Эволюция процессоров
Центральный процессор - Википедия
Фирма Intel в 1971 году создала первый в мире 4-разрядный микропроцессор 4004, предназначенный для использования в микрокалькуляторах. Постепенно практически в ...
литографии
Следующим, после этапа проектирования, является создание прототипа кристалла микропроцессора. При изготовлении современных сверхбольших интегральных схем используется метод <anchor>литографии</anchor>. При этом на подложку будущего микропроцессора (тонкий круг из монокристаллического кремния электронного качества (Electronic-grade silicon, EGS) либо сапфира) через специальные маски, содержащие прорези, поочерёдно наносятся слои проводников, изоляторов и полупроводников. Соответствующие вещества испаряются в вакууме и осаждаются сквозь отверстия маски на кристалле процессора. Иногда используется травление, когда агрессивная жидкость разъедает не защищённые маской участки кристалла. Одновременно на подложке формируется порядка сотни процессорных кристаллов. В результате появляется сложная многослойная структура, содержащая от сотен тысяч до миллиардов транзисторов. В зависимости от подключения транзистор работает в микросхеме как транзистор, резистор, диод или конденсатор. Создание этих элементов на микросхеме отдельно, в общем случае, невыгодно. После окончания процедуры литографии подложка распиливается на элементарные кристаллы. К сформированным на них контактным площадкам (из золота) припаиваются тонкие золотые проводники, являющиеся переходниками к контактным площадкам корпуса микросхемы. Далее, в общем случае, крепится теплоотвод кристалла и крышка микросхемы.
Фотолитография — Википедия
Фотолитография — Википедия

# Фотолитография

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Текущая версия страницы пока [не проверялась](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%9F%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B5%D1%80%D0%BA%D0%B0_%D1%81%D1%82%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B9/%D0%9F%D0%BE%D1%8F%D1%81%D0%BD%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5_%D0%B4%D0%BB%D1%8F_%D1%87%D0%B8%D1%82%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%BB%D0%B5%D0%B9 "Википедия:Проверка статей/Пояснение для читателей") опытными участниками и может значительно отличаться от [версии, проверенной 1 июня 2023 года](https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&stable=1); проверки требуют [2 правки](https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&oldid=129923040&diff=cur&diffonly=0).

[Перейти к навигации](#mw-head) [Перейти к поиску](#searchInput)

**Фотолитогра́фия** — метод получения определённого рисунка на поверхности материала, широко используемый в [микроэлектронике](/wiki/%D0%9C%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%BE%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B0 "Микроэлектроника") и других видах [микротехнологий](/wiki/%D0%9C%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%BE%D1%82%D0%B5%D1%85%D0%BD%D0%BE%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%B8%D1%8F "Микротехнология"), а также в производстве [печатных плат](/wiki/%D0%9F%D0%B5%D1%87%D0%B0%D1%82%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BF%D0%BB%D0%B0%D1%82%D0%B0 "Печатная плата"). Один из основных приёмов [планарной технологии](/wiki/%D0%9F%D0%BB%D0%B0%D0%BD%D0%B0%D1%80%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%82%D0%B5%D1%85%D0%BD%D0%BE%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%B8%D1%8F "Планарная технология"), используемой в [производстве полупроводниковых приборов](/wiki/%D0%9F%D1%80%D0%BE%D0%B8%D0%B7%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D1%81%D1%82%D0%B2%D0%BE_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%B2%D1%8B%D1%85_%D1%83%D1%81%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%B9%D1%81%D1%82%D0%B2 "Производство полупроводниковых устройств").

Суть процесса фотолитографии сводится к тому, что вначале на обрабатываемую поверхность наносится тонкая фоточувствительная [полимерная](/wiki/%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D0%BC%D0%B5%D1%80 "Полимер") плёнка ( [фоторезист](/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82 "Фоторезист")). Затем эта плёнка засвечивается через [фотошаблон](/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D1%88%D0%B0%D0%B1%D0%BB%D0%BE%D0%BD "Фотошаблон") с заданным рисунком. Далее проэкспонированные участки удаляются в проявителе. Получившийся на фоторезисте рисунок используется для таких технологических этапов планарной технологии, как [травление](/wiki/%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Травление"), [электроосаждение](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BE%D1%81%D0%B0%D0%B6%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Электроосаждение"), [вакуумное напыление](/wiki/%D0%92%D0%B0%D0%BA%D1%83%D1%83%D0%BC%D0%BD%D0%BE%D0%B5_%D0%BD%D0%B0%D0%BF%D1%8B%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Вакуумное напыление") и другие. После проведения одного из этих процессов оставшийся, не удалённый при проявлении, фоторезист также удаляется.

Принципиальное отличие фотолитографии от других видов литографии заключается в том, что экспонирование производится светом (видимым или [ультрафиолетовым](/wiki/%D0%A3%D0%BB%D1%8C%D1%82%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D1%82%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B5_%D0%B8%D0%B7%D0%BB%D1%83%D1%87%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Ультрафиолетовое излучение")), тогда как в других видах литографии для этого используется [рентгеновское излучение](/wiki/%D0%A0%D0%B5%D0%BD%D1%82%D0%B3%D0%B5%D0%BD%D0%BE%D0%B2%D1%81%D0%BA%D0%BE%D0%B5_%D0%B8%D0%B7%D0%BB%D1%83%D1%87%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Рентгеновское излучение") ( [рентгеновская литография](/wiki/%D0%A0%D0%B5%D0%BD%D1%82%D0%B3%D0%B5%D0%BD%D0%BE%D0%B2%D1%81%D0%BA%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Рентгеновская литография")), поток [электронов](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Электрон") ( [электронно-лучевая литография](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%BE-%D0%BB%D1%83%D1%87%D0%B5%D0%B2%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Электронно-лучевая литография")) или [ионов](/wiki/%D0%98%D0%BE%D0%BD "Ион") ( [ионно-лучевая литография](/wiki/%D0%98%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%BE-%D0%BB%D1%83%D1%87%D0%B5%D0%B2%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Ионно-лучевая литография")) и другое.

Наименьшие размеры деталей рисунка, достижимые в фотолитографии (разрешение), определяются: [длиной волны](/wiki/%D0%94%D0%BB%D0%B8%D0%BD%D0%B0_%D0%B2%D0%BE%D0%BB%D0%BD%D1%8B "Длина волны") используемого излучения, качеством применяемой при экспонировании оптики, свойствами фоторезиста и достигают 100 нм. Применение специальных методов ( [иммерсионная литография](/wiki/%D0%98%D0%BC%D0%BC%D0%B5%D1%80%D1%81%D0%B8%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Иммерсионная литография")) теоретически позволяет получить разрешение до 11 нм\[ _[источник не указан 3190 дней](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D1%81%D1%8B%D0%BB%D0%BA%D0%B8_%D0%BD%D0%B0_%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%87%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B8 "Википедия:Ссылки на источники")_\].

