Квантовая электроника
В 1958 году Н. Г. Басов, Б. М. Вул и Ю. М. Попов заложили основы теории полупроводниковых лазеров, а уже в 1962 году был создан первый инжекционный лазер [Р. Холл (R. N. Hall), У. Думке (W. L. Dumke) и др.] Интерес к ним обусловлен простотой в изготовлении, высоким КПД и возможностью плавной перестройки частоты в широком диапазоне (длина волны излучения определяется шириной запрещенной зоны). Существенным результатом является также создание в 1968 году лазеров на полупроводниковых гетероструктурах.
Антилазер
В феврале 2011 года физикам удалось создать первый действующий антилазер. Инфракрасный луч титан-сапфирового лазера разделялся на два, которые при помощи системы зеркал вновь сходились в кремниевой подложке. При определённой разности фаз лучей энергия фотонов «зажатых» в подложке, превращалась в тепловую. Однако этот прототип поглощал только 99,4 % входящего излучения.