src: Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird an der Austrittsstelle nach der Herstellung der Zylinderform der Halbleiterschichtenfolge eine Auskoppelstruktur an der Außenfläche angeordnet.
tgt: According to at least one embodiment of the method, after production of the cylindrical shape of the semiconductor layer sequence, an outcoupling structure is arranged on the outer face at the exit point.