## Содержание

- [1Процесс фотолитографии](#Процесс_фотолитографии)
  - [1.1Очистка и подготовка поверхности](#Очистка_и_подготовка_поверхности)
  - [1.2Нанесение фоторезиста](#Нанесение_фоторезиста)
  - [1.3Предварительное запекание](#Предварительное_запекание)
  - [1.4Экспонирование](#Экспонирование)
  - [1.5Вторичное запекание](#Вторичное_запекание)
  - [1.6Проявление](#Проявление)
  - [1.7Финальное запекание](#Финальное_запекание)
  - [1.8Обработка поверхности](#Обработка_поверхности)
    - [1.8.1Травление](#Травление)
    - [1.8.2Электроосаждение](#Электроосаждение)
    - [1.8.3Напыление. Обратная литография](#Напыление._Обратная_литография)
  - [1.9Снятие фоторезиста](#Снятие_фоторезиста)
- [2См. также](#См._также)
- [3Примечания](#Примечания)
- [4Литература](#Литература)

## Процесс фотолитографии

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&veaction=edit&section=1 "Редактировать раздел «Процесс фотолитографии»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=edit&section=1 "Редактировать код раздела «Процесс фотолитографии»")\]

### Очистка и подготовка поверхности

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&veaction=edit&section=2 "Редактировать раздел «Очистка и подготовка поверхности»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=edit&section=2 "Редактировать код раздела «Очистка и подготовка поверхности»")\]

Первоначально подложка (при производстве монолитных микросхем это обычно [пластина из монокристаллического кремния](/wiki/%D0%9A%D1%80%D0%B5%D0%BC%D0%BD%D0%B8%D0%B5%D0%B2%D0%B0%D1%8F_%D0%BF%D0%BB%D0%B0%D1%81%D1%82%D0%B8%D0%BD%D0%B0 "Кремниевая пластина")) очищается от загрязнений в ультразвуковой ванне в различных органических растворителях: [ацетоне](/wiki/%D0%90%D1%86%D0%B5%D1%82%D0%BE%D0%BD "Ацетон") и [метаноле](/wiki/%D0%9C%D0%B5%D1%82%D0%B0%D0%BD%D0%BE%D0%BB "Метанол") и полосканием в [изопропаноле](/wiki/%D0%98%D0%B7%D0%BE%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%BF%D0%B0%D0%BD%D0%BE%D0%BB "Изопропанол"). В случае значительных загрязнений поверхности, её обрабатывают смесью [серной кислоты](/wiki/%D0%A1%D0%B5%D1%80%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BA%D0%B8%D1%81%D0%BB%D0%BE%D1%82%D0%B0 "Серная кислота") и [пероксида водорода](/wiki/%D0%9F%D0%B5%D1%80%D0%BE%D0%BA%D1%81%D0%B8%D0%B4_%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BE%D1%80%D0%BE%D0%B4%D0%B0 "Пероксид водорода") (H2SO4 \+ H2O2) с последующим применением процесса [RCA](https://en.wikipedia.org/wiki/en:RCA_clean "w:en:RCA clean") очистки.

Различные материалы подложки имеют различное сцепление ( [адгезию](/wiki/%D0%90%D0%B4%D0%B3%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%8F "Адгезия")) [фоторезиста](/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82 "Фоторезист") с ней. Например, такие металлы, как [алюминий](/wiki/%D0%90%D0%BB%D1%8E%D0%BC%D0%B8%D0%BD%D0%B8%D0%B9 "Алюминий"), [хром](/wiki/%D0%A5%D1%80%D0%BE%D0%BC "Хром") и [титан](/wiki/%D0%A2%D0%B8%D1%82%D0%B0%D0%BD_(%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BC%D0%B5%D0%BD%D1%82) "Титан (элемент)") имеют высокую адгезию, в то время как [благородные металлы](/wiki/%D0%91%D0%BB%D0%B0%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D0%BC%D0%B5%D1%82%D0%B0%D0%BB%D0%BB%D1%8B "Благородные металлы") — [золото](/wiki/%D0%97%D0%BE%D0%BB%D0%BE%D1%82%D0%BE "Золото"), [серебро](/wiki/%D0%A1%D0%B5%D1%80%D0%B5%D0%B1%D1%80%D0%BE "Серебро") или [платина —](/wiki/%D0%9F%D0%BB%D0%B0%D1%82%D0%B8%D0%BD%D0%B0 "Платина") имеют очень плохую адгезию. В случае низкой адгезии перед нанесением фоторезиста рекомендуется наносить тонкий [подслой](/wiki/%D0%9F%D0%BE%D0%B4%D1%81%D0%BB%D0%BE%D0%B9 "Подслой") [адгезива](/wiki/%D0%90%D0%B4%D0%B3%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D0%B2%D1%8B "Адгезивы"), увеличивающий сцепление фоторезиста с поверхностью, например, [гексаметилдисилазан](/wiki/%D0%93%D0%B5%D0%BA%D1%81%D0%B0%D0%BC%D0%B5%D1%82%D0%B8%D0%BB%D0%B4%D0%B8%D1%81%D0%B8%D0%BB%D0%B0%D0%B7%D0%B0%D0%BD "Гексаметилдисилазан") (ГМДС). Кроме этого, иногда и поверх фоторезиста наносят [антиотражающие покрытия](/wiki/%D0%9F%D1%80%D0%BE%D1%81%D0%B2%D0%B5%D1%82%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5_%D0%BE%D0%BF%D1%82%D0%B8%D0%BA%D0%B8 "Просветление оптики").

### Нанесение фоторезиста

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&veaction=edit&section=3 "Редактировать раздел «Нанесение фоторезиста»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=edit&section=3 "Редактировать код раздела «Нанесение фоторезиста»")\]

[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/2/2a/Photoresist_spin-coaters_at_LAAS_0448.jpg/250px-Photoresist_spin-coaters_at_LAAS_0448.jpg)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:Photoresist_spin-coaters_at_LAAS_0448.jpg) Установки центрифугирования для нанесения фоторезиста

Основная статья: **[Фоторезист](/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82 "Фоторезист")**

Наиболее широко распространённый метод нанесения фоторезистов на поверхность — это центрифугирование. Этот метод позволяет создавать однородную плёнку фоторезиста и контролировать её толщину скоростью вращения пластины (порядка нескольких тысяч оборотов в минуту). Как правило, используется при работе с большими круглыми пластинами.

При использовании не подходящих для центрифугирования поверхностей, например для покрытия небольших поверхностей, используется нанесение погружением в фоторезист. Недостатками этого метода являются большой расход фоторезиста и неоднородность получаемых плёнок.

При необходимости нанести фоторезист на сложные поверхности используется аэрозольное распыление, однако толщина плёнки при таком методе нанесения также не является однородной.

