등록특허 10-0680001 전체 청구항 수 : 총 13 항 본 발명은 고분자 전하 저장층을 이용한 유기 전계효과 트랜지스터 기반 비휘발성 유기물 트랜지스터 메모리 및 그 제조방 법에 관한 것이다. 본 발명은 고농도 도핑된 n형 실리콘 반도체 위에 열 산화 방식에 의해 300nm 두께로 실리콘산화물(SiO$_{2}$) 게이트 절연층 을 형성하는 단계와; 상기 실리콘산화물 게이트 절연층 위에 절연체 성질을 띠면서도 전하를 저장할 수 있는 능력을 가진 고분자 전하 저장층(polymeric electret)을 30nm 정도의 두께로 코팅하는 단계와; 코팅된 고분자 전하 저장 절연층의 표 면 위에 유기반도체 물질을 증착하는 단계와; 증착된 유기 반도체 박막 위에 유기 전계효과 트랜지스터의 소스(Source)와 드레인(Drain) 전극을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전하 저장층을 이용한 유기 전계효과 트랜지 스터 기반 비휘발성 유기물 트랜지스터 메모리 및 그 제조방법을 제공하고자 한 것이다. 심사관 : 백양규 (54) 고분자 전하 저장층을 이용한 유기 전계효과 트랜지스터기반 비휘발성 유기물 트랜지스터 메모리 및 그 제조방법 (57) 요약 대표도 - 1 - (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2007년02월08일 (11) 등록번호 10-0680001 (24) 등록일자 2007년02월01일 (65) 공개번호 (43) 공개일자 (51) 。Int. Cl. H0 1 L2 1 /3 3 5(2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0030799 (22) 출원일자 2006년04월05일 심사청구일자 2006년04월05일 (73) 특허권자 광주과학기술원 광주 북구 오룡동 1번지 (72) 발명자 김동유 광주 북구 오룡동 1번지 광주과학기술원 신소재공학과 (74) 대리인 백남훈 이학수 (56) 선행기술조사문헌 KR1020050094737 A KR1020050112581 A * 심사관에 의하여 인용된 문헌 백강준 광주 북구 오룡동 1번지 광주과학기술원 신소재공학과