لیتوگرافی اشعه ایکس
لیتوگرافی اشعه ایکس بعنوان کاندید برای لیتوگرافی نسل بعدی برای صنعت نیمه هادی ها با دسته هایی از ریزپردازنده ها با موفقیت معرفی شده است. داشتن طول موج کوتاه (زیر 1 نانومتر) اشعه ایکس، بر محدودیت‌های پراش لیتوگرافی نوری غلبه میکند و امکان ایجاد اندازه‌های کوچک‌تر را فراهم میکند. اگر منبع اشعه ایکس همسو و هم جهت نباشد، مانند تابش سنکروترون، از آینه‌های تقلیل‌دهنده اولیه یا عدسی‌های پراش به جای عدسی‌های انکساری مورد استفاده در اپتیک استفاده می‌شود تا اشعه ها را متمرکز تر و با بازدهی بیشتر ساتع نماید. اشعه ایکس ماسکی را که در مجاورت یک ویفر با پوشش مقاوم قرار داده شده است، روشن می نماید. پرتوهای اشعه ایکس دارای باندی پهن میباشند، که معمولاً از یک منبع تشعشع سنکروترون فشرده و امکان قرار گرفتن در معرض سریع را فراهم میکنند. لیتوگرافی اشعه ایکس عمیق (DXRL) از طول موج های کوتاه تر مثلا در حد 0.1 نانومتر و روش های اصلاح شده مانند فرآیند (LIGA) برای ساخت ساختارهای عمیق و حتی بعضا سه بعدی استفاده می کند.
لیتوگرافی اشعه ایکس
نظر به اینکه انتشارات مختلف نام برده شده، محدوده الکترون های نسل اولیه، اوگر، ثانویه و فوق کم انرژی که چاپ میکنند ( همانطور که مطالعات STM ثابت کردند) میتواند بزرگ (ده ها نانومتر) یا کوچک (در حد نانومتر) باشد. از آنجایی که این محدوده یک عدد ثابت نیست، تعیین کمیت آن دشوار است. زبری لبه خط توسط عدم قطعیت مرتبط تشدید میشود. ظاهراً زبری لبه خط از نظر منشأ آماری است و فقط به طور غیر مستقیم به میانگین محدوده وابسته است. تحت شرایط معمول لیتوگرافی، محدوده های مختلف الکترون را میتوان کنترل کرد و از آنها بهره برد.