как проектируются микросхемы
Интегральная схема - Википедия
большая часть интегральных схем проектируется при помощи специализированных САПР, которые позволяют автоматизировать и значительно ускорить производственные ...
полевые
Основным элементом аналоговых микросхем являются транзисторы ( биполярные или <anchor>полевые</anchor>). Разница в технологии изготовления транзисторов существенно влияет на характеристики микросхем. Поэтому нередко в описании микросхемы указывают технологию изготовления, чтобы подчеркнуть тем самым общую характеристику свойств и возможностей микросхемы. В современных технологиях объединяют технологии биполярных и полевых транзисторов, чтобы добиться улучшения характеристик микросхем.
Полевой транзистор — Википедия
Полевой транзистор — Википедия

# Полевой транзистор

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Текущая версия страницы пока [не проверялась](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%9F%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B5%D1%80%D0%BA%D0%B0_%D1%81%D1%82%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B9/%D0%9F%D0%BE%D1%8F%D1%81%D0%BD%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5_%D0%B4%D0%BB%D1%8F_%D1%87%D0%B8%D1%82%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%BB%D0%B5%D0%B9 "Википедия:Проверка статей/Пояснение для читателей") опытными участниками и может значительно отличаться от [версии, проверенной 3 января 2022 года](https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&stable=1); проверки требуют [34 правки](https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&oldid=111190902&diff=cur&diffonly=0).

[Перейти к навигации](#mw-head) [Перейти к поиску](#searchInput)

[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/a/af/P45N02LD.jpg/220px-P45N02LD.jpg)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:P45N02LD.jpg) Мощный полевой транзистор ( [MOSFET](/wiki/%D0%9C%D0%9E%D0%9F-%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "МОП-транзистор")) с каналом N-типа в [SMD](/wiki/%D0%9F%D0%BE%D0%B2%D0%B5%D1%80%D1%85%D0%BD%D0%BE%D1%81%D1%82%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%BC%D0%BE%D0%BD%D1%82%D0%B0%D0%B6 "Поверхностный монтаж")-корпусе, на [материнской плате](/wiki/%D0%9C%D0%B0%D1%82%D0%B5%D1%80%D0%B8%D0%BD%D1%81%D0%BA%D0%B0%D1%8F_%D0%BF%D0%BB%D0%B0%D1%82%D0%B0 "Материнская плата") [ПК](/wiki/%D0%9F%D0%B5%D1%80%D1%81%D0%BE%D0%BD%D0%B0%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%BA%D0%BE%D0%BC%D0%BF%D1%8C%D1%8E%D1%82%D0%B5%D1%80 "Персональный компьютер").

**Полево́й (униполя́рный) транзи́стор** — [полупроводниковый](/wiki/%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA "Полупроводник") прибор, принцип действия которого основан на управлении [электрическим сопротивлением](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%BE%D0%B5_%D1%81%D0%BE%D0%BF%D1%80%D0%BE%D1%82%D0%B8%D0%B2%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Электрическое сопротивление") токопроводящего канала поперечным [электрическим полем](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%BE%D0%B5_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D0%B5 "Электрическое поле"), создаваемым приложенным к затвору [напряжением](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%BE%D0%B5_%D0%BD%D0%B0%D0%BF%D1%80%D1%8F%D0%B6%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Электрическое напряжение").

Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется _**истоком**_, область, в которую они уходят из канала, называется _**стоком**_, электрод, на который подается управляющее напряжение, называется _**затвором**_.

## Содержание

- [1История создания полевых транзисторов](#История_создания_полевых_транзисторов)
- [2Классификация полевых транзисторов](#Классификация_полевых_транзисторов)
  - [2.1Транзисторы с управляющим p-n-переходом](#Транзисторы_с_управляющим_p-n-переходом)
  - [2.2Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)](#Транзисторы_с_изолированным_затвором_(МДП-транзисторы))
    - [2.2.1МДП-транзисторы с индуцированным каналом](#МДП-транзисторы_с_индуцированным_каналом)
    - [2.2.2МДП-транзисторы со встроенным каналом](#МДП-транзисторы_со_встроенным_каналом)
    - [2.2.3МДП-структуры специального назначения](#МДП-структуры_специального_назначения)
- [3Схемы включения полевых транзисторов](#Схемы_включения_полевых_транзисторов)
- [4Области применения полевых транзисторов](#Области_применения_полевых_транзисторов)
- [5Схемы](#Схемы)
- [6См. также](#См._также)
- [7Примечания](#Примечания)
- [8Литература](#Литература)

## История создания полевых транзисторов

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=1 "Редактировать раздел «История создания полевых транзисторов»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=1 "Редактировать код раздела «История создания полевых транзисторов»")\]

[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/f/fd/%D0%98%D0%BB%D0%BB%D1%8E%D1%81%D1%82%D1%80%D0%B0%D1%86%D0%B8%D1%8F_%D0%B8%D0%B7_%D0%BF%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%BD%D1%82%D0%B0_%D0%BD%D0%B0_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80.png/220px-%D0%98%D0%BB%D0%BB%D1%8E%D1%81%D1%82%D1%80%D0%B0%D1%86%D0%B8%D1%8F_%D0%B8%D0%B7_%D0%BF%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%BD%D1%82%D0%B0_%D0%BD%D0%B0_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:%D0%98%D0%BB%D0%BB%D1%8E%D1%81%D1%82%D1%80%D0%B0%D1%86%D0%B8%D1%8F_%D0%B8%D0%B7_%D0%BF%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%BD%D1%82%D0%B0_%D0%BD%D0%B0_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80.png) Схема полевого транзистора

В 1953 году Джордж Клемент Дейси и Ян Росс предложили и реализовали конструкцию полевого транзистора — с управляющим [p-n-переходом](/wiki/P-n-%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D0%BE%D0%B4 "P-n-переход").

Впервые идея регулировки потока основных носителей электрическим полем в транзисторе с изолированным затвором была предложена [Лилиенфельдом](/wiki/%D0%9B%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D0%B5%D0%BD%D1%84%D0%B5%D0%BB%D1%8C%D0%B4,_%D0%AE%D0%BB%D0%B8%D0%B9_%D0%AD%D0%B4%D0%B3%D0%B0%D1%80 "Лилиенфельд, Юлий Эдгар") в 1926—1928 годах. Однако трудности в реализации этой идеи на практике позволили создать первый работающий прибор только в 1960 году. В 1966 году [Карвер Мид](/w/index.php?title=%D0%9C%D0%B8%D0%B4,_%D0%9A%D0%B0%D1%80%D0%B2%D0%B5%D1%80&action=edit&redlink=1 "Мид, Карвер (страница отсутствует)")[\[англ.\]](https://en.wikipedia.org/wiki/Carver_Mead "en:Carver Mead") усовершенствовал эту конструкцию, [шунтировав](/wiki/%D0%A8%D1%83%D0%BD%D1%82 "Шунт") электроды такого прибора [диодом Шоттки](/wiki/%D0%94%D0%B8%D0%BE%D0%B4_%D0%A8%D0%BE%D1%82%D1%82%D0%BA%D0%B8 "Диод Шоттки").

В 1977 году Джеймс Маккаллахем из [Bell Labs](/wiki/Bell_Labs "Bell Labs") установил, что использование полевых транзисторов может существенно увеличить производительность существующих вычислительных систем.

## Классификация полевых транзисторов

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=2 "Редактировать раздел «Классификация полевых транзисторов»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=2 "Редактировать код раздела «Классификация полевых транзисторов»")\]

[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/6/6d/Field_effect_transistors_%28ru%29.svg/450px-Field_effect_transistors_%28ru%29.svg.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:Field_effect_transistors_(ru).svg) Виды полевых транзисторов и их обозначение на [принципиальных схемах](/wiki/%D0%9F%D1%80%D0%B8%D0%BD%D1%86%D0%B8%D0%BF%D0%B8%D0%B0%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%81%D1%85%D0%B5%D0%BC%D0%B0 "Принципиальная схема")

Полевые транзисторы классифицируют на приборы с управляющим p-n-переходом и с изолированным затвором, так называемые МДП («металл-диэлектрик-полупроводник»)-транзисторы, которые также называют [МОП](/wiki/%D0%9C%D0%9E%D0%9F_%D1%81%D1%82%D1%80%D1%83%D0%BA%D1%82%D1%83%D1%80%D0%B0 "МОП структура") («металл-оксид-полупроводник»)-транзисторами, причём последние подразделяют на транзисторы со встроенным каналом и приборы с индуцированным каналом.

К основным параметрам полевых транзисторов причисляют: входное сопротивление, внутреннее сопротивление транзистора, также называемое выходным, крутизну стокозатворной характеристики, напряжение отсечки и некоторые другие.

