Квантовая электроника
В 1958 году Н. Г. Басов, Б. М. Вул и Ю. М. Попов заложили основы теории полупроводниковых лазеров, а уже в 1962 году был создан первый инжекционный лазер [Р. Холл (R. N. Hall), У. Думке (W. L. Dumke) и др.] Интерес к ним обусловлен простотой в изготовлении, высоким КПД и возможностью плавной перестройки частоты в широком диапазоне (длина волны излучения определяется шириной запрещенной зоны). Существенным результатом является также создание в 1968 году лазеров на полупроводниковых гетероструктурах.
Аргоновый лазер
В апреле 1964 года Бриджес, Конверт и Беннет сообщили о возможности импульсной генерации в ионизованном аргоне, причём генерация была найдена на многих линиях (наиболее интенсивные 488, 514,5 и 476 нм). В мае 1964 года была получена непрерывная генерация в аргоне. К концу года были созданы лазеры мощностью 7 Вт в непрерывном режиме (на длине волны 488 нм).