### Предварительное запекание

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&veaction=edit&section=4 "Редактировать раздел «Предварительное запекание»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=edit&section=4 "Редактировать код раздела «Предварительное запекание»")\]

После нанесения фоторезиста необходимо провести его предварительную [сушку](/wiki/%D0%A1%D1%83%D1%88%D0%BA%D0%B0_(%D0%BF%D1%80%D0%BE%D1%86%D0%B5%D1%81%D1%81) "Сушка (процесс)") (запекание). Для этого образец выдерживается несколько минут в печи, при температуре 100—120оС. Этот этап необходим для испарения [растворителя,](/wiki/%D0%A0%D0%B0%D1%81%D1%82%D0%B2%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C "Растворитель") содержащегося в фоторезисте, что способствует улучшению адгезии, исключению прилипания к [фотошаблону](/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D1%88%D0%B0%D0%B1%D0%BB%D0%BE%D0%BD "Фотошаблон"), возможности нанесения второго слоя фоторезиста и имеет положительное влияние в некоторых других аспектах.

### Экспонирование

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&veaction=edit&section=5 "Редактировать раздел «Экспонирование»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=edit&section=5 "Редактировать код раздела «Экспонирование»")\]

[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/f/fb/Spectrum_of_lithography_lights.PNG/420px-Spectrum_of_lithography_lights.PNG)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:Spectrum_of_lithography_lights.PNG) Длины волн экспонирования в литографии[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/5/59/Simple_model_of_4_types_semiconducter_lithography_lighting.PNG/420px-Simple_model_of_4_types_semiconducter_lithography_lighting.PNG)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:Simple_model_of_4_types_semiconducter_lithography_lighting.PNG) Схемы 4х различных видов экспонирования. Показаны контактный метод экспонирования, экспонирование с микрозазором и проекционные методы экспонирования

Процесс экспонирования заключается в засветке фоторезиста через [фотошаблон](/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D1%88%D0%B0%D0%B1%D0%BB%D0%BE%D0%BD "Фотошаблон"), содержащий желаемый рисунок, [светом](/wiki/%D0%A1%D0%B2%D0%B5%D1%82 "Свет") видимого или ультрафиолетового диапазона, что и отличает процесс фотолитографии от других видов литографии. К примеру, в случае [рентгеновской](/wiki/%D0%A0%D0%B5%D0%BD%D1%82%D0%B3%D0%B5%D0%BD%D0%BE%D0%B2%D1%81%D0%BA%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Рентгеновская литография"), [ионно-лучевой](/wiki/%D0%98%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%BE-%D0%BB%D1%83%D1%87%D0%B5%D0%B2%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Ионно-лучевая литография") и [электронной литографии](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Электронная литография"), для экспонирования используются [рентгеновские лучи](/wiki/%D0%A0%D0%B5%D0%BD%D1%82%D0%B3%D0%B5%D0%BD%D0%BE%D0%B2%D1%81%D0%BA%D0%BE%D0%B5_%D0%B8%D0%B7%D0%BB%D1%83%D1%87%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Рентгеновское излучение"), [ионы](/wiki/%D0%98%D0%BE%D0%BD "Ион") и [электроны](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Электрон") соответственно.

Наиболее стандартными [длинами волны](/wiki/%D0%94%D0%BB%D0%B8%D0%BD%D0%B0_%D0%B2%D0%BE%D0%BB%D0%BD%D1%8B "Длина волны") экспонирования в фотолитографии являются i-линия (365 [нм](/wiki/%D0%9D%D0%B0%D0%BD%D0%BE%D0%BC%D0%B5%D1%82%D1%80 "Нанометр")), h-линия (405 нм) и g-линия (436 нм). Как бы то ни было, большинство фоторезистов могут быть проэкспонированы и широким спектром в [ультрафиолетовом диапазоне](/wiki/%D0%A3%D0%BB%D1%8C%D1%82%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D1%82%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B5_%D0%B8%D0%B7%D0%BB%D1%83%D1%87%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Ультрафиолетовое излучение") (интегральное экспонирование), для чего обычно применяется [ртутная лампа](/wiki/%D0%A0%D1%82%D1%83%D1%82%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B0%D0%BC%D0%BF%D0%B0 "Ртутная лампа"). В случае [фотолитографии в глубоком (жёстком) ультрафиолете](/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F_%D0%B2_%D0%B3%D0%BB%D1%83%D0%B1%D0%BE%D0%BA%D0%BE%D0%BC_%D1%83%D0%BB%D1%8C%D1%82%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D1%82%D0%B5 "Фотолитография в глубоком ультрафиолете") используются длины волн около 13,5 нм и специальные фоторезисты. Среди источников излучения, использующихся в фотолитографии, наиболее распространены:

- [Ртутная лампа](/wiki/%D0%A0%D1%82%D1%83%D1%82%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B0%D0%BC%D0%BF%D0%B0 "Ртутная лампа") (около 400 нм)
- [Эксимерный лазер](/wiki/%D0%AD%D0%BA%D1%81%D0%B8%D0%BC%D0%B5%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%BB%D0%B0%D0%B7%D0%B5%D1%80 "Эксимерный лазер") KrF (248 нм)
- Эксимерный лазер ArF (193 нм)
- Эксимерный лазер F2 (157 нм; только экспериментальные установки)

Экспонирование может проводиться как с использованием [фотошаблона](/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D1%88%D0%B0%D0%B1%D0%BB%D0%BE%D0%BD "Фотошаблон"), так и без него ( [безмасочная литография](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B5%D0%B7%D0%BC%D0%B0%D1%81%D0%BE%D1%87%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=edit&redlink=1 "Безмасочная литография (страница отсутствует)")). В последнем случае рисунок на фоторезисте формируется непосредственно перемещающимся [лазерным](/wiki/%D0%9B%D0%B0%D0%B7%D0%B5%D1%80 "Лазер") или электронным лучом или их группой, сфокусированным на поверхности фоторезиста. В случае же применения фотошаблонов чаще используются проекционные методы экспонирования, когда рисунок с фотошаблона переносится на фоторезист с использованием системы [оптических линз](/wiki/%D0%9B%D0%B8%D0%BD%D0%B7%D0%B0 "Линза"). В некоторых вариантах литографии маска может находиться в контакте с фоторезистом, или в непосредственной близости, при наличии микрозазора.

