لیتوگرافی اشعه ایکس
لیتوگرافی اشعه ایکس بعنوان کاندید برای لیتوگرافی نسل بعدی برای صنعت نیمه هادی ها با دسته هایی از ریزپردازنده ها با موفقیت معرفی شده است. داشتن طول موج کوتاه (زیر 1 نانومتر) اشعه ایکس، بر محدودیت‌های پراش لیتوگرافی نوری غلبه میکند و امکان ایجاد اندازه‌های کوچک‌تر را فراهم میکند. اگر منبع اشعه ایکس همسو و هم جهت نباشد، مانند تابش سنکروترون، از آینه‌های تقلیل‌دهنده اولیه یا عدسی‌های پراش به جای عدسی‌های انکساری مورد استفاده در اپتیک استفاده می‌شود تا اشعه ها را متمرکز تر و با بازدهی بیشتر ساتع نماید. اشعه ایکس ماسکی را که در مجاورت یک ویفر با پوشش مقاوم قرار داده شده است، روشن می نماید. پرتوهای اشعه ایکس دارای باندی پهن میباشند، که معمولاً از یک منبع تشعشع سنکروترون فشرده و امکان قرار گرفتن در معرض سریع را فراهم میکنند. لیتوگرافی اشعه ایکس عمیق (DXRL) از طول موج های کوتاه تر مثلا در حد 0.1 نانومتر و روش های اصلاح شده مانند فرآیند (LIGA) برای ساخت ساختارهای عمیق و حتی بعضا سه بعدی استفاده می کند.
گالینستن
منابع بسیار پر شدت پرتوهای ایکس ۹.۲۵ ke.V (کیلوالکترون ولت) (خط K-alpha گالیم) برای ذره‌بینی بافت ثابت (مانند مغز موش) با استفاده از اشعه ایکس، از یک نقطه کانونی در حدود 10 میکرومتر × 10 میکرومتر، و وکسل های 3بعدی حدود یک میکرومتر مکعب را می توان با یک منبع اشعه ایکس که از آند فلز گالینستن مایع استفاده می کند، به دست آورد. این فلز با سرعت زیاد از یک نازل به سمت پایین جریان می یابد و منبع الکترونی با شدت بالا روی آن متمرکز می شود. جریان سریع فلز جریان را حمل می کند، اما جریان فیزیکی تا حد زیادی از گرمایش آند جلوگیری می کند (به دلیل حذف حرارت همرفتی اجباری)، و نقطه جوش بالای گالینستن از تبخیر آند جلوگیری می کند.