### Транзисторы с управляющим p-n-переходом

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=3 "Редактировать раздел «Транзисторы с управляющим p-n-переходом»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=3 "Редактировать код раздела «Транзисторы с управляющим p-n-переходом»")\]

[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/9/96/%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80_%D1%81_p-n-%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D0%BE%D0%B4%D0%BE%D0%BC.png/200px-%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80_%D1%81_p-n-%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D0%BE%D0%B4%D0%BE%D0%BC.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80_%D1%81_p-n-%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D0%BE%D0%B4%D0%BE%D0%BC.png) Рис. 1\. Конструкция полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа

а) с затвором со стороны подложки;

b) с диффузионным затвором.[![Сток-затворная характеристика (слева) и семейство стоковых характеристик (справа) полевого транзистора с затвором в виде p-n перехода и каналом n-типа. {\displaystyle V_{GS}}  — напряжение затвор-исток; {\displaystyle V_{DS}}  — напряжение сток-исток; {\displaystyle I_{DS}}  — ток стока или истока; {\displaystyle V_{P}}  — запирающее напряжение затвора, или напряжение отсечки.](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/5/5c/JFET_n-channel_ru.svg/510px-JFET_n-channel_ru.svg.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:JFET_n-channel_ru.svg) Сток-затворная характеристика (слева) и семейство стоковых характеристик (справа) полевого транзистора с затвором в виде p-n перехода и каналом n-типа.

VGS{\\displaystyle V\_{GS}}![{\displaystyle V_{GS}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/38f70714b940c13c563d78b2a6deca090a1f4adc) — напряжение затвор-исток;

VDS{\\displaystyle V\_{DS}}![{\displaystyle V_{DS}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/a488a4f852224b35e336088ce5a1132563cc1e22) — напряжение сток-исток;

IDS{\\displaystyle I\_{DS}}![{\displaystyle I_{DS}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/886b4409265c836a882f572d1cfc62882795648b) — ток стока или истока;

VP{\\displaystyle V\_{P}}![{\displaystyle V_{P}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/078c577c8485f400325b2b61e5a220ebc691d849) — запирающее напряжение затвора, или напряжение отсечки.

Полевой транзистор с управляющим [p-n-переходом](/wiki/P-n-%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D0%BE%D0%B4 "P-n-переход")[\[1\]](#cite_note-1) ( [англ.](/wiki/%D0%90%D0%BD%D0%B3%D0%BB%D0%B8%D0%B9%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D1%8F%D0%B7%D1%8B%D0%BA "Английский язык") junction-gate field-effect transistor, JFET) — это полевой транзистор, в котором пластина из полупроводника, например, n-типа (Рис. 1), имеет на противоположных концах электроды (исток и сток), с помощью которых она включена в управляемую цепь. Управляющая цепь подключается к третьему электроду (затвору) и образуется областью с другим типом проводимости, в примере на рисунке — p-типом.

Источник постоянного смещения, включенный во входную цепь, создаёт на единственном p-n-переходе обратное (запирающее) напряжение. Во входную цепь также включается и источник усиливаемого сигнала. При изменении входного напряжения изменяется обратное напряжение на p-n-переходе, в связи с чем меняется толщина [обедненного слоя,](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D0%BE%D0%B9_%D0%BE%D0%B1%D0%B5%D0%B4%D0%BD%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F "Слой обеднения") то есть изменяется площадь поперечного сечения области в кристалле, через которую проходит поток основных носителей заряда. Эта область называется каналом.

Электроды полевого транзистора называются:

- _исток_ ( [англ.](/wiki/%D0%90%D0%BD%D0%B3%D0%BB%D0%B8%D0%B9%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D1%8F%D0%B7%D1%8B%D0%BA "Английский язык") source) — электрод, из которого в канал входят основные носители заряда;
- _сток_ ( [англ.](/wiki/%D0%90%D0%BD%D0%B3%D0%BB%D0%B8%D0%B9%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D1%8F%D0%B7%D1%8B%D0%BA "Английский язык") drain) — электрод, через который из канала уходят основные носители заряда;
- _затвор_ ( [англ.](/wiki/%D0%90%D0%BD%D0%B3%D0%BB%D0%B8%D0%B9%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D1%8F%D0%B7%D1%8B%D0%BA "Английский язык") gate) — электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала.

[Тип полупроводниковой проводимости](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B0%D1%8F_%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%B8%D0%BC%D0%BE%D1%81%D1%82%D1%8C "Электрическая проводимость") канала может быть как n-, так и p-типа. По типу проводимости канала различают полевые транзисторы с n-каналом и р-каналом. Полярности напряжений смещения, подаваемых на электроды транзисторов с n- и с p-каналом, противоположны.

Управление током и напряжением на нагрузке, включённой последовательно к каналу полевого транзистора и источнику питания, осуществляется изменением входного _напряжения_, вследствие чего изменяется обратное напряжение на p-n-переходе, что ведёт к изменению толщины запирающего (обеднённого) слоя. При некотором запирающем напряжении VP{\\displaystyle V\_{P}}![{\displaystyle V_{P}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/078c577c8485f400325b2b61e5a220ebc691d849) площадь поперечного сечения канала станет равной нулю и ток через канал транзистора станет весьма малым.

Так как обратный ток p-n-перехода весьма мал, в статическом режиме или при низких рабочих частотах мощность, отбираемая от источника сигнала, ничтожно мала. При высоких частотах ток, отбираемый от источника сигнала, может быть значительным и идет на перезаряд входной ёмкости транзистора.

Таким образом, полевой транзистор по принципу управления током аналогичен электровакуумной лампе — [триоду](/wiki/%D0%A2%D1%80%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Триод"), но по виду сток-истоковых вольт-амперных характеристик близок к электровакуумному [пентоду](/wiki/%D0%9F%D0%B5%D0%BD%D1%82%D0%BE%D0%B4 "Пентод"). При такой аналогии исток в полевом транзисторе подобен катоду вакуумного триода, затвор — сетке, сток — аноду. При этом существуют и отличия, например:

- в транзисторе отсутствует катод, который требует подогрева;
- любую из функций истока и стока может выполнять любой из этих электродов;
- существуют полевые транзисторы как с n-каналом, так и с p-каналом, что используется при производстве [комплементарных пар транзисторов](/wiki/%D0%9A%D0%9C%D0%9E%D0%9F "КМОП").

От биполярного транзистора полевой транзистор отличается, во-первых, принципом действия: в биполярном транзисторе управление выходным сигналом производится входным током, а в полевом транзисторе — входным напряжением или электрическим полем. Во-вторых, полевые транзисторы имеют значительно большие входные [сопротивления](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%BE%D0%B5_%D1%81%D0%BE%D0%BF%D1%80%D0%BE%D1%82%D0%B8%D0%B2%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Электрическое сопротивление"), что связано с обратным смещением p-n-перехода затвора в рассматриваемом типе полевых транзисторов. В-третьих, полевые транзисторы обладают низким уровнем [шума](/wiki/%D0%A8%D1%83%D0%BC "Шум") (особенно на низких частотах) по сравнению с биполярными транзисторами, так как в полевых транзисторах нет [инжекции неосновных носителей заряда](/wiki/%D0%98%D0%BD%D0%B6%D0%B5%D0%BA%D1%86%D0%B8%D1%8F "Инжекция") и канал полевого транзистора может быть выполнен внутри полупроводникового кристалла. Процессы рекомбинации носителей в p-n-переходе и в базе [биполярного транзистора](/wiki/%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Биполярный транзистор"), а также генерационно-рекомбинационные процессы на поверхности кристалла полупроводника порождают низкочастотные шумы.

### Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=4 "Редактировать раздел «Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=4 "Редактировать код раздела «Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)»")\]

[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/ru/thumb/3/3b/%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80_%D1%81_%D0%B8%D0%B7%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B0%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%BC_%D0%B7%D0%B0%D1%82%D0%B2%D0%BE%D1%80%D0%BE%D0%BC.png/200px-%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80_%D1%81_%D0%B8%D0%B7%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B0%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%BC_%D0%B7%D0%B0%D1%82%D0%B2%D0%BE%D1%80%D0%BE%D0%BC.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80_%D1%81_%D0%B8%D0%B7%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B0%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%BC_%D0%B7%D0%B0%D1%82%D0%B2%D0%BE%D1%80%D0%BE%D0%BC.png) Рис. 2\. Устройство полевого транзистора с изолированным затвором.

a) — с индуцированным каналом, b) — со встроенным каналом

Основная статья: **[МОП-транзистор](/wiki/%D0%9C%D0%9E%D0%9F-%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "МОП-транзистор")**

Полевой транзистор с изолированным затвором ( [англ.](/wiki/%D0%90%D0%BD%D0%B3%D0%BB%D0%B8%D0%B9%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D1%8F%D0%B7%D1%8B%D0%BA "Английский язык") metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET) — это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от канала слоем [диэлектрика](/wiki/%D0%94%D0%B8%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%B8%D0%BA "Диэлектрик").

