لیتوگرافی اشعه ایکس
لیتوگرافی اشعه ایکس بعنوان کاندید برای لیتوگرافی نسل بعدی برای صنعت نیمه هادی ها با دسته هایی از ریزپردازنده ها با موفقیت معرفی شده است. داشتن طول موج کوتاه (زیر 1 نانومتر) اشعه ایکس، بر محدودیت‌های پراش لیتوگرافی نوری غلبه میکند و امکان ایجاد اندازه‌های کوچک‌تر را فراهم میکند. اگر منبع اشعه ایکس همسو و هم جهت نباشد، مانند تابش سنکروترون، از آینه‌های تقلیل‌دهنده اولیه یا عدسی‌های پراش به جای عدسی‌های انکساری مورد استفاده در اپتیک استفاده می‌شود تا اشعه ها را متمرکز تر و با بازدهی بیشتر ساتع نماید. اشعه ایکس ماسکی را که در مجاورت یک ویفر با پوشش مقاوم قرار داده شده است، روشن می نماید. پرتوهای اشعه ایکس دارای باندی پهن میباشند، که معمولاً از یک منبع تشعشع سنکروترون فشرده و امکان قرار گرفتن در معرض سریع را فراهم میکنند. لیتوگرافی اشعه ایکس عمیق (DXRL) از طول موج های کوتاه تر مثلا در حد 0.1 نانومتر و روش های اصلاح شده مانند فرآیند (LIGA) برای ساخت ساختارهای عمیق و حتی بعضا سه بعدی استفاده می کند.
بیوفوتونیک
به لیزر دیودی توان پایین مورد استفاده قرار می‌گیرد که می‌تواند نور با طول موج ۸۰۰ نانو متر را جذب کند. یک محلول رنگی به منظور بالا بردن جذب نور به طول موج ۸۱۰ نانو متر بکار گرفته شده‌است روش‌های معرفی شده برای جوش و ترمیم قرنیه چشم بهبود یافته‌اند زمانی که بافتی تحت تابش با طول موج ۸۱۰ نانو متر قرار می‌گیرد نتیجه یک جوش متمرکز و لخته فوری خواهد شد در حالت توان بسیار پایین لیزر عمل مطمئن تری نسبت به زمانی که نور مستقیماً توسط یک بافت جذب می‌شود رخ می‌دهد در کنار تابش‌های متفاوت لیزر ما دو نوع لیزر را معرفی کرده‌ایم بهترین شرط تابش به نوع عمل و نوع بافت که مورد جوش قرار می‌گیرد بستگی دارد.