan melewati basis.
Dua HBT yang paling sering digunakan adalah silikon-germanium dan aluminium arsenid, tetapi jenis semikonduktor lain juga bisa digunakan untuk struktur HBT. Struktur HBT biasanya dibuat dengan teknik epitaksi, seperti epitaksi fase uap logam-organik dan epitaksi sinar molekuler.
Berlin U-Bahn
Tiket BVG dikeluarkan untuk jangka waktu tertentu, dan membutuhkan validasi di mesin stempel sebelum dapat digunakan. Validasi menunjukkan tanggal dan waktu pertama penggunaan, dan dari mana tiket tersebut divalidasi (dalam kode), dan juga kapan tiket kedaluwarsa. Sebagai contoh, saat divalidasi, Tiket Harian memungkinkan pemakaian tanpa batas, namun akan kedaluwarsa pada pukul 3 pagi hari berikutnya. Tidak seperti sebagian besar sistem metro yang lain, tiket di Berlin tidak diperiksa sebelum memasuki stasiun trem, S-Bahn dan U-Bahn, namun terdapat pengecekan di dalam secara acak oleh petugas yang mempunyai hak untuk melihat tiket masing-masing penumpang. Penumpang yang ditemukan tanpa tiket atau menggunakan tiket kedaluwarsa akan didenda: 40 euro per insiden. Penumpang diharuskan membayar di tempat, dan diharuskan juga pada saat yang sama menunjukkan alamat jelas untuk pengiriman surat denda (tidak harus di Jerman). Pada insden ketiga, BVG akan menghadirkan pelaku ke pengadilan, dan kemudian dicatat melakukan tindakan kriminal 'menumpang tanpa membayar'.Jaringan telepon seluler GSM (GSM-900 dan GSM-1800) secara penuh tersedia di stasiun dan terowongan U-Bahn. Sistem ini ditempatkan pada tahun 1995 untuk jaringan E-Plus, dan merupakan salah satu sistem metro pertama yang memungkinkan penggunaan telepon seluler; pada akhir tahun 1990an jarinagn lain juga dapat menggunakan sistem ini.