ما هو الترانزستور؟
تاريخ عتاد الحوسبة
في عام 1974 ظهرت مقاومة النقل التي أصبحت تعرف اختصاراً باسم الترانزستور وتم اختراعها في معامل بل على يد ثلاثة من العلماء هم جون باردين ووالتر براتين وويليام شوكلي، وقد حصلوا على جائزة نوبل في الفيزياء عام 1956 بسبب هذا الاختراع.
والترانزستور عبارة عن دائرة إليكترونية صغيرة الحجم تماثل أقل من رأس الدبوس وتستطيع القيام بالمهام والوظائف التي كان يقوم بها الصمام المفرغ الذي يصل حجمه إلى حجم الإبهام على الأقل، ومن هنا أمكن استخدامه في الحاسب ليقل حجمه إلى حد كبير ومن هنا بدأ أيضاً تطوير الترانزستور ليقل حجمه وتزيد كفاءته بعد ذلك.
ترس
التـِـرْسْ المسنن أو وقد يطلق عليه أيضًا بـ هو جزء ميكانيكي يوجد داخل آليات نقل الحركة ووظيفته نقل الحركة الدورانية للترس (المركب على محور) إلى ترس أو جزء ميكانيكي آخر. ويختلف الترس عن الطارة في أن الترس عبارة عن عجلة دائرية بها بروزات (أسنان) تتعاشق مع أسنان الترس الآخر مما يسمح للقوة بالانتقال التام بدون انزلاق. وحسب تصميم التروس وترتيبها يمكن للتروس نقل القوى بسرعات وعزوم مختلفة أو في اتجاهات مختلفة من مصدر الحركة الأساسي. والتروس مفيدة جداً في الآلات البسيطة. في معظم الحالات يتعاشق الترس مع ترس آخر ولكن الترس يمكن أن يعشق مع أي جزء ميكانيكي له نفس شكل الأسنان كما في الحركة البسيطة الجريدة المسننة والترس.
مضخم (إلكترونيات)
كلا المضخمان له "مقاومة باعث" مقدارها 1 كيلو أوم ، وهي تعمل على تثبيت نقطة التشغيل ولا تدعها تتغير فيستقر عمل الترانزيستور. وبافتراض في حالة تيار مستمر انخفاض
U بسبب درجة الحرارة بمقدار 40 مللي فولط ، فيرتفع بناء على ذلك الجهد عند "مقاومة الباعث " بمقدار 5و1 فولط مما يقلل من التكبير المرغوب "لتيار الجامع " . فمن دون هذا الربط الارتجاعي ([ارتجاع سلبي]]) هذا لانزاحت نقطة التشغيل إلى نطاق التشبع مما يحدث شوشرة كبيرة.
ترانزستور حقلي وصلي
S: هو الميل (إلكترونيات) ، أي معدل تغير تيار المصب بتغير في جهد البوابة (انظر موصلية منقولة)
ترانزستور
مفتاح – متعدد الأغراض – صوتي عالي الجهد – زوجي متماثل – عالي نسبة التكبير
ترانزستور
للمقحل ثنائي القطب وصلتين من نوع "م س" وثلاثة أطراف. حيث يربط طرفان من الوصلتين "م س"، في العادة يربط الباعث والمجمِّع إلى دائرة خارجية، بينما يصل الطرف الثالث القاعدة بدائرة داخلية. لكن رفع الجهد المطبقة على القاعدة قليلا يؤدي إلى دخول عدد كبير من الإلكترونات إلى القاعدة عبر الوصلة المنحازة أماميا، ويتفاوت هذا العدد حسب قوة الجهد. ولأن منطقة القاعدة رقيقة جدا، يستطيع مصدر الفولتية في الدائرة الخارجية جذب الإلكترونات عبر الوصلة المنحازة عكسيا. ونتيجة لذلك يسري تيار قوي عبر الترانزستور وعبر الدائرة الخارجية. وبهذه الطريقة يمكن التحكم في سريان تيار قوي عبر الدائرة الخارجية، بتزويد القاعدة بإشارة صغيرة.
ترانزستور
ففي بعض الهواتف المحمولة والتلفاز هناك العديد من المنتجات التي يدخل فيها المقحل كمكبر مثل مكبرات الصوت أو النقل الراديوي أو معالجة الإشارات وكانت أول دائرة مقحل ذات قدرات ضعيفه تصل إلى بعض الأجزاء من العشرة من الواط وتم تكبيرها. ومع التقدم ازدادت نسبة التكبير ونقائه تدريجيا عندما وجدت مقاحل أحسن وتم تقويم مواصفات المقحل ووصلت القدرات الآن إلى بضع المئات من الواط وبتكلفة قليلة.
ترانزستور حقلي وصلي
يختار جهد المصب عند D بصفة عامة في الوسط بين جهد المصدر والجهد الخارجي Ucc، بحيث يسمح بتغير جهد المصب حتى أقصي جهد من جهة ، ومن جهة أخرى لضبط جهد المخرج في حالة الاستقرار ، عند ادخال إشارة متذبذبة من ناحية G ونريد تضخيمها وتخرج من C2.
ترانزستور ثنائي القطبية
تعمل دائرة الترانزستور إن بي إن بمصدرين كهربائيية ، الأكبر منهما هو المتصل بالمجمع (موجبا ، نحو 12 فولط) . لكي يسير تيار ملحوظ في الترانزستور (1 مللي أمبير مثلا) من C إلى E , فلا بد وأن تكون formula_21 أعلى من مقدار نحو 650 مللي فولط يسمى "فولطية القطع " cut-in voltage . وهذا يعتمد على درجة الحرارة ونوع الترانزستور وكذلك على جهد انحياز القاعدة (formula_21 ).
ممرستور
الممرستور هو عنصر له طرفان يتغير مقاومته مع تغير الجهد، ولكن عندما ينقطع التيار تظل المقاومة كما هي، وهذا ما يعطي للعنصر صفة الذاكرة لأنها تحتفظ بآخر قيمة للمقاومة حتى بعد انقطاع التيار. وهذا يجعل الممرستور يناظر الوصلة العصبية بعقل الإنسان. وقد صممت شركة هويلت-باكارد نموذج لذاكرة غير متطايرة ROM بمساحة 100 جيجابت بسنتيمتر مربع واحد أسرع بكثير من سرعة القرص الصلب hard disk وبسرعة تساوي عشر سرعة الـDDRAM. وفي النموذج يتم قياس المقاومة باستخدام تيار متردد حتى لا تتغير المقاومة أثناء إلقاء الجهد عليها.
ممرستور
و تتكون خلية الممرستور من مكعب عرضه 40 نانومتر من ثاني أكسيد التيتانيوم في طبقتين: طبقة سفلى من ثاني أكسيد التيتانيوم والنسبة بين ذرات التيتانيوم والأكسوجين 1:2 بالضبط تجعلها عازلة للتيار الكهربائي وبالتالي ترمز بـTiO2، وطبقة سفلى بها نقص من ذرات الأكسوجين وبالتالي النسبة ليست 1:2 وبالتالي ترمز بـ TiO2-x. النقص في ذرات الأكسجين يعتبر فجوة موجبة، وبالتالي تجعل الطبقة السفلى موصلة للكهرباء.
ترانزستور ثنائي القطبية
المقحل لا يعمل كمضخم إلا في منطقة النشاط وهي منطقة أيمّا زاد فيها جهد الجامع-الباعث (جهد الجامع بالنسبة للباعث) فإن التيار لا يعاني تغيرا معتبرا بمعنى أنه يمكن استعماله كمصدر تيار معتمد على قيمة formula_8 التيار المار في القاعدة فيسمى لأجل ذلك ب مصدر تيار محكوم بالتيار، لتحقيق شروط هذه المنطقة يجب :
وللحصول على أفضل نقطة تشغيل يجب أن يكون الجهد المسلط على القاعدة-الباعث= نصف الجهد المسلط على المجمع-القاعدة.
ترنسكربيتوم
الترنسكريبتوم (بالإنجليزية: Transcriptome) هي مجموعة كل جزيئات الرنا (RNA) التي تتضمن الرنا المرسال والرنا الريبوسومي والرنا الناقل وغيرها من أنواع الرنا غير المشفر التي يتم إنتاجها في خلية واحدة أو تجمع من الخلايا ، تنتج جزيئات الرنا تلك من الدنا (DNA) . يمكن إطلاق هذا المصطلح على مجموعة النواسخ الكاملة في كائن ما أو على مجموعة فرعية محددة من النواسخ التي توجد في نوع خلوي معين. بعكس الجينوم وهو ثابت تقريبا لخط خلوي معين (إذا ما استثنينا الطفرات)، يمكن أن تتنوع مجموعة الترانسكربيتوم بتنوع الظروف البيئية. يعكس الترانسكربيتوم الجينات التي تم تعبيرها بنشاط في أي وقت محدد وذلك لأنه يشمل كل ناسخات الرنا في الخلية باستثناء ظاهرة تحلل "الرنا المرسال" مثل توهين الناسخات (بالإنجليزية: Transcriptional Attenuation).
