لف مغزلي
اللف المغزلي للإلكتروني يولد مجالا مغناطيسيا الأمر الذي يجعل الإلكترون كالمغناطيس. وفي الحقيقة ترجع خاصية المغناطيسية في المواد بصفة أساسية إلى اللف المغزلي للإلكترون وما يرافقه من عزم مغناطيسي ( كذلك تولد الحركة المدارية للإلكترون في الذرات مجالا مغناطيسيا ، ولكنه يكون أقل بكثير من العزم المغناطيسي المغزلي للإلكترون). يغزل الإلكترون في اتجاهين فقط :
غزل كهربائي
في عام 1938 (Nathalie D. Rozenblum , Igor V. Petryanov-Sokolov) اللذان يعملان في مجموعة (Nikolai A. Fuchs') في مخبر ايروسول (Aerosol) بمعهد كاربوف (L. Ya. Karpov) في اتحاد الجمهوريات السوفيتية الاشتراكية (USSR) أنتجوا أليافًا مغزولة كهربائياً، والتي طُورت إلى مواد ترشيح تعرف بمرشحات (Petryanov). أدى هذا العمل عام 1939 إلى إنشاء معمل في تفير من أجل تصنيع عناصر ترشيح للدخان مغزولة كهربائياً لاستخدامها في أقنعة الغاز. تم غزل المادة المطلق عليها اسم مرشح حقل المعركة من خلات السليولوز في مذيب ممزوج من ثنائي كلور ايثان( dichloroethane) والايثانول. زُعم أنه في سيتينيات القرن الماضي 1960s كان حجم انتاج مواد الترشيح المغزولة 20 مليون م2 في السنة.