الکتروفیزیولوژی
روش "گیره ولتاژ یا اعمال ولتاژ تثبیت شده" به آزمایشگر اجازه می‌دهد تا پتانسیل سلول را در یک مقدار انتخاب‌شده تثبیت کند. این روش، این امکان را برای اندازه گیری میزان جریان یونی عبوری از غشای سلول در هر ولتاژ مشخص فراهم می‌کند. اهمیت و برتری این روش زمانی مشخص می‌شود که، بسیاری از کانالهای یونی در غشای یک نورون کانالهای یونی وابسته به ولتاژ هستند، یعنی که فقط هنگامی‌باز می‌شوند که ولتاژ غشا در محدوده خاصی باشد. اندازه گیری جریان در روش گیره ولتاژ، از تفریق جریان خازنی گذرا از الکترود و جریان غشای سلول برای تغییر پتانسیل سلول عبور می‌کند‌، امکان پذیر می‌شود.
نانولوله‌های کربنی در پزشکی
در این روش که قدیمی ترین روش محسوب می شود، جرقه ای که بین دو الكترود گرافیتی ایجاد می شود، سبب می گردد، کربن یک الكترود جدا و بصورت دوده روی دیگری متراکم گردد. راندمان در ابتدا پایین بوده ولی با اصلاح، فرایند بهبود یافته است. این روش برای تولید انبوه نانولوله های مورد استفاده در مواد کامپوزیتی، مناسب است. عیوب این روش مقدار کربن آمورف تولید شده در این روش زیاد می باشد. و اندازه الكترودها و راکتور ، راندمان واکنش را محدود می سازند. در این روش از دو میله گرافیتی به عنوان الكترود (کاتد و آند) استفاده میشود. در امتداد محورآند حفرهای ایجاد شده و با مخلوطی از پودر گرافیت و کاتالیست پُر میگردد. کاتد و آند به صورت افقی درون یک رآکتور نصب میشوند. پس از برقراری خلا مناسب و با ورود گاز هلیوم، یک جریان DC بین ۱4 تا 144 آمپر از میان دو الكترود گرافیتی عبور میکند و قوس الكتریكی بین دو الكترود ایجاد میگردد. گرمای زیاد حاصل از قوس الكتریكی، آند گرافیتی تو خالی را تبخیر و یونیزه میکند. کاتیون های کربن اتمی تولید شده، به طرف کاتد حرکت کرده و با گرفتن الكترون بر روی سطح کاتد شروع به رشد میکنند. علی رغم سهولت این روش در تولید نانولوله های کربنی، مقدار کربن آمورف تولید شده در این روش زیاد بوده و فرایند پیوسته نیست .همچنین اندازه الكترودها و رآکتور، راندمان واکنش را محدود میسازند. محصول روش قوس الكتریكی، معمولا محتوای نانولوله های چنددیواره میباشد که به شرایط آزمایش مانند جریان قوس الكتریكی، فشار و نوع گاز بستگی دارد. این روش نیاز به الكترودهای گرافیتی با خلوص بالا و ذرات فلزی و گازهای هلیوم، آرگون، یا هیدروژن با خلوص بالا دارد. به علاوه، محصول تولید شده توسط این روش، نیاز به عملیات خالص سازی نیز دارد. بنابراین، این روش، روش گرانی است. در سال 1991 ،تكنیک تبخیر از طریق لیزر پالس شده دوتایی، برای بهینه سازی روش لیزر به منظور تولید نانولوله های تک دیواره در مقادیر گرم با کارائی بیشتر از 70% به کار رفته بود. نمونه هایی از طریق تبخیر لیزری میله های گرافیتی با مخلوطی 50 : 50 ا ز پودر کبالت ونیكل ( اندازه ذرات در حدود تقریباً یک میكرون 1μm ) در دمای 1244 درجه سانتیگراد تحت تأثیر جریانی از گاز آرگون تهیه شده بودند و در ادامه در دمای 1000 درجه سانتیگراد تحت خلا عملیات حرارتی بر روی آنها انجام شده بود تا بدین وسیله C60 و فولرن های دیگر زدوده و جدا شوند. پس از اعمال نخستین پالس لیزر برای تبخیر، پالس ثانویه ای به منظور تبخیر یكنواخت تر هدف به کار رفت. استفاده از دو پالس متوالی از لیزر مقدار کربن رسوب گذاری شده به صورت دود را به حداقل میرساند. پالس لیزر دوم ذرات بزرگتر را میشكند که از طریق نخستین پالس قبلا ساییده و کاهش پیدا کرده بودند و آنها را به درون ساختار نانولوله در حال رشد تغذیه میکند. در نتیجه این ماده به صورت پارچه بافته شده ای از رشته هایی به قطر 20-10nm وبه طول μm 100یا بیشتر به نظر میرسند. هر رشته، معلوم شده است که در ابتدا شامل کلافی درهم پیچیده از نانولوله های تک دیواره امتداد داده شده در راستای یک محور مشترک می باشد. از طریق تغییر دادن درجه حرارت رشد، ترکیب کاتالیست و سایر پارامترهای فرآیند میتوان قطر میانگین نانولوله و توزیع آن را تغییر داد. از لیزر برای تبخیر هدف گرافیتی، در کوره هایی به دمای 1200 C و حاوی هلیوم و نیتروژن با فشار بالا استفاده می شود. تبخیر لیزری، راندمان بالاتری نسبت به تخلیه از الكتریكی دارد. این روش برای تولید انبوه نانولوله های مورد استفاده در مواد کامپوزیتی، کاربرد دارد.