لیتوگرافی اشعه ایکس
لیتوگرافی اشعه ایکس بعنوان کاندید برای لیتوگرافی نسل بعدی برای صنعت نیمه هادی ها با دسته هایی از ریزپردازنده ها با موفقیت معرفی شده است. داشتن طول موج کوتاه (زیر 1 نانومتر) اشعه ایکس، بر محدودیت‌های پراش لیتوگرافی نوری غلبه میکند و امکان ایجاد اندازه‌های کوچک‌تر را فراهم میکند. اگر منبع اشعه ایکس همسو و هم جهت نباشد، مانند تابش سنکروترون، از آینه‌های تقلیل‌دهنده اولیه یا عدسی‌های پراش به جای عدسی‌های انکساری مورد استفاده در اپتیک استفاده می‌شود تا اشعه ها را متمرکز تر و با بازدهی بیشتر ساتع نماید. اشعه ایکس ماسکی را که در مجاورت یک ویفر با پوشش مقاوم قرار داده شده است، روشن می نماید. پرتوهای اشعه ایکس دارای باندی پهن میباشند، که معمولاً از یک منبع تشعشع سنکروترون فشرده و امکان قرار گرفتن در معرض سریع را فراهم میکنند. لیتوگرافی اشعه ایکس عمیق (DXRL) از طول موج های کوتاه تر مثلا در حد 0.1 نانومتر و روش های اصلاح شده مانند فرآیند (LIGA) برای ساخت ساختارهای عمیق و حتی بعضا سه بعدی استفاده می کند.
رادیوگرافی پروجکشن
مفهوم عرض اکسپوژر (در معرض قرار دادن جسم مقابل اشعه ایکس) نزدیک به کنتراست رادیوگرافی است. عرض اکسپوژر محدوده ای از رخداد است که گیرنده تصویر با تراکم تشخیصی مفید پاسخ می‌دهد. به عبارت دیگر این «انعطاف پذیری» یا «اختیار» است که یک رادیوگرافی در هنگام تنظیم عوامل با آن مواجهه است. تصاویر دارای یک مقیاس کوتاه از کنتراست دارای عرض اکسپوژر وسیع هستند. تصاویر دارای کنتراست بلند مدت دارای عرض اکسپوژر گسترده هستند؛ به این ترتیب رادیوگرافی قادر خواهد بود از طیف گسترده‌ای از عوامل فنی برای تولید یک تصویر با کیفیت، استفاده کند.