Cinta aislante
En la década de 1950, el vinilo emergió como material altamente versátil para una amplia gama de usos, desde cortinas de baños hasta aislamiento para cables. Sin embargo, conseguir que tuviera características adecuadas para fabricar una cinta requirió un esfuerzo de investigación importante.
Invención del circuito integrado
Los primeros transistores fueron hechos de germanio. A mediados de 1950 fue reemplazado por silicio, el cual permitía la operación a altas temperaturas. En 1954, Gordon Kidd Teal de Texas Instruments produjo el primer transistor de silicio, comercializado en 1955. También en 1954, Fuller y Dittsenberger publicaron un estudio fundamental en la difusión del silicio y Schockley sugirió el uso de tecnología para formar uniones p-n con un grado dado de impuridad en la concentración. En 1955 Carl Frosch de Bell Labs desarrolló la oxidación húmeda del silicio y en los dos próximos años, Frosh, Moll Fuller y Holonyak lo llevaron a la producción en masa. Este descubrimiento accidental reveló la segunda ventaja fundamental del silicio sobre el germanio: a diferencia de los óxidos de germanio, el silicio “húmedo” es físicamente fuerte y un aislante eléctrico químicamente inerte.