Основы разработки микросхем
Интегральная схема - Википедия
По технологии изготовления · Плёночная интегральная микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены в виде плёнок: · Гибридная микросхема (часто ...
биполярные
Основным элементом аналоговых микросхем являются транзисторы ( <anchor>биполярные</anchor> или полевые). Разница в технологии изготовления транзисторов существенно влияет на характеристики микросхем. Поэтому нередко в описании микросхемы указывают технологию изготовления, чтобы подчеркнуть тем самым общую характеристику свойств и возможностей микросхемы. В современных технологиях объединяют технологии биполярных и полевых транзисторов, чтобы добиться улучшения характеристик микросхем.
Биполярный транзистор — Википедия
Биполярный транзистор — Википедия

# Биполярный транзистор

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

[Перейти к навигации](#mw-head) [Перейти к поиску](#searchInput)

[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/4/4d/%D0%A3%D0%93%D0%9E_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B0_%D0%93%D0%9E%D0%A1%D0%A2_2_730.svg/300px-%D0%A3%D0%93%D0%9E_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B0_%D0%93%D0%9E%D0%A1%D0%A2_2_730.svg.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:%D0%A3%D0%93%D0%9E_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B0_%D0%93%D0%9E%D0%A1%D0%A2_2_730.svg) Обозначение биполярных транзисторов на схемах по ГОСТ 2.730[\[1\]](#cite_note-ГОСТ_2.730-1). Направление стрелки показывает направление тока через эмиттерный переход в активном режиме и служит для указания _n-p-n_ и _p-n-p_ транзисторов. Окружности символизирует транзистор в индивидуальном корпусе, отсутствие — транзистор в составе микросхемы.

**Биполя́рный транзи́стор** — трёхэлектродный [полупроводниковый прибор](/wiki/%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%B2%D1%8B%D0%B5_%D0%BF%D1%80%D0%B8%D0%B1%D0%BE%D1%80%D1%8B "Полупроводниковые приборы"), один из типов [транзисторов](/wiki/%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Транзистор"). В полупроводниковой структуре сформированы два [p-n-перехода](/wiki/P-n-%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D0%BE%D0%B4 "P-n-переход"), перенос [заряда](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D0%B7%D0%B0%D1%80%D1%8F%D0%B4 "Электрический заряд") через которые осуществляется носителями двух полярностей — [электронами](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Электрон") и [дырками](/wiki/%D0%94%D1%8B%D1%80%D0%BA%D0%B0 "Дырка"). Именно поэтому прибор получил название «биполярный» (от [англ.](/wiki/%D0%90%D0%BD%D0%B3%D0%BB%D0%B8%D0%B9%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D1%8F%D0%B7%D1%8B%D0%BA "Английский язык") bipolar), в отличие от [полевого (униполярного) транзистора](/wiki/%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Полевой транзистор").

Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента (например, в схемах [ТТЛ](/wiki/%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%BD%D0%BE-%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%B8%D0%BA%D0%B0 "Транзисторно-транзисторная логика")).

## Содержание

- [1Устройство](#Устройство)
- [2Принцип работы](#Принцип_работы)
- [3Режимы работы](#Режимы_работы)
  - [3.1Нормальный активный режим](#Нормальный_активный_режим)
  - [3.2Инверсный активный режим](#Инверсный_активный_режим)
  - [3.3Режим насыщения](#Режим_насыщения)
  - [3.4Режим отсечки](#Режим_отсечки)
  - [3.5Барьерный режим](#Барьерный_режим)
- [4Схемы включения](#Схемы_включения)
  - [4.1Схема включения с общей базой](#Схема_включения_с_общей_базой)
  - [4.2Схема включения с общим эмиттером](#Схема_включения_с_общим_эмиттером)
  - [4.3Схема с общим коллектором](#Схема_с_общим_коллектором)
- [5Основные параметры](#Основные_параметры)
- [6Токи в транзисторе](#Токи_в_транзисторе)
- [7Биполярный СВЧ-транзистор](#Биполярный_СВЧ-транзистор)
- [8Технологии изготовления транзисторов](#Технологии_изготовления_транзисторов)
- [9Применение транзисторов](#Применение_транзисторов)
- [10См. также](#См._также)
- [11Примечания](#Примечания)
- [12Ссылки](#Ссылки)
- [13Литература](#Литература)

## Устройство

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=1 "Редактировать раздел «Устройство»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=1 "Редактировать код раздела «Устройство»")\]

[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/ru/6/60/Npnpnp.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:Npnpnp.png) Простейшая наглядная схема устройства транзистора[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/e/ed/Npn_bjt_cross_section.svg/250px-Npn_bjt_cross_section.svg.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:Npn_bjt_cross_section.svg) Упрощённая схема поперечного разреза планарного биполярного n-p-n транзистора.

Биполярный транзистор состоит из трёх полупроводниковых слоёв с чередующимся типом [примесной проводимости](/wiki/%D0%9F%D1%80%D0%B8%D0%BC%D0%B5%D1%81%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%B8%D0%BC%D0%BE%D1%81%D1%82%D1%8C_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%B2 "Примесная проводимость полупроводников"): эмиттера (обозначается «Э», [англ.](/wiki/%D0%90%D0%BD%D0%B3%D0%BB%D0%B8%D0%B9%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D1%8F%D0%B7%D1%8B%D0%BA "Английский язык") E), базы («Б», [англ.](/wiki/%D0%90%D0%BD%D0%B3%D0%BB%D0%B8%D0%B9%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D1%8F%D0%B7%D1%8B%D0%BA "Английский язык") B) и коллектора («К», [англ.](/wiki/%D0%90%D0%BD%D0%B3%D0%BB%D0%B8%D0%B9%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D1%8F%D0%B7%D1%8B%D0%BA "Английский язык") C). В зависимости от порядка чередования слоёв различают _n-p-n_ (эмиттер — [_n_-полупроводник](/wiki/%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA_n-%D1%82%D0%B8%D0%BF%D0%B0 "Полупроводник n-типа"), база — [_p_-полупроводник](/wiki/%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA_p-%D1%82%D0%B8%D0%BF%D0%B0 "Полупроводник p-типа"), коллектор — _n_-полупроводник) и _p-n-p_ транзисторы. К каждому из слоёв подключены проводящие [невыпрямляющие контакты](/wiki/%D0%9E%D0%BC%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D1%82%D0%B0%D0%BA%D1%82 "Омический контакт")[\[2\]](#cite_note-2).

С точки зрения типов проводимостей эмиттерный и коллекторный слои не различимы, но при изготовлении они существенно различаются степенью [легирования](/wiki/%D0%9B%D0%B5%D0%B3%D0%B8%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D0%B5_(%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B8) "Легирование (полупроводники)") для улучшения электрических параметров прибора. Коллекторный слой легируется слабо, что повышает допустимое коллекторное напряжение. Эмиттерный слой — сильно легированный: величина пробойного обратного напряжения эмиттерного перехода не критична, так как обычно в электронных схемах транзисторы работают с прямосмещённым эмиттерным переходом. Кроме того, сильное легирование эмиттерного слоя обеспечивает лучшую [инжекцию](/wiki/%D0%98%D0%BD%D0%B6%D0%B5%D0%BA%D1%86%D0%B8%D1%8F "Инжекция") неосновных носителей в базовый слой, что увеличивает коэффициент передачи по току в схемах с общей базой. Слой базы легируется слабо, так как располагается между эмиттерным и коллекторным слоями и должен иметь большое [электрическое сопротивление](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%BE%D0%B5_%D1%81%D0%BE%D0%BF%D1%80%D0%BE%D1%82%D0%B8%D0%B2%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Электрическое сопротивление").

Общая площадь перехода база-эмиттер выполняется значительно меньше площади перехода коллектор-база, что увеличивает вероятность захвата неосновных носителей из базового слоя и улучшает коэффициент передачи. Так как в рабочем режиме переход коллектор-база обычно включён с обратным смещением, в нём выделяется основная доля тепла, рассеиваемого прибором, и повышение его площади способствует лучшему охлаждению кристалла. Поэтому на практике биполярный транзистор общего применения является несимметричным устройством (то есть инверсное включение, когда меняют местами эмиттер и коллектор, нецелесообразно).

Для повышения частотных параметров (быстродействия) толщину базового слоя делают меньше, так как этим, в том числе, определяется время «пролёта» (диффузии в бездрейфовых приборах) неосновных носителей. Но при снижении толщины базы снижается предельное коллекторное напряжение, поэтому толщину базового слоя выбирают исходя из разумного компромисса.

В первых транзисторах в качестве полупроводникового материала использовался металлический [германий](/wiki/%D0%93%D0%B5%D1%80%D0%BC%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D0%B9 "Германий"). Полупроводниковые приборы на его основе [имеют ряд недостатков](/wiki/%D0%93%D0%B5%D1%80%D0%BC%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D0%B9#Радиоэлектроника "Германий"), и в настоящее время (2015 г.) биполярные транзисторы изготавливают в основном из монокристаллического [кремния](/wiki/%D0%9A%D1%80%D0%B5%D0%BC%D0%BD%D0%B8%D0%B9 "Кремний") и монокристаллического [арсенида галлия](/wiki/%D0%90%D1%80%D1%81%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B4_%D0%B3%D0%B0%D0%BB%D0%BB%D0%B8%D1%8F "Арсенид галлия"). Благодаря очень высокой подвижности носителей в арсениде галлия приборы на его основе обладают высоким быстродействием и используются в сверхбыстродействующих [логических схемах](/wiki/%D0%9A%D0%BE%D0%BC%D0%B1%D0%B8%D0%BD%D0%B0%D1%86%D0%B8%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%B8%D0%BA%D0%B0 "Комбинационная логика") и в схемах [СВЧ](/wiki/%D0%A1%D0%B2%D0%B5%D1%80%D1%85%D0%B2%D1%8B%D1%81%D0%BE%D0%BA%D0%B8%D0%B5_%D1%87%D0%B0%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%82%D1%8B "Сверхвысокие частоты")- [усилителей](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%83%D1%81%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C "Электронный усилитель").

