الکتروفیزیولوژی
روش "گیره ولتاژ یا اعمال ولتاژ تثبیت شده" به آزمایشگر اجازه می‌دهد تا پتانسیل سلول را در یک مقدار انتخاب‌شده تثبیت کند. این روش، این امکان را برای اندازه گیری میزان جریان یونی عبوری از غشای سلول در هر ولتاژ مشخص فراهم می‌کند. اهمیت و برتری این روش زمانی مشخص می‌شود که، بسیاری از کانالهای یونی در غشای یک نورون کانالهای یونی وابسته به ولتاژ هستند، یعنی که فقط هنگامی‌باز می‌شوند که ولتاژ غشا در محدوده خاصی باشد. اندازه گیری جریان در روش گیره ولتاژ، از تفریق جریان خازنی گذرا از الکترود و جریان غشای سلول برای تغییر پتانسیل سلول عبور می‌کند‌، امکان پذیر می‌شود.
بلورهای فوتونیکی
روش‌های ساخت به ابعاد شکاف باند مورد نیاز بستگی دارد. فوتونیک کریستال‌های یک بعدی در این ساختار لایه‌ها با ضرایب مختلف چنان در کنار هم قرار می‌گیرند که در یک جهت شکاف باند به وجود می‌آورند. یک توری براگ یک مثال از این نوع فوتونیک کریستال‌های یک بعدی است. فوتونیک کریستال‌های یک بعدی می‌توانند همسانگرد و ناهمسانگرد باشند. در این صورت می‌توانند به صورت بسیار گسترده‌ای به عنوان سوئیچ اپتیکی مورد استفاده قرار گیرند. فوتونیک کریستال‌های دو بعدی در ساختارهای دوبعدی حفره‌ها در محیطی که برای نور تابیده شده مرئی و برای نور شکاف باند نامرئی هستند قرار می‌گیرند. شبکه‌های مثلثی و مربعی بیشترین کاربرد را دارند. فیبرهای فوتونیک کریستالی یا همان فیبرهای سوراخ‌دار می‌توانند به وسیله رادهای استوانه‌ای در درون شبکه‌های شش بعدی ساخته شوند. و سپس حرارت داده می‌شوند و کشیده می‌شوند. فواصل هوای مثلثی ایجاد شده مابین رادهای شیشه‌ای حفره‌هایی می‌شوند که مُدها را محدود می‌کنند. فوتونیک کریستال سه بعدی چندین ساختار برای این نوع فوتونیک کریستال وجود دارد: چالش اصلی برای فوتونیک کریستال‌های مرتبه بالا مشکل ساخت آنهاست. که باید دقت کافی برای جلوگیری از اتلافات پراکندگی که باعث محو شدن خواص کریستال می‌شود انجام گیرد. یکی ازروش‌های امیدوارکننده برای تولید فوتونیک کریستال فیبرهای فوتونیک کریستالی هستند مانند فیبرهای سوراخ دار. استفاده ازروش‌های فیبرهای ترسیمی برای فیبرهای مخابراتی توسعه پیدا کرده‌اند. که می‌توانند هر دوی این نیازها را برطرف کنند. فیبرهای فوتونیک کریستالی به صورت تجاری در دسترس هستند. روش امیدوارکننده دیگر برای تولید فوتونیک کریستال‌های دوبعدی استفاده از روش تیغه‌های فوتونیک کریستالی است. این ساختارها از یک زیر لایه به عنوان تیغه که معمولاً از جنس سیلیکن است تشکیل شده‌اند که توسط روش‌هایی مانند صنعت نیم‌رساناها ساخته می‌شوند. این تراشه‌‌ها توانایی تحلیل الکترونیکی و اپتیکی بر روی یک تراشه‌ واحد را دارند. برای ساخت فوتونیک کریستال‌های سه بعدی روش‌های مختلفی از جمله طرح‌نگارنوری و زدایش استفاده می‌شود. همانند تولید مدارهای مجتمع. برخی از این روش‌ها به صورت تجاری مورد استفاده قرار می‌گیرند. برای پیشی گرفتن از روش‌های مکانیکی نانوتکنولوژی و پیچیدگی آن‌ها راه حل مناسبی وجود دارد و آن هم استفاده از روش کره‌های برخوردی است. محاسبه شکاف باند فوتونیک کریستالی اساساً فوتونیک شکاف باند فاصله مابین خطوط هوا و خطوط دی‌الکتریک در رابطه پاشندگی فوتونیک شکاف باند است. برای طراحی فوتونیک شکاف باند مهندسی مکان و ابعاد فوتونیک کریستال بسیار مهم است. این مهندسی به روش‌های بسیاری از جمله روش‌های زیر انجام می‌شود. اساساً این روش‌ها برای فرکانس امواج منتشر شده می‌باشند برای هرکدام از جهت‌ها که بردار موج مشخص می‌کند. و برعکس. خطوط مختلف در ساختار باند مربوط به nهای مختلف است. که nضریب شکاف باند است. روش بسط امواج تخت می‌تواند برای محاسبه ساختار شکاف باند از یک فرمول بندی ویژه استفاده کند و معادلات ماکسول را حل کند. و در نتیجه معادلات را برای هر ویژه فرکانس در جهت خاصی حل می‌کند. این حل مستقیماً به منحنی پاشندگی منجر می‌شود. توزیع میدان الکتریکی می‌تواند به وسیله ویژه بردارهای مورد استفاده در همان مسئله بدست آید. تصویر نشان داده شده مربوط به ساختار باند یک بعدی DBR با هسته‌هایی از هوا که در آن از دی‌الکتریک‌هایی با ضریب گذردهی ۱۲٫۲۵ استفاده می‌شود. نسبت ثابت شبکه به ضخامت هسته‌های هوا ۰٫۸ است و از ۱۰۱ موج تخت در منطقه اول بری لوئن برای حل استفاده شده‌است. برای سرعت بخشیدن به محاسبات می‌توانیم از بسط بلاخ مد کاهش یافته‌استفاده کنیم.RBME برای مدل‌های بزرگ سلول‌های واحد استفاده از این روش باعث افزایش سرعت می‌شود.