محول تفاضلي متغير خطي
المحول التفاضلي خطي التغيير أو المحول التفاضلي المتغير خطيا (إل في دي تي). -linear variable differential transformer -LVDT هو أحد أنواع المحولات الكهربائية المستخدمة في قياس الإزاحة الخطية. يتألف المحول من ثلاثة ملفات (سولونويدات) موضعة بشكل نهاية نهاية حول انبوب اسطواني. يمثل الملف الأوسط القسم الرئيسي (الملف الابتدائي) بينما الملفان الطرفيان القسم الثانوي (الملف الثانوي). ينزلق قضيب اسطواني مصنوع من مواد فيرومغناطيسية داخل الملفات بشكل يتناسب طرديا مع الجسم المتحرك والمراد قياس إزاحته (يتم ذل بواسطة ربط هذا القضيب مع الجسم المتحرك).
كونتاكتور
الكونتاكتور أو الملامس أو الملماس أو مفتاح التلامس أو قاطع التماس هو جهاز كهرومغناطيسي يستخدم في فصل ووصل الدارات الكهربائية أو دارات التحكم. يتم تنشيط القاطع الكهربائي بتيار تحكم يكون ذو شدة تيار وفرق جهد أصغر من التيار الكهربائي المطلوب التحكم به. يأتي الواصل بعدة أشكال وأحجام واستطاعات بحسب طبيعة الاستعمال. وعلى خلاف قاطع الدارة الكهربائية فإن الواصل لا يقصد من استخدامه حماية الدارات من تيارات دائرة القصر.
ترانزستور حقلي وصلي
حيث formula_2 هو فرق الجهد بين البوابة والأرضية ، (الأرضية هنا هي التوصيلة السفلى V 0 ، واستخدمنا للأرضية الرمز M اختصارا لكلمة Mass).
خواص إلكترونيات
إلى اليسار يعطي مواصفات الترانزستور في شكل بياني التي يعطيها المصنع للمستهلك لاختيار نقطة التشغيل المناسبة للدائرة التي يرغبها . الرسم البياني إلى اليمين يوضح تغير التيار بين المصب والمصدر (الرأسيIds) بتغير جهد المصب (المحور الأفقيVds) وذلك عند قيم مختلفة لجهد الانحياز (جهد البوابة Vgs) .
فنسترون
فنسترون أو فانتيل وهي دوار الذيل الخلفي للمروحية وتكون بالأساس مروحة أنبوبية مرفقة داخل انبوب ذيل الطائرة. ولها نفس خصائص دوار الذيل وهي معاكسة عزم دوران للدوار الرئيسي. وهي علامة مسجلة لليوروكبتر، وأصل الكلمة فرنسية وتعني النوافذ الصغيرة التي بالبيوت.
ترانزستور ثنائي القطبية
مناطق التشغيل ثلاثة تتغير بحسب تغير جهد الجامع-الباعث formula_6 في حال ثبات جهد القاعدة-الباعث formula_7 : 
يكون نشطا في حال كان الديود بين الباعث والقاعدة شغال (انزياح أمامي) والذي بين الجامع والقاعدة مطفأ (انزياح عكسي)، وهذا ساري على كلا النوعين (لاحظ الصورة أعلاه) وفي منطقة التشغيل هذه يستعمل كمضخم للتضخيم.
يكون في وضع التشبع في حال كان كلا الديودين منزاحا للأمام ويستعمل في منطقة التشغيل هذه للعمل كبوابة منطقية وكذلك كمفتاح كهربي.
تكون الوصلة متعطلة في حال كان كلا الديودين متوقفين ويستعمل كمفتاح كهربائي للفتح والقفل وكل التيارات في هذه المنطقة = صفر.
ترانزميشن
ترانزميشن هو البرنامج الافتراضي للبت تورنت على العديد من توزيعات لينكس ويونكس، بما فيها Joli OS, أوبن سولاريس, أوبونتو, ماندريفا لينكس, لينكس مينت, فيدورا, بوبي لينكس, كرانشبانج لينكس, Zenwalk, أوبن سوزي بواجهة جنوم.
ترانزستور حقلي وصلي
ويوصل طرفي الوصلة بمصدر للجهد حيث يوصل المصب D بالقطب الموجب لبطارية (نحو 12 فولط) ، ويوصل من الناحية الأخرى )وتسمى المنبع أو المصدر) S بالقطب السالب للبطارية . بذلك يقوم الترانزستور بعمل مقاومة كهربائية ويمر فيه تيار . ولكن عمل الترانزستور يكتمل بوضع جهد على السلك الموصول بالبوابة G . حينئذ يمكن التحكم في شدة التيار المار عبر "القناة" بين المصب والمصدر. وبذلك فيكون عمل المقحل الحقلي الموصول مشابها لعمل وصلة بي إن ، وتكون التوصيلات الخارجية مقاومات أومية.
موصلية منقولة
إنها خاصية الصمام ثلاثي وغيره من الصمامات ، وهي خاصية الترانزستور.
ترانزستور ثنائي القطبية
أما دراسة سلوك الترانزستور، فهي تعتمد على طبيعة عمل المواد الإلكترونية المصنوع منها، فالترانزستور يحتوي على ثلاثة أقطاب مصنوعة من مادتين مختلفتين المادة (n) والمادة (p)، وهاتان المادتان عند وضع أحدهما بالقرب من الأخرى، فإن الأيونات الموجبة والأيونات السالبة تنتقل من مادة إلى أخرى لتكون مادة متعادلة في المنتصف ما بينهما. ففي حالتنا هذه فإنه سيتكون لدينا منطقتان متعادلتان واحدة ما بين المُجَمِّعْ والقاعدة، والأخرى ما بين الباعِثْ والقاعدة. ومن هنا يأتي دور مصادر الجهد الخارجية المحفزة وذلك لضمان مرور التيارات الإلكترونية من خلال هذه المناطق المتعادلة. فبما أن القاعدة هي القطب المشترك ما بين دارة الإدخال (دارة الباعِثْ) ودارة الإخراج (دارة المُجَمِّعْ) فإن أية دارة إلكترونية تحتاج إلى وصفين بيانيين يبينان علاقة مصدر الجهد المحفز لمرور تيار القاعدة في دارة الباعِثْ وعلاقة هذا التيار مع تيار المُجَمِّعْ.
معامل انتقال الحرارة
معامل انتقال الحرارة في الفيزياء (بالإنجليزية:heat transfer coefficient) معامل تناسب يحدد انتقال الحرارة عبر سطحي وسطين متلامسين ، مثل سطح تلامس جسمين . يرمز له h أو α ويقاس بوحدة 
( W/(m²·K ويعتمد على شكلية الجسمين المتلامسين أو على سطح التلامس بين جسم والوسط المحيط به وقد يكون هذا الوسط سائلا.
ترانزستور ثنائي القطبية
الشكل 5 يمثل الوصف البياني لدراسة سلوك دارة الإدخال في الترانزستور الموصول بطريقة القاعدة المشتركة، والمدخلات هنا هي تيار الباعِثْ (I)حيث أنه هو التيار الذي تتغير قيمة تيار المُجَمِّعْ (I) وفقاً له، بعبارة أخرى تيار الباعِثْ هنا هو الذي يقود تيار المُجَمِّعْ ويتحكم به. وهذا الحال ينطبق على الترانزستور الموصول بطريقة القاعدة المشتركة فقط، حيث أنه في التوصيلات الأخرى للترانزستور مثل توصيل الترانزستور بطريقة الباعِثْ المشترك أو غيرها تختلف تسمية التيار الذي يقود التيار الآخر. فلضمان مرور تيار الباعِثْ يجب أن تكون قيمة مصدر الجهد الخارجي المحفز ما بين الباعِثْ والقاعدة أعلى من الجهد الداخلي للمنطقة المتعادلة والمتكونة طبيعياً بسبب حركة الأيونات. ومن هنا نستطيع أن نجزم أن مقدار الجهد الداخلي للمنطقة المتعادلة تقريبا 0.6 فولت حيث إننا نرى بأن التيار الكهربائي للباعِثْ بدأ بالمرور بعد هذه القيمة. ومن هذا التيار نستطيع معرفة قيمة التيار المُجَمِّعْ الناتج والمولد لمصدر الجهد الخارجي ما بين المُجَمِّعْ والقاعدة.
