لف مغزلي
اللف المغزلي للإلكتروني يولد مجالا مغناطيسيا الأمر الذي يجعل الإلكترون كالمغناطيس. وفي الحقيقة ترجع خاصية المغناطيسية في المواد بصفة أساسية إلى اللف المغزلي للإلكترون وما يرافقه من عزم مغناطيسي ( كذلك تولد الحركة المدارية للإلكترون في الذرات مجالا مغناطيسيا ، ولكنه يكون أقل بكثير من العزم المغناطيسي المغزلي للإلكترون). يغزل الإلكترون في اتجاهين فقط :
ثاني أكسيد الكلور
لجزيء ClO عدد شاذ من إلكترونات التكافؤ ولذلك هو جذر حر ذو مغناطيسية مسايرة. لقد حيرت بنيته الإلكترونية العلماء لفترة طويلة لعدم الرضى التام عن أي ترتيب ممكن من ترتيبات لويس. في سنة 1933 م اقترح (L.O. Brockway) بنية تتضمن رابطة ثلاثية الإلكترونات. طور الكيميائي لينوس باولنغ لاحقًا هذه الفكرة وتوصل إلى بنيتين طنينيتين تتضمن رابطة مضاعفة في جهة واحدة ورابطة مفردة مع رابطة ثلاثية الإلكترونات في الجهة الأخرى. من وجهة نظر باولينغ فإن التركيب الأخير يجب أن يمثل رابطة أضعف قليلًا من الرابطة المزدوجة.