## Принцип работы

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=2 "Редактировать раздел «Принцип работы»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=2 "Редактировать код раздела «Принцип работы»")\]

В активном усилительном режиме работы транзистор включён так, что его эмиттерный переход [смещён](/wiki/%D0%A2%D0%BE%D0%BA_%D1%81%D0%BC%D0%B5%D1%89%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F_(%D1%80%D0%B0%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B0) "Ток смещения (радиоэлектроника)") в прямом направлении[\[3\]](#cite_note-comm_1-3) (открыт), а коллекторный переход смещён в обратном направлении (закрыт).

В транзисторе типа **n-p-n**[\[4\]](#cite_note-4) основные носители заряда в эмиттере (электроны) проходят через открытый переход эмиттер-база ( [инжектируются](/wiki/%D0%98%D0%BD%D0%B6%D0%B5%D0%BA%D1%86%D0%B8%D1%8F "Инжекция")) в область базы. Часть этих электронов [рекомбинирует](/wiki/%D0%A0%D0%B5%D0%BA%D0%BE%D0%BC%D0%B1%D0%B8%D0%BD%D0%B0%D1%86%D0%B8%D1%8F_(%D1%84%D0%B8%D0%B7%D0%B8%D0%BA%D0%B0_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%B2) "Рекомбинация (физика полупроводников)") с основными носителями заряда в базе (дырками). Однако из-за того, что базу делают очень тонкой и сравнительно слабо легированной, бо́льшая часть электронов, инжектированных из эмиттера, диффундирует в область коллектора, так как время рекомбинации относительно велико[\[5\]](#cite_note-5). Сильное электрическое поле обратносмещённого коллекторного перехода захватывает неосновные носители из базы (электроны) и переносит их в коллекторный слой. Ток коллектора, таким образом, практически равен току эмиттера, за исключением небольшой потери на рекомбинацию в базе, которая и образует ток базы ( _Iэ=Iб \+ Iк_).

Коэффициент α, связывающий ток эмиттера и ток коллектора ( _Iк = α Iэ_), называется **коэффициентом передачи тока эмиттера**. Численное значение коэффициента α = 0,9—0,999. Чем больше коэффициент, тем эффективней транзистор передаёт ток. Этот коэффициент мало зависит от напряжения коллектор-база и база-эмиттер. Поэтому в широком диапазоне рабочих напряжений ток коллектора пропорционален току базы, коэффициент пропорциональности равен β = α/(1 − α), от 10 до 1000. Таким образом, малый ток базы управляет значительно бо́льшим током коллектора.

## Режимы работы

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=3 "Редактировать раздел «Режимы работы»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=3 "Редактировать код раздела «Режимы работы»")\]

Напряжения

на эмиттере,

базе,

коллекторе

(UE,UB,UC{\\displaystyle U\_{E},U\_{B},U\_{C}}![{\displaystyle U_{E},U_{B},U_{C}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/19b78cf8dd149cfe9af3397e37a439f2916a7a2d))Смещение

перехода

база-эмиттер

для типа n-p-nСмещение

перехода

база-коллектор

для типа n-p-nРежим

для типа n-p-n
UE<UB<UC{\\displaystyle U\_{E}<U\_{B}<U\_{C}}![{\displaystyle U_{E}<U_{B}<U_{C}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/b3d1ddaa1f20a1323f242c839a3d8da13f5515fd)прямоеобратноенормальный

активный режим
UE<UB>UC{\\displaystyle U\_{E}<U\_{B}>U\_{C}}![{\displaystyle U_{E}<U_{B}>U_{C}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/3c06313235cba358d0f43f161844c50f1bec9da5)прямоепрямоережим насыщения
UE>UB<UC{\\displaystyle U\_{E}>U\_{B}<U\_{C}}![{\displaystyle U_{E}>U_{B}<U_{C}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/021930093d2abd030b67722f7b47eb49c9af62e7)обратноеобратноережим отсечки
UE>UB>UC{\\displaystyle U\_{E}>U\_{B}>U\_{C}}![{\displaystyle U_{E}>U_{B}>U_{C}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/c10cd51bdd76d1120203fab655af1999f43792bd)обратноепрямоеинверсный

активный режим
Напряжения

на эмиттере,

базе,

коллекторе

(UE,UB,UC{\\displaystyle U\_{E},U\_{B},U\_{C}}![{\displaystyle U_{E},U_{B},U_{C}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/19b78cf8dd149cfe9af3397e37a439f2916a7a2d))Смещение

перехода

база-эмиттер

для типа p-n-pСмещение

перехода

база-коллектор

для типа p-n-pРежим

для типа p-n-p
UE<UB<UC{\\displaystyle U\_{E}<U\_{B}<U\_{C}}![{\displaystyle U_{E}<U_{B}<U_{C}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/b3d1ddaa1f20a1323f242c839a3d8da13f5515fd)обратноепрямоеинверсный

активный режим
UE<UB>UC{\\displaystyle U\_{E}<U\_{B}>U\_{C}}![{\displaystyle U_{E}<U_{B}>U_{C}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/3c06313235cba358d0f43f161844c50f1bec9da5)обратноеобратноережим отсечки
UE>UB<UC{\\displaystyle U\_{E}>U\_{B}<U\_{C}}![{\displaystyle U_{E}>U_{B}<U_{C}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/021930093d2abd030b67722f7b47eb49c9af62e7)прямоепрямоережим насыщения
UE>UB>UC{\\displaystyle U\_{E}>U\_{B}>U\_{C}}![{\displaystyle U_{E}>U_{B}>U_{C}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/c10cd51bdd76d1120203fab655af1999f43792bd)прямоеобратноенормальный

активный режим

### Нормальный активный режим

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=4 "Редактировать раздел «Нормальный активный режим»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=4 "Редактировать код раздела «Нормальный активный режим»")\]

Переход эмиттер-база включён в прямом направлении[\[3\]](#cite_note-comm_1-3) (открыт), а переход коллектор-база — в обратном (закрыт):

_UЭБ<_ 0; _UКБ>_ 0 (для транзистора _n-p-n_ типа), для транзистора _p-n-p_ типа условие будет иметь вид _UЭБ_ >0; _UКБ<_ 0.

### Инверсный активный режим

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=5 "Редактировать раздел «Инверсный активный режим»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=5 "Редактировать код раздела «Инверсный активный режим»")\]

Эмиттерный переход имеет обратное смещение, а коллекторный переход — прямое: _UКБ<_ 0; _UЭБ>_ 0 (для транзистора _n-p-n_ типа).

### Режим насыщения

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=6 "Редактировать раздел «Режим насыщения»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=6 "Редактировать код раздела «Режим насыщения»")\]

Оба _p-n_ перехода смещены в прямом направлении (оба открыты).
Если эмиттерный и коллекторный _р-n_-переходы подключить к внешним источникам в прямом направлении, транзистор будет находиться в режиме насыщения. Диффузионное электрическое поле эмиттерного и коллекторного переходов будет частично ослабляться электрическим полем, создаваемым внешними источниками _Uэб_ и _Uкб_. В результате уменьшится потенциальный барьер, ограничивавший диффузию основных носителей заряда, и начнётся проникновение (инжекция) дырок из эмиттера и коллектора в базу, то есть через эмиттер и коллектор транзистора потекут токи, называемые токами насыщения эмиттера ( _I_ Э. нас) и коллектора ( _I_ К. нас).

**Напряжение насыщения коллектор-эмиттер** (UКЭ. нас) — это падение напряжения на открытом транзисторе (смысловой аналог **RСИ. отк** у полевых транзисторов). Аналогично **напряжение насыщения база-эмиттер** (UБЭ. нас) — это падение напряжения между базой и эмиттером на открытом транзисторе.

### Режим отсечки

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=7 "Редактировать раздел «Режим отсечки»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=7 "Редактировать код раздела «Режим отсечки»")\]

В данном режиме коллекторный _p-n_ переход смещён в обратном направлении, а на эмиттерный переход может быть подано как обратное, так и прямое смещение, не превышающее порогового значения, при котором начинается эмиссия неосновных носителей заряда в область базы из эмиттера (для кремниевых транзисторов приблизительно 0,6—0,7 В).

Режим отсечки соответствует условию _U_ ЭБ<0,6—0,7 В, или _I_ Б=0[\[6\]](#cite_note-6)[\[7\]](#cite_note-7).

### Барьерный режим

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=8 "Редактировать раздел «Барьерный режим»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=8 "Редактировать код раздела «Барьерный режим»")\]

В данном режиме **база** транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его **коллектором**, а в **коллекторную** или в **эмиттерную** цепь транзистора включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор представляет собой своеобразный диод, включённый последовательно с токозадающим резистором.
Подобные схемы каскадов отличаются малым количеством комплектующих, хорошей развязкой по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, нечувствительностью к параметрам транзисторов.

## Схемы включения

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=9 "Редактировать раздел «Схемы включения»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=9 "Редактировать код раздела «Схемы включения»")\]

Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями:

- Коэффициент усиления по току _I_ вых/ _I_ вх.
- Входное сопротивление _R_ вх = _U_ вх/ _I_ вх.

### Схема включения с общей базой

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=10 "Редактировать раздел «Схема включения с общей базой»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=10 "Редактировать код раздела «Схема включения с общей базой»")\]

[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/5/5d/%D0%9E%D0%91.png/200px-%D0%9E%D0%91.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:%D0%9E%D0%91.png) Схема включения с общей базой.