ترانزستور حقلي وصلي
الرسم البياني إلى اليسار: هو ترجمة للخطوات التي قمنا بها لتعيين خواص الترانزستور ، فهو يعطي تغير تيار المصب Id بتغير جهد البوابة Vgs .
أيضا هنا لا يمر تيار بين المصب والمصدر Id طالما كان جهد البوابة لأن Vgs4 درجة الحرارة (أنظر الشكل 5).
ترانزستور ثنائي القطبية
والجزء الباقي من الإكترونات يتحد مع فجوات الموجودة في القاعدة ، متسببا في مرور تيار في القاعدة يسمى "تيار القاعدة" formula_26. وكما نرى في الشكل فإن تيار الباعث formula_27, هو التيار الكامل للترانزستور حيث أنه مجموع التيارين السابقين , (أي 
formula_27=formula_1+formula_26).
ترانزستور حقلي حساس للإشعاع
يتسبب التيار المار في المقحل بين المصب والمنبع في انخفاض في جهد المصب ، ويتزايد هذا الانخفاض في جهد المصب بتزايد كمية الإشعاع. تبلغ حساسية المقحل للإشعاع بين 10 مللي فولط إلى 10 فولط لكل جراي من وحدات الإشعاع.
هذا المقحل الحساس للإشعاع يسمى أحيانا رادفت RadFET . ونظرا لصغر حجمه وسهولة استخدامه في دائرة كهربائية واتساع نطاق جرعات الإشعاع التي يتحسسها حتى 1000 جراي ، فهو يستخدم بصفة خاصة كمقياس لجرعات الإشعاع في الأقمار الصناعية.
ترانزستور ضوئي
بما أن المقحل زوجي الأقطاب يتركب من وصلتين ثنائيتين, فبالمقابل يصبح لديه منطقتي شحنات حرة. واحدة بين الباعث والقاعدة وهي الكبرى والأخرى بين المجمع والقاعدة وهي الصغرى, وكبر المنطقة وصغرها معتمد أساسا على كمية التشويب. عندما يصار إلى استعمال المقحل ككاشف ضوئي, يتم كشف المنطقة الكبرى الواقعة بين القاعدة والباعث وجعلها عرضة للضوء, فعندما يسقط الضوء على منطقة الشحنات الحرة يقوم الفوتون الساقط (إذا امتلك طاقة > فجوة الطاقة) بخلق زوج إلكترون-فجوة, يفصلهما المجال الكهربائي فيذهب بالإلكترونات نحو المنطقة السالبة ويذهب بالفجوات نحو المنطقة الموجبة. وبذلك يحصل تحويل الشعاع الضوئي إلى إشارة كهربائية ولندع التيار الناشئ منه التيار الضوئي الأولي.
ترانزستور حقلي وصلي
ومع استمرار زيادة جهد المصب "U" يبقى تيار المصب "I" ثابتا . وتلك هي منطقة عمل الترانزستور (منطقة التشبع) ويكون جهد المصب فيها أعلى من جهد الانحصار . ويعتمد جهد الانحصار على تركيز التشويب وعلى نصف عرض القناة "a" . ويحتسب جهد الانحصار في نوع "القناة إن : في اتجاه البوابة-المصدر موجبا ، كما يحتسب في حالة "القناة بي" في اتجاه المصدر-بوابة موجبا .
ترانزستور حقلي وصلي
وهو يكون أعلى من جهد البوابة حيث أن جهدها Vgs لا بد وأن يكون سالبا .
توماس ترانسترومر
ترانسترومر عازف بيانو ماهر. بعد أن أصيب بسكتة في بداية تسعينات القرن العشرين ترافقت بفالج في الجهة اليمنى من الجسم وحبسة كلامية، تعلم الكتابة بيده اليسرى وصار يعزف الموسيقى لليد اليسرى، وقد ألف بعض هذه الموسيقى مؤلفون معاصرون له خصيصاً.
آلات كهربائية هندسية
ويسمى بالإنجليزية(transformer) ووظيفتة نقل القدرة الكهربائية ويعمل على ممبداء الحث الكهرومغناطيسيى ولا يعمل مطلقا مع التيار المستمر.
مضخم
المضخم هو نبيطة الكترونية ترفع الجهد الكهربائي أو التيار أو تزيد من سعة الإشارة (مطال الإشارة) عن طريق استقبال إشارة المدخل وتضخيمها فتنتج إشارة أكبر في المخرج. ويُستعمل المضخم في اتصالات اللاسلكي والإذاعة ولكنه يستعمل بكثرة في المستقبللات الضعيفة. تدعى العلاقة بين إشارة المدخل وإشارة الخرح بدالة النقل والنسبة بين سعتي الإشارتين كسب المضخم أو معامل التضخيم.
أجيال الحاسوب
حدث أول تغير رئيسي في الحاسوب عند ما استبدل الترانزستور (نصف الناقل) بالصمام المفرغ. والترانزستور، كما هو معلوم، أصغر حجماً وأرخص كلفة وأقل تبديداً للحرارة من الصمام المفرغ، كما أنه لا يتطلب أسلاكاً وصفائح معدنية وأنابيب زجاجية، بل هو عنصر صلب مصنوع من السيليكون. وباستعمال الترانزستور دخل بناء الحواسيب جيله الثاني. وأضحى تصنيف الحواسيب في أجيال يعتمد على تقانة العتاد الأساسية. ويُميَّز كل جيل من غيره بزيادة سرعة عملياته وسعة ذاكرته وصغر حجمه.
طرأت على صناعة الحواسيب تغيرات أخرى، فقد شهد الجيل الثانــي إنتاج وحدات حساب ومنطق ووحدات تحكم أكثر تعقيداً واستعمال لغات برمجة عالية المستوى، وتقديم برمجيات نظام System Software مع الحاسوب.
تسجيل وإنتاج الأصوات
غير الشريط المغناطيسي صناعة التسجيل، وفي أواخر الخمسينيات من القرن العشرين نُسخت الأغلبية العظمى من التسجيلات على الشريط. أحدثت ثورة الإلكترونيات التي تلت اختراع الترانزستور المزيد من التغيرات الجذرية، كان أهمها تقديم أول "جهاز موسيقى شخصي" في العالم، مذياع الترانزستور المصغر، الذي أصبح من أهم السلع التكميلية للمستهلك في الستينيات من القرن العشرين، محولاً البث الإذاعي من تجربة جماعية ثابتة إلى نشاط استماع متنقل وشخصي. كان من التسجيلات متعددة المسارات المبكرة التي صنعت باستخدام الشريط المغناطيسي "How High the Moon" لـLes Paul (ليس بول)، الذي عزف فيه (بول) ثمانية مسارات جيتار منسوخة. في الستينيات من القرن العشرين كان Brian Wilson (براين ويلسون) عضو ذا بيتش بويز وFrank Zappa (فرانك زابا) وThe Beatles (مع المنتج George Martin (جورج مارتن) من أوائل الفنانين الشعبيين الذين استكشفوا إمكانيات تقنيات وآثار التسجيل متعدد المسارات على ألبوماتهم المميزة "Pet Sounds" و"Freak Out!" و"Sgt. Pepper's Lonely Hearts Club Band".
ترانزستور حقلي وصلي
إلى اليسار يعطي مواصفات الترانزستور في شكل بياني التي يعطيها المصنع للمستهلك لاختيار نقطة التشغيل المناسبة للدائرة التي يرغبها . الرسم البياني إلى اليمين يوضح تغير التيار بين المصب والمصدر (الرأسي) بتغير جهد المصب (المحور الأفقي) وذلك عند قيم مختلفة لجهد الانحياز (جهد البوابة) .