В кристалле полупроводника с относительно высоким удельным сопротивлением, который называют подложкой, созданы две сильно [легированные](/wiki/%D0%9B%D0%B5%D0%B3%D0%B8%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D0%B5_(%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B8) "Легирование (полупроводники)") области с противоположным относительно подложки типом проводимости. На эти области нанесены металлические электроды — исток и сток. Расстояние между областями истока и стока может быть меньше микрона. Поверхность кристалла полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем (порядка 0,1 мкм) [диэлектрика](/wiki/%D0%94%D0%B8%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%B8%D0%BA "Диэлектрик"). Так как исходным полупроводником для полевых транзисторов обычно является [кремний](/wiki/%D0%9A%D1%80%D0%B5%D0%BC%D0%BD%D0%B8%D0%B9 "Кремний"), то в качестве диэлектрика используется слой [диоксида кремния](/wiki/%D0%94%D0%B8%D0%BE%D0%BA%D1%81%D0%B8%D0%B4_%D0%BA%D1%80%D0%B5%D0%BC%D0%BD%D0%B8%D1%8F "Диоксид кремния") SiO2, выращенный на поверхности кристалла кремния путём высокотемпературного окисления. На слой диэлектрика нанесён металлический электрод — затвор. Получается структура, состоящая из металла, диэлектрика и полупроводника. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором часто называют МДП-транзисторами.

Входное сопротивление МДП-транзисторов может достигать 1010…1014 Ом (у полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом 107…109), что является преимуществом при построении высокоточных устройств.

Существуют две разновидности МДП-транзисторов: с индуцированным каналом и со встроенным каналом.

В МДП-транзисторах с индуцированным каналом (рис. 2, а) проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока отсутствует и, следовательно, заметный ток стока появляется только при определённой полярности и при определённом значении напряжения на затворе относительно истока, которое называют пороговым напряжением ( _UЗИпор_).

В МДП-транзисторах со встроенным каналом (рис. 2, б) у поверхности полупроводника под затвором при нулевом напряжении на затворе относительно истока существует инверсный слой — канал, который соединяет исток со стоком.

Изображённые на рис. 2 структуры полевых транзисторов с изолированным затвором имеют подложку с электропроводностью n-типа. Поэтому сильнолегированные области под истоком и стоком, а также индуцированный и встроенный канал имеют электропроводность p-типа. Если же аналогичные транзисторы созданы на подложке с электропроводностью p-типа, то канал у них будет иметь электропроводность n-типа.

#### МДП-транзисторы с индуцированным каналом

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=5 "Редактировать раздел «МДП-транзисторы с индуцированным каналом»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=5 "Редактировать код раздела «МДП-транзисторы с индуцированным каналом»")\]

При напряжении на затворе относительно истока, равном нулю, и при подаче напряжения на сток, ток стока оказывается ничтожно малым. Он представляет собой обратный ток p-n-перехода между подложкой и сильнолегированной областью стока. При отрицательном потенциале на затворе (для структуры, показанной на рис. 2, а) в результате проникновения электрического поля через диэлектрический слой в полупроводник при малых напряжениях на затворе (меньших _UЗИпор_) у поверхности полупроводника под затвором возникает обеднённый основными носителями слой ( [эффект поля](/wiki/%D0%AD%D1%84%D1%84%D0%B5%D0%BA%D1%82_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F "Эффект поля")) и область объёмного заряда, состоящая из ионизированных нескомпенсированных примесных атомов. При напряжениях на затворе больших _UЗИпор_ у поверхности полупроводника под затвором возникает [инверсный слой](/wiki/%D0%98%D0%BD%D0%B2%D0%B5%D1%80%D1%81%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%81%D0%BB%D0%BE%D0%B9 "Инверсный слой"), который является каналом p-типа, соединяющим исток со стоком. Поперечное сечение канала будет изменяться с изменением напряжения на затворе, соответственно будет изменяться и ток стока, то есть ток в цепи нагрузки и относительно мощного источника питания.

В связи с тем, что затвор отделён от подложки диэлектрическим слоем, ток в цепи затвора ничтожно мал, мала и мощность, потребляемая от источника сигнала в цепи затвора и необходимая для управления относительно большим током стока. Таким образом, МДП-транзистор с индуцированным каналом может производить усиление электромагнитных колебаний по напряжению и по мощности.

Принцип усиления мощности в МДП-транзисторах можно рассматривать с точки зрения передачи носителями заряда энергии постоянного электрического поля (энергии источника питания в выходной цепи) переменному электрическому полю. В МДП-транзисторе до возникновения канала почти всё напряжение источника питания в цепи стока падало на полупроводнике между истоком и стоком, создавая относительно большую постоянную составляющую напряжённости электрического поля. Под действием напряжения на затворе в полупроводнике под затвором возникает канал, по которому от истока к стоку движутся носители заряда — [дырки](/wiki/%D0%94%D1%8B%D1%80%D0%BA%D0%B0 "Дырка"). Дырки, двигаясь по направлению постоянной составляющей электрического поля, разгоняются этим полем и их энергия увеличивается за счёт энергии источника питания, в цепи стока. Одновременно с возникновением канала и появлением в нём подвижных носителей заряда уменьшается напряжение на стоке, то есть мгновенное значение переменной составляющей электрического поля в канале направлено противоположно постоянной составляющей. Поэтому дырки тормозятся переменным электрическим полем, отдавая ему часть своей энергии.

#### МДП-транзисторы со встроенным каналом

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=6 "Редактировать раздел «МДП-транзисторы со встроенным каналом»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=6 "Редактировать код раздела «МДП-транзисторы со встроенным каналом»")\]

[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/ru/thumb/9/9d/%D0%92%D1%8B%D1%85%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D1%81%D1%82%D0%B0%D1%82%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B5_%D1%85%D0%B0%D1%80%D0%B0%D0%BA%D1%82%D0%B5%D1%80%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%B8%D0%BA%D0%B8_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B3%D0%BE_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B0.png/400px-%D0%92%D1%8B%D1%85%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D1%81%D1%82%D0%B0%D1%82%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B5_%D1%85%D0%B0%D1%80%D0%B0%D0%BA%D1%82%D0%B5%D1%80%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%B8%D0%BA%D0%B8_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B3%D0%BE_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B0.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:%D0%92%D1%8B%D1%85%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D1%81%D1%82%D0%B0%D1%82%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B5_%D1%85%D0%B0%D1%80%D0%B0%D0%BA%D1%82%D0%B5%D1%80%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%B8%D0%BA%D0%B8_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B3%D0%BE_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B0.png) Рис. 3\. Выходные статические характеристики (a) и сток-затворная характеристика (b) МДП-транзистора со встроенным каналом.[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/a/a9/MOSFET1.svg/180px-MOSFET1.svg.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:MOSFET1.svg) В данной схеме в качестве нелинейного элемента используется МДП транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом.

В связи с наличием встроенного канала в таком МДП-транзисторе (рис. 2, b), при подаче напряжения на сток, ток стока оказывается значительным даже при нулевом напряжении на затворе (рис. 3, b). Поперечное сечение и проводимость канала будут изменяться при изменении напряжения на затворе как отрицательной, так и положительной полярности. Таким образом, МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в двух режимах: в режиме [обогащения](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D0%BE%D0%B9_%D0%BE%D0%B1%D0%BE%D0%B3%D0%B0%D1%89%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F "Слой обогащения") и в режиме обеднения канала носителями заряда. Эта особенность МДП-транзисторов со встроенным каналом отражается и на смещении выходных статических характеристик при изменении напряжения на затворе и его полярности (рис. 3).

Статические характеристики передачи (рис. 3, b) выходят из точки на оси абсцисс, соответствующей напряжению отсечки _UЗИотс_, то есть напряжению между затвором и истоком МДП-транзистора со встроенным каналом, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.

Формулы расчёта Ic{\\displaystyle I\_{c}}![{\displaystyle I_{c}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/7463de5fff5fee0c540ac1d8cd1aca43f4852c65) в зависимости от напряжения Uзи

1\. Транзистор закрыт Uзи<Uпор{\\displaystyle U\_{\\text{зи}}<U\_{\\text{пор}}}![{\displaystyle U_{\text{зи}}<U_{\text{пор}}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/ad7d35fbb1c80a096d35d0aa32bc1c58c3c75862)

Ic=0{\\displaystyle I\_{c}=0}![{\displaystyle I_{c}=0}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/0c4b5238fa631301a058bbd9484ba608b8efbc08)Пороговое значение напряжения МДП транзистора Uпор=1.5B{\\displaystyle U\_{\\text{пор}}=1.5\ B}![{\displaystyle U_{\text{пор}}=1.5\ B}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/b6276ebf40d02d6da72805d17782adce58706ef2)

2\. Параболический участок. Uзи>Uпор{\\displaystyle U\_{\\text{зи}}>U\_{\\text{пор}}}![{\displaystyle U_{\text{зи}}>U_{\text{пор}}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/7d023459f9825cfa7f7b6e6331f89cbe35fdaeef)

Ic=Kn\[(Uзи−Uпор)⋅Uси−Uси22\]{\\displaystyle I\_{c}=K\_{n}\\left\[\\left(U\_{\\text{зи}}-U\_{\\text{пор}}\\right)\\cdot U\_{\\text{си}}-{\\frac {U\_{\\text{си}}^{2}}{2}}\\right\]}![{\displaystyle I_{c}=K_{n}\left[\left(U_{\text{зи}}-U_{\text{пор}}\right)\cdot U_{\text{си}}-{\frac {U_{\text{си}}^{2}}{2}}\right]}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/0acebb78efe7dbfefb3cbf44df1ac07651d87773)Kn{\\displaystyle K\_{n}}![{\displaystyle K_{n}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/ea2b988ea630d2c5571afe47efa3d3b251708acb)-удельная крутизна передаточной характеристики транзистора.

