لیتوگرافی اشعه ایکس
لیتوگرافی اشعه ایکس بعنوان کاندید برای لیتوگرافی نسل بعدی برای صنعت نیمه هادی ها با دسته هایی از ریزپردازنده ها با موفقیت معرفی شده است. داشتن طول موج کوتاه (زیر 1 نانومتر) اشعه ایکس، بر محدودیت‌های پراش لیتوگرافی نوری غلبه میکند و امکان ایجاد اندازه‌های کوچک‌تر را فراهم میکند. اگر منبع اشعه ایکس همسو و هم جهت نباشد، مانند تابش سنکروترون، از آینه‌های تقلیل‌دهنده اولیه یا عدسی‌های پراش به جای عدسی‌های انکساری مورد استفاده در اپتیک استفاده می‌شود تا اشعه ها را متمرکز تر و با بازدهی بیشتر ساتع نماید. اشعه ایکس ماسکی را که در مجاورت یک ویفر با پوشش مقاوم قرار داده شده است، روشن می نماید. پرتوهای اشعه ایکس دارای باندی پهن میباشند، که معمولاً از یک منبع تشعشع سنکروترون فشرده و امکان قرار گرفتن در معرض سریع را فراهم میکنند. لیتوگرافی اشعه ایکس عمیق (DXRL) از طول موج های کوتاه تر مثلا در حد 0.1 نانومتر و روش های اصلاح شده مانند فرآیند (LIGA) برای ساخت ساختارهای عمیق و حتی بعضا سه بعدی استفاده می کند.
لیتوگرافی اشعه ایکس
پرتوهای اشعه ایکس الکترون‌های ثانویه را تولید می‌کنند، مانند لیتوگرافی فرابنفش شدید و لیتوگرافی پرتو الکترونی که مواردی از انواع الکترون های ثانویه میباشد. این در حالی است که تعریف الگوی ظریف غالباً به دلیل ثانویه بودن الکترون‌های اوگر با طول مسیر کوتاه است، الکترون‌های اولیه مقاومت را در ناحیه بزرگ‌تری نسبت به قرار گرفتن در معرض اشعه ایکس حساس میکنند. در حالی که این روی واضح بودن گام الگو، که با طول موج و شکاف تعیین می‌شود، تأثیری نمی‌گذارد؛ کنتراست نوردهی تصویر "(حداکثر-حداقل)/(حداکثر+ حداقل)" کاهش می یابد، زیرا گام به ترتیب محدوده فوتوالکترون اولیه است. زبری و شیب دیواره‌های جانبی تحت تأثیر این الکترون‌های ثانویه قرار میگیرند زیرا بسته به انرژی اشعه ایکس می‌توانند چند میکرومتر در ناحیه زیر جاذب حرکت کنند. چندین مقاله در حدود 30 نانومتر منتشر شده است. از دیگر مظاهر اثر فوتوالکترون، قرارگیری در معرض الکترون های تولید شده با اشعه ایکس از لایه های ضخیم طلا است که از این مورد برای ساخت ماسک های دختر استفاده میشود. شبیه‌سازی‌ها نشان می دهند که تولید فوتوالکترون از زیرلایه عنصر طلا، ممکن است بر نرخ انحلال پذیری تأثیر بگذارد.