هاسیم
عناصر بالاتر گروه ۸ نقطه ذوب نسبتاً بالایی (آهن: ۱۵۳۸ ° C، روتنیم: ۲۳۳۴ ° C، اسمیم: ۳۰۳۳ ° C) دارند. چون هاسیم بسیار شبیه به آن‌ها پیش بینی شده‌است، پس در دمای اتاق جامد است، اگر چه نقطه ذوب هاسیم دقیقاً محاسبه نشده‌است. هاسیم باید در یک ساختار بلوری بسته شده شش ضلعی متبلور شود که بسیار شبیه به ساختار بلوری اسمیم است. محاسبه شده‌است که ضریب کشسانی حجمی هاسیم فلزی خالص قابل مقایسه با الماس باشد (۴۴۲ گیگاپاسکال). انتظار می‌رود که چگالی هاسیم ۴۰٫۷ formula_1 باشد، که بالاترین چگالی در ۱۱۸ عناصر شناخته شده‌است و تقریباً دو برابر چگالی اسمیم می‌باشد. چگالی چگال‌ترین عنصر موجود در طبیعت (اسمیم) ۲۲/۵۹ formula_1 است.
دی‌ان‌ای
افزایش جذب حالتی است که در آن میزان جذب نوری دی‌ان‌ای افزایش می‌یابد. بیشترین میزان جذب در ۲۶۰ نانومتر دیده می‌شود که در آن بازها مسئول هستند. با باز سرشته شدن دنا پدیدهٔ کاهش جذب رخ خواهد داد. کاهش جذب به علت روی هم قرارگیری باز هاست. اگر دمای محلول دی‌ان‌ای تا دمای آب جوش بالا رود چگالی نوری که جذب می‌شود به‌طور چشمگیری بالا می‌رود. نقطهٔ ذوب دی‌ان‌ای که آن را با Tmنشان می‌دهند دمایی است که در آن دی‌ان‌ای مشابه یخ ذوب می‌شود و از ساختار نظم دار مارپیچ به ساختار تک رشته‌ای با نظم کمتر تبدیل می‌شود. نقطهٔ ذوب بستگی به درصد C:G و قدرت یونی محلول دارد؛ که هرچه بیشتر باشد دما هم افزایش می‌یابد ذوب شدن پدیده‌ای تعاونی است.