Квантовая электроника
В 1958 году Н. Г. Басов, Б. М. Вул и Ю. М. Попов заложили основы теории полупроводниковых лазеров, а уже в 1962 году был создан первый инжекционный лазер [Р. Холл (R. N. Hall), У. Думке (W. L. Dumke) и др.] Интерес к ним обусловлен простотой в изготовлении, высоким КПД и возможностью плавной перестройки частоты в широком диапазоне (длина волны излучения определяется шириной запрещенной зоны). Существенным результатом является также создание в 1968 году лазеров на полупроводниковых гетероструктурах.
Ядерное оружие направленного действия
В 1980-х была предпринята серия экспериментов, с целью создания рентгеновского лазера. Хотя эксперименты подтвердили принципиальную возможность такого оружия, тем не менее, возникло значительное количество теоретических проблем, разрешить которые с ходу не удалось. В 1992 году, было признано что проект лазера, технически возможный, находится за пределами существующих (по состоянию на 1992 г.) технологий, и программа СОИ была переориентирована в сторону технологически более доступных и конвенционных решений. Неизвестно, ведутся ли сейчас работы над подобными системами.