Квантовая электроника
В 1958 году Н. Г. Басов, Б. М. Вул и Ю. М. Попов заложили основы теории полупроводниковых лазеров, а уже в 1962 году был создан первый инжекционный лазер [Р. Холл (R. N. Hall), У. Думке (W. L. Dumke) и др.] Интерес к ним обусловлен простотой в изготовлении, высоким КПД и возможностью плавной перестройки частоты в широком диапазоне (длина волны излучения определяется шириной запрещенной зоны). Существенным результатом является также создание в 1968 году лазеров на полупроводниковых гетероструктурах.
Вертикально-излучающие лазеры
Первый вертикально-излучающий лазер VCSEL был представлен в 1979 году компаниями Soda, Iga, Kitahara и Yasuharu Suematsu, но устройства для продолжительной работы при комнатной температуре появились только в 1988 году. В 1989 году Джек Джевелл из Bell Labs/Bellcore (включая Акселя Шерера, Сэма Макколла, Юн Хи Ли и Джеймса Харбисона) продемонстрировали более 1 млн. VCSEL на небольшом чипе. Эти первые полностью полупроводниковые VCSEL представили конструктивные особенности, которые все еще используются во всех коммерческих VCSEL. Эндрю Ян из Агентства перспективных исследований в области обороны (DARPA) инициировал значительные финансовые средства для НИОКР VCSEL, а затем другие усилия правительства и промышленного финансирования. VCSEL заменили излучающие лазеры в приложениях для волоконно-оптической связи ближнего действия, таких как Gigabit Ethernet и Fibre Channel, и теперь используются для полосы пропускания канала связи от 1 Гбит/с до 400 Гбит/с.