Основная статья: **[Усилительный каскад с общей базой](/wiki/%D0%A3%D1%81%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%BA%D0%B0%D1%81%D0%BA%D0%B0%D0%B4_%D1%81_%D0%BE%D0%B1%D1%89%D0%B5%D0%B9_%D0%B1%D0%B0%D0%B7%D0%BE%D0%B9 "Усилительный каскад с общей базой")**

- Среди всех трёх конфигураций обладает наименьшим входным и наибольшим выходным сопротивлением. Имеет коэффициент усиления по току, близкий к единице, и большой коэффициент усиления по напряжению. Не инвертирует фазу сигнала.
- Коэффициент усиления по току: _I_ вых/ _I_ вх = _I_ к/ _I_ э = α \[α<1\].
- Входное сопротивление _R_ вх = _U_ вх/ _I_ вх = _U_ эб/ _I_ э.

Входное сопротивление (входной [импеданс](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D0%B8%D0%BC%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B0%D0%BD%D1%81 "Электрический импеданс")) усилительного каскада с общей базой мало зависит от тока эмиттера, при увеличении тока — снижается и не превышает единиц — сотен Ом для маломощных каскадов, так как входная цепь каскада при этом представляет собой открытый эмиттерный переход транзистора.

Достоинства

- Хорошие температурные и широкий частотный диапазон, так как в этой схеме подавлен [эффект Миллера](/wiki/%D0%AD%D1%84%D1%84%D0%B5%D0%BA%D1%82_%D0%9C%D0%B8%D0%BB%D0%BB%D0%B5%D1%80%D0%B0 "Эффект Миллера").
- Высокое допустимое коллекторное напряжение.

Недостатки

- Малое усиление по току, равное α, так как α всегда немного менее 1
- Малое входное сопротивление

### Схема включения с общим эмиттером

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=11 "Редактировать раздел «Схема включения с общим эмиттером»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=11 "Редактировать код раздела «Схема включения с общим эмиттером»")\]

[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/4/41/%D0%9E%D0%AD.png/200px-%D0%9E%D0%AD.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:%D0%9E%D0%AD.png) Схема включения с общим эмиттером.

_I_ вых = _I_ к

_I_ вх = _I_ б

_U_ вх = _U_ бэ

_U_ вых = _U_ кэ.

Основная статья: **[Каскад с общим эмиттером](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%81%D0%BA%D0%B0%D0%B4_%D1%81_%D0%BE%D0%B1%D1%89%D0%B8%D0%BC_%D1%8D%D0%BC%D0%B8%D1%82%D1%82%D0%B5%D1%80%D0%BE%D0%BC "Каскад с общим эмиттером")**

- Коэффициент усиления по току: _I_ вых/ _I_ вх = _I_ к/ _I_ б = _I_ к/( _I_ э-Iк) = α/(1-α) = β \[β>>1\].
- Входное сопротивление: _R_ вх = _U_ вх/ _I_ вх = _U_ бэ/ _I_ б.

Достоинства

- Большой коэффициент усиления по току.
- Большой коэффициент усиления по напряжению.
- Наибольшее усиление мощности.
- Можно обойтись одним источником питания.
- Выходное переменное напряжение инвертируется относительно входного.

Недостатки

- Имеет меньшую температурную стабильность. Частотные свойства такого включения по сравнению со схемой с общей базой существенно хуже, что обусловлено [эффектом Миллера](/wiki/%D0%AD%D1%84%D1%84%D0%B5%D0%BA%D1%82_%D0%9C%D0%B8%D0%BB%D0%BB%D0%B5%D1%80%D0%B0 "Эффект Миллера").

### Схема с общим коллектором

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=12 "Редактировать раздел «Схема с общим коллектором»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=12 "Редактировать код раздела «Схема с общим коллектором»")\]

[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/e/e8/%D0%9E%D0%9A.png/200px-%D0%9E%D0%9A.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:%D0%9E%D0%9A.png) Схема включения с общим коллектором.

_I_ вых = _I_ э

_I_ вх = _I_ б

_U_ вх = _U_ бк

_U_ вых = _U_ кэ.

Основная статья: **[Эмиттерный повторитель](/wiki/%D0%AD%D0%BC%D0%B8%D1%82%D1%82%D0%B5%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%BF%D0%BE%D0%B2%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C "Эмиттерный повторитель")**

- Коэффициент усиления по току: _I_ вых/ _I_ вх = _I_ э/ _I_ б = _I_ э/( _I_ э-Iк) = 1/(1-α) = β+1 \[β>>1\].
- Входное сопротивление: _R_ вх = _U_ вх/ _I_ вх = ( _U_ бэ \+ _U_ кэ)/ _I_ б.

Достоинства

- Большое входное сопротивление.
- Малое выходное сопротивление.

Недостатки

- Коэффициент усиления по напряжению немного меньше 1.

Схему с таким включением часто называют « _эмиттерным повторителем_».

## Основные параметры

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=13 "Редактировать раздел «Основные параметры»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=13 "Редактировать код раздела «Основные параметры»")\]

- Коэффициент передачи по току.
- Входное сопротивление.
- Выходная проводимость.
- Обратный ток коллектор-эмиттер.
- Время включения.
- Предельная частота коэффициента передачи тока базы.
- Обратный ток коллектора.
- Максимально допустимый ток.
- [Граничная частота коэффициента передачи тока](/wiki/%D0%93%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%87%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%87%D0%B0%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%82%D0%B0_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B0 "Граничная частота транзистора") в схеме с общим эмиттером.

Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные параметры характеризуют свойства транзистора, независимо от схемы его включения. В качестве основных собственных параметров принимают:

- коэффициент усиления по току α;
- сопротивления эмиттера, коллектора и базы переменному току _r_ э, _r_ к, _r_ б, которые представляют собой:

  - _r_ э — сумму сопротивлений эмиттерной области и эмиттерного перехода;
  - _r_ к — сумму сопротивлений коллекторной области и коллекторного перехода;
  - _r_ б — поперечное сопротивление базы.

[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/5/51/BJT_h-parameters.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:BJT_h-parameters.png) Эквивалентная схема биполярного транзистора с использованием _h_-параметров.

Вторичные параметры различны для различных схем включения транзистора и, вследствие его нелинейности, справедливы только для низких частот и малых амплитуд сигналов. Для вторичных параметров предложено несколько систем параметров и соответствующих им эквивалентных схем. Основными считаются смешанные (гибридные) параметры, обозначаемые буквой « _h_».

**Входное сопротивление** — сопротивление транзистора входному переменному току при коротком замыкании на выходе. Изменение входного тока является результатом изменения входного напряжения, без влияния обратной связи от выходного напряжения.

_h_ 11 = _U_ m1/ _I_ m1, при _U_ m2 = 0.

**Коэффициент обратной связи по напряжению** показывает, какая доля выходного переменного напряжения передаётся на вход транзистора вследствие обратной связи в нём. Во входной цепи транзистора нет переменного тока, и изменение напряжения на входе происходит только в результате изменения выходного напряжения.

_h_ 12 = _U_ m1/ _U_ m2, при _I_ m1 = 0.

**Коэффициент передачи тока** (коэффициент усиления по току) показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения.

_h_ 21 = _I_ m2/ _I_ m1, при _U_ m2 = 0.

**Выходная проводимость** — внутренняя проводимость для переменного тока между выходными зажимами. Выходной ток изменяется под влиянием выходного напряжения.

_h_ 22 = _I_ m2/ _U_ m2, при _I_ m1 = 0.

Зависимость между переменными токами и напряжениями транзистора выражается уравнениями:

_U_ m1 = _h_ 11 _I_ m1 \+ _h_ 12 _U_ m2;_I_ m2 = _h_ 21 _I_ m1 \+ _h_ 22Um2.

В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК.

Для схемы ОЭ: _I_ m1 = _I_ mб, _I_ m2 = _I_ mк, _U_ m1 = _U_ mб-э, _U_ m2 = _U_ mк-э. Например, для данной схемы:

_h_ 21э = _I_ mк/ _I_ mб = β.

Для схемы ОБ: _I_ m1 = _I_ mэ, _I_ m2 = _I_ mк, _U_ m1 = _U_ mэ-б, _U_ m2 = _U_ mк-б.

Собственные параметры транзистора связаны с _h_-параметрами, например для схемы ОЭ:

h11∍=rδ+r∍1−α{\\displaystyle h\_{11\\backepsilon }=r\_{\\delta }+{\\frac {r\_{\\backepsilon }}{1-\\alpha }}}![{\displaystyle h_{11\backepsilon }=r_{\delta }+{\frac {r_{\backepsilon }}{1-\alpha }}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/f7ffcfff7eb68ba45e5ce5926649dbfbe2f23da5);

h12∍≈r∍rκ(1−α){\\displaystyle h\_{12\\backepsilon }\\approx {\\frac {r\_{\\backepsilon }}{r\_{\\kappa }(1-\\alpha )}}}![{\displaystyle h_{12\backepsilon }\approx {\frac {r_{\backepsilon }}{r_{\kappa }(1-\alpha )}}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/1c31a7c68c8bdbf35a3e6c379799a1f300eb06df);

h21∍=β=α1−α{\\displaystyle h\_{21\\backepsilon }=\\beta ={\\frac {\\alpha }{1-\\alpha }}}![{\displaystyle h_{21\backepsilon }=\beta ={\frac {\alpha }{1-\alpha }}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/68985928df20ce9d993eb81eb9e879e59d927751);

h22∍≈1rκ(1−α){\\displaystyle h\_{22\\backepsilon }\\approx {\\frac {1}{r\_{\\kappa }(1-\\alpha )}}}![{\displaystyle h_{22\backepsilon }\approx {\frac {1}{r_{\kappa }(1-\alpha )}}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/0310f3bece10eccc49d7dbdfa0c2b09796f0e3de).

