이 엑시톤은 게이트 영역으로 확산되어 게이트 펄스가 재결합과 방출을 강제하는 게이트 영역으로 확산됩니다. 그런 다음 이 방출이 디바이스에서 출력되어 게이팅 펄스에 의해 유도된 스위칭 동작을 보여줍니다. 박막 광 트랜지스터 구조 예시.

These excitons then diffuse towards the gate region, where a gating pulse forces recombination and emission. This emission is then output from the device, illustrating switching behavior as induced by the gating pulse. Example thinfilm optical transistor structure.