Квантовая электроника
В 1958 году Н. Г. Басов, Б. М. Вул и Ю. М. Попов заложили основы теории полупроводниковых лазеров, а уже в 1962 году был создан первый инжекционный лазер [Р. Холл (R. N. Hall), У. Думке (W. L. Dumke) и др.] Интерес к ним обусловлен простотой в изготовлении, высоким КПД и возможностью плавной перестройки частоты в широком диапазоне (длина волны излучения определяется шириной запрещенной зоны). Существенным результатом является также создание в 1968 году лазеров на полупроводниковых гетероструктурах.
Хохштрассер, Робин
В 1969 году Хохштрассер оборудовал первый лазер на основе неодимовой линзы с частотой повторения один импульс в минуту, предназначенный для измерений с постоянным временным разрешением. Первые измерения с постоянным временным разрешением использовали различные гармоники лазера на основе неодимовой линзы в качестве возбуждения и пробного импульса. Спектры с временными интервалами записывались фотографически с помощью продолжительного сгенерированного лазером импульса для поглощения или оптической ячейки Керра. Но 95 % исследуемого времени тратилось на настройку и контроль лазера. Хохштрассер много работал, чтобы получить достоверные результаты. В результате информация о переносе энергии между триплетными состояниями была получена для различных молекул. По данной теме первые работы были опубликованы в начале 1970-х годов.