لیتوگرافی اشعه ایکس
لیتوگرافی اشعه ایکس بعنوان کاندید برای لیتوگرافی نسل بعدی برای صنعت نیمه هادی ها با دسته هایی از ریزپردازنده ها با موفقیت معرفی شده است. داشتن طول موج کوتاه (زیر 1 نانومتر) اشعه ایکس، بر محدودیت‌های پراش لیتوگرافی نوری غلبه میکند و امکان ایجاد اندازه‌های کوچک‌تر را فراهم میکند. اگر منبع اشعه ایکس همسو و هم جهت نباشد، مانند تابش سنکروترون، از آینه‌های تقلیل‌دهنده اولیه یا عدسی‌های پراش به جای عدسی‌های انکساری مورد استفاده در اپتیک استفاده می‌شود تا اشعه ها را متمرکز تر و با بازدهی بیشتر ساتع نماید. اشعه ایکس ماسکی را که در مجاورت یک ویفر با پوشش مقاوم قرار داده شده است، روشن می نماید. پرتوهای اشعه ایکس دارای باندی پهن میباشند، که معمولاً از یک منبع تشعشع سنکروترون فشرده و امکان قرار گرفتن در معرض سریع را فراهم میکنند. لیتوگرافی اشعه ایکس عمیق (DXRL) از طول موج های کوتاه تر مثلا در حد 0.1 نانومتر و روش های اصلاح شده مانند فرآیند (LIGA) برای ساخت ساختارهای عمیق و حتی بعضا سه بعدی استفاده می کند.
مقدار آبه
در اواخر دهه ۱۹۹۰، انکسار سنج‌های آبه با قابلیت اندازه‌گیری طول موج (به غیر از ۵۸۹ استاندارد نانومتر) در دسترس قرار گرفتند. این ابزارها برای رسیدن به طول موج مورد نظر از فیلترهای مخصوص استفاده می‌کنند و می‌توانند اندازه‌گیری را به خوبی در مادون قرمز نزدیک انجام دهند (گرچه برای دیدن اشعه مادون قرمز به یک نشانگر ویژه نیاز است). از انکسارسنج‌هایی با قدرت تشخیص چند طول موج، می‌توان برای تعیین مقدار آبه نمونه‌ها استفاده نمود. پیشرفته‌ترین دستگاه‌های امروزی از ابزارهای دارای اثر پالتیر جامد برای گرم کردن و خنک کردن دستگاه و نمونه استفاده می‌کنند و نیاز به حمام آب خارجی ندارند. نرم‌افزاری که به همراه اکثر دستگاه‌های فعلی عرضه مشود ویژگی‌هایی از قبیل مقیاس تعریف شده توسط کاربر، قابلیت برنامه‌ریزی توسط او و یک حافظه که چندین اندازه‌گیری آخر را ثبت می‌کند، را دارد. چندین تولیدکننده کنترلرهای قابل استفاده ای که قابلیت تبادل اطلاعات با کامپیوترهای مرتبط را دارند را ارائه می‌دهند.