С повышением частоты заметное влияние на работу транзистора начинает оказывать ёмкость коллекторного перехода _C_ к. Его [реактивное сопротивление](/wiki/%D0%A0%D0%B5%D0%B0%D0%BA%D1%82%D0%B8%D0%B2%D0%BD%D0%BE%D0%B5_%D1%81%D0%BE%D0%BF%D1%80%D0%BE%D1%82%D0%B8%D0%B2%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Реактивное сопротивление") уменьшается, шунтируя нагрузку и, следовательно, уменьшая коэффициенты усиления α и β. Сопротивление эмиттерного перехода _C_ э также снижается, однако он шунтируется малым сопротивлением перехода _r_ э и в большинстве случаев может не учитываться. Кроме того, при повышении частоты происходит дополнительное снижение коэффициента β в результате отставания фазы тока коллектора от фазы тока эмиттера, которое вызвано инерционностью процесса перемещения носителей через базу от эммитерного перехода к коллекторному и инерционностью процессов накопления и рассасывания заряда в базе.
Частоты, на которых происходит снижение коэффициентов α и β на 3 дБ, называются **граничными частотами коэффициента передачи тока** для схем ОБ и ОЭ соответственно.

В импульсном режиме ток коллектора изменяется с запаздыванием на время задержки τз относительно импульса входного тока, что вызвано конечным временем пробега носителей через базу. По мере накопления носителей в базе ток коллектора нарастает в течение длительности фронта τф. **Временем включения** транзистора называется τвкл = τз \+ τф.

## Токи в транзисторе

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=14 "Редактировать раздел «Токи в транзисторе»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=14 "Редактировать код раздела «Токи в транзисторе»")\]

[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/7/7b/%D0%A2%D0%BE%D0%BA%D0%B8_%D0%B2_%D0%B1%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D0%BE%D0%BC_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B5.jpg/220px-%D0%A2%D0%BE%D0%BA%D0%B8_%D0%B2_%D0%B1%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D0%BE%D0%BC_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B5.jpg)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:%D0%A2%D0%BE%D0%BA%D0%B8_%D0%B2_%D0%B1%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D0%BE%D0%BC_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B5.jpg) Токи в биполярном транзисторе

Токи в биполярном транзисторе имеют две основных составляющих.

- Ток основных носителей эмиттера _I_ Э, который частично проходит в коллектор, образуя ток основных носителей коллектора _I_ к осн, частично рекомбинирует с основными носителями базы, образуя рекомбинантный ток базы _I_ бр.
- Ток неосновных носителей коллектора, который течёт через обратно смещённый коллекторный переход, образуя обратный ток коллектора _I_ кбо.

## Биполярный СВЧ-транзистор

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=15 "Редактировать раздел «Биполярный СВЧ-транзистор»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=15 "Редактировать код раздела «Биполярный СВЧ-транзистор»")\]

Биполярные СВЧ-транзисторы (БТ СВЧ) служат для усиления колебаний с частотой свыше 0,3 ГГЦ[\[8\]](#cite_note-_573e490d850f4ab0-8). Верхняя граница частот БТ СВЧ с выходной мощностью более 1 Вт составляет около 10 ГГц. Большинство мощных БТ СВЧ по структуре относится к n-p-n типу[\[9\]](#cite_note-_573e490d850f4ab1-9). По методу формирования переходов БТ СВЧ являются [эпитаксиально-планарными](/wiki/%D0%AD%D0%BF%D0%B8%D1%82%D0%B0%D0%BA%D1%81%D0%B8%D1%8F "Эпитаксия"). Все БТ СВЧ, кроме самых маломощных, имеют многоэмиттерную структуру (гребёнчатую, сетчатую)[\[10\]](#cite_note-_573e490d850f4ab2-10). По мощности БТ СВЧ разделяются на маломощные (рассеиваемая мощность до 0,3 Вт), средней мощности (от 0,3 до 1,5 Вт) и мощные (свыше 1,5 Вт)[\[11\]](#cite_note-_573e4a0d850f4c05-11). Выпускается большое число узкоспециализированных типов БТ СВЧ[\[11\]](#cite_note-_573e4a0d850f4c05-11).

## Технологии изготовления транзисторов

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=16 "Редактировать раздел «Технологии изготовления транзисторов»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=16 "Редактировать код раздела «Технологии изготовления транзисторов»")\]

- [Эпитаксиально](/wiki/%D0%AD%D0%BF%D0%B8%D1%82%D0%B0%D0%BA%D1%81%D0%B8%D1%8F "Эпитаксия")- [планарная](/wiki/%D0%9F%D0%BB%D0%B0%D0%BD%D0%B0%D1%80%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%82%D0%B5%D1%85%D0%BD%D0%BE%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%B8%D1%8F "Планарная технология")
- Диффузионно-сплавная.

## Применение транзисторов

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=17 "Редактировать раздел «Применение транзисторов»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=17 "Редактировать код раздела «Применение транзисторов»")\]

- [Усилители](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%83%D1%81%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C "Электронный усилитель"), [каскады усиления](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%83%D1%81%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C#Каскады_усиления "Электронный усилитель")
- [Генератор сигналов](/wiki/%D0%93%D0%B5%D0%BD%D0%B5%D1%80%D0%B0%D1%82%D0%BE%D1%80_%D1%81%D0%B8%D0%B3%D0%BD%D0%B0%D0%BB%D0%BE%D0%B2 "Генератор сигналов")
- [Модулятор](/wiki/%D0%9C%D0%BE%D0%B4%D1%83%D0%BB%D1%8F%D1%82%D0%BE%D1%80 "Модулятор")
- [Демодулятор](/wiki/%D0%94%D0%B5%D0%BC%D0%BE%D0%B4%D1%83%D0%BB%D1%8F%D1%82%D0%BE%D1%80 "Демодулятор") (Детектор)
- [Инвертор](/wiki/%D0%98%D0%BD%D0%B2%D0%B5%D1%80%D1%82%D0%BE%D1%80_(%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BC%D0%B5%D0%BD%D1%82) "Инвертор (логический элемент)") (лог. элемент)
- [Микросхемы](/wiki/%D0%9C%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%BE%D1%81%D1%85%D0%B5%D0%BC%D0%B0 "Микросхема") на транзисторной логике (см. [транзисторно-транзисторная логика](/wiki/%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%BD%D0%BE-%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%B8%D0%BA%D0%B0 "Транзисторно-транзисторная логика"), [диодно-транзисторная логика](/wiki/%D0%94%D0%B8%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%BE-%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%B8%D0%BA%D0%B0 "Диодно-транзисторная логика"), [резисторно-транзисторная логика](/wiki/%D0%A0%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%BD%D0%BE-%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%B8%D0%BA%D0%B0 "Резисторно-транзисторная логика"))

## См. также

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=18 "Редактировать раздел «См. также»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=18 "Редактировать код раздела «См. также»")\]

- [Изобретение транзистора](/wiki/%D0%98%D0%B7%D0%BE%D0%B1%D1%80%D0%B5%D1%82%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B0 "Изобретение транзистора")
- [Униполярный транзистор](/wiki/%D0%A3%D0%BD%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Униполярный транзистор")

## Примечания

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=19 "Редактировать раздел «Примечания»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=19 "Редактировать код раздела «Примечания»")\]

01. [↑](#cite_ref-ГОСТ_2.730_1-0)[ГОСТ 2.730-73 Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые.](http://protect.gost.ru/document.aspx?control=7&id=133368)(неопр.) Дата обращения: 4 ноября 2020. [Архивировано](https://web.archive.org/web/20180822114608/http://protect.gost.ru/document.aspx?control=7&id=133368) 22 августа 2018 года.
02. [↑](#cite_ref-2)Невыпрямляющий, или [омический контакт](/wiki/%D0%9E%D0%BC%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D1%82%D0%B0%D0%BA%D1%82 "Омический контакт") — контакт двух разнородных материалов, [вольт-амперная характеристика](/wiki/%D0%92%D0%BE%D0%BB%D1%8C%D1%82-%D0%B0%D0%BC%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%85%D0%B0%D1%80%D0%B0%D0%BA%D1%82%D0%B5%D1%80%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%B8%D0%BA%D0%B0 "Вольт-амперная характеристика") которого симметрична при смене полярности и практически линейна.
03. ↑ [_**1**_](#cite_ref-comm_1_3-0) [_**2**_](#cite_ref-comm_1_3-1)Прямое смещение p-n-перехода означает, что область p-типа имеет _положительный_ потенциал относительно области n-типа.
04. [↑](#cite_ref-4)Для случая **p-n-p** все рассуждения аналогичны с заменой слова «электроны» на «дырки» и наоборот, а также с заменой всех напряжений на противоположное по знаку.
05. [↑](#cite_ref-5)_Лаврентьев Б. Ф._ [Схемотехника электронных средств](https://archive.org/details/isbn_9785769558986). — М.: Издательский центр «Академия», 2010. — С. [53](https://archive.org/details/isbn_9785769558986/page/n51)—68. — 336 с. — [ISBN 978-5-7695-5898-6](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%98%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%87%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B8_%D0%BA%D0%BD%D0%B8%D0%B3/9785769558986).
06. [↑](#cite_ref-6)[Лекция № 7 — Биполярный транзистор как активный четырёхполюсник, h-параметры](http://1-el.umi.ru/lekcii/lekciya_7_-bipolyarnyj_tranzistor_kak_aktivnyj_chetyrehpolyusnik_h-parametry/)(неопр.). Дата обращения: 25 марта 2016. [Архивировано](https://web.archive.org/web/20160407014239/http://1-el.umi.ru/lekcii/lekciya_7_-bipolyarnyj_tranzistor_kak_aktivnyj_chetyrehpolyusnik_h-parametry/) 7 апреля 2016 года.
07. [↑](#cite_ref-7)Физические основы электроники: метод. указания к лабораторным работам / сост. В. К. Усольцев. — Владивосток: Изд-во ДВГТУ, 2007. — 50 с.:ил.
08. [↑](#cite_ref-_573e490d850f4ab0_8-0)[Кулешов, 2008](#CITEREFКулешов2008), с. 284.
09. [↑](#cite_ref-_573e490d850f4ab1_9-0)[Кулешов, 2008](#CITEREFКулешов2008), с. 285.
10. [↑](#cite_ref-_573e490d850f4ab2_10-0)[Кулешов, 2008](#CITEREFКулешов2008), с. 286.
11. ↑ [_**1**_](#cite_ref-_573e4a0d850f4c05_11-0) [_**2**_](#cite_ref-_573e4a0d850f4c05_11-1)[Кулешов, 2008](#CITEREFКулешов2008), с. 292.