ترانزستور ثنائي القطبية
ففي المنطقة النشطة (Active region) يجب أن يكون فرق الجهد بين القاعدة والباعث ( Vbe ) في حالة أكبر من قيمة جهد المنطقة المتعادلة ما بين الباعِثْ والقاعدة وتسمى بـ (Forward bias)، أما فرق الجهد بين القاعدة و المُجَمِّعْ ( Vbc ) فستكون قيمته إما أقل من قيمة جهد المنطقة المتعادلة أو أنها ذات جهد سالب وتسمى بـ ( Reverse – bias). وتستخدم هذه المنطقة لتشغيل الترانزستور في حالة التضخيم (Amplifier) (سواء لتضخيم الجهد أو لتضخيم التيار). أما منطقة القطع (Cutoff region) فستكون قيمة كِلا المصدرين الخارجيين أقل من قيمة جهد المنطقتين المتعادلتين أو أنهما ذواتي قيمة سالبة فستكون كلا المنطقتين في حالة (Reverse – bias). وأخيراً منطقة الإشباع فستكون قيمة كِلا المصدرين الخارجيين أعلى من قيمة جهد المنطقتين المتعادلتين فستكون كلا المنطقتين في حالة (Forward – bias)؛ ويتم تشغيل الترانزستور في منطقة الإشباع ومنطقة القطع للحصول على تشغيله في حالة المفتاح الإلكتروني (Switch).
ترانزستور حقلي وصلي
حيث Id هو التيار المار بين المصب والمصدر .
تقنية المعلومات
وأتاح تطوير الترانزستورات في أواخر الأربعينيات من القرن الماضي في مختبرات بيل تصميم جيل جديد من الحواسيب مع انخفاض كبير في استهلاك الطاقة. وكان أول جهاز كمبيوتر مخزنا تجاريا، وهو فيرانتي مارك الأول Ferranti Mark I ، يحتوي على 4050 صماما وكان استهلاكه للطاقة 25 كيلوواط. وعلى سبيل المقارنة، استهلك الحاسوب الأول الذي تم تطويره في جامعة مانشستر والذي بدأ تشغيله في تشرين الثاني / نوفمبر 1953، 150 واط فقط في صيغته النهائية.
انتقال (طب)
الانتقال في الطب وعلم الأحياء هو عبارة عن مرور المرض القابل للانتقال من مضيف مصاب أو مجموعة إلى مضيف أو مجموعة أخرى ,بغض النظر عن ما إذا كان الأشخاص الاخرين مصابين من قبل. في اوقات أخرى يكون معنى الانتقال أكثر دقة بمعتى ان الاصابة تحدث للشخص الغير مصاب .
هذا المصطلح تشير إلى انتقال ميكروبمباشرة من شخص إلى اخر بواسطة احدى الطرق التالية :
أيضا الانتقال يمكن ان يكون بشكل غير مباشر، بواسطة كائن حي اخر اما ناقل كالبعوضيات : Mosquito أو مضيف متوسط كشريطية الخنزير شريطية وحيدة 
. الانتقال الغير مباشر يمكن ان يشمل zoonoses أو، وأكثر دقة، الميكروبات الممرضة بالإنجليزية : pathogens الكبيرة كال الطفيليات الكبيرة مع دورة حياة معقدة بالإنجليزية : macroparasites.
ترانزستور حقلي وصلي
ونظرا لأن التيار الكهربائي سوف يسير فيه من المصب إلى المصدر فهو يعتبر أحادي القطب .بالإضافة إلى هذا الجسم تترسب عليه طبقة من نوع التشويب الآخر ، وعن طريق تغيير جهدها الكهربائي يمكن التحكم في التيار المار في القناة.
مضخم (إلكترونيات)
يتكون المضخم الإلكتروني من عدة أجزاء من ضمنها ترانسيستور واحد على الأقل أو صمام إلكتروني يقوم بمعالجة إشارة تناظرية بحيث تتضخم في صفاتها وتخرج مكبرة . ومن صفات المخرج أنه يُعطي قدرة أعلى من القدرة الداخلة . ويكتسب فرق القدرتين من مصدر كهربي ، مثل بطارية أو مصدر كهرباء كالمستخدم في البيوت . وتوجد مضخمات للتيار المستمر وبالتالي للجهد الثابت كما توجد مضخمات التيار المتردد وبالتالي الجهد المتردد .
ويليام شوكلي
أخذ شوكلي نصيب الاسد في الفضل في اختراع الترانزستور بين العامة من الناس، مما ادي الي تدهور العلاقة بينه وبين باردين. ومع ذلك أصرت إدارة مختبرات بل علي تقديم المخترعين الثلاثة كفريق واحد. في النهاية غضب شوكلي ونفر من باردين وبراتين ومنعهما من العمل الترانزستور الوصلة. بدأ باردين ملاحقة نظرية في مجال الموصلات الفائقة وترك مختبرات بل في عام 1951. رفض براتين العمل مع شوكلي مرة أخرى وحول لفريق آخر. لم يعمل كلا من باردين وبراتين علي تطوير الترانزستور في الفترة ما بعد اختراعه بسنة.
وكان الترانستور(الناقل المقاوم أو المقحل) اصغر من الصمامات المفرغة بنسبة 1/50. وقد حل محلها في التلفاز والمذياع وسمح للأجهزة الكهربية ان تصبح اقل حجما وأكثر كفاءة وأقل بعثا للحرارة.
هندسة كهربائية
اختراع الترانزيستور على ايدي وليام شوكلي، جون باردين ووالتر براتاين عام 1947 في معامل بيل فتح امام الجميع افاق جديدة في تقنية اشباه الموصلات والدوائر المتكاملة وسمح للمصنعين بتصغير حجم الأجهزة بشكل دراماتيكي.
منطق مقاومة - ترانزستور
والميزة الرئيسية للتكنولوجياRTL هي أنها تستخدم الحد الأدنى لعدد الترانزستورات. في الدوائر التي تستخدم مكونات منفصلة، قبل الدوائر المتكاملة، كانت الترانزستورات المكون الأغلى للإنتاج. الاستخدام المبكر الدوائر المتكاملة المنطقية  (مثل فيرتشايلد في عام 1961) نفس النهج لفترة وجيزة، ولكنه انتقل بسرعة إلى دوائر عالية الأداء مثل ديود-ترانزستور المنطق ومن ثم الترانزستور الترانزستور المنطق (ابتداء من 1963 في سيلفانيا)، منذ الثنائيات والترانزستورات لا أكثر تكلفة من المقاومات في الدوائر المتكاملة.
ترانزستور
V(Rc)=Ice*Rc
جهد انحياز
إلى اليسار تعطي مواصفات الترانزستور في شكل بياني يعطيها المصنع للمستهلك لاختيار نقطة التشغيل المناسبة للدائرة التي يرغبها . الرسم البياني إلى اليمين يوضح تغير التيار بين المصب والمصدر (الرأسي) بتغير جهد المصب (المحور الأفقي) وذلك عند قيم مختلفة لجهد الانحياز (جهد البوابة) [ المثال هنا يصف مقحل حقلي موصول JFET].
دارة إلكترونية
ولكي يعمل الترانزيستور قاطعاً إلكترونياً (في الدارات الرقمية والتمثيلية) تكون وصلة المجمع - القاعدة بحالة انحياز عكسي، وتترك القاعدة حرة ليطبق عليها واحد من مستويي جهد V، أي انحياز عكسي لوصلة الباعث - القاعدة، ويكون عندها الترانزيستور بحالة قطع cut-off، أو تطبيق جهد قاعدة أمامي عالٍ high level كاف لنقل الترانزيستور إلى حالة الإشباع saturation أي حالة الوصل on state.
ترانزستور ثنائي القطبية
الجهد formula_21 يجعل الوصلة السفلى P-N موصلة للتيار ، ويمر تيار إلكترونات من الباعث إلى القاعدة . سيمح المجال الكهربي الموجود بين القاعدة والمجمع (الناشيء من formula_24 ، سيسمح لمعظم الإلكترونات العبور إلى الوصلة P-N العليا إلى المجمع مشكلا تيار المجمع formula_1.
محول الطاقة الحيوية
والأدوات التي تعتمد على ترانزستور ذي تأثير حقلي (ترانزستورات حقلية) جذبت اهتمامًا كبيرًا لأنه يمكن أن تنقل التفاعلات بشكل مباشر بين الجزيئات البيولوجية المستهدفة وسطح الترانزستورات الحقلية في إشارات إلكترونية مقروءة. وفي الترانزستور الحقلي يتدفق التيار عبر قناة متصلة بالمصدر والمصرف. توصيلية القناة بين المصدر والمصرف تنفتح وتُغلق بواسطة بوابة متقارنة من خلال طبقة عازل كهربائي رقيقة .
