Квантовая электроника
В 1958 году Н. Г. Басов, Б. М. Вул и Ю. М. Попов заложили основы теории полупроводниковых лазеров, а уже в 1962 году был создан первый инжекционный лазер [Р. Холл (R. N. Hall), У. Думке (W. L. Dumke) и др.] Интерес к ним обусловлен простотой в изготовлении, высоким КПД и возможностью плавной перестройки частоты в широком диапазоне (длина волны излучения определяется шириной запрещенной зоны). Существенным результатом является также создание в 1968 году лазеров на полупроводниковых гетероструктурах.
Бойко, Борис Борисович
Под руководством Бойко был создан ряд новых лазеров и оптических устройств: лазеры на рубине, лазеры на красителях с усилением при отражении, лазеры на гранатах и неодимовых стеклах с двумерным и трехмерным ходом лучей в активной среде; новые типы оптических резонаторов и модуляторов добротности, зеркал, поляризаторов и других устройств. В основу этих разработок лег глубокий анализ процессов, влияющих на эффективность работы лазера и характеристики лазерного излучения.