src: The H 3 PO 4:HCl chemical solution is used, which has very high selectivity with the other semiconductors of the structure (the other InP layers being protected).
tgt: On utilise la solution chimique H 3 PO 4:HCl qui présente une très forte sélectivité avec les autres semiconducteurs de la structure (les autres couches en InP étant protégées).