## Ссылки

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=20 "Редактировать раздел «Ссылки»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=20 "Редактировать код раздела «Ссылки»")\]

- [Онлайн-справочник параметров биполярных транзисторов](http://www.paratran.com) [Архивная копия](https://web.archive.org/web/20220315060211/http://www.paratran.com/) от 15 марта 2022 на [Wayback Machine](/wiki/Wayback_Machine "Wayback Machine")
- [Принцип работы биполярных транзисторов](https://web.archive.org/web/20031107171920/http://www.pilab.ru/csi/AUK/Microelectr/page41.html)

## Литература

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=21 "Редактировать раздел «Литература»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=21 "Редактировать код раздела «Литература»")\]

- _Спиридонов Н.С._ Основы теории транзисторов. — К.: Техника, 1969. — 300 с.
- _Кулешов В.Н., Удалов Н.Н., Богачев В.М. и др._ Генерирование колебаний и формирование радиосигналов. — М.: МЭИ, 2008. — 416 с. — [ISBN 978-5-383-00224-7](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%98%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%87%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B8_%D0%BA%D0%BD%D0%B8%D0%B3/9785383002247).

[![Перейти к шаблону «Электронные компоненты»](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/c/c9/Wikipedia_interwiki_section_gear_icon.svg/14px-Wikipedia_interwiki_section_gear_icon.svg.png)](/wiki/%D0%A8%D0%B0%D0%B1%D0%BB%D0%BE%D0%BD:%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D0%BA%D0%BE%D0%BC%D0%BF%D0%BE%D0%BD%D0%B5%D0%BD%D1%82%D1%8B "Перейти к шаблону «Электронные компоненты»")

[Электронные компоненты](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D0%BA%D0%BE%D0%BC%D0%BF%D0%BE%D0%BD%D0%B5%D0%BD%D1%82%D1%8B "Электронные компоненты")

Пассивные

[Резистор](/wiki/%D0%A0%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Резистор")[Переменный резистор](/wiki/%D0%A0%D0%B5%D0%BE%D1%81%D1%82%D0%B0%D1%82 "Реостат")[Подстроечный резистор](/wiki/%D0%9F%D0%BE%D0%B4%D1%81%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%B5%D1%87%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%80%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Подстроечный резистор")[Варистор](/wiki/%D0%92%D0%B0%D1%80%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Варистор")[Фоторезистор](/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Фоторезистор")[Конденсатор](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D1%81%D0%B0%D1%82%D0%BE%D1%80 "Электрический конденсатор")[Переменный конденсатор](/wiki/%D0%9F%D0%B5%D1%80%D0%B5%D0%BC%D0%B5%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D1%81%D0%B0%D1%82%D0%BE%D1%80 "Переменный конденсатор")[Подстроечный конденсатор](/wiki/%D0%9F%D0%BE%D0%B4%D1%81%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%B5%D1%87%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D1%81%D0%B0%D1%82%D0%BE%D1%80 "Подстроечный конденсатор")[Вариконд](/wiki/%D0%92%D0%B0%D1%80%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D0%B4 "Вариконд")[Катушка индуктивности](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%82%D1%83%D1%88%D0%BA%D0%B0_%D0%B8%D0%BD%D0%B4%D1%83%D0%BA%D1%82%D0%B8%D0%B2%D0%BD%D0%BE%D1%81%D1%82%D0%B8 "Катушка индуктивности")[Трансформатор](/wiki/%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%BD%D1%81%D1%84%D0%BE%D1%80%D0%BC%D0%B0%D1%82%D0%BE%D1%80 "Трансформатор")

- [Кварцевый резонатор](/wiki/%D0%9A%D0%B2%D0%B0%D1%80%D1%86%D0%B5%D0%B2%D1%8B%D0%B9_%D1%80%D0%B5%D0%B7%D0%BE%D0%BD%D0%B0%D1%82%D0%BE%D1%80 "Кварцевый резонатор")
- [Предохранитель](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D0%BF%D1%80%D0%B5%D0%B4%D0%BE%D1%85%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C "Электрический предохранитель")
- [Самовосстанавливающийся предохранитель](/wiki/%D0%A1%D0%B0%D0%BC%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D1%81%D1%81%D1%82%D0%B0%D0%BD%D0%B0%D0%B2%D0%BB%D0%B8%D0%B2%D0%B0%D1%8E%D1%89%D0%B8%D0%B9%D1%81%D1%8F_%D0%BF%D1%80%D0%B5%D0%B4%D0%BE%D1%85%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C "Самовосстанавливающийся предохранитель")
- [Мемристор](/wiki/%D0%9C%D0%B5%D0%BC%D1%80%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Мемристор")
- [Бареттер](/wiki/%D0%91%D0%B0%D1%80%D0%B5%D1%82%D1%82%D0%B5%D1%80 "Бареттер")

Активные

твердотельные

[Диод](/wiki/%D0%94%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Диод")[Светодиод](/wiki/%D0%A1%D0%B2%D0%B5%D1%82%D0%BE%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Светодиод")[Фотодиод](/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Фотодиод")[Лазерный диод](/wiki/%D0%9B%D0%B0%D0%B7%D0%B5%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Лазерный диод")[Диод Шоттки](/wiki/%D0%94%D0%B8%D0%BE%D0%B4_%D0%A8%D0%BE%D1%82%D1%82%D0%BA%D0%B8 "Диод Шоттки")[Стабилитрон](/wiki/%D0%A1%D1%82%D0%B0%D0%B1%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Стабилитрон")[Стабистор](/wiki/%D0%A1%D1%82%D0%B0%D0%B1%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Стабистор")[Варикап](/wiki/%D0%92%D0%B0%D1%80%D0%B8%D0%BA%D0%B0%D0%BF "Варикап")[Магнитодиод](/wiki/%D0%9C%D0%B0%D0%B3%D0%BD%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Магнитодиод")[Диодный мост](/wiki/%D0%94%D0%B8%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%BC%D0%BE%D1%81%D1%82 "Диодный мост")[Диод Ганна](/wiki/%D0%94%D0%B8%D0%BE%D0%B4_%D0%93%D0%B0%D0%BD%D0%BD%D0%B0 "Диод Ганна")[Туннельный диод](/wiki/%D0%A2%D1%83%D0%BD%D0%BD%D0%B5%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Туннельный диод")[Лавинный диод](/wiki/%D0%9B%D0%B0%D0%B2%D0%B8%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Лавинный диод")[Лавинно-пролётный диод](/wiki/%D0%9B%D0%B0%D0%B2%D0%B8%D0%BD%D0%BD%D0%BE-%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%BB%D1%91%D1%82%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Лавинно-пролётный диод")[Транзистор](/wiki/%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Транзистор")Биполярный транзистор[Полевой транзистор](/wiki/%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Полевой транзистор")[КМОП-транзистор](/wiki/%D0%9A%D0%9C%D0%9E%D0%9F "КМОП")[Однопереходный транзистор](/wiki/%D0%9E%D0%B4%D0%BD%D0%BE%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Однопереходный транзистор")[Фототранзистор](/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Фототранзистор")[Составной транзистор](/wiki/%D0%A1%D0%BE%D1%81%D1%82%D0%B0%D0%B2%D0%BD%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Составной транзистор")[Баллистический транзистор](/wiki/%D0%91%D0%B0%D0%BB%D0%BB%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Баллистический транзистор")[Интегральная схема](/wiki/%D0%98%D0%BD%D1%82%D0%B5%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%81%D1%85%D0%B5%D0%BC%D0%B0 "Интегральная схема")[Цифровая интегральная схема](/wiki/%D0%A6%D0%B8%D1%84%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B0%D1%8F_%D0%B8%D0%BD%D1%82%D0%B5%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%81%D1%85%D0%B5%D0%BC%D0%B0 "Цифровая интегральная схема")[Аналоговая интегральная схема](/wiki/%D0%90%D0%BD%D0%B0%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%BE%D0%B2%D0%B0%D1%8F_%D0%B8%D0%BD%D1%82%D0%B5%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%81%D1%85%D0%B5%D0%BC%D0%B0 "Аналоговая интегральная схема")[Аналого-цифровая интегральная схема](/wiki/%D0%90%D0%BD%D0%B0%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%BE-%D1%86%D0%B8%D1%84%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B0%D1%8F_%D0%B8%D0%BD%D1%82%D0%B5%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%81%D1%85%D0%B5%D0%BC%D0%B0 "Аналого-цифровая интегральная схема")[Гибридная интегральная схема](/wiki/%D0%93%D0%B8%D0%B1%D1%80%D0%B8%D0%B4%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BC%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%BE%D1%81%D1%85%D0%B5%D0%BC%D0%B0 "Гибридная микросхема")[Тиристор](/wiki/%D0%A2%D0%B8%D1%80%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Тиристор")[Симистор](/wiki/%D0%A1%D0%B8%D0%BC%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Симистор")[Динистор](/wiki/%D0%94%D0%B8%D0%BD%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Динистор")[Фототиристор](/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D1%82%D0%B8%D1%80%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Фототиристор")

