Квантовая электроника
В 1958 году Н. Г. Басов, Б. М. Вул и Ю. М. Попов заложили основы теории полупроводниковых лазеров, а уже в 1962 году был создан первый инжекционный лазер [Р. Холл (R. N. Hall), У. Думке (W. L. Dumke) и др.] Интерес к ним обусловлен простотой в изготовлении, высоким КПД и возможностью плавной перестройки частоты в широком диапазоне (длина волны излучения определяется шириной запрещенной зоны). Существенным результатом является также создание в 1968 году лазеров на полупроводниковых гетероструктурах.
Лазеры сверхкоротких импульсов
На рисунке выше изображена типичная конструкция лазера третьего поколения — лазера на Ti: сапфире с пассивной синхронизацией мод за счёт керровской линзы. Чуть ниже изображена схема данного лазера (нумерация элементов совпадает). Данная конструкция была установлена в лаборатории Молекулярной Фото Химии Казанского Физико-Технического Института им. Е. К. Завойского. На данной установке были получены последовательности импульсов УКИ длительностью 50-60фс и частотой следования 80МГц, с центром импульса в диапазоне 780—800нм и полушириной около 20нм. На установках такого типа в других лабораториях были получены импульсы длительностью до 5,4фс (менее двух периодов световой волны).