3\. Дальнейшее увеличение Uзи{\\displaystyle U\_{\\text{зи}}}![{\displaystyle U_{\text{зи}}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/247f699242871b9382d31081ce57fba3d557469c) приводит к переходу на пологий уровень:

Ic=Kn2\[Uзи−Uпор\]2{\\displaystyle I\_{c}={\\frac {K\_{n}}{2}}\\left\[U\_{\\text{зи}}-U\_{\\text{пор}}\\right\]^{2}}![{\displaystyle I_{c}={\frac {K_{n}}{2}}\left[U_{\text{зи}}-U_{\text{пор}}\right]^{2}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/5dee41925b4d3231ef4fcae9af82c295226c9df7) — уравнение [Ховстайна](/w/index.php?title=%D0%A5%D0%BE%D0%B2%D1%81%D1%82%D0%B0%D0%B9%D0%BD&action=edit&redlink=1 "Ховстайн (страница отсутствует)")

#### МДП-структуры специального назначения

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=7 "Редактировать раздел «МДП-структуры специального назначения»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=7 "Редактировать код раздела «МДП-структуры специального назначения»")\]

В структурах типа металл-нитрид-оксид-полупроводник (МНОП) диэлектрик под затвором выполняется двухслойным: слой оксида SiO2 и толстый слой нитрида Si3N4. Между слоями образуются ловушки электронов, которые при подаче на затвор МНОП-структуры положительного напряжения (28—30 В) захватывают туннелирующие через тонкий слой SiO2 электроны. Образующиеся отрицательно заряженные ионы повышают пороговое напряжение, причём их заряд может храниться до нескольких лет при отсутствии питания, так как слой SiO2 предотвращает утечку заряда. При подаче на затвор большого отрицательного напряжения (28…30 В), накопленный заряд рассасывается, что существенно уменьшает пороговое напряжение.

Структуры типа металл-оксид-полупроводник (МОП) с плавающим затвором и лавинной инжекцией ( [ЛИЗМОП](/wiki/%D0%9B%D0%98%D0%97%D0%9C%D0%9E%D0%9F "ЛИЗМОП")) имеют затвор, выполненный из поликристаллического кремния, изолированный от других частей структуры. Лавинный пробой p-n-перехода подложки и стока или истока, на которые подаётся [высокое напряжение](/wiki/%D0%92%D1%8B%D1%81%D0%BE%D0%BA%D0%BE%D0%B5_%D0%BD%D0%B0%D0%BF%D1%80%D1%8F%D0%B6%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Высокое напряжение"), позволяет электронам проникнуть через слой окисла на затвор, вследствие чего на нём появляется отрицательный заряд. Изолирующие свойства диэлектрика позволяют сохранять этот заряд десятки лет. Удаление электрического заряда с затвора осуществляется с помощью ионизирующего ультрафиолетового облучения кварцевыми лампами, при этом фототок позволяет электронам рекомбинировать с дырками.

В дальнейшем были разработаны структуры запоминающих полевых транзисторов с двойным затвором. Встроенный в диэлектрик затвор используется для хранения заряда, определяющего состояние прибора, а внешний (обычный) затвор, управляемый разнополярными импульсами, — для ввода или удаления заряда на встроенном (внутреннем) затворе. Так появились ячейки, а затем и микросхемы флэш-памяти, получившие в наши дни большую популярность и составившие заметную конкуренцию жестким дискам в компьютерах.

Для реализации сверхбольших интегральных схем (СБИС) были созданы сверхминиатюрные полевые микротранзисторы. Они делаются с применением нанотехнологий с геометрическим разрешением менее 100 нм. У таких приборов толщина подзатворного диэлектрика доходит до нескольких атомных слоев. Используются различные, в том числе трехзатворные структуры. Приборы работают в микромощном режиме. В современных микропроцессорах корпорации Intel число приборов составляет от десятков миллионов до 2 миллиардов. Новейшие полевые микротранзисторы выполняются на напряженном кремнии, имеют металлический затвор и используют новый запатентованный материал для подзатворного диэлектрика на основе соединений гафния[\[2\]](#cite_note-_d4c21d45addf72e5-2).

В последние четверть века бурное развитие получили мощные полевые транзисторы, в основном МДП-типа. Они состоят из множества маломощных структур или из структур с разветвлённой конфигурацией затвора. Такие ВЧ и СВЧ приборы впервые были созданы в СССР специалистами [НИИ «Пульсар»](/wiki/%D0%9D%D0%B0%D1%83%D1%87%D0%BD%D0%BE-%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B8%D0%B7%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D1%81%D1%82%D0%B2%D0%B5%D0%BD%D0%BD%D0%BE%D0%B5_%D0%BF%D1%80%D0%B5%D0%B4%D0%BF%D1%80%D0%B8%D1%8F%D1%82%D0%B8%D0%B5_%C2%AB%D0%9F%D1%83%D0%BB%D1%8C%D1%81%D0%B0%D1%80%C2%BB "Научно-производственное предприятие «Пульсар»") В. В. Бачуриным (кремниевые приборы) и В. Я. Ваксембургом (арсенид-галлиевые приборы). Исследование их импульсных свойств было выполнено научной школой профессора [В. П. Дьяконова](/wiki/%D0%94%D1%8C%D1%8F%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D0%BE%D0%B2,_%D0%92%D0%BB%D0%B0%D0%B4%D0%B8%D0%BC%D0%B8%D1%80_%D0%9F%D0%B0%D0%B2%D0%BB%D0%BE%D0%B2%D0%B8%D1%87 "Дьяконов, Владимир Павлович") (Смоленский филиал МЭИ). Это открыло область разработки мощных ключевых (импульсных) полевых транзисторов со специальными структурами, имеющих высокие рабочие напряжения и токи (раздельно до 500—1000 В и 50—100 А). Такие приборы нередко управляются малыми (до 5 В) напряжениями, имеют малое сопротивление в открытом состоянии (до 0,01 Ом) у сильноточных приборов, высокую крутизну и малые (в единицы-десятки нс) времена переключения. У них отсутствует явление накопления носителей в структуре и явление насыщения, присущее биполярным транзисторам. Благодаря этому мощные полевые транзисторы успешно вытесняют мощные биполярные транзисторы в области силовой электроники малой и средней мощности[\[3\]](#cite_note-_165c304d2120f65c-3)[\[4\]](#cite_note-_f97954bc79e67a21-4).

За рубежом в последние десятилетия стремительно развивается технология [транзисторов на высокоподвижных электронах (ТВПЭ)](/wiki/%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80_%D1%81_%D0%B2%D1%8B%D1%81%D0%BE%D0%BA%D0%BE%D0%B9_%D0%BF%D0%BE%D0%B4%D0%B2%D0%B8%D0%B6%D0%BD%D0%BE%D1%81%D1%82%D1%8C%D1%8E_%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BE%D0%B2 "Транзистор с высокой подвижностью электронов"), которые широко используются в СВЧ устройствах связи и радионаблюдения. На основе ТВПЭ создаются как гибридные, так и [монолитные микроволновые интегральные схемы](/wiki/%D0%9C%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%BB%D0%BD%D0%BE%D0%B2%D0%B0%D1%8F_%D0%BC%D0%BE%D0%BD%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%B8%D0%BD%D1%82%D0%B5%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%81%D1%85%D0%B5%D0%BC%D0%B0 "Микроволновая монолитная интегральная схема"). В основе действия ТВПЭ лежит управление каналом с помощью [двумерного электронного газа](/wiki/%D0%94%D0%B2%D1%83%D0%BC%D0%B5%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B3%D0%B0%D0%B7 "Двумерный электронный газ"), область которого создаётся под контактом затвора благодаря применению [гетероперехода](/wiki/%D0%93%D0%B5%D1%82%D0%B5%D1%80%D0%BE%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D0%BE%D0%B4 "Гетеропереход") и очень тонкого диэлектрического слоя — [спейсера](/wiki/%D0%A1%D0%BF%D0%B5%D0%B9%D1%81%D0%B5%D1%80_(%D1%84%D0%B8%D0%B7%D0%B8%D0%BA%D0%B0) "Спейсер (физика)")[\[5\]](#cite_note-_224de1957d51145a-5).

## Схемы включения полевых транзисторов

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=8 "Редактировать раздел «Схемы включения полевых транзисторов»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=8 "Редактировать код раздела «Схемы включения полевых транзисторов»")\]

Полевой транзистор в каскаде усиления сигнала можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС) и общим затвором (ОЗ).

