لیتوگرافی اشعه ایکس
لیتوگرافی اشعه ایکس بعنوان کاندید برای لیتوگرافی نسل بعدی برای صنعت نیمه هادی ها با دسته هایی از ریزپردازنده ها با موفقیت معرفی شده است. داشتن طول موج کوتاه (زیر 1 نانومتر) اشعه ایکس، بر محدودیت‌های پراش لیتوگرافی نوری غلبه میکند و امکان ایجاد اندازه‌های کوچک‌تر را فراهم میکند. اگر منبع اشعه ایکس همسو و هم جهت نباشد، مانند تابش سنکروترون، از آینه‌های تقلیل‌دهنده اولیه یا عدسی‌های پراش به جای عدسی‌های انکساری مورد استفاده در اپتیک استفاده می‌شود تا اشعه ها را متمرکز تر و با بازدهی بیشتر ساتع نماید. اشعه ایکس ماسکی را که در مجاورت یک ویفر با پوشش مقاوم قرار داده شده است، روشن می نماید. پرتوهای اشعه ایکس دارای باندی پهن میباشند، که معمولاً از یک منبع تشعشع سنکروترون فشرده و امکان قرار گرفتن در معرض سریع را فراهم میکنند. لیتوگرافی اشعه ایکس عمیق (DXRL) از طول موج های کوتاه تر مثلا در حد 0.1 نانومتر و روش های اصلاح شده مانند فرآیند (LIGA) برای ساخت ساختارهای عمیق و حتی بعضا سه بعدی استفاده می کند.
امواج تراهرتز
در فیزیک، تابش تراهرتز قسمتی از امواج الکترومغناطیسی است که در محدوده فرکانس ۰٫۳ تا ۳ تراهرتز قرار دارد. اصطلاح تراهرتز به تابش الکترومغناطیسی در بازه فرکانس بین طیف فرکانسی ریزموج، ۳۰۰ گیگاهرتز (۳×۱۰ Hz) و طیف فرکانسی مادون قرمز، ۳۰۰۰ گیگاهرتز (۳×۱۰ Hz) گفته می‌شود. از دیدگاه طول موج، محدوده این امواج بین 0.1 mm (یا ۱۰۰ μm) تا 1.0 mm است. از دیدگاه عملی، تابش تراهرتز به دلیل نمایاندن ناحیه‌ای در الکترومغناطیس که فرکانس الکترومغناطیسی ان از دسترسی مستقیم دور مانده و باید توسط خصوصیات جایگزین طول موج یا انرژی اندازه‌گیری شود، بسیار مورد توجه است. به دلایلی که گفته شد، تابش تراهرتز ناحیه‌ای را به ما نشان می‌دهد که در ان امکان تولید و سوارسازی (یا مدولاسیون) سیگنال‌های الکترومغناطیسی همدوس توسط ابزارهای رایج برای تولید امواج رادیویی و ریزموج همدوس، وجود ندارد و بنابراین ابزارهای و روش‌های جدیدی نیاز است. به این ناحیه فرکانسی، شکاف تراهرتز می‌گویند.