src: The method according to any one preceding claim, further comprising forming (S108) a second conductive area (34) by doping a portion of the polycrystalline semiconductor layer (302) between neighboring portions of the first conductive area (32) with a first conductive dopant, a conductive type of which is opposite to that of the second conductive dopant.
tgt: Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend ein Bilden (S108) eines zweiten leitfähigen Bereichs (34) durch Dotieren eines Abschnitts der polykristallinen Halbleiterschicht (302) zwischen benachbarten Abschnitten des ersten leitfähigen Bereichs (32) mit einem ersten leitfähiger Dotierstoff, dessen leitfähiger Typ dem des zweiten leitfähigen Dotierstoffs entgegengesetzt ist.