[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/f/f2/%D0%A1%D1%85%D0%B5%D0%BC%D1%8B_%D0%B2%D0%BA%D0%BB%D1%8E%D1%87%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F_%D0%9F%D0%A2_%D0%9E%D0%98.png/220px-%D0%A1%D1%85%D0%B5%D0%BC%D1%8B_%D0%B2%D0%BA%D0%BB%D1%8E%D1%87%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F_%D0%9F%D0%A2_%D0%9E%D0%98.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:%D0%A1%D1%85%D0%B5%D0%BC%D1%8B_%D0%B2%D0%BA%D0%BB%D1%8E%D1%87%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F_%D0%9F%D0%A2_%D0%9E%D0%98.png) Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим истоком[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/6/69/%D0%A1%D1%85%D0%B5%D0%BC%D1%8B_%D0%B2%D0%BA%D0%BB%D1%8E%D1%87%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F_%D0%9F%D0%A2_%D0%9E%D0%A1.png/220px-%D0%A1%D1%85%D0%B5%D0%BC%D1%8B_%D0%B2%D0%BA%D0%BB%D1%8E%D1%87%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F_%D0%9F%D0%A2_%D0%9E%D0%A1.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:%D0%A1%D1%85%D0%B5%D0%BC%D1%8B_%D0%B2%D0%BA%D0%BB%D1%8E%D1%87%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F_%D0%9F%D0%A2_%D0%9E%D0%A1.png) Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим стоком[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/a/aa/%D0%A1%D1%85%D0%B5%D0%BC%D1%8B_%D0%B2%D0%BA%D0%BB%D1%8E%D1%87%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F_%D0%9F%D0%A2_%D0%9E%D0%97.png/220px-%D0%A1%D1%85%D0%B5%D0%BC%D1%8B_%D0%B2%D0%BA%D0%BB%D1%8E%D1%87%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F_%D0%9F%D0%A2_%D0%9E%D0%97.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:%D0%A1%D1%85%D0%B5%D0%BC%D1%8B_%D0%B2%D0%BA%D0%BB%D1%8E%D1%87%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F_%D0%9F%D0%A2_%D0%9E%D0%97.png) Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим затвором

На практике в усилительных каскадах чаще всего применяется схема с ОИ, аналогичная схеме на биполярном транзисторе с [общим эмиттером](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%81%D0%BA%D0%B0%D0%B4_%D1%81_%D0%BE%D0%B1%D1%89%D0%B8%D0%BC_%D1%8D%D0%BC%D0%B8%D1%82%D1%82%D0%B5%D1%80%D0%BE%D0%BC "Каскад с общим эмиттером") (ОЭ). Каскад с общим истоком даёт большое усиление по мощности. Но, с другой стороны, этот каскад наиболее низкочастотный из-за вредного влияния [эффекта Миллера](/wiki/%D0%AD%D1%84%D1%84%D0%B5%D0%BA%D1%82_%D0%9C%D0%B8%D0%BB%D0%BB%D0%B5%D1%80%D0%B0 "Эффект Миллера") и существенной входной ёмкости затвор-исток ( _**Сзи**_).

Схема с ОЗ аналогична схеме с общей базой (ОБ). В этой схеме ток стока равен току истока, поэтому она не даёт усиления по току, и усиление по мощности в ней во много раз меньше, чем в схеме ОИ. Каскад ОЗ обладает низким входным сопротивлением, в связи с чем он имеет специфическое практическое применение в усилительной технике. Преимущество такого включения — практически полное подавление эффекта Миллера, что позволяет увеличить максимальную частоту усиления и такие каскады часто применяются при усилении [СВЧ](/wiki/%D0%9C%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%BB%D0%BD%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B5_%D0%B8%D0%B7%D0%BB%D1%83%D1%87%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Микроволновое излучение").

Каскад с ОС аналогичен каскаду с общим коллектором (ОК) для биполярного транзистора — [эмиттерным повторителем](/wiki/%D0%AD%D0%BC%D0%B8%D1%82%D1%82%D0%B5%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%BF%D0%BE%D0%B2%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C "Эмиттерный повторитель"). Такой каскад часто называют **истоковым повторителем**. Коэффициент усиления по напряжению в этой схеме всегда немного меньше 1, а коэффициент усиления по мощности занимает промежуточное значение между ОЗ и ОИ. Преимущество этого каскада — очень низкая входная паразитная ёмкость и его часто используют в качестве буферного разделительного каскада между высокоомным источником сигнала, например, [пьезодатчиком](/wiki/%D0%9F%D1%8C%D0%B5%D0%B7%D0%BE%D1%8D%D1%84%D1%84%D0%B5%D0%BA%D1%82 "Пьезоэффект") и последующими каскадами усиления. По широкополосным свойствам этот каскад также занимает промежуточное положение между ОЗ и ОИ.

## Области применения полевых транзисторов

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=9 "Редактировать раздел «Области применения полевых транзисторов»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=9 "Редактировать код раздела «Области применения полевых транзисторов»")\]

[КМОП-структуры](/wiki/%D0%9A%D0%9C%D0%9E%D0%9F "КМОП"), строящиеся из [комплементарной](/w/index.php?title=%D0%9A%D0%BE%D0%BC%D0%BF%D0%BB%D0%B5%D0%BC%D0%B5%D0%BD%D1%82%D0%B0%D1%80%D0%BD%D0%BE%D1%81%D1%82%D1%8C_(%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B0)&action=edit&redlink=1 "Комплементарность (электроника) (страница отсутствует)") пары полевых транзисторов с каналами разного (p- и n-) типа, широко используются в цифровых и аналоговых [интегральных схемах](/wiki/%D0%98%D0%BD%D1%82%D0%B5%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%81%D1%85%D0%B5%D0%BC%D0%B0 "Интегральная схема").

За счёт того, что полевые транзисторы управляются полем (величиной напряжения приложенного к затвору), а не током, протекающим через базу (как в биполярных транзисторах), полевые транзисторы потребляют значительно меньше энергии, что особенно актуально в схемах ждущих и следящих устройств, а также в схемах малого потребления и энергосбережения (реализация спящих режимов).

Выдающиеся примеры устройств, построенных на полевых транзисторах, — наручные [электронные часы](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D1%87%D0%B0%D1%81%D1%8B "Электронные часы") и [пульт дистанционного управления](/wiki/%D0%9F%D1%83%D0%BB%D1%8C%D1%82_%D0%B4%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%B0%D0%BD%D1%86%D0%B8%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%BE%D0%B3%D0%BE_%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F "Пульт дистанционного управления") для телевизора. За счёт применения КМОП-структур эти устройства могут работать до нескольких лет от одного миниатюрного источника питания — батарейки или [аккумулятора](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D0%B0%D0%BA%D0%BA%D1%83%D0%BC%D1%83%D0%BB%D1%8F%D1%82%D0%BE%D1%80 "Электрический аккумулятор"), потому что практически не потребляют энергии.

В настоящее время полевые транзисторы находят всё более широкое применение в различных радиоустройствах, где с успехом заменяют биполярные. Их применение в радиопередающих устройствах позволяет увеличить частоту несущего сигнала, обеспечивая такие устройства высокой помехоустойчивостью. Обладая низким сопротивлением в открытом состоянии, находят применение в оконечных каскадах [усилителей мощности звуковых частот](/wiki/%D0%A3%D1%81%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C_%D0%BD%D0%B8%D0%B7%D0%BA%D0%BE%D0%B9_%D1%87%D0%B0%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%82%D1%8B "Усилитель низкой частоты") высокой мощности ( [Hi-Fi](/wiki/Hi-Fi "Hi-Fi")), где с успехом заменяют биполярные транзисторы и электронные лампы. Биполярные транзисторы с изолированным затвором ( [IGBT](/wiki/IGBT "IGBT")) — приборы, сочетающие биполярные и полевые транзисторы, — находят применение в устройствах большой мощности, например в [устройствах плавного пуска](/wiki/%D0%A3%D1%81%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%B9%D1%81%D1%82%D0%B2%D0%BE_%D0%BF%D0%BB%D0%B0%D0%B2%D0%BD%D0%BE%D0%B3%D0%BE_%D0%BF%D1%83%D1%81%D0%BA%D0%B0 "Устройство плавного пуска"), где успешно вытесняют [тиристоры](/wiki/%D0%A2%D0%B8%D1%80%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Тиристор").

## Схемы

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=10 "Редактировать раздел «Схемы»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=10 "Редактировать код раздела «Схемы»")\]

- [![Типы полевых транзисторов и их условные графические обозначения](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/c/cb/%D0%A2%D0%B8%D0%BF%D1%8B_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D1%8B%D1%85_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%BE%D0%B2.png/120px-%D0%A2%D0%B8%D0%BF%D1%8B_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D1%8B%D1%85_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%BE%D0%B2.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:%D0%A2%D0%B8%D0%BF%D1%8B_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D1%8B%D1%85_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%BE%D0%B2.png "Типы полевых транзисторов и их условные графические обозначения")

Типы полевых транзисторов и их условные графические обозначения


## См. также

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=11 "Редактировать раздел «См. также»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=11 "Редактировать код раздела «См. также»")\]

- [КМОП](/wiki/%D0%9A%D0%9C%D0%9E%D0%9F "КМОП")
- [Спиновый полевой транзистор](/wiki/%D0%A1%D0%BF%D0%B8%D0%BD%D0%BE%D0%B2%D1%8B%D0%B9_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Спиновый полевой транзистор")
- [Биполярный транзистор с изолированным затвором](/wiki/%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80_%D1%81_%D0%B8%D0%B7%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B0%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%BC_%D0%B7%D0%B0%D1%82%D0%B2%D0%BE%D1%80%D0%BE%D0%BC "Биполярный транзистор с изолированным затвором") (IGBT)

## Примечания

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=12 "Редактировать раздел «Примечания»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=12 "Редактировать код раздела «Примечания»")\]

1. [↑](#cite_ref-1)_И. П. Жеребцов_. Основы электроники. Изд. 5-е. — Л., 1989. — С. 114.
2. [↑](#cite_ref-_d4c21d45addf72e5_2-0)[Дьяконов, 2004](#CITEREFДьяконов2004).
3. [↑](#cite_ref-_165c304d2120f65c_3-0)[Бачурин, Ваксембург, Дьяконов и др., 1994](#CITEREFБачурин,_Ваксембург,_Дьяконов_и_др.1994).
4. [↑](#cite_ref-_f97954bc79e67a21_4-0)[Дьяконов, Максимчук, Ремнев, Смердов, 2002](#CITEREFДьяконов,_Максимчук,_Ремнев,_Смердов2002).
5. [↑](#cite_ref-_224de1957d51145a_5-0)[Li, 2006](#CITEREFLi2006).

