Cinta aislante
Se realizaron experimentos combinando nuevos plastificantes con la resina de vinilo, que era blanca y de consistencia harinosa. Finalmente en enero de 1946, el equipo de inventores Snell, Oace, y Eastwood de 3M solicitaron una patente para una cinta aisladora eléctrica de vinilo con un plastificante y un adhesivo gomoso que no estaba basado en sulfuro. La primera versión que se comercializó de la cinta fue vendida para envolver alambres.
Invención del circuito integrado
Los primeros transistores fueron hechos de germanio. A mediados de 1950 fue reemplazado por silicio, el cual permitía la operación a altas temperaturas. En 1954, Gordon Kidd Teal de Texas Instruments produjo el primer transistor de silicio, comercializado en 1955. También en 1954, Fuller y Dittsenberger publicaron un estudio fundamental en la difusión del silicio y Schockley sugirió el uso de tecnología para formar uniones p-n con un grado dado de impuridad en la concentración. En 1955 Carl Frosch de Bell Labs desarrolló la oxidación húmeda del silicio y en los dos próximos años, Frosh, Moll Fuller y Holonyak lo llevaron a la producción en masa. Este descubrimiento accidental reveló la segunda ventaja fundamental del silicio sobre el germanio: a diferencia de los óxidos de germanio, el silicio “húmedo” es físicamente fuerte y un aislante eléctrico químicamente inerte.