Квантовая электроника
В 1958 году Н. Г. Басов, Б. М. Вул и Ю. М. Попов заложили основы теории полупроводниковых лазеров, а уже в 1962 году был создан первый инжекционный лазер [Р. Холл (R. N. Hall), У. Думке (W. L. Dumke) и др.] Интерес к ним обусловлен простотой в изготовлении, высоким КПД и возможностью плавной перестройки частоты в широком диапазоне (длина волны излучения определяется шириной запрещенной зоны). Существенным результатом является также создание в 1968 году лазеров на полупроводниковых гетероструктурах.
Беннетт, Уильям Ралф
Исследования по физике газовых лазеров и атомной физике. В 1960 г. совместно с А. Джаваном и Д.Эрриотом (Хэрриотом) построил первый газовый лазер на смеси гелия и неона. В 1962 г. с П. Киндлманом — лазер с магнитострикционной настройкой. В 1962 г. получил для гелий-неоновой системы выражение для величины среднего усиления при оптимальных условиях.