## Литература

\[ [править](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit&section=13 "Редактировать раздел «Литература»") \| [править код](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit&section=13 "Редактировать код раздела «Литература»")\]

- _Дьяконов В. П._ Intel. Новейшие информационные технологии. Достижения и люди. — М.: СОЛОН-Пресс, 2004. — 416 с. — [ISBN 5980031499](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%98%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%87%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B8_%D0%BA%D0%BD%D0%B8%D0%B3/5980031499).
- _Бачурин В. В., Ваксембург В. Я., Дьяконов В. П. и др._ Схемотехника устройств на мощных полевых транзисторах: Справочник / Дьяконов В. П.. — М.: Радио и связь, 1994. — 280 с.
- _Дьяконов В. П., Максимчук А. А., Ремнев А. М., Смердов В. Ю._ Энциклопедия устройств на полевых транзисторах / Дьяконов В. П.. — М.: СОЛОН-Р, 2002. — 512 с.
- _Li, Sheng S._ Semiconductor Physical Electronics. — Second Edition. — Springer, 2006. — 708 с. — [ISBN 978-0-387-28893-2](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%98%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%87%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B8_%D0%BA%D0%BD%D0%B8%D0%B3/9780387288932).
- _Немчинов В. М., Никитаев В. Г., Ожогин М. А. и др._ Усилители с полевыми транзисторами / Степаненко И. П.. — М.: Советское радио, 1980. — 192 с.

[![Улучшение статьи](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/6/6c/Wiki_letter_w.svg/40px-Wiki_letter_w.svg.png)](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%9A%D0%B0%D0%BA_%D0%BF%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%B8%D1%82%D1%8C_%D1%81%D1%82%D0%B0%D1%82%D1%8C%D0%B8 "Улучшение статьи")

**Для улучшения этой статьи [желательно](/wiki/%D0%A8%D0%B0%D0%B1%D0%BB%D0%BE%D0%BD:Rq/%D0%9F%D0%BE%D1%8F%D1%81%D0%BD%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F "Шаблон:Rq/Пояснения"):**

- Проставить [сноски](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D0%BD%D0%BE%D1%81%D0%BA%D0%B8 "Википедия:Сноски"), внести более точные указания на источники.
- Проверить достоверность указанной в статье информации. На [странице обсуждения](/wiki/%D0%9E%D0%B1%D1%81%D1%83%D0%B6%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5:%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Обсуждение:Полевой транзистор") должны быть пояснения.

После исправления проблемы исключите её из списка. Удалите шаблон, если устранены все недостатки.

[![Перейти к шаблону «Электронные компоненты»](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/c/c9/Wikipedia_interwiki_section_gear_icon.svg/14px-Wikipedia_interwiki_section_gear_icon.svg.png)](/wiki/%D0%A8%D0%B0%D0%B1%D0%BB%D0%BE%D0%BD:%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D0%BA%D0%BE%D0%BC%D0%BF%D0%BE%D0%BD%D0%B5%D0%BD%D1%82%D1%8B "Перейти к шаблону «Электронные компоненты»")

[Электронные компоненты](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D0%BA%D0%BE%D0%BC%D0%BF%D0%BE%D0%BD%D0%B5%D0%BD%D1%82%D1%8B "Электронные компоненты")

Пассивные

[Резистор](/wiki/%D0%A0%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Резистор")[Переменный резистор](/wiki/%D0%A0%D0%B5%D0%BE%D1%81%D1%82%D0%B0%D1%82 "Реостат")[Подстроечный резистор](/wiki/%D0%9F%D0%BE%D0%B4%D1%81%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%B5%D1%87%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%80%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Подстроечный резистор")[Варистор](/wiki/%D0%92%D0%B0%D1%80%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Варистор")[Фоторезистор](/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Фоторезистор")[Конденсатор](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D1%81%D0%B0%D1%82%D0%BE%D1%80 "Электрический конденсатор")[Переменный конденсатор](/wiki/%D0%9F%D0%B5%D1%80%D0%B5%D0%BC%D0%B5%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D1%81%D0%B0%D1%82%D0%BE%D1%80 "Переменный конденсатор")[Подстроечный конденсатор](/wiki/%D0%9F%D0%BE%D0%B4%D1%81%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%B5%D1%87%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D1%81%D0%B0%D1%82%D0%BE%D1%80 "Подстроечный конденсатор")[Вариконд](/wiki/%D0%92%D0%B0%D1%80%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D0%B4 "Вариконд")[Катушка индуктивности](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%82%D1%83%D1%88%D0%BA%D0%B0_%D0%B8%D0%BD%D0%B4%D1%83%D0%BA%D1%82%D0%B8%D0%B2%D0%BD%D0%BE%D1%81%D1%82%D0%B8 "Катушка индуктивности")[Трансформатор](/wiki/%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%BD%D1%81%D1%84%D0%BE%D1%80%D0%BC%D0%B0%D1%82%D0%BE%D1%80 "Трансформатор")

- [Кварцевый резонатор](/wiki/%D0%9A%D0%B2%D0%B0%D1%80%D1%86%D0%B5%D0%B2%D1%8B%D0%B9_%D1%80%D0%B5%D0%B7%D0%BE%D0%BD%D0%B0%D1%82%D0%BE%D1%80 "Кварцевый резонатор")
- [Предохранитель](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D0%BF%D1%80%D0%B5%D0%B4%D0%BE%D1%85%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C "Электрический предохранитель")
- [Самовосстанавливающийся предохранитель](/wiki/%D0%A1%D0%B0%D0%BC%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D1%81%D1%81%D1%82%D0%B0%D0%BD%D0%B0%D0%B2%D0%BB%D0%B8%D0%B2%D0%B0%D1%8E%D1%89%D0%B8%D0%B9%D1%81%D1%8F_%D0%BF%D1%80%D0%B5%D0%B4%D0%BE%D1%85%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C "Самовосстанавливающийся предохранитель")
- [Мемристор](/wiki/%D0%9C%D0%B5%D0%BC%D1%80%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Мемристор")
- [Бареттер](/wiki/%D0%91%D0%B0%D1%80%D0%B5%D1%82%D1%82%D0%B5%D1%80 "Бареттер")