- [Оптрон](/wiki/%D0%9E%D0%BF%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Оптрон") ( [Резисторная оптопара](/wiki/%D0%A0%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BE%D0%BF%D1%82%D0%BE%D0%BF%D0%B0%D1%80%D0%B0 "Резисторная оптопара"))
- [Датчик Холла](/wiki/%D0%94%D0%B0%D1%82%D1%87%D0%B8%D0%BA_%D0%A5%D0%BE%D0%BB%D0%BB%D0%B0 "Датчик Холла")

Активные вакуумные и

газоразрядные

**[Вакуумные лампы](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B0%D0%BC%D0%BF%D0%B0 "Электронная лампа")**[Электровакуумный диод](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B0%D0%BA%D1%83%D1%83%D0%BC%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Электровакуумный диод") ( [Кенотрон](/wiki/%D0%9A%D0%B5%D0%BD%D0%BE%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Кенотрон"))[Триод](/wiki/%D0%A2%D1%80%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Триод")[Тетрод](/wiki/%D0%A2%D0%B5%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%B4 "Тетрод")[Лучевой тетрод](/wiki/%D0%9B%D1%83%D1%87%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D0%B5%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%B4 "Лучевой тетрод")[Пентод](/wiki/%D0%9F%D0%B5%D0%BD%D1%82%D0%BE%D0%B4 "Пентод")[Гексод](/wiki/%D0%93%D0%B5%D0%BA%D1%81%D0%BE%D0%B4 "Гексод")[Гептод](/wiki/%D0%93%D0%B5%D0%BF%D1%82%D0%BE%D0%B4 "Гептод") ( [Пентагрид](/wiki/%D0%9F%D0%B5%D0%BD%D1%82%D0%B0%D0%B3%D1%80%D0%B8%D0%B4 "Пентагрид"))[Октод](/wiki/%D0%9E%D0%BA%D1%82%D0%BE%D0%B4 "Октод")[Нонод](/wiki/%D0%9D%D0%BE%D0%BD%D0%BE%D0%B4 "Нонод")[Механотрон](/wiki/%D0%9C%D0%B5%D1%85%D0%B0%D0%BD%D0%BE%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Механотрон")**[Газоразрядные лампы](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B0%D0%BC%D0%BF%D0%B0#Газоразрядные_лампы "Электронная лампа")**[Стабилитрон](/wiki/%D0%A1%D1%82%D0%B0%D0%B1%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD_%D1%82%D0%BB%D0%B5%D1%8E%D1%89%D0%B5%D0%B3%D0%BE_%D1%80%D0%B0%D0%B7%D1%80%D1%8F%D0%B4%D0%B0 "Стабилитрон тлеющего разряда")[Тиратрон](/wiki/%D0%A2%D0%B8%D1%80%D0%B0%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Тиратрон")[Игнитрон](/wiki/%D0%98%D0%B3%D0%BD%D0%B8%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Игнитрон")[Крайтрон](/wiki/%D0%9A%D1%80%D0%B0%D0%B9%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Крайтрон")[Тригатрон](/wiki/%D0%A2%D1%80%D0%B8%D0%B3%D0%B0%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Тригатрон")[Декатрон](/wiki/%D0%94%D0%B5%D0%BA%D0%B0%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Декатрон")

- [Магнетрон](/wiki/%D0%9C%D0%B0%D0%B3%D0%BD%D0%B5%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Магнетрон")
- [Клистрон](/wiki/%D0%9A%D0%BB%D0%B8%D1%81%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Клистрон")
- [Амплитрон](/wiki/%D0%90%D0%BC%D0%BF%D0%BB%D0%B8%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Амплитрон") ( [Платинотрон](/wiki/%D0%9F%D0%BB%D0%B0%D1%82%D0%B8%D0%BD%D0%BE%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Платинотрон"))
- [Лампа бегущей волны](/wiki/%D0%9B%D0%B0%D0%BC%D0%BF%D0%B0_%D0%B1%D0%B5%D0%B3%D1%83%D1%89%D0%B5%D0%B9_%D0%B2%D0%BE%D0%BB%D0%BD%D1%8B "Лампа бегущей волны")
- [Лампа обратной волны](/wiki/%D0%9B%D0%B0%D0%BC%D0%BF%D0%B0_%D0%BE%D0%B1%D1%80%D0%B0%D1%82%D0%BD%D0%BE%D0%B9_%D0%B2%D0%BE%D0%BB%D0%BD%D1%8B "Лампа обратной волны")
- [Электронно-лучевая трубка](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%BE-%D0%BB%D1%83%D1%87%D0%B5%D0%B2%D0%B0%D1%8F_%D1%82%D1%80%D1%83%D0%B1%D0%BA%D0%B0 "Электронно-лучевая трубка")

Устройства отображения

- [Электронно-лучевая трубка](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%BE-%D0%BB%D1%83%D1%87%D0%B5%D0%B2%D1%8B%D0%B5_%D0%BF%D1%80%D0%B8%D0%B1%D0%BE%D1%80%D1%8B "Электронно-лучевые приборы")
- [ЖК-дисплей](/wiki/%D0%96%D0%B8%D0%B4%D0%BA%D0%BE%D0%BA%D1%80%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%B0%D0%BB%D0%BB%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D0%B4%D0%B8%D1%81%D0%BF%D0%BB%D0%B5%D0%B9 "Жидкокристаллический дисплей")
- [Светодиод](/wiki/%D0%A1%D0%B2%D0%B5%D1%82%D0%BE%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Светодиод")
- [Газоразрядный индикатор](/wiki/%D0%93%D0%B0%D0%B7%D0%BE%D1%80%D0%B0%D0%B7%D1%80%D1%8F%D0%B4%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B8%D0%BD%D0%B4%D0%B8%D0%BA%D0%B0%D1%82%D0%BE%D1%80 "Газоразрядный индикатор")
- [Вакуумно-люминесцентный индикатор](/wiki/%D0%92%D0%B0%D0%BA%D1%83%D1%83%D0%BC%D0%BD%D0%BE-%D0%BB%D1%8E%D0%BC%D0%B8%D0%BD%D0%B5%D1%81%D1%86%D0%B5%D0%BD%D1%82%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B8%D0%BD%D0%B4%D0%B8%D0%BA%D0%B0%D1%82%D0%BE%D1%80 "Вакуумно-люминесцентный индикатор")
- [Блинкерное табло](/wiki/%D0%91%D0%BB%D0%B8%D0%BD%D0%BA%D0%B5%D1%80%D0%BD%D0%BE%D0%B5_%D1%82%D0%B0%D0%B1%D0%BB%D0%BE "Блинкерное табло")
- [Семисегментный индикатор](/wiki/%D0%A1%D0%B5%D0%BC%D0%B8%D1%81%D0%B5%D0%B3%D0%BC%D0%B5%D0%BD%D1%82%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B8%D0%BD%D0%B4%D0%B8%D0%BA%D0%B0%D1%82%D0%BE%D1%80 "Семисегментный индикатор")
- [Матричный индикатор](/wiki/%D0%9C%D0%B0%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%87%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B8%D0%BD%D0%B4%D0%B8%D0%BA%D0%B0%D1%82%D0%BE%D1%80 "Матричный индикатор")
- [Кинескоп](/wiki/%D0%9A%D0%B8%D0%BD%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%BE%D0%BF "Кинескоп")

Акустические

- [Микрофон](/wiki/%D0%9C%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%BE%D1%84%D0%BE%D0%BD "Микрофон")
- [Громкоговоритель](/wiki/%D0%93%D1%80%D0%BE%D0%BC%D0%BA%D0%BE%D0%B3%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C "Громкоговоритель")
- [Тензорезистор](/wiki/%D0%A2%D0%B5%D0%BD%D0%B7%D0%BE%D1%80%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Тензорезистор")
- [Пьезокерамический излучатель](/wiki/%D0%9F%D1%8C%D0%B5%D0%B7%D0%BE%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D0%B8%D0%B7%D0%BB%D1%83%D1%87%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C "Пьезоэлектрический излучатель")
- [Зуммер](/wiki/%D0%97%D1%83%D0%BC%D0%BC%D0%B5%D1%80 "Зуммер")
- [Телефонный капсюль](/wiki/%D0%A2%D0%B5%D0%BB%D0%B5%D1%84%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%BA%D0%B0%D0%BF%D1%81%D1%8E%D0%BB%D1%8C "Телефонный капсюль")

Термоэлектрические

- [Терморезистор](/wiki/%D0%A2%D0%B5%D1%80%D0%BC%D0%BE%D1%80%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Терморезистор")
- [Термопара](/wiki/%D0%A2%D0%B5%D1%80%D0%BC%D0%BE%D0%BF%D0%B0%D1%80%D0%B0 "Термопара")
- [Элемент Пельтье](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BC%D0%B5%D0%BD%D1%82_%D0%9F%D0%B5%D0%BB%D1%8C%D1%82%D1%8C%D0%B5 "Элемент Пельтье")

Источник — [https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Биполярный\_транзистор&oldid=133314647](https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Биполярный_транзистор&oldid=133314647)

[Категория](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%9A%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%B8%D0%B8 "Служебная:Категории"):

- [Транзисторы](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%8F:%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D1%8B "Категория:Транзисторы")

Скрытые категории:

