لیتوگرافی اشعه ایکس
لیتوگرافی اشعه ایکس بعنوان کاندید برای لیتوگرافی نسل بعدی برای صنعت نیمه هادی ها با دسته هایی از ریزپردازنده ها با موفقیت معرفی شده است. داشتن طول موج کوتاه (زیر 1 نانومتر) اشعه ایکس، بر محدودیت‌های پراش لیتوگرافی نوری غلبه میکند و امکان ایجاد اندازه‌های کوچک‌تر را فراهم میکند. اگر منبع اشعه ایکس همسو و هم جهت نباشد، مانند تابش سنکروترون، از آینه‌های تقلیل‌دهنده اولیه یا عدسی‌های پراش به جای عدسی‌های انکساری مورد استفاده در اپتیک استفاده می‌شود تا اشعه ها را متمرکز تر و با بازدهی بیشتر ساتع نماید. اشعه ایکس ماسکی را که در مجاورت یک ویفر با پوشش مقاوم قرار داده شده است، روشن می نماید. پرتوهای اشعه ایکس دارای باندی پهن میباشند، که معمولاً از یک منبع تشعشع سنکروترون فشرده و امکان قرار گرفتن در معرض سریع را فراهم میکنند. لیتوگرافی اشعه ایکس عمیق (DXRL) از طول موج های کوتاه تر مثلا در حد 0.1 نانومتر و روش های اصلاح شده مانند فرآیند (LIGA) برای ساخت ساختارهای عمیق و حتی بعضا سه بعدی استفاده می کند.
شبکه نوری نافعال
یک PON طول می‌کشد استفاده از طول موج مالتی پلکس (WDM) با استفاده از یک طول موج برای پایین دست ترافیک و دیگری برای بالادست ترافیک در یک تک حالت فیبر (ITU-T G. 652). BPONهای EPONهای GEPON و GPON باید اساسی همان طول موج طرح و استفاده از ۱۴۹۰ نانومتر (nm) طول موج برای پایین دست ترافیک و 1310 nm برای بالادست ترافیک. 1550 نانومتر محفوظ است و اختیاری پوشش خدمات به‌طور معمول RF (آنالوگ) تصویری.