Квантовая электроника
В 1958 году Н. Г. Басов, Б. М. Вул и Ю. М. Попов заложили основы теории полупроводниковых лазеров, а уже в 1962 году был создан первый инжекционный лазер [Р. Холл (R. N. Hall), У. Думке (W. L. Dumke) и др.] Интерес к ним обусловлен простотой в изготовлении, высоким КПД и возможностью плавной перестройки частоты в широком диапазоне (длина волны излучения определяется шириной запрещенной зоны). Существенным результатом является также создание в 1968 году лазеров на полупроводниковых гетероструктурах.
Омега (программа разработки лазерного оружия)
Ещё в 1965 г. по поручению генерального конструктора КБ-1 академика А. Расплетина Б. Бункин, заместитель Расплетина, и его брат Ф. Бункин, сотрудник А. М. Прохорова, сделали оценки, в которых показали, что поражение низколетящих целей возможно излучением лазера на стекле с неодимом при объёме активной среды примерно 1 м. Эти оценки дали основания А. Расплетину и А. Прохорову поставить вопрос перед ЦК КПСС и Советом Министров СССР о начале соответствующих работ в широкой кооперации исполнителей. Предложение о создании лазерной системы для ПВО получило поддержку в оборонном отделе ЦК КПСС и в Военно-промышленной комиссии (ВПК) Совета Министров СССР.