الکتروفیزیولوژی
روش "گیره ولتاژ یا اعمال ولتاژ تثبیت شده" به آزمایشگر اجازه می‌دهد تا پتانسیل سلول را در یک مقدار انتخاب‌شده تثبیت کند. این روش، این امکان را برای اندازه گیری میزان جریان یونی عبوری از غشای سلول در هر ولتاژ مشخص فراهم می‌کند. اهمیت و برتری این روش زمانی مشخص می‌شود که، بسیاری از کانالهای یونی در غشای یک نورون کانالهای یونی وابسته به ولتاژ هستند، یعنی که فقط هنگامی‌باز می‌شوند که ولتاژ غشا در محدوده خاصی باشد. اندازه گیری جریان در روش گیره ولتاژ، از تفریق جریان خازنی گذرا از الکترود و جریان غشای سلول برای تغییر پتانسیل سلول عبور می‌کند‌، امکان پذیر می‌شود.
کاربید سیلیسیم
در همان اوایل مشخص شد که SiC چنین مقاومت وابسته به ولتاژی دارد و به همین دلیل ستون‌های پر شده از ساچمه‌های SiC بین خطوط برق فشار قوی و زمین متصل شدند. هنگامی که ضربه یک صاعقه ولتاژ خط را به اندازه کافی بالا ببرد، ستون SiC رسانا شده، و اجازه می‌دهد جریان صاعقه به جای عبور از خط برق، بی خطر به زمین عبور کند. بعدها ثابت شد که ستون‌های SiC در ولتاژهای عادی خط نیز تا حد بسیاری رسانا هستند و به همین دلیل باید به صورت سری و با یک اسپارک گپ نصب شوند. زمانی که صاعقه ولتاژ را به حد کافی بالا ببرد، این اسپارک گپ یونیزه شده و رسانا می‌شود، و به همین دلیل به صورت کارآمدی ستون SiC را بین خط انتقال و زمین متصل می‌کند. اسپارک گپ‌های مورد استفاده در دستگاه‌های صاعقه گیر قابل اعتماد نیستند، چرا که یا در صورت نیاز نمی‌توانند قوس بزنند یا پس از آن قطع نمی‌شوند. حالت دوم به دلیل خرابی مواد یا آلودگی با گرد و غبار یا نمک است. استفاده از ستون‌های SiC در اصل برای از بین بردن نیاز به اسپارک گپ‌ها در صاعقه گیرها بود. از برقگیرهای SiC دارای گپ برای محافظت در برابر صاعقه استفاده می‌شد و توسط GE و Westinghouse به فروش می‌رسید. امروزه به‌طور گسترده‌ای به جای صاعقه گیرهای SiC گپ دار از وریستورهای بدون-گپ با ستون‌هایی از ساچمه‌های اکسید روی استفاده می‌شود.