Существуют технологии, позволяющие уменьшить искажения и изготовить микросхемы с меньшими проектными нормами:

- [Optical proximity correction](https://en.wikipedia.org/wiki/Optical_proximity_correction "en:Optical proximity correction") (Коррекция эффекта оптической близости)
- [Off-axis illumination](https://en.wikipedia.org/wiki/Off-axis_illumination "en:Off-axis illumination") (Применение вне-осевого освещения)
- [Фазосдвигающие маски](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B7%D0%BE%D1%81%D0%B4%D0%B2%D0%B8%D0%B3%D0%B0%D1%8E%D1%89%D0%B8%D0%B5_%D0%BC%D0%B0%D1%81%D0%BA%D0%B8 "Фазосдвигающие маски") (PCM)
- [Иммерсионная литография](/wiki/%D0%98%D0%BC%D0%BC%D0%B5%D1%80%D1%81%D0%B8%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Иммерсионная литография")
- [Двойное формирование рисунка](https://en.wikipedia.org/wiki/Multiple_patterning "en:Multiple patterning") (LELE, LFLE[\[1\]](#cite_note-sam_sivakumar_2009-nikon-1))
- Двойное формирование рисунка со спейсерами (spacer double patterning, SBPD[\[1\]](#cite_note-sam_sivakumar_2009-nikon-1))

При [производстве полупроводниковых приборов](/wiki/%D0%9F%D1%80%D0%BE%D0%B8%D0%B7%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D1%81%D1%82%D0%B2%D0%BE_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%B2%D1%8B%D1%85_%D1%83%D1%81%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%B9%D1%81%D1%82%D0%B2 "Производство полупроводниковых устройств") для экспонирования больших по площади пластин (150, 200, 300 мм в диаметре) используют такие аппараты, как [степперы](/wiki/%D0%A1%D1%82%D0%B5%D0%BF%D0%BF%D0%B5%D1%80 "Степпер") и сканеры, в которых небольшой фотошаблон экспонируется на пластину многократно с помощью перемещения экспонируемой поверхности.

Основными параметрами экспонирования являются длина волны, время экспонирования и мощность источника излучения. Как правило, каждый фоторезист имеет определённое значение дозы (мДж/см2), необходимой для его экспонирования, поэтому важно правильно подобрать параметры экспонирования. При недостаточной дозе могут возникнуть проблемы с проявлением фоторезиста, а чрезмерное экспонирование может вызвать повреждения плёнки фоторезиста. От мощностных параметров зависит производительность фотолитографических установок, измеряемая в пластинах в час (wph).

Дополнительно стоит отметить такой метод фотолитографии, как «выжигание», при котором необходимые окна в полимерном слое выжигаются под воздействием на них мощного светового потока, испаряющего нанесённую на материал плёнку или прожигающего сам материал насквозь. Этот способ применяется для изготовления малотиражных [офсетных форм](/wiki/%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Полиграфия") и в некоторых системах [ризографии](/wiki/%D0%A2%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B0%D1%80%D0%B5%D1%82%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BF%D0%B5%D1%87%D0%B0%D1%82%D1%8C "Трафаретная печать").

### Вторичное запекание

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&veaction=edit&section=6 "Редактировать раздел «Вторичное запекание»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=edit&section=6 "Редактировать код раздела «Вторичное запекание»")\]

Вторичное запекание производится непосредственно после экспонирования и не является обязательным шагом. Этот этап требуется лишь в случаях применения химически усиленных фоторезистов, применения обращаемого фоторезиста, потребности в релаксации толстых плёнок фоторезиста и в некоторых других ситуациях.

### Проявление

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&veaction=edit&section=7 "Редактировать раздел «Проявление»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=edit&section=7 "Редактировать код раздела «Проявление»")\]

В процессе проявления части фоторезиста удаляются специальной жидкостью — проявителем (например [гидроксид тетраметиламмония](/wiki/%D0%A2%D0%B5%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BC%D0%B5%D1%82%D0%B8%D0%BB%D0%B0%D0%BC%D0%BC%D0%BE%D0%BD%D0%B8%D1%8F_%D0%B3%D0%B8%D0%B4%D1%80%D0%BE%D0%BA%D1%81%D0%B8%D0%B4 "Тетраметиламмония гидроксид")), формируя окна в плёнке фоторезиста. В случае использования позитивного фоторезиста удаляется проэкспонированная область, а в случае негативного — не проэкспонированная.

Определённые фоторезисты проявляются определённым проявителем и не проявляются другими. Как правило, проявитель разбавляется водой (1:2, 1:4), при этом степень разбавления контролирует скорость проявления, которая также зависит от полученной фоторезистом дозы при экспонировании.

### Финальное запекание

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&veaction=edit&section=8 "Редактировать раздел «Финальное запекание»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=edit&section=8 "Редактировать код раздела «Финальное запекание»")\]

Окончательное запекание фоторезиста также является не обязательным шагом, хотя нередко помогает улучшить его свойства. В частности, сушка при 130—140оС повышает химическую и температурную устойчивость проявленного фоторезиста для таких последующих этапов, как электроосаждение, сухое и жидкостное травление.

### Обработка поверхности

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&veaction=edit&section=9 "Редактировать раздел «Обработка поверхности»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=edit&section=9 "Редактировать код раздела «Обработка поверхности»")\]

Как правило, фотолитография тесно связана с технологическим этапом, для которого собственно и требуется получаемый из фоторезиста рисунок. Наиболее распространённым процессом на этом этапе является [травление](/wiki/%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Травление"), хотя нередко применяются и такие процессы как [электроосаждение](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BE%D1%81%D0%B0%D0%B6%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Электроосаждение") и [напыление](/wiki/%D0%92%D0%B0%D0%BA%D1%83%D1%83%D0%BC%D0%BD%D0%BE%D0%B5_%D0%BD%D0%B0%D0%BF%D1%8B%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Вакуумное напыление") при проведении обратной фотолитографии.

#### Травление

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&veaction=edit&section=10 "Редактировать раздел «Травление»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=edit&section=10 "Редактировать код раздела «Травление»")\]

Основная статья: **[Травление в литографии](/wiki/%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5_%D0%B2_%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D0%B8 "Травление в литографии")**

