src: As illustrated in the document U.S. Pat. No. 5,889,306, the ground plane is formed in the support substrate by ion implantation through the semiconductor on insulator film and the electrically insulating layer.
tgt: Comme illustré dans le document US 5889306, le plan de masse est formé dans le substrat de support par implantation ionique à travers le film semi-conducteur sur isolant et la couche électriquement isolante.