Квантовая электроника
В 1958 году Н. Г. Басов, Б. М. Вул и Ю. М. Попов заложили основы теории полупроводниковых лазеров, а уже в 1962 году был создан первый инжекционный лазер [Р. Холл (R. N. Hall), У. Думке (W. L. Dumke) и др.] Интерес к ним обусловлен простотой в изготовлении, высоким КПД и возможностью плавной перестройки частоты в широком диапазоне (длина волны излучения определяется шириной запрещенной зоны). Существенным результатом является также создание в 1968 году лазеров на полупроводниковых гетероструктурах.
Крохин, Олег Николаевич
Участвовал под руководством Н. Г. Басова в первых исследованиях возможностей распространения принципов работы мазеров на оптический диапазон, что привело к созданию лазеров. Впервые обосновал возможность создания инжекционного лазера, который является основным элементом в реализации оптической связи памяти, оптической обработке информации, эффективной накачке мощных твердотельных лазеров (1961). В ходе работ над созданием полупроводниковых лазеров исследовал явления релаксации вырожденного электронного газа в полупроводниках, изучал оптические характеристики полупроводников при сильном отклонении от равновесных условий. О. Н. Крохиным были сформулированы критерии возникновения инверсии населённости в полупроводниках в случае прямых и непрямых межзонных переходов, изучены процессы генерации оптического излучения и двухфотонного поглощения, впервые исследованы релаксационные свойства линии излучения.