- [Википедия:Cite web (не указан язык)](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%8F:%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:Cite_web_(%D0%BD%D0%B5_%D1%83%D0%BA%D0%B0%D0%B7%D0%B0%D0%BD_%D1%8F%D0%B7%D1%8B%D0%BA) "Категория:Википедия:Cite web (не указан язык)")
- [Страницы, использующие волшебные ссылки ISBN](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%86%D1%8B,_%D0%B8%D1%81%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8C%D0%B7%D1%83%D1%8E%D1%89%D0%B8%D0%B5_%D0%B2%D0%BE%D0%BB%D1%88%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D1%81%D1%81%D1%8B%D0%BB%D0%BA%D0%B8_ISBN "Категория:Страницы, использующие волшебные ссылки ISBN")

## Навигация

### Персональные инструменты

- Вы не представились системе
- [Обсуждение](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%9C%D0%BE%D1%91_%D0%BE%D0%B1%D1%81%D1%83%D0%B6%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Страница обсуждений для моего IP [n]")
- [Вклад](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%9C%D0%BE%D0%B9_%D0%B2%D0%BA%D0%BB%D0%B0%D0%B4 "Список правок, сделанных с этого IP-адреса [y]")
- [Создать учётную запись](/w/index.php?title=%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A1%D0%BE%D0%B7%D0%B4%D0%B0%D1%82%D1%8C_%D1%83%D1%87%D1%91%D1%82%D0%BD%D1%83%D1%8E_%D0%B7%D0%B0%D0%BF%D0%B8%D1%81%D1%8C&returnto=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9+%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Мы предлагаем вам создать учётную запись и войти в систему, хотя это и не обязательно.")
- [Войти](/w/index.php?title=%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%92%D1%85%D0%BE%D0%B4&returnto=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9+%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Здесь можно зарегистрироваться в системе, но это необязательно. [o]")

### Пространства имён

- [Статья](/wiki/%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Просмотреть контентную страницу [c]")
- [Обсуждение](/wiki/%D0%9E%D0%B1%D1%81%D1%83%D0%B6%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5:%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Обсуждение основной страницы [t]")

русский

### Просмотры

- [Читать](/wiki/%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80)
- [Править](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit "Редактировать данную страницу [v]")
- [Править код](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit "Править исходный текст этой страницы [e]")
- [История](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=history "Журнал изменений страницы [h]")

Ещё

### Поиск

[Перейти на заглавную страницу](/wiki/%D0%97%D0%B0%D0%B3%D0%BB%D0%B0%D0%B2%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%81%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%86%D0%B0 "Перейти на заглавную страницу")

### Навигация

- [Заглавная страница](/wiki/%D0%97%D0%B0%D0%B3%D0%BB%D0%B0%D0%B2%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%81%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%86%D0%B0 "Перейти на заглавную страницу [z]")
- [Содержание](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D0%BE%D0%B4%D0%B5%D1%80%D0%B6%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D0%B5)
- [Избранные статьи](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%98%D0%B7%D0%B1%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D1%81%D1%82%D0%B0%D1%82%D1%8C%D0%B8 "Статьи, считающиеся лучшими статьями проекта")
- [Случайная статья](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A1%D0%BB%D1%83%D1%87%D0%B0%D0%B9%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%81%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%86%D0%B0 "Посмотреть случайно выбранную страницу [x]")
- [Текущие события](/wiki/%D0%9F%D0%BE%D1%80%D1%82%D0%B0%D0%BB:%D0%A2%D0%B5%D0%BA%D1%83%D1%89%D0%B8%D0%B5_%D1%81%D0%BE%D0%B1%D1%8B%D1%82%D0%B8%D1%8F "Статьи о текущих событиях в мире")
- [Пожертвовать](//donate.wikimedia.org/wiki/Special:FundraiserRedirector?utm_source=donate&utm_medium=sidebar&utm_campaign=C13_ru.wikipedia.org&uselang=ru "Поддержите нас")

### Участие

- [Сообщить об ошибке](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D0%BE%D0%BE%D0%B1%D1%89%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F_%D0%BE%D0%B1_%D0%BE%D1%88%D0%B8%D0%B1%D0%BA%D0%B0%D1%85 "Сообщить об ошибке в этой статье")
- [Как править статьи](/wiki/%D0%A1%D0%BF%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%BA%D0%B0:%D0%92%D0%B2%D0%B5%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5)
- [Сообщество](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D0%BE%D0%BE%D0%B1%D1%89%D0%B5%D1%81%D1%82%D0%B2%D0%BE "О проекте, о том, чем здесь можно заниматься, а также — где что находится")
- [Форум](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A4%D0%BE%D1%80%D1%83%D0%BC "Форум участников Википедии")
- [Свежие правки](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A1%D0%B2%D0%B5%D0%B6%D0%B8%D0%B5_%D0%BF%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%BA%D0%B8 "Список последних изменений [r]")
- [Новые страницы](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%9D%D0%BE%D0%B2%D1%8B%D0%B5_%D1%81%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%86%D1%8B "Список недавно созданных страниц")
- [Справка](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D0%BF%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%BA%D0%B0 "Место расположения Справки")

### Инструменты

- [Ссылки сюда](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A1%D1%81%D1%8B%D0%BB%D0%BA%D0%B8_%D1%81%D1%8E%D0%B4%D0%B0/%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Список всех страниц, ссылающихся на данную [j]")
- [Связанные правки](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A1%D0%B2%D1%8F%D0%B7%D0%B0%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D0%BF%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%BA%D0%B8/%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Последние изменения в страницах, на которые ссылается эта страница [k]")
- [Служебные страницы](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A1%D0%BF%D0%B5%D1%86%D1%81%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%86%D1%8B "Список служебных страниц [q]")
- [Постоянная ссылка](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&oldid=133314647 "Постоянная ссылка на эту версию страницы")
- [Сведения о странице](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=info "Подробнее об этой странице")
- [Цитировать страницу](/w/index.php?title=%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A6%D0%B8%D1%82%D0%B0%D1%82%D0%B0&page=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&id=133314647&wpFormIdentifier=titleform "Информация о том, как цитировать эту страницу")
- [Получить короткий URL](/w/index.php?title=%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:UrlShortener&url=https%3A%2F%2Fru.wikipedia.org%2Fwiki%2F%25D0%2591%25D0%25B8%25D0%25BF%25D0%25BE%25D0%25BB%25D1%258F%25D1%2580%25D0%25BD%25D1%258B%25D0%25B9_%25D1%2582%25D1%2580%25D0%25B0%25D0%25BD%25D0%25B7%25D0%25B8%25D1%2581%25D1%2582%25D0%25BE%25D1%2580)
- [Скачать QR-код](/w/index.php?title=%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:QrCode&url=https%3A%2F%2Fru.wikipedia.org%2Fwiki%2F%25D0%2591%25D0%25B8%25D0%25BF%25D0%25BE%25D0%25BB%25D1%258F%25D1%2580%25D0%25BD%25D1%258B%25D0%25B9_%25D1%2582%25D1%2580%25D0%25B0%25D0%25BD%25D0%25B7%25D0%25B8%25D1%2581%25D1%2582%25D0%25BE%25D1%2580)
- [Элемент Викиданных](https://www.wikidata.org/wiki/Special:EntityPage/Q188946 "Ссылка на связанный элемент репозитория данных [g]")

### Печать/экспорт

- [Скачать как PDF](/w/index.php?title=%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:DownloadAsPdf&page=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=show-download-screen "Скачать эту страницу как файл PDF")
- [Версия для печати](/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&printable=yes "Версия этой страницы для печати [p]")

### В других проектах

- [Викисклад](https://commons.wikimedia.org/wiki/Category:Bipolar_junction_transistors)

