src: Comme cela est illustré à la figure 5, une fois la grille 1 sacrificielle éliminée, un matériau barrière de diffusion est implanté sous les espaceurs 8 pour former des zones de diffusion modifiée 11 dans le film semi-conducteur 2.
tgt: As illustrated in FIG. 5, once sacrificial gate 1 has been eliminated, a diffusion barrier material is implanted underneath spacers 8 to form modified diffusion areas 11 in semiconductor film 2.