Травление является наиболее часто используемым в совокупности с фотолитографией процессом при производстве [печатных плат](/wiki/%D0%9F%D0%B5%D1%87%D0%B0%D1%82%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BF%D0%BB%D0%B0%D1%82%D0%B0 "Печатная плата") и [полупроводниковых приборов](/wiki/%D0%9F%D1%80%D0%BE%D0%B8%D0%B7%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D1%81%D1%82%D0%B2%D0%BE_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%B2%D1%8B%D1%85_%D1%83%D1%81%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%B9%D1%81%D1%82%D0%B2 "Производство полупроводниковых устройств") для [микроэлектроники](/wiki/%D0%9C%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%BE%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B0 "Микроэлектроника"). Существуют два основных вида травления: жидкостное (жидкое) и [сухое травление](/w/index.php?title=%D0%A1%D1%83%D1%85%D0%BE%D0%B5_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5&action=edit&redlink=1 "Сухое травление (страница отсутствует)"). Сухое травление подразделяется на физическое распыление, [ионное распыление](/wiki/%D0%98%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%BE%D0%B5_%D1%80%D0%B0%D1%81%D0%BF%D1%8B%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Ионное распыление"); газофазное химическое травление; [реактивное ионное травление](/wiki/%D0%A0%D0%B5%D0%B0%D0%BA%D1%82%D0%B8%D0%B2%D0%BD%D0%BE%D0%B5_%D0%B8%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%BE%D0%B5_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Реактивное ионное травление"). В зависимости от задач, применяют тот или иной тип травления. Жидкостное травление применяют в основном при изготовлении печатных плат, а также для вытравливания жертвенного слоя при изготовлении [МЭМС](/wiki/%D0%9C%D0%AD%D0%9C%D0%A1 "МЭМС"), и других применений, где требуется изотропное травление (то есть травление во всех направлениях). [Плазменное](/wiki/%D0%A0%D0%B5%D0%B0%D0%BA%D1%82%D0%B8%D0%B2%D0%BD%D0%BE%D0%B5_%D0%B8%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%BE%D0%B5_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Реактивное ионное травление"), и в особенности [глубокое плазменное травление](https://en.wikipedia.org/wiki/deep_reactive-ion_etching "en:deep reactive-ion etching"), применяют когда необходимо протравить структуру относительно глубоко, сохраняя при этом, как можно более вертикальный угол наклона стенок, то есть протравить анизотропно, только в вертикальном направлении. Результат травления тесно связан с параметрами фоторезиста, что во многом и определяет его выбор.

#### Электроосаждение

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&veaction=edit&section=11 "Редактировать раздел «Электроосаждение»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=edit&section=11 "Редактировать код раздела «Электроосаждение»")\]

[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/0/0e/Photolithography_process.png/400px-Photolithography_process.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:Photolithography_process.png) Схема основных этапов процесса фотолитографии

В процессе [электроосаждения](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BE%D1%81%D0%B0%D0%B6%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Электроосаждение"), окна в фоторезисте используются для осаждения в них материала из [электролита](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82 "Электролит").

#### Напыление. Обратная литография

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&veaction=edit&section=12 "Редактировать раздел «Напыление. Обратная литография»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=edit&section=12 "Редактировать код раздела «Напыление. Обратная литография»")\]

В случаях, когда требуется получить рисунок из материала плохо подвергающегося травлению, используют процесс обратной (взрывной) литографии. В процессе обратной литографии на нанесённый и проявленный фоторезист [напыляется](/wiki/%D0%92%D0%B0%D0%BA%D1%83%D1%83%D0%BC%D0%BD%D0%BE%D0%B5_%D0%BD%D0%B0%D0%BF%D1%8B%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Вакуумное напыление") [тонкий слой](/wiki/%D0%A2%D0%BE%D0%BD%D0%BA%D0%B0%D1%8F_%D0%BF%D0%BB%D1%91%D0%BD%D0%BA%D0%B0 "Тонкая плёнка") материала (обычно металла), из которого требуется сформировать рисунок. На следующем этапе производится снятие фоторезиста, так что напылённый материал остаётся только в окнах, не защищённых фоторезистом, а плёнка, попавшая на фоторезист, уносится вместе с ним, то есть осуществляется так называемый «взрыв». Для обратной литографии, как правило, используются специальные LOR (lift-off-resist) фоторезисты. Существуют многочисленные модификации этого метода, например, когда используются два или даже три слоя фоторезистов с разной скоростью проявления. В целом, для аккуратного снятия фоторезиста требуется, чтобы плёнка фоторезиста была в два и более раз толще, чем плёнка напылённого материала, а также, чтобы стенки фоторезиста имели отрицательный наклон, что исключит возможность их покрытия напыляемым материалом.

### Снятие фоторезиста

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&veaction=edit&section=13 "Редактировать раздел «Снятие фоторезиста»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=edit&section=13 "Редактировать код раздела «Снятие фоторезиста»")\]

Финальным этапом процесса фотолитографии является снятие фоторезиста. Для удаления фоторезиста с обработанной поверхности используют либо обработку в специальной жидкости — снимателе (например, [диметилсульфоксид](/wiki/%D0%94%D0%B8%D0%BC%D0%B5%D1%82%D0%B8%D0%BB%D1%81%D1%83%D0%BB%D1%8C%D1%84%D0%BE%D0%BA%D1%81%D0%B8%D0%B4 "Диметилсульфоксид"), N-метилпирролидон, смесь серной кислоты и перекиси водорода), либо обработку в кислородсодержащей плазме. Как правило, определённые сниматели подходят только к определённым группам фоторезистов. В процессах обратной фотолитографии, вместе с фоторезистом удаляется и покрывающая его плёнка материала. Если на предыдущих этапах применялись усилители адгезии или антиотражающие покрытия, они, как правило, также удаляются снимателем.

## См. также

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&veaction=edit&section=14 "Редактировать раздел «См. также»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=edit&section=14 "Редактировать код раздела «См. также»")\]

- [Электронная литография](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Электронная литография")
- [Ионно-лучевая литография](/wiki/%D0%98%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%BE-%D0%BB%D1%83%D1%87%D0%B5%D0%B2%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Ионно-лучевая литография")
- [Нанопечатная литография](/wiki/%D0%9D%D0%B0%D0%BD%D0%BE%D0%BF%D0%B5%D1%87%D0%B0%D1%82%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Нанопечатная литография")
- [Рентгеновская литография](/wiki/%D0%A0%D0%B5%D0%BD%D1%82%D0%B3%D0%B5%D0%BD%D0%BE%D0%B2%D1%81%D0%BA%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Рентгеновская литография")
- [Фотолитография в глубоком ультрафиолете](/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F_%D0%B2_%D0%B3%D0%BB%D1%83%D0%B1%D0%BE%D0%BA%D0%BE%D0%BC_%D1%83%D0%BB%D1%8C%D1%82%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D1%82%D0%B5 "Фотолитография в глубоком ультрафиолете")
- [Фоторезист](/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82 "Фоторезист")
- [Фотошаблон](/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D1%88%D0%B0%D0%B1%D0%BB%D0%BE%D0%BD "Фотошаблон")
- [Микротехнология](/wiki/%D0%9C%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%BE%D1%82%D0%B5%D1%85%D0%BD%D0%BE%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%B8%D1%8F "Микротехнология")

## Примечания

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&veaction=edit&section=15 "Редактировать раздел «Примечания»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=edit&section=15 "Редактировать код раздела «Примечания»")\]

1. ↑ [_**1**_](#cite_ref-sam_sivakumar_2009-nikon_1-0) [_**2**_](#cite_ref-sam_sivakumar_2009-nikon_1-1)[http://www.nikonprecision.com/newsletter/pdf/spring\_2009/Trends\_Sivakumar\_Intel\_Distribution.pdf](http://www.nikonprecision.com/newsletter/pdf/spring_2009/Trends_Sivakumar_Intel_Distribution.pdf) [Архивная копия](https://web.archive.org/web/20150104010703/http://www.nikonprecision.com/newsletter/pdf/spring_2009/Trends_Sivakumar_Intel_Distribution.pdf) от 4 января 2015 на [Wayback Machine](/wiki/Wayback_Machine "Wayback Machine") Sam Sivakumar (Intel), 2009

