CCVD 공정은 두께가 nm 미만인 층을 형성할 수 있습니다. 커패시터의 층이 얇을수록 커패시턴스가 높아지기 때문에 이러한 박막 균일 층은 매우 바람직합니다. 또한 손실도 증가합니다.

The CCVD process may form layers with a thickness of less than nm. Such thin film uniform layers are highly desirable because the thinner the layers of the capacitor the higher the capacitance. Also, the loss is increased.