مسحوق المعادن
بداية استخدم مسحوق المعادن ليحل محل صب المعادن التي كان يصعب اذابتها صناعيا بسبب درجة ذوبانها العالية. في الحقيقة كانت بداية صناعة الحديد تعتمد على استخدام الضغط للحام جزيئات الحديد الصلب المنتجة بواسطة تخفيض في موقد بدائى.يبدو ان التطبيق الأول لميتالورجيا المساحيق قد ظهر في صنع سبائك البلاتين خلال القرن الماضى ولكن لم تستمر حتى السنوات الاولى من القرن الحالى الذي حدث فيه تطور خطير للعملية وضح في انتاج سبائك السينتريد تنجستين لصناعة سلك كهربائى لخيوط الضوء.ومن ثم ظهرت صناعة مواد الكربيد الملبدة في عام 1914م واليوم عدد منتجات ميتالورجيا المساحيق كبيرلدرجة انه يمكن اعتبار هذا الفرع من الميتالورجيا صناعة في بحد ذاته.
لم تعد عمليات ميتالورجيا المساحيق تقتصر على معالجة المواد ذات المقاومة العالية للحرارة ولكنها امتدت لتشمل صناعة السبائك التي يمكن ان تنتج أيضا عن طريق وسائل أكثر تقليدية
السبائك المغناطيسية تصنع بواسطة سباكتهم إلى اشكال ولكن السائك المتفوقة المغناطيسية تصنع بواسطة ميتالورجيا المساحيق بينما في صب المعادن يعتبر ظهور اى مسامية داخلية عيبا خطيراََ تكون درجة التحكم في المسامية الداخلية في العديد من منتجات ميتالورجيا المساحيق.
اذا تعرض مسحوق معدنى لضغط عالى بمافيه الكفاية تحدث درجة من الترابط بين الجزيئات حتى في درجة حرارة الغرفة ويتم انتاج كتلة متماسكة .تسخين الكتلة المضغوطة يعمل على تحسين الترابط بين الجزيئات بواسطة تعزيز نمو الحبيبات وانتشارها.درجة الحرارة المستخدمة عادة في مكان ما تكون فوق درجة حرارة اعادة تبلور المواد ولكنها تكون اقل من نقطة ذوبانهم 
لذلك في بعض الحالات درجة حرارة التشكيل لاحدى المواد تتعدى نقطة ذوبانه لذلك فهذه المادة تذوب وبالتالى تصبح مادة رابطة لاجزاء المعادن الاخرى.
مركب كربيد السيليكون
Silicon carbide is a semiconductor in research and early mass production providing advantages for fast, high-temperature and/or high-voltage devices. The first devices available were Schottky diodes, followed by junction-gate FETs and MOSFETs for high-power switching. Bipolar transistors and thyristors are currently developed. A major problem for SiC commercialization has been the elimination of defects: edge dislocations, screw dislocations (both hollow and closed core), triangular defects and basal plane dislocations. As a result, devices made of SiC crystals initially displayed poor reverse blocking performance though researchers have been tentatively finding solutions to improve the breakdown performance. Apart from crystal quality, problems with the interface of SiC with silicon dioxide have hampered the development of SiC-based power MOSFETs and insulated-gate bipolar transistors. Although the mechanism is still unclear, nitridation has dramatically reduced the defects causing the interface problems. In 2008, the first commercial JFETs rated at 1200 V were introduced to the market, followed in 2011 by the first commercial MOSFETs rated at 1200 V. Beside SiC switches and SiC Schottky diodes (also Schottky barrier diode, SBD) in the popular TO-247 and TO-220 packages, companies started even earlier to implement the bare chips into their power electronic modules. SiC SBD diodes found wide market spread being used in PFC circuits and IGBT power modules.
Conferences such as the International Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS) report regularly about the technological progress of SiC power devices.
Major challenges for fully unleashing the capabilities of SiC power devices are:The phenomenon of electroluminescence was discovered in 1907 using silicon carbide and the first commercial LEDs were based on SiC. Yellow LEDs made from 3C-SiC were manufactured in the Soviet Union in the 1970s
and blue LEDs (6H-SiC) worldwide in the 1980s. The production was soon stopped because gallium nitride showed 10–100 times brighter emission. This difference in efficiency is due to the unfavorable indirect bandgap of SiC, whereas GaN has a direct bandgap which favors light emission. However, SiC is still one of the important LED components – it is a popular substrate for growing GaN devices, and it also serves as a heat spreader in high-power LEDs.