لیتوگرافی اشعه ایکس
لیتوگرافی اشعه ایکس بعنوان کاندید برای لیتوگرافی نسل بعدی برای صنعت نیمه هادی ها با دسته هایی از ریزپردازنده ها با موفقیت معرفی شده است. داشتن طول موج کوتاه (زیر 1 نانومتر) اشعه ایکس، بر محدودیت‌های پراش لیتوگرافی نوری غلبه میکند و امکان ایجاد اندازه‌های کوچک‌تر را فراهم میکند. اگر منبع اشعه ایکس همسو و هم جهت نباشد، مانند تابش سنکروترون، از آینه‌های تقلیل‌دهنده اولیه یا عدسی‌های پراش به جای عدسی‌های انکساری مورد استفاده در اپتیک استفاده می‌شود تا اشعه ها را متمرکز تر و با بازدهی بیشتر ساتع نماید. اشعه ایکس ماسکی را که در مجاورت یک ویفر با پوشش مقاوم قرار داده شده است، روشن می نماید. پرتوهای اشعه ایکس دارای باندی پهن میباشند، که معمولاً از یک منبع تشعشع سنکروترون فشرده و امکان قرار گرفتن در معرض سریع را فراهم میکنند. لیتوگرافی اشعه ایکس عمیق (DXRL) از طول موج های کوتاه تر مثلا در حد 0.1 نانومتر و روش های اصلاح شده مانند فرآیند (LIGA) برای ساخت ساختارهای عمیق و حتی بعضا سه بعدی استفاده می کند.
منطقه اچ ۲
در مناطق اچ ۲ خط طیفی غالب، دارای طول موج ۶۵۶٫۳ نانومتر است. این طول موج، همان خط اچ آلفای منتشر شده توسط هیدروژن اتمی (اچ ۱) است که به خوبی شناخته شده‌است؛ (خطوط طیفی هیدروژن). یک فوتون زمانی از این طول موج ساطع می‌شود که یک الکترون از یک اتم هیدروژن از لایه سوم به لایه دوم منتقل شود. چنین تغییر حالتی زمانی که یک الکترون توسط یک اتم یونیزه شدهٔ هیدروژن (یک پروتون) به دام می‌افتد به دفعات اتفاق می‌افتد و اتم هیدروژن حالت برانگیخته از برخی از مدارهای بالاتر به n=۱ می‌رسد. بدین ترتیب این‌طور نتیجه‌گیری می‌شود که مناطق اچ دو شامل ترکیبی از الکترون‌ها و هیدروژن یونیزه شده‌است که دائماً به اتم‌های هیدروژن بازترکیب می‌شود.