ترانزستور ثنائي القطبية ذو بوابة معزولة
ترانزستور ثنائي القطبية ذو بوابة معزولة و يرمز له أيضا ب(IGBT) هو مكون يعتمد أشباه الموصلات يستخدم في الكهرباء ذات الطاقة العالية كونه يحتوي على ميزات تراتزستور ثنائي القطب العادي مثل التمرير الجيد للتيار، ممانعة عالية للتيار بالاتجاه العكسي، وقوة في الأداء، ويحوي أيضا ميزات الترانزستور الحقلي الأحادي القطب.
مضخم (إلكترونيات)
يتميز تضخيم الترانزيستور بتضخيم كبير عندما يكون في دائرة الباعث - ويكفي أن يكون تيار الجامع IC نحو 1 ميللي أمبير (عن طريق ضبط المقاومتين 7و4 كيلو أوم والمقاومة المتصلة بالأرض 1 كيلو أوم ). وعن طريق ربطة تيار يمكن التوصل إلى تثبيت نقطة التشغيل وجعلها لا تعتمد على درجة الحرارة (إختيار مقاومتي الدخول 47 كيلو أوم و 10 كيلو أوم المتصلة بالأرضي). فيكون انخفاض الجهد عبر المقاومة 1 كيلو أوم بين الباعث والأرضي ( وهي الرموز السفلى المرتبطة بالأرض ، أي يبلغ جهدها 0 فولط ) بالغا نحو 1 فولط - ذلك لأن
U يمكن أن يحيد بمقدار نحو 06و0 فولط ويعتمد ذلك على نوع الترانزيستور وخصائصه الحرارية .
ترانزستور حقلي حساس للإشعاع
مقحل حقلي حساس للإشعاع (بالإنجليزية:radiation sensing field-effect transistor ) هو ترانزستور حقلي مكون من وصلة معدن وعازل و شبه موصل . يعتمد تيار المصب-المنبع فيه على كمية الإشعاع الساقطة على "البوابة" (أنظر مقحل). يعمل الإشعاع الساقط علية (قد يكون أشعة إكس أو أشعة غاما ) على انتاج أزواج من الإلكترونات و الثغرات في منطقة البوابة . تمر الإلكترونات فيه بينما تتكاثر الثغرات (موجبة الشحنة) في جسم المقحل .
شبه موصل مشوب
كما يوجد نوع ترازستور يسمى ترانزستور حقلي 
(Field-effect transistor (FET أو "ترانستور التأثير الحقلي " وهو يعتمد أيضا على شبه الموصل المشوب . وهو يختلف عن "ترانزستور وصلة ثنائي الأقطاب " BJT في كونه ذو قطب واحد ومنه ما له " قناة نوع إن " N-channel أو "قناة نوع بي" P-channel. 
ا
وتنقسم أنوع الترانزيستور الحقلي FET إلى نوعين : ترانزيستور حقلي ذو وصلة بوابة 
junction gate FET (JFET) و نرانزستور حقلي ذو بوابة معزولة insulated gate FET 
(GFET)).
ريتشارد جريمسديل
في عام 1953، بينما كان ريتشارد جريمسديل لا يزال معيدًا في جامعة مانشستر، قام بتصميم أشهر أعماله، وهو تصميم وتطوير ("Metrovick 950)"، والذي يعد جهاز الكمبيوتر الأول في العالم المصنوع من الترانزستور بدلاً من الصمامات المُفرَّغة أو الأجهزة الكهربائية، وكان هذا الجهاز يستخدم الجيل الأول من الترانزستورات الذي يُسمى ("point-contact transistors)"، وبعد ذلك تم تطوير الجهاز واستخدام ترانزستورات متقدمة تقدم أداء أفضل.
سلسلة نقل الإلكترون
سلسلة نقل الإلكترون (بالإنجليزية:electron transport chain) هي العملية الخلوية التي تترافق مع الحوامل الإلكترونية electron carrier (أيونات) مثل جزيء NADH وثنائي نيوكليوتيد الفلافين والأدينين إضافة لتفاعلات كيميائية حيوية وسيطة تقوم بانتاج نهائي للأدينوزين الثلاثي الفوسفات (ATP), وهو عُملة الطاقة الأساسية للحياة في المتعضيات. يوجد فقط مصدرين للطاقة في المتعضيات الحية : تفاعلات أكسدة-إختزال redox) يشترك فيها الأكسجين بالنسبة إلى مملكة الحيوان ؛ أو تشترك أشعة الشمس وطاقتها ( في عملية التخليق الضوئي photosynthesis) في النباتات.
ناقل (إنزيم)
في الكيمياء الحيوية : الترانسفيراز أحد أنواع الإنزيمات التي تحفز نقل مجموعة وظيفية (مثل ميثيل أو فوسفات ) من جزيئة (تدعى المناح ) إلى جزيئة تدعى القابل أو المتقبل . مثلا الإنزيم الذي يتوسط هذا التفاعل يمكن أن يكون ترانسفيرازا :
دارة إلكترونية
ـ يعتمد الترانزيستور FET على تدفق حوامل شحنات ذات قطبية واحدة (موجبة أو سالبة) لذلك يدعى بالوسيلة أحادية القطبية unipolar device، بينما يعد الترانزيستور BJT وسيلة ثنائية القطبية bipolar device لأنه يعتمد على تدفق حوامل شحنات موجبة وسالبة معاً.
أجيال الحاسوب
الترانستور: 
هو عبارة عن عنصر يسمح بمرور الطاقة الكهربائية في اتجاه معين، بينما يعمل في الوقت نفسه على وقف تدفق الطاقة الكهربائية في الاتجاه الآخر.
منطق ترانزستور ترانزستور
يتضمن منطق ترانزستور ترانزستور عدة عائلات فرعية هي:
تتميز عن العائلة القياسية بأن التيار المار فيها أقل وضياع القدرة فيها أقل.
وتتميز بسرعة الانتقال بين الحالات المنطقية بسبب استخدام زوج دارلينغتون فيها.
وهي آخر العائلات الفرعية ظهورا وتعتبر أسرع من أي عائلة TTL أخرى وتختلف هذه العائلة الفرعية عن أي عائلة أخرى في الTTL في أنها تستخدم ترانزستور معدل حيث توصل قاعدة الترانزستور بمجمعه عن طريق موحد شوتكي ويعمل الدايود على تحويل تيار القاعدة عندما يكون الترانزستور في حالة غلق الدائرة ON، وذلك حتى يمنعه من تخزين الشحنات التي تبطئ من سرعته عندما يتحول من الحالة ON إلى حالة فتح الدائرة OFF. وهذا يسرع الأداء العام للدارة.
ترانزستور ثابت الحثية
خصائص الترانزستور:
النظام الفرعي للمحطة الاساسية
محطة الإرسال والاستقبال أو ال "BTS" تحوي على المعدات الازمة لارسال واستقبال البينات مثل الترانسيفر والهوائيات ومعدات التشفير وفك التشفير. ويتعامل بشكل أساسي مع مراقب المحطات الفرعية ال "BSC". عادةً تحوي ال "BTS" على ترانسيفر "TRXs" بوفر لها إمكانية التحكم بعدة تردادات.
ترانزستور حقلي وصلي
كما وصفنا أعلاه يتحكم جهد البوابة Vgs في مقدار التيار المار بين المصب والمصدر ID. الشكلان 1 و2 يبينان مواصفات المقحل.
ويليام شوكلي
وليام برادفورد شوكلي بالإنجليزية : William Bradford Shockley)؛ (13 فبراير 1910 - 12 أغسطس 1989)فيزيائي أمريكي. بتاريخ 5 يوليو 1956،قام مع زميليه (جون باردين ووالتر براتين باختراع الترانزيستور، فحازوا على جائزة نوبل في الفيزياء عام 1956. في الستينيات، أسس مركز تقنية الترانزيستور " سيليكون فالي "(Silicon Valley) أيضًا.
جهد انحياز
جهد انحياز في الإلكترونيات (بالإنجليزية : Bias voltage) هو جهد كهربائي مستقر يوصّل عادة بشبكة التحكم في صمام ثلاثي أو ببوابة ترانزستور من أجل ضبط عمل الترانزستور أو الصمام الثلاثي . إذا كان جهد الانحياز الموصول ببوابة الترانزستور سالبا وكبيرا فإن التيار داخل الترانزيسور ينقطع. أما إذا كان جهد الانحياز الموصل ببوابة الترانزستور موجبة أصبحت القناة داخل الترانزستور مفتوحة ويمر التيار فيها من المصب إلى المصدر (قارن مقحل).
