ジョージ・ヘンリー・トーマス
トーマスはバージニア州サザンプトン郡で、ノースカロライナ州までは5マイル (8 km)しか離れていないニューサムズデポで生まれた。
1831年、ナット・ターナーの奴隷反乱のためにトーマスはその姉妹や未亡人になっていた母と共に家から逃げ出し近くの森に隠れることを余儀なくされた。
ジョージ・E・スミス
ニューヨーク州ホワイト・プレインズに生まれる。アメリカ海軍に勤め、1955年にペンシルベニア大学で理学士号を取得、1959年にシカゴ大学で博士号を取得した。学位論文はわずか3ページであった。1959年から1986年までニュージャージー州のマーレーヒルにあるベル研究所で働き、革新的なレーザーと半導体デバイスの研究を行った。在職中スミスは数多くの特許を取得し、最後にはVLSIデバイス部門のリーダーとなった。