لیتوگرافی اشعه ایکس
لیتوگرافی اشعه ایکس بعنوان کاندید برای لیتوگرافی نسل بعدی برای صنعت نیمه هادی ها با دسته هایی از ریزپردازنده ها با موفقیت معرفی شده است. داشتن طول موج کوتاه (زیر 1 نانومتر) اشعه ایکس، بر محدودیت‌های پراش لیتوگرافی نوری غلبه میکند و امکان ایجاد اندازه‌های کوچک‌تر را فراهم میکند. اگر منبع اشعه ایکس همسو و هم جهت نباشد، مانند تابش سنکروترون، از آینه‌های تقلیل‌دهنده اولیه یا عدسی‌های پراش به جای عدسی‌های انکساری مورد استفاده در اپتیک استفاده می‌شود تا اشعه ها را متمرکز تر و با بازدهی بیشتر ساتع نماید. اشعه ایکس ماسکی را که در مجاورت یک ویفر با پوشش مقاوم قرار داده شده است، روشن می نماید. پرتوهای اشعه ایکس دارای باندی پهن میباشند، که معمولاً از یک منبع تشعشع سنکروترون فشرده و امکان قرار گرفتن در معرض سریع را فراهم میکنند. لیتوگرافی اشعه ایکس عمیق (DXRL) از طول موج های کوتاه تر مثلا در حد 0.1 نانومتر و روش های اصلاح شده مانند فرآیند (LIGA) برای ساخت ساختارهای عمیق و حتی بعضا سه بعدی استفاده می کند.
سختکاری سطحی با لیزر
پرتو لیزر . تشعشع های الکترو مغناطیسی در ناحیه مادون قرمز نیز انتشار می دهد. لیزر حاصله از گازکربنیک دارای طول موجی برابر ۱۰ / ۶ میکرون بوده و براحتی توسط بسیاری از مصالح غیر فلزی جذب می شود. قرار دادن یک قطعه نازک لوسیت)، بین شخصی عمل کننده و ناحیه کار، برای جلوگیری از اثرات مضر تشعشع ، کافی می باشد. نیزر YAG دارای طول موج خیلی کمتری ( 1.64 میکرون) است و بنابراین ، عمل کننده بایستی از عینک هایی با پوشش رنگ مخصوص استفاده کند. قدرت این لیزرها نسبتاً محدود است. بنابراین در مورد کار بر روی قطعاتی که نیازمند قدرتی بیش از ۵۰۰ وات می باشند ، لیزر گازکربنیکی معمولاً مورد استفاده قرار میگیرد، زیرا می تواند قدرت خروجی خیلی بالاتری را تأمین کند.