توافق‌نامه سایکس–پیکو
آنگی استاد حقوق در افتتاحیه سمپوزیوم سایکس-پیکو در سال ۲۰۱۶ گفت که بخش عظم این توافق‌نامه با اهداف تجاری و اقتصادی و دسترسی به بنادر و ایجاد راه‌آهن تنظیم شده‌است.
لوکوس
این فناوری برای ایزوله‌کردن ترانزیستورهای ماس از یکدیگر و محدود کردن اثر متقابل ترانزیستور توسعه یافته‌است. هدف اصلی ایجاد یک ساختار عایق‌سازی اکسید سیلیکون است که به زیر سطح ویفر نفوذ کند، به طوری که واسط Si-SiO در نقطه‌ای پایین‌تر از بقیه سطح سیلیکون رخ دهد. با زدایش اکسید میدان به راحتی نمی‌توان به این مهم دست یافت. به‌جای آن از اکسایش حرارتی ناحیه‌های انتخاب‌شده پیرامون ترانزیستور استفاده می‌شود. اکسیژن در عمق ویفر نفوذ می‌کند، با سیلیسیم واکنش می‌دهد و آن را به اکسید سیلیکون تبدیل می‌کند. به این ترتیب یک ساختار مدفون شکل می‌گیرد. برای اهداف طراحی و تحلیل فرایند، می‌توان اکسایش سطوح سیلیکون را با استفاده از مدل دیل-گروو به‌طور مؤثر مدل کرد.