لف مغزلي
اللف المغزلي للإلكتروني يولد مجالا مغناطيسيا الأمر الذي يجعل الإلكترون كالمغناطيس. وفي الحقيقة ترجع خاصية المغناطيسية في المواد بصفة أساسية إلى اللف المغزلي للإلكترون وما يرافقه من عزم مغناطيسي ( كذلك تولد الحركة المدارية للإلكترون في الذرات مجالا مغناطيسيا ، ولكنه يكون أقل بكثير من العزم المغناطيسي المغزلي للإلكترون). يغزل الإلكترون في اتجاهين فقط :
أكسيد الأوزميوم الثماني
يتفاعل رابع أكسيد الأوزميوم مع الروابط الثنائية بالدهون ويقوم بربط الجزئيات ببعضها البعض ، حيث يتكثف الأوزميوم على الرؤوس المحبة للماء على طبقتي الدهون الثنائية في غشاء الخلية لذلك يظهر غشاء الخلية بالمجهر الإلكتروني كغشاء ثلاثي الطبقات ، طبقتين كثيفتين من الإلكترونات (electron dense) بينهما طبقة أقل كثافة من الإلكترونات (electron lucid)