## Литература

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&veaction=edit&section=16 "Редактировать раздел «Литература»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=edit&section=16 "Редактировать код раздела «Литература»")\]

- [Optical Lithography … 40 years and holding](http://www.lithoguru.com/scientist/litho_history/Optical_lithography_40_years_and_holding_Bruning_2007.pdf) // Proc. of SPIE Vol. 6520, [doi:10.1117/12.720631](//doi.org/10.1117/12.720631 "doi:10.1117/12.720631")(англ.)
- [Optical lithography thirty years and three orders of magnitude: the evolution of optical lithography tools.](http://www.lithoguru.com/scientist/litho_history/Optical_lithography_thirty_years_and_three_orders_of_magnitude_Bruning_1997.pdf) // Microlithography’97 (pp. 14–27). International Society for Optics and Photonics. [doi:10.1117/12.275983](//doi.org/10.1117/12.275983 "doi:10.1117/12.275983")
- Лапшинов Б. А. [Технология литографических процессов. Учебное пособие](http://window.edu.ru/resource/498/78498/files/miem_lapshinov.pdf) — МИЭМ, 2011
- [Системы литографии. Перспективы и экономические аспекты развития](http://www.electronics.ru/journal/article/48) // Электроника НТБ Выпуск #3/2010
- Photolithography. Theory and Application of Photoresists, Etchants and Solvents. К. Кох и Т. Ринке. (2012)
- [Литография, оптическая](http://thesaurus.rusnano.com/wiki/article1085) — [Словарь нанотехнологических терминов](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D0%BE%D0%B2%D0%B0%D1%80%D1%8C_%D0%BD%D0%B0%D0%BD%D0%BE%D1%82%D0%B5%D1%85%D0%BD%D0%BE%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D1%85_%D1%82%D0%B5%D1%80%D0%BC%D0%B8%D0%BD%D0%BE%D0%B2 "Словарь нанотехнологических терминов") (2009—…)
- [Lithographic Challenges an ASML perspective](https://web.archive.org/web/20151222092054/http://www.intel.com/content/dam/www/public/emea/eu/en/documents/eric/day2-boudewijn-sluijk.pdf). Boudewijn Sluijk, Intel ERIC, Dublin, 4 Oct. 2012

[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/4/4c/Emblem-important.svg/40px-Emblem-important.svg.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:Emblem-important.svg)

В статье есть список [источников](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%90%D0%B2%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%82%D0%B5%D1%82%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%87%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B8 "Википедия:Авторитетные источники"), но **не хватает [сносок](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D0%BD%D0%BE%D1%81%D0%BA%D0%B8 "Википедия:Сноски")**.

Без сносок сложно [определить, из какого источника](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%9F%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B5%D1%80%D1%8F%D0%B5%D0%BC%D0%BE%D1%81%D1%82%D1%8C "Википедия:Проверяемость") взято каждое отдельное утверждение. Вы можете улучшить статью, проставив [сноски на источники](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D1%81%D1%8B%D0%BB%D0%BA%D0%B8_%D0%BD%D0%B0_%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%87%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B8 "Википедия:Ссылки на источники"), подтверждающие информацию. Сведения без сносок [могут быть удалены](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%90%D0%B2%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%82%D0%B5%D1%82%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%87%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B8#Материал_без_источников "Википедия:Авторитетные источники")._(16 декабря 2015)_

Источник — [https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Фотолитография&oldid=139947950](https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Фотолитография&oldid=139947950)

[Категории](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%9A%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%B8%D0%B8 "Служебная:Категории"):

- [Планарная технология](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%8F:%D0%9F%D0%BB%D0%B0%D0%BD%D0%B0%D1%80%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%82%D0%B5%D1%85%D0%BD%D0%BE%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%B8%D1%8F "Категория:Планарная технология")
- [Фотографические процессы](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%8F:%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B5_%D0%BF%D1%80%D0%BE%D1%86%D0%B5%D1%81%D1%81%D1%8B "Категория:Фотографические процессы")
- [Фотолитография](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%8F:%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Категория:Фотолитография")

Скрытые категории:

- [Википедия:Статьи без источников (тип: не указан)](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%8F:%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D1%82%D0%B0%D1%82%D1%8C%D0%B8_%D0%B1%D0%B5%D0%B7_%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%87%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%B2_(%D1%82%D0%B8%D0%BF:_%D0%BD%D0%B5_%D1%83%D0%BA%D0%B0%D0%B7%D0%B0%D0%BD) "Категория:Википедия:Статьи без источников (тип: не указан)")
- [Википедия:Нет источников с декабря 2015](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%8F:%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%9D%D0%B5%D1%82_%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%87%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%B2_%D1%81_%D0%B4%D0%B5%D0%BA%D0%B0%D0%B1%D1%80%D1%8F_2015 "Категория:Википедия:Нет источников с декабря 2015")
- [Википедия:Статьи с утверждениями без источников более 14 дней](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%8F:%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D1%82%D0%B0%D1%82%D1%8C%D0%B8_%D1%81_%D1%83%D1%82%D0%B2%D0%B5%D1%80%D0%B6%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F%D0%BC%D0%B8_%D0%B1%D0%B5%D0%B7_%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%87%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%B2_%D0%B1%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B5_14_%D0%B4%D0%BD%D0%B5%D0%B9 "Категория:Википедия:Статьи с утверждениями без источников более 14 дней")
- [Википедия:Статьи без сносок с декабря 2015 года](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%8F:%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D1%82%D0%B0%D1%82%D1%8C%D0%B8_%D0%B1%D0%B5%D0%B7_%D1%81%D0%BD%D0%BE%D1%81%D0%BE%D0%BA_%D1%81_%D0%B4%D0%B5%D0%BA%D0%B0%D0%B1%D1%80%D1%8F_2015_%D0%B3%D0%BE%D0%B4%D0%B0 "Категория:Википедия:Статьи без сносок с декабря 2015 года")
- [Википедия:Статьи без сносок](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%8F:%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D1%82%D0%B0%D1%82%D1%8C%D0%B8_%D0%B1%D0%B5%D0%B7_%D1%81%D0%BD%D0%BE%D1%81%D0%BE%D0%BA "Категория:Википедия:Статьи без сносок")

