ایزولاسیون الکتریکی
ایزولاسیون الکتریکی برای جلوگیری از عبور جریان مستقیم بین قسمت‌های عملکردی مختلف یک سیستم الکتریکی ضروری است. انرژی یا اطلاعات می‌توانند به روش‌های دیگری مانند خازنی، القایی، الکترومغناطیسی یا به کمک‌های روش‌های دیگری مانند نور، صوت یا مکانیکی بین قسمت‌های مختلف یک سیستم الکتریکی رد و بدل شوند.
مسطح‌سازی شیمیایی-مکانیکی
ایزولاسیون کم عمق (STI) فرآیندی است که از آن در ساخت وسایل نیمه‌هادی استفاده می‌شود. در واقع روشی است که برای افزایش جداسازی بین مناطق فعال و غیر فعال مورد استفاده قرار می گیرد. علاوه بر این، STI می‌تواند به درجه بالاتری از مسطح‌سازی دست یابد، که استفاده از آن را در برخی کاربردهای فوتولیتوگرافی، با تمرکز بر بودجه و حداقل عرض خط ، ضروری می کند. برای مسطح‌سازی ترانشه‌های کم عمق و سطحی، از یک روش معمول مانند استفاده از یک ترکیب مقاوم در برابر اچ‌شدن (REB) و پولیش شیمیایی-مکانیکی (CMP) استفاده می‌شود. این فرایند در یک توالی و به صورتی که در ادامه شرح داده‌ می‌شود، انجام می‌پذیرد. نخست الگوی ترانشه ایزوله به ویفر سیلیکون انتقال می‌یابد. اکسید به شکل ترانشه‌‌های مد نظر بر روی ویفر رسوب می کند. یک ماسک تصویر، متشکل از نیترید سیلیکون، در بالای این اکسید به صورت الگو قرار می‌گیرد. سپس لایه‌ای جهت ایجاد یک سطح مسطح به ویفر اضافه می شود. پس از آن، سیلیکون به کمک حرارت اکسید می‌شود، سپس اکسید در مناطقی که Si3N4 وجود ندارد،رشد می کند و این رشد بین 0.5 تا 1.0 میکرومتر ضخامت دارد. از آنجا که اکسنده‌هایی نظیر آب یا اکسیژن قادر به نفوذ به ماسک نیستند، نیترید از اکسیداسیون جلوگیری می کند. در مرحله بعد، از فرآیند اچ‌کردن برای اچ کردن ویفر استفاده می‌شود و مقدار کمی اکسید در مناطق فعال آزاد می‌شود. در پایان ، از روش مسطح‌سازی شیمیایی-مکانیکی(CMP) برای پرداخت سطحی SiO2 غنی شده با اکسید در ناحیه فعال استفاده می‌شود.