متقبل
عمل هذا الترنزستور يشبه عمل الصمام الثلاثي ؛ بل هو أكفأ منه ، إذ أنه أصغر في حجمه كثيرا . علاوة على أن الترانزستور يعمل بجهد الأنود collektor نحو 12 فولط بينما يعمل أنود الصمام الثلاثي بنحو 150 فولط على الأقل.
ترانزستور ثنائي القطبية
يحتوي الترانزستور على ثلاثة أقطاب؛ اثنين منها تصنع من نفس المادة أما الثالثة فتكون مختلفة والتي عادة ما تكون موجودة في المنتصف وكما هو مبين في الشكل (1). وحيث أن القطع الإلكترونية في العادة تصنع من مادتين متجاورتين مختلفتين وتسميان المادة ذات التركيز الإلكتروني العالي ويرمز لها بـ(n) والمادة ذات التركيز الإلكتروني القليل ويرمز لها بـ(p). فكل قطب من هذه الأقطاب له تسمية مستوحاة من طبيعة عمله، فالقاعدة (Base) عادة ما تكون في المنتصف وهي مصنوعة من المادة المختلفة أما القطبان اللذان على الأطراف المصنوعان من نفس المادة يسميان عادة بالباعِثْ (Emitter) والمُجَمِّعْ (Collector)؛ وذلك بسبب طبيعة حركة الإكترونات فيهما بسبب المحفز الخارجي وعادة ما يكون مصدر جهد ثابت التردد (DC voltage source). فهنا نحن بحاجة إلى مصدرين خارجيين من أجل التحفيز؛ مصدر الجهد المخصص لتحفيز الباعِثْ والقاعدة وعادة تسمى هذه المصادر بأخذ أول حرف من القطب ذي الجهد العالي وأول حرف من القطب ذي الجهد القليل فسيرمز له بـ (V) وكذلك مصدر الجهد المحفز ما بين المُجَمِّعْ والقاعدة والذي يرمز له بـ (V).
ترانزستور ثنائي القطبية
و هناك منطقة رابعة ذات أهمية هي منطقة التداعي أو الأنهيار وتحطم العازل، ينساب فيها تيار عرمرم في مقابل تغير طفيف في جهدية القاعدة-الباعث.
مضخم (إلكترونيات)
ويجب أن يختار التيار أسفل قاعدة الترانسيستور "I" أن يكون كبيرا بالمقارنة إلى تيار القاعدة "I" الداخل.
ويتحقق هذا الشرط باختيار ترانزيستور بخاصية I/I ≥ 100.
حوسبة ضوئية
تتمثل اللبنة البنيوية الأساسية لأجهزة الكمبيوتر الإلكترونية الحديثة في الترانزستور(المقحل). ولاستبدال المكونات الإلكترونية بأخرى ضوئية، يتطلب الأمر وجود "ترانزستور ضوئي" مكافئ. ويتحقق ذلك عن طريق استخدام مواد ذات قرينة انكسار غير خطية. وعلى وجه التحديد، توجد المواد حيثما تؤثر شدة الضوء القادم على شدة الضوء المنقول عبر المادة بطريقة مشابهة لاستجابة الجهد الكهربائي للترانزستور الإلكتروني. ويمكن استخدام مثل هذا "الترانزستور الضوئي" لإنشاء بوابات منطقية، والتي بدورها يتم تجميعها في مكوناتٍ ذات مستوى أعلى من وحدة المعالجة المركزية (CPU) الخاصة بالكمبيوتر. وستكون تلك عبارة عن بلورات غير خطية يتم استخدامها لمعالجة الحزم الضوئية في السيطرة على أخرى.
ترانزستور ثنائي القطبية
في عملية التشويب، يتم تطعيم الباعث والمجمع بنفس النوع من الشحنات فإما مادة تعطي إلكترونات لكليهما ورمزها العام N (من كلمة negative)، و إما فجوات إلكترونية موجبة من مادة ناقصة إلكترونات ، لهذا فهي موجبة الشحنة ، ويرمز لها بالرمز p من كلمة positive) .أي أن النوع "إن" تكون فيه أغلبية عاطية للإلكرونات ، وأما النوع "بي" ففيه أغلبية ناقصة إلكترونات ، فهي موجبة الشحنة ، وتسمى فجوة إلكترونية. انتقال الكهرباء فيها يتم بحركة الإلكترونات وحركة الفجوات (شحنات موجبة) . يكون تشويب الباعث بتركيز أكبر لأنه يقوم بعملية بعث و إصدار شحنات بعدد مناسب لكي يعمل المقحل بطريقة عملية.
ترانزستور تأثير المجال
المقحل الحقلي أو الترانزستور الحقلي نبيطة (مقحل) أحادي الاتجاه يتكون من 3 عناصر رئيسية المنبع، البوابة، المصب وينتقل التيار بين المنبع والمصب (أو بين المصب والمنبع لإنه أحادي القطب) عبر قناة ذات موصلية تتغير حسب جهد البوابة الكهربائي . ويعتمد نوع المقحل على نوعية تطعيم القناة، فإذا كانت القناة سالبة فإن (الإلكترونات هي حاملات الشحنة الأكثرية) و(الفجوات الإلكترونية هي حاملات الشحنة الأقلية) فتكون النبيطة شبه موصل سالب أما إذا كان تطعيم القناة موجبا فتصبح النبيطة شبه موصل موجب
جهاز القياس الإلكتروني المتعدد
وفي حالة غياب إشارة الدخل، فإن أطراف البوابة للترانزستورين تكون عند جهد الأرض، وتعمل الترانزستورات في حالة تماثل هادئ، وفي الحالة المثالية لن يمر تيار خلال جهاز قياس PMMC، لكن في الواقع وبسبب عدم التطابق الكامل بين الترانزستورين، وكذلك الفرق الطفيف في قيم المقاومات المختلفة، يمر تيار يجعل حركة جهاز القياس تنحرف عن وضع الصفر، ويقلل هذا التيار للصفر بواسطة مقاومة ضبط الصفر R، وتكون القنطرة متزنة في هذه الحالة.
ترانزستور
ذو الثقب المعدني - ذو الثقب البلاستيكي – المحمل سطحيا – سلسلة شبكة الكور – مغير القدرة
ترانزستور ضوئي
لنأخذ مقحل م س م كمثال , حينها سيكون المجمع هو المنطقة السالبة والقاعدة هي المنطقة الموجبة. عندما يدخل الإلكترون إلى المنطقة السالبة (المجمع) سيرتبط بأحد الأيونات ويتعادل. في الجانب الآخر, ستدخل الفجوة إلى المنطقة الموجبة (القاعدة), ولمعادلة الفجوة الداخلة سيقوم الباعث بحقن عدد كبير من الإلكترونات داخل القاعدة بغية المعادلة, إلكترون واحد فقط من كل هذه الإلكترونات من سيشغل الفجوة الداخلة أما البقية فستعبر القاعدة وصولا إلى المجمع مشكلة بذلك تيار جاريا داخل المقحل هو برمته ليس إلا صورة مضخمة عن ذاك الفوتون الساقط.
نقطة تشغيل
إلى اليسار يعطي مواصفات الترانزستور في شكل بياني التي يعطيها المصنع للمستهلك لاختيار نقطة التشغيل المناسبة للدائرة التي يرغبها . الرسم البياني إلى اليمين يوضح تغير التيار بين المصب والمصدر (الرأسيIds) بتغير جهد المصب (المحور الأفقيVds) وذلك عند قيم مختلفة لجهد الانحياز (جهد البوابة Vgs) .
منطق مقاومة ترانزستور
عيب RTL هو استهلاكه الكبير للطاقة;  عندما يكون الترانزستور في وضع التشغيل  يستهلك الكثير الطاقة من خلال التيار المار في مقاومة الجامع و القاعدة . ولهذا تتولد حرارة في دوائر  RTL . في المقابل ،في دوائر  TTL  مع "الطوطم القطب" بالانجليزي Totem pole يقلل التيار و بدوره يقلل استهلاك الطاقة و يقلل ايضا الحرارة.
ترانسفرين
الترانسفرينات هي بروتينات سكرية تربط الحديد في بلازما الدم تضبط مستوى الحديد الحر في السوائل الحيوية .
يًرمز هذا البروتين الإنساني بالمورثة TF 
ترتبط البروتينات السكرية للترانسفيرين بالحديد بإحكام شديد، لكن هذا الارتباط عكوس.