## Навигация

### Персональные инструменты

- Вы не представились системе
- [Обсуждение](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%9C%D0%BE%D1%91_%D0%BE%D0%B1%D1%81%D1%83%D0%B6%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Страница обсуждений для моего IP [n]")
- [Вклад](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%9C%D0%BE%D0%B9_%D0%B2%D0%BA%D0%BB%D0%B0%D0%B4 "Список правок, сделанных с этого IP-адреса [y]")
- [Создать учётную запись](/w/index.php?title=%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A1%D0%BE%D0%B7%D0%B4%D0%B0%D1%82%D1%8C_%D1%83%D1%87%D1%91%D1%82%D0%BD%D1%83%D1%8E_%D0%B7%D0%B0%D0%BF%D0%B8%D1%81%D1%8C&returnto=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Мы предлагаем вам создать учётную запись и войти в систему, хотя это и не обязательно.")
- [Войти](/w/index.php?title=%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%92%D1%85%D0%BE%D0%B4&returnto=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Здесь можно зарегистрироваться в системе, но это необязательно. [o]")

### Пространства имён

- [Статья](/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Просмотреть контентную страницу [c]")
- [Обсуждение](/wiki/%D0%9E%D0%B1%D1%81%D1%83%D0%B6%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5:%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Обсуждение основной страницы [t]")

русский

### Просмотры

- [Читать](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&stable=1)
- [Текущая версия](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&stable=0&redirect=no "Показать текущую версию этой страницы [v]")
- [Править](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&veaction=edit "Редактировать данную страницу [v]")
- [Править код](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=edit "Править исходный текст этой страницы [e]")
- [История](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=history "Журнал изменений страницы [h]")

Ещё

### Поиск

[Перейти на заглавную страницу](/wiki/%D0%97%D0%B0%D0%B3%D0%BB%D0%B0%D0%B2%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%81%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%86%D0%B0 "Перейти на заглавную страницу")

### Навигация

- [Заглавная страница](/wiki/%D0%97%D0%B0%D0%B3%D0%BB%D0%B0%D0%B2%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%81%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%86%D0%B0 "Перейти на заглавную страницу [z]")
- [Содержание](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D0%BE%D0%B4%D0%B5%D1%80%D0%B6%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D0%B5)
- [Избранные статьи](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%98%D0%B7%D0%B1%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D1%81%D1%82%D0%B0%D1%82%D1%8C%D0%B8 "Статьи, считающиеся лучшими статьями проекта")
- [Случайная статья](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A1%D0%BB%D1%83%D1%87%D0%B0%D0%B9%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%81%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%86%D0%B0 "Посмотреть случайно выбранную страницу [x]")
- [Текущие события](/wiki/%D0%9F%D0%BE%D1%80%D1%82%D0%B0%D0%BB:%D0%A2%D0%B5%D0%BA%D1%83%D1%89%D0%B8%D0%B5_%D1%81%D0%BE%D0%B1%D1%8B%D1%82%D0%B8%D1%8F "Статьи о текущих событиях в мире")
- [Пожертвовать](//donate.wikimedia.org/wiki/Special:FundraiserRedirector?utm_source=donate&utm_medium=sidebar&utm_campaign=C13_ru.wikipedia.org&uselang=ru "Поддержите нас")

### Участие

- [Сообщить об ошибке](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D0%BE%D0%BE%D0%B1%D1%89%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F_%D0%BE%D0%B1_%D0%BE%D1%88%D0%B8%D0%B1%D0%BA%D0%B0%D1%85 "Сообщить об ошибке в этой статье")
- [Как править статьи](/wiki/%D0%A1%D0%BF%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%BA%D0%B0:%D0%92%D0%B2%D0%B5%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5)
- [Сообщество](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D0%BE%D0%BE%D0%B1%D1%89%D0%B5%D1%81%D1%82%D0%B2%D0%BE "О проекте, о том, чем здесь можно заниматься, а также — где что находится")
- [Форум](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A4%D0%BE%D1%80%D1%83%D0%BC "Форум участников Википедии")
- [Свежие правки](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A1%D0%B2%D0%B5%D0%B6%D0%B8%D0%B5_%D0%BF%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%BA%D0%B8 "Список последних изменений [r]")
- [Новые страницы](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%9D%D0%BE%D0%B2%D1%8B%D0%B5_%D1%81%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%86%D1%8B "Список недавно созданных страниц")
- [Справка](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D0%BF%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%BA%D0%B0 "Место расположения Справки")

### Инструменты

- [Ссылки сюда](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A1%D1%81%D1%8B%D0%BB%D0%BA%D0%B8_%D1%81%D1%8E%D0%B4%D0%B0/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Список всех страниц, ссылающихся на данную [j]")
- [Связанные правки](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A1%D0%B2%D1%8F%D0%B7%D0%B0%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D0%BF%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%BA%D0%B8/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Последние изменения в страницах, на которые ссылается эта страница [k]")
- [Служебные страницы](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A1%D0%BF%D0%B5%D1%86%D1%81%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%86%D1%8B "Список служебных страниц [q]")
- [Постоянная ссылка](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&oldid=139947950 "Постоянная ссылка на эту версию страницы")
- [Сведения о странице](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=info "Подробнее об этой странице")
- [Цитировать страницу](/w/index.php?title=%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A6%D0%B8%D1%82%D0%B0%D1%82%D0%B0&page=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&id=139947950&wpFormIdentifier=titleform "Информация о том, как цитировать эту страницу")
- [Получить короткий URL](/w/index.php?title=%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:UrlShortener&url=https%3A%2F%2Fru.wikipedia.org%2Fwiki%2F%25D0%25A4%25D0%25BE%25D1%2582%25D0%25BE%25D0%25BB%25D0%25B8%25D1%2582%25D0%25BE%25D0%25B3%25D1%2580%25D0%25B0%25D1%2584%25D0%25B8%25D1%258F)
- [Скачать QR-код](/w/index.php?title=%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:QrCode&url=https%3A%2F%2Fru.wikipedia.org%2Fwiki%2F%25D0%25A4%25D0%25BE%25D1%2582%25D0%25BE%25D0%25BB%25D0%25B8%25D1%2582%25D0%25BE%25D0%25B3%25D1%2580%25D0%25B0%25D1%2584%25D0%25B8%25D1%258F)
- [Элемент Викиданных](https://www.wikidata.org/wiki/Special:EntityPage/Q622938 "Ссылка на связанный элемент репозитория данных [g]")

### Печать/экспорт

- [Скачать как PDF](/w/index.php?title=%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:DownloadAsPdf&page=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&action=show-download-screen "Скачать эту страницу как файл PDF")
- [Версия для печати](/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&printable=yes "Версия этой страницы для печати [p]")

### В других проектах

- [Викисклад](https://commons.wikimedia.org/wiki/Category:Photolithography_(microfabrication))

