لیتوگرافی اشعه ایکس
لیتوگرافی اشعه ایکس بعنوان کاندید برای لیتوگرافی نسل بعدی برای صنعت نیمه هادی ها با دسته هایی از ریزپردازنده ها با موفقیت معرفی شده است. داشتن طول موج کوتاه (زیر 1 نانومتر) اشعه ایکس، بر محدودیت‌های پراش لیتوگرافی نوری غلبه میکند و امکان ایجاد اندازه‌های کوچک‌تر را فراهم میکند. اگر منبع اشعه ایکس همسو و هم جهت نباشد، مانند تابش سنکروترون، از آینه‌های تقلیل‌دهنده اولیه یا عدسی‌های پراش به جای عدسی‌های انکساری مورد استفاده در اپتیک استفاده می‌شود تا اشعه ها را متمرکز تر و با بازدهی بیشتر ساتع نماید. اشعه ایکس ماسکی را که در مجاورت یک ویفر با پوشش مقاوم قرار داده شده است، روشن می نماید. پرتوهای اشعه ایکس دارای باندی پهن میباشند، که معمولاً از یک منبع تشعشع سنکروترون فشرده و امکان قرار گرفتن در معرض سریع را فراهم میکنند. لیتوگرافی اشعه ایکس عمیق (DXRL) از طول موج های کوتاه تر مثلا در حد 0.1 نانومتر و روش های اصلاح شده مانند فرآیند (LIGA) برای ساخت ساختارهای عمیق و حتی بعضا سه بعدی استفاده می کند.
مولد اشعه ایکس
فیلمی از نانولوله‌های کربنی (به‌عنوان کاتد) که در دمای اتاق الکترون‌ها را هنگام قرار گرفتن در معرض میدان الکتریکی از خود ساطع می‌کند، به یک دستگاه اشعه ایکس تبدیل شده است. آرایه ای از این ساطع کننده ها را می توان در اطراف یک مورد هدف قرار داد تا اسکن شود و تصاویر هر فرستنده را می توان توسط نرم افزار کامپیوتری جمع آوری کرد تا در کسری از زمانی که طول می کشد با استفاده از X- معمولی یک تصویر ۳ بعدی از هدف ارائه دهد. دستگاه اشعه این سیستم همچنین امکان کنترل سریع و دقیق را فراهم می کند و امکان تصویربرداری دردار فیزیولوژیکی آینده نگر را فراهم می کند.