src: De préférence, le silicium polycristallin constitutif des éléments résistifs de l'invention n'est pas soumis à un dépôt métallique classiquement utilisé pour diminuer la résistance des grilles des transistors MOS.
tgt: Preferably, the polysilicon forming the resistive elements of the present invention is not submitted to a metal deposition conventionally used to decrease the resistance of MOS transistor gates.