src: According to one embodiment, the laser beam has a wavelength that is greater than 1100 nm and preferably equal to 1340 nm, and is intended to induce a thermal effect in the semiconductor material intended to modify its local resistivity.
tgt: Suivant un mode de réalisation, le faisceau laser a une longueur d'onde supérieure à 1100 nm et de préférence égale à 1340 nm et est propre à induire un effet thermique dans le matériau semi-conducteur propre à modifier sa résistivité locale.