بالرغم من أن ارتباط الحديد بالترانسفيرين أقل من 0.1% (4 ملغ) من حديد الجسم الكلي، إلا أنه تجمع الحديد الأكثر أهمية، مع المعدل الأعلى للتحوّل (25 ملغ\24 ساعة). يملك الترانسفيرين وزن جزيئي حوالي 80 كيلو دالتون(كيمياء) و يحتوي على موقعي ارتباط نوعيين لل Fe (III) إلفتهما عالية.ألفة الترانسفيرين للحديد Fe (III) عالية جداً (1023 M-1 في باهاء 7.4) لكنها تتناقص تدريجياً بتناقص الباهاء تحت التعادلية. عندما لا يرتبط بالحديد، يُعرَف ب "أبوترانسفيرين" (انظر أيضاً أبوبروتين).
ويليام شوكلي
كان شوكلي غير راضي عن أجزاء معينة في شرح كيفية عمل الترانزستور النقطي وقدم تصورا عن إمكانية حقن النوع الموجب من البلورة بإلكترونات والنوع السالب بفجوات، ما يسمي بحقن الاقليات الحاملة. قاد ذلك شوكلي لأفكار عن ما أسماه "الترانزستور الساندوتش".ادي هذا الي اختراع الترانزستور الوصلة، والذي اعلن عنه في مؤتمر صحفي في الرابع من يوليو عام 1951.وحصل شوكلي علي براءة الاختراع في 25 سبتمبر عام 1951.وسرعان ما طغي هذا الاختراع علي الترانزستور النقطي وأصبح المهيمن بأغلبية ساحقة في السوق لسنوات عديدة. واصل شوكلي قيادة فريقه للمزيد من الابداع في مختبرات بل في مجال الترانزستور لسنتين أخرىين.
منطق ترانزستور ترانزستور
منطق ترانزستور ترانزستور 
هو أحد عوائل الدارات الرقمية المبنية من ترانزستورات ثنائية القطبية (BJT)، ومقاومات. تعرف باسم "منطق ترانزستور-ترانزستور" لأن وظيفتي البوابة المنطقية (AND، على سبيل المثال) والتضخيم تتم بواسطة ترانزستور (مقارنة بـ RTL وDTL).
محرك الثايرستور
محرك الثايرستور (بالإنجليزية Thyristor drive) هو محرك الدائرة المسئول عن تنظيم التيار المتردد القادم من المصدر؛ عن طريق عنصر التحكم في طور الموجة الموجود في محرك الثايرستور، لتوفير الجهد المتغير اللازم لمحرك التيار المستمر .
منطق مقاومة - ترانزستور
وقد زادت سرعة التحول الترانزستور باطراد من أجهزة الكمبيوتر ترانزيستوريد الأولى من خلال الحاضر. ويوصي دليل الترانزستور GE (الطبعة السابعة، ص 181، أو الطبعة الثالثة، ص 97 أو طبعات وسيطة) كسب السرعة باستخدام الترانزستورات ذات التردد العالي، أو المكثفات، أو الصمام الثنائي من قاعدة إلى جامع (ردود فعل سلبية موازية) لمنع التشبع.
موسفت
الموسفت أو ترانزستور ذو شبكة معزولة هو عبارة عن ترانزستور حقلي (Field effect transistor) ذات قناة نقل تعتمد في بنائها على المواد شبه موصلة. يتكون من مصدر ، ومصب ، وبوابة ، والجسم ويفصل بين الجسم والبوابة طبقة عازلة. يتحكم الجهد الكهربائي المطبق على البوابة في التيار الكهربي المار من المصدر إلى المصب - مثلما في الصمام الثلاثي حيث يتحكم جهد الشبكة في التيار المار من الكاثود إلى المصعد. وظيفة الموسفت هو فتح وأغلاق دائرة كهربائية . ويوجد من الموسفت ثلاثة أنواع:
والأنواع الثلاث مقسمة حسب أنواع الاكثرية في المقاحل: نوع n ، ونوع p ، والـ Cmos هو عبارة عن خليط من المقحلين الباقيين.
صمام ثلاثي
وكما نرى عندما يتغير جهد الشبكة من -5و0 إلى -5و1 فولت ويهبط جهد مقاومة المصعد من 12 إلى 33 فولت نجد حدوث "تكبير " للإشارة (الجهد) الموصولة بالشبكة. ويبلغ معامل التضخيم في هذه الحالة 21 . معدل التضخيم هو تغير جهد المصعد مقسوما على تغير جهد الشبكة.
من الملاحظ أننا اخترنا جهد المصعد 200 فولط . أي أن الصمام الثلاثي يستهلك طاقة كهربائية كبيرة لتشغيله علاوة على لزوم تسخين الكاثود . هذا من الأمور التي أدت إلى الاستغناء عن الصمامات واستبدالها بالترانزستور. تعمل الترانزستورات المختلفة بجهود بين 12 و 30 فولط فقط.وعلاوة على ذلك فيتحمل الترانزستور الصدمات .
ترانزستور حقلي وصلي
تعريف الميل هنا هو معدل تغير تيار المصب لتغير يحدث في جهد البوابة .
وهو يكون صغيرا ولهذا يلزم استخدام مقاومة كبيرة عند المخرج . هذا مهم عندما ندخل من البوابة إشارة مترددة نريد تكبيرها .
الميل هو خاصية للترنزستور ، فعن طريقه نعرف مقدار الكسب الكهربائي الذي نحصل عليه من الترانزستور ، فهو يتعلق بمقدار تضخيم الإشارة الداخلة ، وهو يسمى أيضا موصلية منقولة.
جلفانوستات
جلفانوستات (يعرف أيضا أمبيروستات) هو جهاز تحكم وقياس له القدرة على الاحتفاظ بالتيار خلال خلية تحليل كهربائي عن طريق المعايرة بمقياس الكولوم مع عدم الأخذ في الاعتبار التغير في الحمل نفسه.
متقبل
يحتوي الترانزستور على نوعين من أشباه الموصلات : المانح و المتقبل (انظر الشكل). ينتقل فيه التيار عن طريق انتقال الإلكترونات عبر الفجوات (الموجبة).
ترانزستور ثنائي القطبية
فعند تطبيق جهد كهربائي معين على "القاعدة" تبدأ حاملات الشحنات الأكثرية (الإلكترونات فرضا) الانتقال من "الباعث" إلى "الجامع " وأثناء مرورها في القاعدة تأخذ القاعدة جزءا من الإلكترونات المارة وذلك عن طريق اتحاد فجوات القاعدة مع الإلكترونات، ويمر الباقي إلى الجامع.
تناظري (توضيح)
مصطلح تناظري هو مصطلح يوصّف الظواهر، الأجهزة الإلكترونية، المركّبات الإلكترونية وأجهزة القياس التي تمثّل بالتغير في قيمة فيزيائية (مثل: التوتر الكهربائي). هذا المصطلح أتى من حقيقة أن قياس قيمة طبيعية (أو عنصر من إشارة كهربائية أو إلكترونية) يتغير بشكل متناظر مع المصدر. مثل الترمومتر الذي يؤشر للحرارة بمساعدة ارتفاع الزئبق أو الكحول الملوّن على سلم متدرّج. فهو نظام تناظري.
كلمة تناظري يُمكن ان ترجع دلالتها إلى العلوم والتكنولوجيا مثل:
منطق مقاومة - ترانزستور
وضع مكثف بالتوازي مع كل المقاوم المدخلات يقلل من الوقت اللازم لمرحلة القيادة إلى الأمام تحيز تقاطع قاعدة باعث المرحلة مدفوعة. يستخدم المهندسون والفنيون "ركيتل" (منطق الترانزستور المكثف المقاوم) لتعيين البوابات المزودة ب "المكثفات السريعة". وشملت دوائر  مختبر لينكولن TX-0 computer's بعض ركيتل. ومع ذلك، فإن الأساليب التي تنطوي على المكثفات غير مناسبة للدوائر المتكاملة. [بحاجة لمصدر]
إن تي إس سي
بالرجوع إلى مفهوم الفيديو أو الصورة المتحركة فهي بالمجمل عبارة عن صور متتابعة تعرض بسرعات عالية لا تدركها العين البشرية فيهيء للمشاهد بأنها متحركة بما يسمى بمعدل التحديث و كان لا بد من عرضها أن يجدوا طريقة ثابتة لعرض الصور على كافة التلقزيونات و تكون سريعة بما يكفي لذا اعتمد مقدار التيار الكهربائي المستخدم كمعيار لسرعة عرض الصور او معدل التحديث و هذا ما جعل من التيار الكهربائي مرادفاً لأنظمة البث و هناك تياران مستخدمان في العالم ليومنا هذا تيار 60 هرتز و هو المستخدم في الولايات المتحدة و بعض الدول كالسعودية , و تيار 50 هرتز المستخدم في أوروبا و الكثير من الدول , تردد الخطوط الكهربائية هو 50 هرتز بمعنى ان التيار المتردد يغير القطبية 50 مرة في الثانية اما 60 هرتز بمعنى انه يغير القطبية 60 مرة في الثانية .
