لیتوگرافی اشعه ایکس
لیتوگرافی اشعه ایکس بعنوان کاندید برای لیتوگرافی نسل بعدی برای صنعت نیمه هادی ها با دسته هایی از ریزپردازنده ها با موفقیت معرفی شده است. داشتن طول موج کوتاه (زیر 1 نانومتر) اشعه ایکس، بر محدودیت‌های پراش لیتوگرافی نوری غلبه میکند و امکان ایجاد اندازه‌های کوچک‌تر را فراهم میکند. اگر منبع اشعه ایکس همسو و هم جهت نباشد، مانند تابش سنکروترون، از آینه‌های تقلیل‌دهنده اولیه یا عدسی‌های پراش به جای عدسی‌های انکساری مورد استفاده در اپتیک استفاده می‌شود تا اشعه ها را متمرکز تر و با بازدهی بیشتر ساتع نماید. اشعه ایکس ماسکی را که در مجاورت یک ویفر با پوشش مقاوم قرار داده شده است، روشن می نماید. پرتوهای اشعه ایکس دارای باندی پهن میباشند، که معمولاً از یک منبع تشعشع سنکروترون فشرده و امکان قرار گرفتن در معرض سریع را فراهم میکنند. لیتوگرافی اشعه ایکس عمیق (DXRL) از طول موج های کوتاه تر مثلا در حد 0.1 نانومتر و روش های اصلاح شده مانند فرآیند (LIGA) برای ساخت ساختارهای عمیق و حتی بعضا سه بعدی استفاده می کند.
کاهش ازون
کاهش زنجان نگرانی جهانی را نسبت به افزایش خطرات سرطان و سایر اثرات منفی ایجاد کرده‌است. لایه اوزون از عبور بیشتر طول موج‌های اشعه ماورا بنفش (UV) از جو زمین جلوگیری می‌کند. این طول موج‌ها باعث سرطان پوست، آفتاب سوختگی، نابینایی دائمی و آب مروارید می‌شود که پیش‌بینی می‌شود به دلیل نازک شدن اوزون به میزان چشمگیری افزایش یابد و به گیاهان و حیوانات آسیب برساند. این نگرانی‌ها منجر به تصویب پیمان مونترال در سال ۱۹۸۷ شد که تولید CFC، هالون و سایر مواد شیمیایی تخریب کننده اوزون را ممنوع می‌کند.