Активные

твердотельные

[Диод](/wiki/%D0%94%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Диод")[Светодиод](/wiki/%D0%A1%D0%B2%D0%B5%D1%82%D0%BE%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Светодиод")[Фотодиод](/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Фотодиод")[Лазерный диод](/wiki/%D0%9B%D0%B0%D0%B7%D0%B5%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Лазерный диод")[Диод Шоттки](/wiki/%D0%94%D0%B8%D0%BE%D0%B4_%D0%A8%D0%BE%D1%82%D1%82%D0%BA%D0%B8 "Диод Шоттки")[Стабилитрон](/wiki/%D0%A1%D1%82%D0%B0%D0%B1%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Стабилитрон")[Стабистор](/wiki/%D0%A1%D1%82%D0%B0%D0%B1%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Стабистор")[Варикап](/wiki/%D0%92%D0%B0%D1%80%D0%B8%D0%BA%D0%B0%D0%BF "Варикап")[Магнитодиод](/wiki/%D0%9C%D0%B0%D0%B3%D0%BD%D0%B8%D1%82%D0%BE%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Магнитодиод")[Диодный мост](/wiki/%D0%94%D0%B8%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%BC%D0%BE%D1%81%D1%82 "Диодный мост")[Диод Ганна](/wiki/%D0%94%D0%B8%D0%BE%D0%B4_%D0%93%D0%B0%D0%BD%D0%BD%D0%B0 "Диод Ганна")[Туннельный диод](/wiki/%D0%A2%D1%83%D0%BD%D0%BD%D0%B5%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Туннельный диод")[Лавинный диод](/wiki/%D0%9B%D0%B0%D0%B2%D0%B8%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Лавинный диод")[Лавинно-пролётный диод](/wiki/%D0%9B%D0%B0%D0%B2%D0%B8%D0%BD%D0%BD%D0%BE-%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%BB%D1%91%D1%82%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Лавинно-пролётный диод")[Транзистор](/wiki/%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Транзистор")[Биполярный транзистор](/wiki/%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Биполярный транзистор")Полевой транзистор[КМОП-транзистор](/wiki/%D0%9A%D0%9C%D0%9E%D0%9F "КМОП")[Однопереходный транзистор](/wiki/%D0%9E%D0%B4%D0%BD%D0%BE%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Однопереходный транзистор")[Фототранзистор](/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Фототранзистор")[Составной транзистор](/wiki/%D0%A1%D0%BE%D1%81%D1%82%D0%B0%D0%B2%D0%BD%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Составной транзистор")[Баллистический транзистор](/wiki/%D0%91%D0%B0%D0%BB%D0%BB%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Баллистический транзистор")[Интегральная схема](/wiki/%D0%98%D0%BD%D1%82%D0%B5%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%81%D1%85%D0%B5%D0%BC%D0%B0 "Интегральная схема")[Цифровая интегральная схема](/wiki/%D0%A6%D0%B8%D1%84%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B0%D1%8F_%D0%B8%D0%BD%D1%82%D0%B5%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%81%D1%85%D0%B5%D0%BC%D0%B0 "Цифровая интегральная схема")[Аналоговая интегральная схема](/wiki/%D0%90%D0%BD%D0%B0%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%BE%D0%B2%D0%B0%D1%8F_%D0%B8%D0%BD%D1%82%D0%B5%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%81%D1%85%D0%B5%D0%BC%D0%B0 "Аналоговая интегральная схема")[Аналого-цифровая интегральная схема](/wiki/%D0%90%D0%BD%D0%B0%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%BE-%D1%86%D0%B8%D1%84%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B0%D1%8F_%D0%B8%D0%BD%D1%82%D0%B5%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%81%D1%85%D0%B5%D0%BC%D0%B0 "Аналого-цифровая интегральная схема")[Гибридная интегральная схема](/wiki/%D0%93%D0%B8%D0%B1%D1%80%D0%B8%D0%B4%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BC%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%BE%D1%81%D1%85%D0%B5%D0%BC%D0%B0 "Гибридная микросхема")[Тиристор](/wiki/%D0%A2%D0%B8%D1%80%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Тиристор")[Симистор](/wiki/%D0%A1%D0%B8%D0%BC%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Симистор")[Динистор](/wiki/%D0%94%D0%B8%D0%BD%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Динистор")[Фототиристор](/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D1%82%D0%B8%D1%80%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Фототиристор")

- [Оптрон](/wiki/%D0%9E%D0%BF%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Оптрон") ( [Резисторная оптопара](/wiki/%D0%A0%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BE%D0%BF%D1%82%D0%BE%D0%BF%D0%B0%D1%80%D0%B0 "Резисторная оптопара"))
- [Датчик Холла](/wiki/%D0%94%D0%B0%D1%82%D1%87%D0%B8%D0%BA_%D0%A5%D0%BE%D0%BB%D0%BB%D0%B0 "Датчик Холла")

Активные вакуумные и

газоразрядные

**[Вакуумные лампы](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B0%D0%BC%D0%BF%D0%B0 "Электронная лампа")**[Электровакуумный диод](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B0%D0%BA%D1%83%D1%83%D0%BC%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Электровакуумный диод") ( [Кенотрон](/wiki/%D0%9A%D0%B5%D0%BD%D0%BE%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Кенотрон"))[Триод](/wiki/%D0%A2%D1%80%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Триод")[Тетрод](/wiki/%D0%A2%D0%B5%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%B4 "Тетрод")[Лучевой тетрод](/wiki/%D0%9B%D1%83%D1%87%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D0%B5%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%B4 "Лучевой тетрод")[Пентод](/wiki/%D0%9F%D0%B5%D0%BD%D1%82%D0%BE%D0%B4 "Пентод")[Гексод](/wiki/%D0%93%D0%B5%D0%BA%D1%81%D0%BE%D0%B4 "Гексод")[Гептод](/wiki/%D0%93%D0%B5%D0%BF%D1%82%D0%BE%D0%B4 "Гептод") ( [Пентагрид](/wiki/%D0%9F%D0%B5%D0%BD%D1%82%D0%B0%D0%B3%D1%80%D0%B8%D0%B4 "Пентагрид"))[Октод](/wiki/%D0%9E%D0%BA%D1%82%D0%BE%D0%B4 "Октод")[Нонод](/wiki/%D0%9D%D0%BE%D0%BD%D0%BE%D0%B4 "Нонод")[Механотрон](/wiki/%D0%9C%D0%B5%D1%85%D0%B0%D0%BD%D0%BE%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Механотрон")**[Газоразрядные лампы](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B0%D0%BC%D0%BF%D0%B0#Газоразрядные_лампы "Электронная лампа")**[Стабилитрон](/wiki/%D0%A1%D1%82%D0%B0%D0%B1%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD_%D1%82%D0%BB%D0%B5%D1%8E%D1%89%D0%B5%D0%B3%D0%BE_%D1%80%D0%B0%D0%B7%D1%80%D1%8F%D0%B4%D0%B0 "Стабилитрон тлеющего разряда")[Тиратрон](/wiki/%D0%A2%D0%B8%D1%80%D0%B0%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Тиратрон")[Игнитрон](/wiki/%D0%98%D0%B3%D0%BD%D0%B8%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Игнитрон")[Крайтрон](/wiki/%D0%9A%D1%80%D0%B0%D0%B9%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Крайтрон")[Тригатрон](/wiki/%D0%A2%D1%80%D0%B8%D0%B3%D0%B0%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Тригатрон")[Декатрон](/wiki/%D0%94%D0%B5%D0%BA%D0%B0%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Декатрон")

- [Магнетрон](/wiki/%D0%9C%D0%B0%D0%B3%D0%BD%D0%B5%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Магнетрон")
- [Клистрон](/wiki/%D0%9A%D0%BB%D0%B8%D1%81%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Клистрон")
- [Амплитрон](/wiki/%D0%90%D0%BC%D0%BF%D0%BB%D0%B8%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Амплитрон") ( [Платинотрон](/wiki/%D0%9F%D0%BB%D0%B0%D1%82%D0%B8%D0%BD%D0%BE%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD "Платинотрон"))
- [Лампа бегущей волны](/wiki/%D0%9B%D0%B0%D0%BC%D0%BF%D0%B0_%D0%B1%D0%B5%D0%B3%D1%83%D1%89%D0%B5%D0%B9_%D0%B2%D0%BE%D0%BB%D0%BD%D1%8B "Лампа бегущей волны")
- [Лампа обратной волны](/wiki/%D0%9B%D0%B0%D0%BC%D0%BF%D0%B0_%D0%BE%D0%B1%D1%80%D0%B0%D1%82%D0%BD%D0%BE%D0%B9_%D0%B2%D0%BE%D0%BB%D0%BD%D1%8B "Лампа обратной волны")
- [Электронно-лучевая трубка](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%BE-%D0%BB%D1%83%D1%87%D0%B5%D0%B2%D0%B0%D1%8F_%D1%82%D1%80%D1%83%D0%B1%D0%BA%D0%B0 "Электронно-лучевая трубка")

Устройства отображения

- [Электронно-лучевая трубка](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%BE-%D0%BB%D1%83%D1%87%D0%B5%D0%B2%D1%8B%D0%B5_%D0%BF%D1%80%D0%B8%D0%B1%D0%BE%D1%80%D1%8B "Электронно-лучевые приборы")
- [ЖК-дисплей](/wiki/%D0%96%D0%B8%D0%B4%D0%BA%D0%BE%D0%BA%D1%80%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%B0%D0%BB%D0%BB%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D0%B4%D0%B8%D1%81%D0%BF%D0%BB%D0%B5%D0%B9 "Жидкокристаллический дисплей")
- [Светодиод](/wiki/%D0%A1%D0%B2%D0%B5%D1%82%D0%BE%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4 "Светодиод")
- [Газоразрядный индикатор](/wiki/%D0%93%D0%B0%D0%B7%D0%BE%D1%80%D0%B0%D0%B7%D1%80%D1%8F%D0%B4%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B8%D0%BD%D0%B4%D0%B8%D0%BA%D0%B0%D1%82%D0%BE%D1%80 "Газоразрядный индикатор")
- [Вакуумно-люминесцентный индикатор](/wiki/%D0%92%D0%B0%D0%BA%D1%83%D1%83%D0%BC%D0%BD%D0%BE-%D0%BB%D1%8E%D0%BC%D0%B8%D0%BD%D0%B5%D1%81%D1%86%D0%B5%D0%BD%D1%82%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B8%D0%BD%D0%B4%D0%B8%D0%BA%D0%B0%D1%82%D0%BE%D1%80 "Вакуумно-люминесцентный индикатор")
- [Блинкерное табло](/wiki/%D0%91%D0%BB%D0%B8%D0%BD%D0%BA%D0%B5%D1%80%D0%BD%D0%BE%D0%B5_%D1%82%D0%B0%D0%B1%D0%BB%D0%BE "Блинкерное табло")
- [Семисегментный индикатор](/wiki/%D0%A1%D0%B5%D0%BC%D0%B8%D1%81%D0%B5%D0%B3%D0%BC%D0%B5%D0%BD%D1%82%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B8%D0%BD%D0%B4%D0%B8%D0%BA%D0%B0%D1%82%D0%BE%D1%80 "Семисегментный индикатор")
- [Матричный индикатор](/wiki/%D0%9C%D0%B0%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%87%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B8%D0%BD%D0%B4%D0%B8%D0%BA%D0%B0%D1%82%D0%BE%D1%80 "Матричный индикатор")
- [Кинескоп](/wiki/%D0%9A%D0%B8%D0%BD%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%BE%D0%BF "Кинескоп")