بداية استخدم الإنسان الجهد المستمر ثم انتقل إلى الجهد المتردد وأول جهد متردد تم استخدامه هو 110 فولت بتردد 60 هرتز بدأها اديسون في شركة جنرال اليكتريك حيث تم توزيع و استخدام التيار المستمرDC بجهد 110 فولت في الولايات المتحدة.
بعد ذلك استطاع العالم الفذ نيكولا تسلا اختراع آلة التيار المتردد بجهد 240 فولت وتردد 60 هرتز ثم وجد انه من الأفضل تخفيض الجهد إلى 110 فولت وذلك لاعتبارات تتعلق بالامن وسلامة المستخدمين لهذا الجهد.
وبعد ذلك بفترة استطاعت الشركة الألمانية AEG ان تولد كهرباء بتردد 50 هرتز وابقوا على استخدام 110 فولت وكان هذا بداية استخدام الكهرباء في أوروبا وكان اختيار 50 هرتز مناسبا لهم نظرا لاعتبارات سهولة التعامل مع الرقم 50 في الحسابات والقياسات الخاصة بالوحدات والتحويلات الأوروبية metric standards
ولكن وجدوا ان 50 هرتز يؤدى إلى مفاقيد اعلى بالمقارنة ب 60 هرتز وذلك نظرا لان المولدات ذات 50 هرتز تكون سرعتها أبطأ بحوالى 20% من مثيلاتها من 60 هرتز. وايضا وجدوا ان كفاءة نقل الطاقة عبر خطوط النقل تقل بمقدار 10-15% عن مثيلاتها ذات 60 هرتز. ومن ناحية تصميم المحولات وجدوا ان المحول الذى يعمل على 50 هرتز يحتاج إلى لفات أكثر وأكبر. ومن ناحية المحركات وجدوا أيضا ان كفاءة تشغيلها اقل.
ولهذه الاسباب بعد الحرب العالمية الثانية بعد ان ظلت أوروبا تستخدم 110 فولت مع 60 هرتز حتى عام 1950 قررت أوروبا استخدام 220 فولت مع 60 هرتز لتحسين كفاءة نقل الطاقة. وبعد ذلك قررت إنجلترا استخدام 50 هرتز بدلا من 60 هرتز مع الجهد 220 فولت وقادت أوروبا في هذا المجال.
وعلى الجانب الاخر درست الولايات المتحدة استخدام 220 فولت للاستخدامات المنزلية ولكن عدلت عن الفكرة لان التطبيقات قد انتشرت بالجهد 110. فقرروا نقل الجهد حتى المنزل على 220 فولت ثم تحويله إلى 110 فولت. واخيرا فان الجهد والتردد يختلف من بلد لاخر. معظم البلدان تستخدم الجهد 220 والتردد 50 هرتز. حوالى 20% من بلدان العالم تستخدم 110 فولت مع 60 هرتز. ويمكن القول ان أفضل جهد وتردد من حيث الكفاءة هو 220 فولت مع 60 هرتز حيث اعتمد تردد التيار الكهربائي المستخدم في الولايات المتحدة لانشاء نظام البث التلفزيوني NTSC و ربطه بمعدل التحديث للصورة و ذلك ما أدى إلى ظهور أنظمة بث أخرى فعندما حاولوا الأوربيين تطبيق NTSC وجدوا ان النظام الكهربائي المستخدم في أوروبا في ذلك الوقت هو 50 هرتز فعمدت الدول الأوروبية و على رأسها ألمانيا بتصميم نظام بث يتوافق مع تيار 50 هرتز و سمي بنظام البث بال و قامت فرنسا بتصميم نظام بث خاص بها يتوافق مع التيار الكهربائي 50 هرتز و سمي بسيكام .
مضخم عملياتي
قفزة كبيرة عام 1961 حيث ابتكر الترانزيستور السيليكوني عام 1954 مما ساعد على انتشار المضخم العملياتي. وقد ساعد ابتكار اللوحات على عام 1959 على استقرار المصخم إلكترونيا بحيث اتسعت تطبيقاته خصوصا في أجهزة الاستخدام العام. وأصبحت المضخمات صغيرة الحجم وزودت بأطراف سلكية على حافة اللوحات. كما زودت تلك اللوحات بمقاومات بغرض خفض الجهد الأبتدائي offset لقاعدة المقحل وتقليل انزياح الجهد أثناء التشغيل.
نيك هولنياك
هولنياك كان أول طالب لجون باردين الذي حصل على الدكتوراه في جامعة إيلينوي في اوربانا شامبين حصل على البكالوريوس والماجستير والدكتوراه (1954) من نفس الجامعة. أنشأ أول ليزر مركب من أشباه الموصلات (semiconductor laser) في عام 1960. في عام 1963، ومرة أخرى انضم إلى الدكتور باردين، مخترع الترانزستور، في جامعة الينوي، وعملا على حزم الطاقة الكمية (quantum wells) وعلى ليزر يستخدمها(quantum-well lasers).
مولد التربسين
مُوَلِّدُ الترِبْسِين أو مولد التريبسين أو تربسنوجن أو تربسنوجين هي الصيغة غير النشطة من إنزيم التربسن أو ما يسمى بالزيموجين أو مولد للإنزيم الذي يتم إنتاجها في البنكرياس ضمن العصارة البنكرياسية إلى جانب الكيموتريبسنجن و الأميليز و اللايبيز ثم تنقل إلى الإثناعشري في الأمعاء الدقيقة حيث يتم تفعيلها لتصبح إنزيم التربسن الذي يساهم في هضم البروتينات التي يكتسبها الجسم من خلال الطعام.
ترانزستور حقلي وصلي
الوصف التالي يتعلق بنوع "المقحل قناة إن" (بالنسبة إلى "مقحل القناة بي" فتتبادل منطقتي "بي" و"إن" فيما بينهما وبالتالي تنعكس إشارات الجهد الكهربائي والتيار الملحقة بهما) :
شبه موصل مشوب
الترانزستور - وهو مفتاح يمرر التيار ويغلقة - يستخدم أيضا شبه الموصل الدخيل . أحد أنواع الترانزستور من نوع "ترانزستور وصلة ثتائية الأقطاب " 
( Bipolar junction transistor (BJT . ومعظم الأنواع المستخدة من ترانزستور BJT هي: نوع NPN و PNP.
دارة إلكترونية
يبين الشكل 4-أ البنية الأساسية لأحد أنواع الترانزيستورات ذات البنية المتكاملة، بينما يبين الشكلان 4 - ب، جـ شكلًا مبسطاً لكلا النوعين npn,pnp. ويظهر في الشكلين 5 - أ، ب الرمزان الكهربائيان لهذين النوعين من الترانزيستورات.
تدعى أطراف الترانزيستور الثلاثة: الباعث emitter، والقاعدة base، والمجمّع collector. يستخدم في الرمز الكهربائي للترانزيستور سهم على طرف الباعث يدل على اتجاه مرور التيار المستمر. ويكون اتجاه السهم إلى داخل الترانزيستور في النوع pnp، وخارجاً منه في النوع npn. وتكون كثافة حوامل الشحنات في منطقة الباعث مرتفعة، بينما تكون سماكة منطقة القاعدة رقيقة، ويكون سطح منطقة المجمع عريضاً ليكون استقباله للشحنات المنطلقة من منطقة الباعث أكثر فاعلية.
ترانزستور حقلي وصلي
تلك هي مواصفات الترانزستور الكهربائية وعلى أساسها يتم استغلاله في الاستخدام السليم .
ترانزستور ثابت الحثية
تم اختراع الترانزستور من قبل المهندسين اليابانيين يون ايشي نيشيزاوا و واتانابه (Jun-ichi Nishizawa and Y. Watanabe) في عام 1950.
ترانزستور حقلي وصلي
تدخل الإشارات المتذبذبة عن طريق مغير الجهد P ، ونقطة التشغيل مختارة بواسطة قيم R وP . فإذا كانت نقطة التشغيل في الوسط بين الجهد الأقصى للمصب (الجهد الخارجي (+) ) والحد الأدنى للجهد (جهد الأرضي (-)) ، تكون الإشارة الناتجة متناظرة حول نقطة التشغيل .