따라서 나노미터 단위의 변형률에 대한 신뢰할 수 있는 비파괴 정량적 평가가 매우 중요합니다. 그러나 시중에는 이러한 특성화 기술이 없습니다. 여기에서는 훨씬 향상된 반복성과 우수한 SN 비율로 나노미터 디바이스 라인의 변형률 측정을 보여줍니다.

Hence, reliable nondestructive quantitative assessment of strain in nanometer scale is critical. However, there is no such characterization technique available in the market. Here we show the strain measurement on the nm device lines with much improved repeatability and excellent SN ratio.