لیتوگرافی اشعه ایکس
لیتوگرافی اشعه ایکس بعنوان کاندید برای لیتوگرافی نسل بعدی برای صنعت نیمه هادی ها با دسته هایی از ریزپردازنده ها با موفقیت معرفی شده است. داشتن طول موج کوتاه (زیر 1 نانومتر) اشعه ایکس، بر محدودیت‌های پراش لیتوگرافی نوری غلبه میکند و امکان ایجاد اندازه‌های کوچک‌تر را فراهم میکند. اگر منبع اشعه ایکس همسو و هم جهت نباشد، مانند تابش سنکروترون، از آینه‌های تقلیل‌دهنده اولیه یا عدسی‌های پراش به جای عدسی‌های انکساری مورد استفاده در اپتیک استفاده می‌شود تا اشعه ها را متمرکز تر و با بازدهی بیشتر ساتع نماید. اشعه ایکس ماسکی را که در مجاورت یک ویفر با پوشش مقاوم قرار داده شده است، روشن می نماید. پرتوهای اشعه ایکس دارای باندی پهن میباشند، که معمولاً از یک منبع تشعشع سنکروترون فشرده و امکان قرار گرفتن در معرض سریع را فراهم میکنند. لیتوگرافی اشعه ایکس عمیق (DXRL) از طول موج های کوتاه تر مثلا در حد 0.1 نانومتر و روش های اصلاح شده مانند فرآیند (LIGA) برای ساخت ساختارهای عمیق و حتی بعضا سه بعدی استفاده می کند.
فیلتر ایکس‌ری
برای مثال یک منبع پرتو ایکس مس می‌تواند پرتوهای ایکسی با طول موج‌های ۱۵۴ و ۱۳۹ پیکومتر ایجاد کند. لبهٔ جذب نیکل ۱۴۹ پیکومتر است که بین دو طول موج مس است. به همین دلیل استفاده از نیکل به عنوان فیلتر باعث می‌شود که طول موج ۱۳۹ پیکومتر مس که انرژی بیشتری نیز دارد نتواند از فیلتر نیکل عبور کند در حالی که به طول موج ۱۵۴ پیکومتر مس بدون کوچکترین کاهشی در سطح انرژی اش اجازه عبور می‌دهد. بر این اساس یک منبع پرتو ایکس مس با فیلتر نیکل می‌تواند یک اشعه تقریباً تک رنگ ایکس با فوتون‌هایی با طول موج ۱۵۴ پیکومتر ایجاد کند.