### На других языках

- [العربية](https://ar.wikipedia.org/wiki/%D8%AA%D8%B1%D8%A7%D9%86%D8%B2%D8%B3%D8%AA%D9%88%D8%B1_%D8%AB%D9%86%D8%A7%D8%A6%D9%8A_%D8%A7%D9%84%D9%82%D8%B7%D8%A8 "ترانزستور ثنائي القطب — арабский")
- [Беларуская](https://be.wikipedia.org/wiki/%D0%91%D1%96%D0%BF%D0%B0%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D1%96%D1%81%D1%82%D0%B0%D1%80 "Біпалярны транзістар — белорусский")
- [Беларуская (тарашкевіца)](https://be-tarask.wikipedia.org/wiki/%D0%91%D1%96%D0%BF%D0%B0%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D1%8B%D1%81%D1%82%D0%B0%D1%80 "Біпалярны транзыстар — Belarusian (Taraškievica orthography)")
- [Български](https://bg.wikipedia.org/wiki/%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%B5%D0%BD_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Биполярен транзистор — болгарский")
- [Català](https://ca.wikipedia.org/wiki/Transistor_bipolar "Transistor bipolar — каталанский")
- [Čeština](https://cs.wikipedia.org/wiki/Bipol%C3%A1rn%C3%AD_tranzistor "Bipolární tranzistor — чешский")
- [Dansk](https://da.wikipedia.org/wiki/Bipolar_transistor "Bipolar transistor — датский")
- [Deutsch](https://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor "Bipolartransistor — немецкий")
- [Ελληνικά](https://el.wikipedia.org/wiki/%CE%94%CE%B9%CF%80%CE%BF%CE%BB%CE%B9%CE%BA%CF%8C_%CF%84%CF%81%CE%B1%CE%BD%CE%B6%CE%AF%CF%83%CF%84%CE%BF%CF%81 "Διπολικό τρανζίστορ — греческий")
- [English](https://en.wikipedia.org/wiki/Bipolar_junction_transistor "Bipolar junction transistor — английский")
- [Español](https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar "Transistor de unión bipolar — испанский")
- [Eesti](https://et.wikipedia.org/wiki/Bipolaartransistor "Bipolaartransistor — эстонский")
- [Euskara](https://eu.wikipedia.org/wiki/Transistore_bipolar "Transistore bipolar — баскский")
- [فارسی](https://fa.wikipedia.org/wiki/%D8%AA%D8%B1%D8%A7%D9%86%D8%B2%DB%8C%D8%B3%D8%AA%D9%88%D8%B1_%D9%BE%DB%8C%D9%88%D9%86%D8%AF%DB%8C_%D8%AF%D9%88%D9%82%D8%B7%D8%A8%DB%8C "ترانزیستور پیوندی دوقطبی — персидский")
- [Français](https://fr.wikipedia.org/wiki/Transistor_bipolaire "Transistor bipolaire — французский")
- [עברית](https://he.wikipedia.org/wiki/%D7%98%D7%A8%D7%A0%D7%96%D7%99%D7%A1%D7%98%D7%95%D7%A8_%D7%91%D7%99%D7%A4%D7%95%D7%9C%D7%A8%D7%99 "טרנזיסטור ביפולרי — иврит")
- [हिन्दी](https://hi.wikipedia.org/wiki/%E0%A4%AC%E0%A5%80%E0%A4%9C%E0%A5%87%E0%A4%9F%E0%A5%80 "बीजेटी — хинди")
- [Հայերեն](https://hy.wikipedia.org/wiki/%D4%B5%D6%80%D5%AF%D5%A2%D6%87%D5%A5%D5%BC_%D5%BF%D6%80%D5%A1%D5%B6%D5%A6%D5%AB%D5%BD%D5%BF%D5%B8%D6%80 "Երկբևեռ տրանզիստոր — армянский")
- [Bahasa Indonesia](https://id.wikipedia.org/wiki/Transistor_sambungan_dwikutub "Transistor sambungan dwikutub — индонезийский")
- [Italiano](https://it.wikipedia.org/wiki/Transistor_a_giunzione_bipolare "Transistor a giunzione bipolare — итальянский")
- [日本語](https://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%83%90%E3%82%A4%E3%83%9D%E3%83%BC%E3%83%A9%E3%83%88%E3%83%A9%E3%83%B3%E3%82%B8%E3%82%B9%E3%82%BF "バイポーラトランジスタ — японский")
- [Jawa](https://jv.wikipedia.org/wiki/Transistor_sambungan_dwikutub "Transistor sambungan dwikutub — яванский")
- [Қазақша](https://kk.wikipedia.org/wiki/%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BB%D1%8B%D2%9B_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Биполярлық транзистор — казахский")
- [한국어](https://ko.wikipedia.org/wiki/%EC%A0%91%ED%95%A9%ED%98%95_%ED%8A%B8%EB%9E%9C%EC%A7%80%EC%8A%A4%ED%84%B0 "접합형 트랜지스터 — корейский")
- [Latina](https://la.wikipedia.org/wiki/Transistrum_unionis_bipolaris "Transistrum unionis bipolaris — латинский")
- [Latviešu](https://lv.wikipedia.org/wiki/Bipol%C4%81rais_tranzistors "Bipolārais tranzistors — латышский")
- [Македонски](https://mk.wikipedia.org/wiki/%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D0%B0%D1%80%D0%B5%D0%BD_%D1%81%D0%BF%D0%BE%D0%B5%D0%BD_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Биполарен споен транзистор — македонский")
- [മലയാളം](https://ml.wikipedia.org/wiki/%E0%B4%A6%E0%B5%8D%E0%B4%B5%E0%B4%BF%E0%B4%A7%E0%B5%8D%E0%B4%B0%E0%B5%81%E0%B4%B5_%E0%B4%9F%E0%B5%8D%E0%B4%B0%E0%B4%BE%E0%B5%BB%E0%B4%B8%E0%B4%BF%E0%B4%B8%E0%B5%8D%E0%B4%B1%E0%B5%8D%E0%B4%B1%E0%B5%BC "ദ്വിധ്രുവ ട്രാൻസിസ്റ്റർ — малаялам")
- [Монгол](https://mn.wikipedia.org/wiki/%D0%A5%D0%BE%D1%81_%D1%82%D1%83%D0%B9%D0%BB%D1%82_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Хос туйлт транзистор — монгольский")
- [Nederlands](https://nl.wikipedia.org/wiki/Bipolaire_transistor "Bipolaire transistor — нидерландский")
- [Polski](https://pl.wikipedia.org/wiki/Tranzystor_bipolarny "Tranzystor bipolarny — польский")
- [Português](https://pt.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_jun%C3%A7%C3%A3o_bipolar "Transistor de junção bipolar — португальский")
- [Română](https://ro.wikipedia.org/wiki/Tranzistor_bipolar "Tranzistor bipolar — румынский")
- [Srpskohrvatski / српскохрватски](https://sh.wikipedia.org/wiki/Bipolarni_tranzistor "Bipolarni tranzistor — сербскохорватский")
- [Simple English](https://simple.wikipedia.org/wiki/Bipolar_junction_transistor "Bipolar junction transistor — Simple English")
- [Slovenščina](https://sl.wikipedia.org/wiki/Bipolarni_tranzistor "Bipolarni tranzistor — словенский")
- [Shqip](https://sq.wikipedia.org/wiki/Transistori_bipolar_me_kontakt "Transistori bipolar me kontakt — албанский")
- [Српски / srpski](https://sr.wikipedia.org/wiki/%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D0%B0%D1%80%D0%BD%D0%B8_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Биполарни транзистор — сербский")
- [Svenska](https://sv.wikipedia.org/wiki/Bipol%C3%A4r_transistor "Bipolär transistor — шведский")
- [தமிழ்](https://ta.wikipedia.org/wiki/%E0%AE%87%E0%AE%B0%E0%AF%81%E0%AE%AE%E0%AF%81%E0%AE%A9%E0%AF%88_%E0%AE%9A%E0%AE%A8%E0%AF%8D%E0%AE%A4%E0%AE%BF_%E0%AE%A4%E0%AE%BF%E0%AE%B0%E0%AE%BF%E0%AE%A4%E0%AE%9F%E0%AF%88%E0%AE%AF%E0%AE%AE%E0%AF%8D "இருமுனை சந்தி திரிதடையம் — тамильский")
- [Türkçe](https://tr.wikipedia.org/wiki/Bipolar_ba%C4%9Flant%C4%B1_transist%C3%B6r%C3%BC "Bipolar bağlantı transistörü — турецкий")
- [Українська](https://uk.wikipedia.org/wiki/%D0%91%D1%96%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D0%B8%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Біполярний транзистор — украинский")
- [اردو](https://ur.wikipedia.org/wiki/%D8%A8%D8%A7%D8%A6%DB%8C_%D9%BE%D9%88%D9%84%D8%B1_%D8%AC%D9%86%DA%A9%D8%B4%D9%86_%D9%B9%D8%B1%D8%A7%D9%86%D8%B2%D8%B3%D9%B9%D8%B1 "بائی پولر جنکشن ٹرانزسٹر — урду")
- [Tiếng Việt](https://vi.wikipedia.org/wiki/Transistor_l%C6%B0%E1%BB%A1ng_c%E1%BB%B1c "Transistor lưỡng cực — вьетнамский")
- [吴语](https://wuu.wikipedia.org/wiki/%E5%8F%8C%E6%9E%81%E6%80%A7%E6%99%B6%E4%BD%93%E7%AE%A1 "双极性晶体管 — у")
- [中文](https://zh.wikipedia.org/wiki/%E5%8F%8C%E6%9E%81%E6%80%A7%E6%99%B6%E4%BD%93%E7%AE%A1 "双极性晶体管 — китайский")

[Править ссылки](https://www.wikidata.org/wiki/Special:EntityPage/Q188946#sitelinks-wikipedia "Править ссылки на другие языки")

- Эта страница в последний раз была отредактирована 29 сентября 2023 в 07:38.
- Текст доступен по [лицензии Creative Commons «С указанием авторства — С сохранением условий» (CC BY-SA)](//creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/deed.ru); в отдельных случаях могут действовать дополнительные условия.
  Подробнее см. [Условия использования](//foundation.wikimedia.org/wiki/Policy:Terms_of_Use/ru).


  Wikipedia® — зарегистрированный товарный знак некоммерческой организации [«Фонд Викимедиа» (Wikimedia Foundation, Inc.)](//wikimediafoundation.org/ru/)

- [Политика конфиденциальности](https://foundation.wikimedia.org/wiki/Special:MyLanguage/Policy:Privacy_policy/ru)
- [Описание Википедии](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%9E%D0%BF%D0%B8%D1%81%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D0%B5)
- [Отказ от ответственности](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%9E%D1%82%D0%BA%D0%B0%D0%B7_%D0%BE%D1%82_%D0%BE%D1%82%D0%B2%D0%B5%D1%82%D1%81%D1%82%D0%B2%D0%B5%D0%BD%D0%BD%D0%BE%D1%81%D1%82%D0%B8)
- [Свяжитесь с нами](//ru.wikipedia.org/wiki/Википедия:Контакты)
- [Кодекс поведения](https://foundation.wikimedia.org/wiki/Policy:Universal_Code_of_Conduct/ru)
- [Разработчики](https://developer.wikimedia.org)
- [Статистика](https://stats.wikimedia.org/#/ru.wikipedia.org)
- [Заявление о куки](https://foundation.wikimedia.org/wiki/Special:MyLanguage/Policy:Cookie_statement)
- [Мобильная версия](//ru.m.wikipedia.org/w/index.php?title=%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&mobileaction=toggle_view_mobile)

- [![Wikimedia Foundation](/static/images/footer/wikimedia-button.svg)](https://wikimediafoundation.org/)
- [![Powered by MediaWiki](/w/resources/assets/poweredby_mediawiki.svg)](https://www.mediawiki.org/)