Квантовая электроника
В 1958 году Н. Г. Басов, Б. М. Вул и Ю. М. Попов заложили основы теории полупроводниковых лазеров, а уже в 1962 году был создан первый инжекционный лазер [Р. Холл (R. N. Hall), У. Думке (W. L. Dumke) и др.] Интерес к ним обусловлен простотой в изготовлении, высоким КПД и возможностью плавной перестройки частоты в широком диапазоне (длина волны излучения определяется шириной запрещенной зоны). Существенным результатом является также создание в 1968 году лазеров на полупроводниковых гетероструктурах.
Лазер с ядерной накачкой
В 1984 году в США была осуществлена генерация лазерного рентгеновского излучения в газовой среде с использованием в качестве источника накачки мощного двухлучевого оптического лазера «NOVETTA» И «NOVA» (Ливермор, Ливерморская национальная лаборатория имени Лоуренса), каждый луч которого имел плотность мощности 5 • 10 Вт/см² в импульсе длительностью 450 пикосекунд на волне 5320 А. В фокусе лазера помещалась мишень — тончайшая плёнка размером 0,1 × 1,1 см из селена-74 или иттрия. Луч испарял мишень, создавая плазму из неоноподобных ионов этих металлов. Столкновения с электронами в плазме вызывали возбуждение ионов, которое заканчивалось вынужденным излучением на волне 206,3 А и 209,6 А для селена и 155 A — для ионов иттрия. Достигнутый коэффициент усиления превысил 100 млрд раз.