src: Dort, wo die Maske die Photoresistschicht nicht abdeckt, wird deren Löslichkeit durch die Strahlung entweder erhöht (Positivlack) oder erniedrigt (Negativlack), sodass im anschließenden Bearbeitungsschritt entweder die bei der Belichtung nicht abgedeckten Bereiche oder die abgedeckten Bereiche herausgelöst werden.
tgt: At those points where the mask does not overlap the photoresist layer, the solubility of the photoresist layer is either increased by exposure (positive photoresist) or reduced (negative photoresist), so that in the subsequent processing step either the regions not covered by the exposure or the regions covered by the exposure are separated there from.