### На других языках

- [العربية](https://ar.wikipedia.org/wiki/%D8%B7%D8%A8%D8%A7%D8%B9%D8%A9_%D8%AD%D8%AC%D8%B1%D9%8A%D8%A9_%D8%B6%D9%88%D8%A6%D9%8A%D8%A9 "طباعة حجرية ضوئية — арабский")
- [Български](https://bg.wikipedia.org/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Фотолитография — болгарский")
- [Català](https://ca.wikipedia.org/wiki/Fotolitografia_(electr%C3%B2nica) "Fotolitografia (electrònica) — каталанский")
- [Čeština](https://cs.wikipedia.org/wiki/Fotolitografie "Fotolitografie — чешский")
- [Deutsch](https://de.wikipedia.org/wiki/Fotolithografie_(Halbleitertechnik) "Fotolithografie (Halbleitertechnik) — немецкий")
- [English](https://en.wikipedia.org/wiki/Photolithography "Photolithography — английский")
- [Español](https://es.wikipedia.org/wiki/Fotolitograf%C3%ADa "Fotolitografía — испанский")
- [Eesti](https://et.wikipedia.org/wiki/Fotolitograafia "Fotolitograafia — эстонский")
- [Euskara](https://eu.wikipedia.org/wiki/Fotolitografia "Fotolitografia — баскский")
- [فارسی](https://fa.wikipedia.org/wiki/%D8%B7%D8%B1%D8%AD%E2%80%8C%D9%86%DA%AF%D8%A7%D8%B1%DB%8C_%D9%86%D9%88%D8%B1%DB%8C "طرح‌نگاری نوری — персидский")
- [Suomi](https://fi.wikipedia.org/wiki/Optinen_litografia "Optinen litografia — финский")
- [Français](https://fr.wikipedia.org/wiki/Photolithographie "Photolithographie — французский")
- [Gaeilge](https://ga.wikipedia.org/wiki/Liteagrafa%C3%ADocht "Liteagrafaíocht — ирландский")
- [עברית](https://he.wikipedia.org/wiki/%D7%A4%D7%95%D7%98%D7%95%D7%9C%D7%99%D7%AA%D7%95%D7%92%D7%A8%D7%A4%D7%99%D7%94 "פוטוליתוגרפיה — иврит")
- [Magyar](https://hu.wikipedia.org/wiki/Fotolitogr%C3%A1fia "Fotolitográfia — венгерский")
- [Bahasa Indonesia](https://id.wikipedia.org/wiki/Fotolitografi "Fotolitografi — индонезийский")
- [Italiano](https://it.wikipedia.org/wiki/Litografia_(elettronica) "Litografia (elettronica) — итальянский")
- [日本語](https://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%83%95%E3%82%A9%E3%83%88%E3%83%AA%E3%82%BD%E3%82%B0%E3%83%A9%E3%83%95%E3%82%A3 "フォトリソグラフィ — японский")
- [Қазақша](https://kk.wikipedia.org/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F "Фотолитография — казахский")
- [한국어](https://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%8F%AC%ED%86%A0%EB%A6%AC%EC%86%8C%EA%B7%B8%EB%9E%98%ED%94%BC "포토리소그래피 — корейский")
- [Македонски](https://mk.wikipedia.org/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%98%D0%B0 "Фотолитографија — македонский")
- [Bahasa Melayu](https://ms.wikipedia.org/wiki/Fotolitografi "Fotolitografi — малайский")
- [Nederlands](https://nl.wikipedia.org/wiki/Fotolithografie "Fotolithografie — нидерландский")
- [Polski](https://pl.wikipedia.org/wiki/Fotolitografia "Fotolitografia — польский")
- [Português](https://pt.wikipedia.org/wiki/Fotolitografia "Fotolitografia — португальский")
- [Română](https://ro.wikipedia.org/wiki/Fotolitografie "Fotolitografie — румынский")
- [Simple English](https://simple.wikipedia.org/wiki/Photolithography "Photolithography — Simple English")
- [Slovenčina](https://sk.wikipedia.org/wiki/Fotolitografia "Fotolitografia — словацкий")
- [Svenska](https://sv.wikipedia.org/wiki/Fotolitografi_(mikrofabrikationsteknik) "Fotolitografi (mikrofabrikationsteknik) — шведский")
- [Türkçe](https://tr.wikipedia.org/wiki/Fotolitografi "Fotolitografi — турецкий")
- [Українська](https://uk.wikipedia.org/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D1%96%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D1%96%D1%8F "Фотолітографія — украинский")
- [Oʻzbekcha / ўзбекча](https://uz.wikipedia.org/wiki/Fotolitografiya "Fotolitografiya — узбекский")
- [Tiếng Việt](https://vi.wikipedia.org/wiki/Quang_kh%E1%BA%AFc "Quang khắc — вьетнамский")
- [吴语](https://wuu.wikipedia.org/wiki/%E5%85%89%E5%88%BB "光刻 — у")
- [中文](https://zh.wikipedia.org/wiki/%E5%85%89%E5%88%BB "光刻 — китайский")

[Править ссылки](https://www.wikidata.org/wiki/Special:EntityPage/Q622938#sitelinks-wikipedia "Править ссылки на другие языки")

- Эта страница в последний раз была отредактирована 2 сентября 2024 в 18:29.
- Текст доступен по [лицензии Creative Commons «С указанием авторства — С сохранением условий» (CC BY-SA)](//creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/deed.ru); в отдельных случаях могут действовать дополнительные условия.
  Подробнее см. [Условия использования](//foundation.wikimedia.org/wiki/Policy:Terms_of_Use/ru).


  Wikipedia® — зарегистрированный товарный знак некоммерческой организации [«Фонд Викимедиа» (Wikimedia Foundation, Inc.)](//wikimediafoundation.org/ru/)

- [Политика конфиденциальности](https://foundation.wikimedia.org/wiki/Special:MyLanguage/Policy:Privacy_policy/ru)
- [Описание Википедии](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%9E%D0%BF%D0%B8%D1%81%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D0%B5)
- [Отказ от ответственности](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%9E%D1%82%D0%BA%D0%B0%D0%B7_%D0%BE%D1%82_%D0%BE%D1%82%D0%B2%D0%B5%D1%82%D1%81%D1%82%D0%B2%D0%B5%D0%BD%D0%BD%D0%BE%D1%81%D1%82%D0%B8)
- [Свяжитесь с нами](//ru.wikipedia.org/wiki/Википедия:Контакты)
- [Кодекс поведения](https://foundation.wikimedia.org/wiki/Policy:Universal_Code_of_Conduct/ru)
- [Разработчики](https://developer.wikimedia.org)
- [Статистика](https://stats.wikimedia.org/#/ru.wikipedia.org)
- [Заявление о куки](https://foundation.wikimedia.org/wiki/Special:MyLanguage/Policy:Cookie_statement)
- [Мобильная версия](//ru.m.wikipedia.org/w/index.php?title=%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%84%D0%B8%D1%8F&mobileaction=toggle_view_mobile)

- [![Wikimedia Foundation](/static/images/footer/wikimedia-button.svg)](https://wikimediafoundation.org/)
- [![Powered by MediaWiki](/w/resources/assets/poweredby_mediawiki.svg)](https://www.mediawiki.org/)