src: Während die parasitäre Kapazität C GST der Generatorschaltung GST durch den gedrängten Aufbau der benachbarten Leiterbahnen und Transistoren auf dem Halbleiterkristall erzeugt wird, entsteht die parasitäre Kapazität C D der Diode D überwiegend durch die Ladungstrennung an der Grenzschicht der verschiedenartig dotierten Halbleiterzonen (PN-Übergang).
tgt: While the parasitic capacitance C GST is the generator circuit GST generated by the compact construction of the adjacent conductors and transistors on the semiconductor crystal, the parasitic capacitance C D of the diode D is predominantly formed by the charge separation at the boundary layer of variously doped semiconductor zones (PN junction).