Cinta aislante
Un ingrediente importante en la película de vinilo era el fosfato tricresil (TCP), que fue utilizado como plastificante. Lamentablemente, el TCP tenía tendencia a migrar, lo que le otorgaba a la superficie de la cinta una característica aceitosa afectando la propiedad adhesiva de la misma. Por ello, el equipo de investigadores de 3M comenzó a trabajar en crear una cinta confiable de vinilo que tuviera las características adecuadas en cuanto a aislación eléctrica, resistencia física y propiedades químicas.
Invención del circuito integrado
Los primeros transistores fueron hechos de germanio. A mediados de 1950 fue reemplazado por silicio, el cual permitía la operación a altas temperaturas. En 1954, Gordon Kidd Teal de Texas Instruments produjo el primer transistor de silicio, comercializado en 1955. También en 1954, Fuller y Dittsenberger publicaron un estudio fundamental en la difusión del silicio y Schockley sugirió el uso de tecnología para formar uniones p-n con un grado dado de impuridad en la concentración. En 1955 Carl Frosch de Bell Labs desarrolló la oxidación húmeda del silicio y en los dos próximos años, Frosh, Moll Fuller y Holonyak lo llevaron a la producción en masa. Este descubrimiento accidental reveló la segunda ventaja fundamental del silicio sobre el germanio: a diferencia de los óxidos de germanio, el silicio “húmedo” es físicamente fuerte y un aislante eléctrico químicamente inerte.