Акустические

- [Микрофон](/wiki/%D0%9C%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%BE%D1%84%D0%BE%D0%BD "Микрофон")
- [Громкоговоритель](/wiki/%D0%93%D1%80%D0%BE%D0%BC%D0%BA%D0%BE%D0%B3%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C "Громкоговоритель")
- [Тензорезистор](/wiki/%D0%A2%D0%B5%D0%BD%D0%B7%D0%BE%D1%80%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Тензорезистор")
- [Пьезокерамический излучатель](/wiki/%D0%9F%D1%8C%D0%B5%D0%B7%D0%BE%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D0%B8%D0%B7%D0%BB%D1%83%D1%87%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C "Пьезоэлектрический излучатель")
- [Зуммер](/wiki/%D0%97%D1%83%D0%BC%D0%BC%D0%B5%D1%80 "Зуммер")
- [Телефонный капсюль](/wiki/%D0%A2%D0%B5%D0%BB%D0%B5%D1%84%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%BA%D0%B0%D0%BF%D1%81%D1%8E%D0%BB%D1%8C "Телефонный капсюль")

Термоэлектрические

- [Терморезистор](/wiki/%D0%A2%D0%B5%D1%80%D0%BC%D0%BE%D1%80%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Терморезистор")
- [Термопара](/wiki/%D0%A2%D0%B5%D1%80%D0%BC%D0%BE%D0%BF%D0%B0%D1%80%D0%B0 "Термопара")
- [Элемент Пельтье](/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BC%D0%B5%D0%BD%D1%82_%D0%9F%D0%B5%D0%BB%D1%8C%D1%82%D1%8C%D0%B5 "Элемент Пельтье")

[![Перейти к шаблону «Транзисторные усилители»](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/c/c9/Wikipedia_interwiki_section_gear_icon.svg/14px-Wikipedia_interwiki_section_gear_icon.svg.png)](/wiki/%D0%A8%D0%B0%D0%B1%D0%BB%D0%BE%D0%BD:%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D1%83%D1%81%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D0%B8 "Перейти к шаблону «Транзисторные усилители»")

[Транзисторные](/wiki/%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Транзистор") [усилители](/wiki/%D0%A3%D1%81%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C "Усилитель")

[Биполярные транзисторы](/wiki/%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Биполярный транзистор")

- [с общим эмиттером](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%81%D0%BA%D0%B0%D0%B4_%D1%81_%D0%BE%D0%B1%D1%89%D0%B8%D0%BC_%D1%8D%D0%BC%D0%B8%D1%82%D1%82%D0%B5%D1%80%D0%BE%D0%BC "Каскад с общим эмиттером")
- [с общим коллектором](/wiki/%D0%AD%D0%BC%D0%B8%D1%82%D1%82%D0%B5%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%BF%D0%BE%D0%B2%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C "Эмиттерный повторитель")
- [с общей базой](/wiki/%D0%A3%D1%81%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%BA%D0%B0%D1%81%D0%BA%D0%B0%D0%B4_%D1%81_%D0%BE%D0%B1%D1%89%D0%B5%D0%B9_%D0%B1%D0%B0%D0%B7%D0%BE%D0%B9 "Усилительный каскад с общей базой")

[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/c/cb/BJT_NPN_symbol_%28case%29.svg/60px-BJT_NPN_symbol_%28case%29.svg.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:BJT_NPN_symbol_(case).svg)[![](//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/6/6d/JFET_N-dep_symbol.svg/60px-JFET_N-dep_symbol.svg.png)](/wiki/%D0%A4%D0%B0%D0%B9%D0%BB:JFET_N-dep_symbol.svg)

Полевые транзисторы

- [с общим стоком](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80_%D1%81_%D0%BE%D0%B1%D1%89%D0%B8%D0%BC_%D1%81%D1%82%D0%BE%D0%BA%D0%BE%D0%BC&action=edit&redlink=1 "Полевой транзистор с общим стоком (страница отсутствует)")
- [с общим истоком](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80_%D1%81_%D0%BE%D0%B1%D1%89%D0%B8%D0%BC_%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D0%BA%D0%BE%D0%BC&action=edit&redlink=1 "Полевой транзистор с общим истоком (страница отсутствует)")
- [с общим затвором](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80_%D1%81_%D0%BE%D0%B1%D1%89%D0%B8%D0%BC_%D0%B7%D0%B0%D1%82%D0%B2%D0%BE%D1%80%D0%BE%D0%BC&action=edit&redlink=1 "Полевой транзистор с общим затвором (страница отсутствует)")

[Транзисторные каскады](/w/index.php?title=%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%BA%D0%B0%D1%81%D0%BA%D0%B0%D0%B4&action=edit&redlink=1 "Транзисторный каскад (страница отсутствует)")

- [Пара Дарлингтона («составной» транзистор)](/wiki/%D0%A1%D0%BE%D1%81%D1%82%D0%B0%D0%B2%D0%BD%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Составной транзистор")
- [Пара Шиклаи](/wiki/%D0%9F%D0%B0%D1%80%D0%B0_%D0%A8%D0%B8%D0%BA%D0%BB%D0%B0%D0%B8 "Пара Шиклаи")
- [Дифференциальный каскад](/wiki/%D0%94%D0%B8%D1%84%D1%84%D0%B5%D1%80%D0%B5%D0%BD%D1%86%D0%B8%D0%B0%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%BA%D0%B0%D1%81%D0%BA%D0%B0%D0%B4 "Дифференциальный каскад")
- [Каскодный усилитель](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%81%D0%BA%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%83%D1%81%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C "Каскодный усилитель")

Источник — [https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Полевой\_транзистор&oldid=137600603](https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Полевой_транзистор&oldid=137600603)

[Категория](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%9A%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%B8%D0%B8 "Служебная:Категории"):

- [Транзисторы](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%8F:%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D1%8B "Категория:Транзисторы")

Скрытые категории:

- [Википедия:Статьи без сносок](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%8F:%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D1%82%D0%B0%D1%82%D1%8C%D0%B8_%D0%B1%D0%B5%D0%B7_%D1%81%D0%BD%D0%BE%D1%81%D0%BE%D0%BA "Категория:Википедия:Статьи без сносок")
- [Википедия:Статьи, достоверность которых требует проверки](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%8F:%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D1%82%D0%B0%D1%82%D1%8C%D0%B8,_%D0%B4%D0%BE%D1%81%D1%82%D0%BE%D0%B2%D0%B5%D1%80%D0%BD%D0%BE%D1%81%D1%82%D1%8C_%D0%BA%D0%BE%D1%82%D0%BE%D1%80%D1%8B%D1%85_%D1%82%D1%80%D0%B5%D0%B1%D1%83%D0%B5%D1%82_%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B5%D1%80%D0%BA%D0%B8 "Категория:Википедия:Статьи, достоверность которых требует проверки")
- [Википедия:Статьи с шаблонами недостатков по алфавиту](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%8F:%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D1%82%D0%B0%D1%82%D1%8C%D0%B8_%D1%81_%D1%88%D0%B0%D0%B1%D0%BB%D0%BE%D0%BD%D0%B0%D0%BC%D0%B8_%D0%BD%D0%B5%D0%B4%D0%BE%D1%81%D1%82%D0%B0%D1%82%D0%BA%D0%BE%D0%B2_%D0%BF%D0%BE_%D0%B0%D0%BB%D1%84%D0%B0%D0%B2%D0%B8%D1%82%D1%83 "Категория:Википедия:Статьи с шаблонами недостатков по алфавиту")
- [Страницы, использующие волшебные ссылки ISBN](/wiki/%D0%9A%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%86%D1%8B,_%D0%B8%D1%81%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8C%D0%B7%D1%83%D1%8E%D1%89%D0%B8%D0%B5_%D0%B2%D0%BE%D0%BB%D1%88%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D1%81%D1%81%D1%8B%D0%BB%D0%BA%D0%B8_ISBN "Категория:Страницы, использующие волшебные ссылки ISBN")

## Навигация

### Персональные инструменты

- Вы не представились системе
- [Обсуждение](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%9C%D0%BE%D1%91_%D0%BE%D0%B1%D1%81%D1%83%D0%B6%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5 "Страница обсуждений для моего IP [n]")
- [Вклад](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%9C%D0%BE%D0%B9_%D0%B2%D0%BA%D0%BB%D0%B0%D0%B4 "Список правок, сделанных с этого IP-адреса [y]")
- [Создать учётную запись](/w/index.php?title=%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A1%D0%BE%D0%B7%D0%B4%D0%B0%D1%82%D1%8C_%D1%83%D1%87%D1%91%D1%82%D0%BD%D1%83%D1%8E_%D0%B7%D0%B0%D0%BF%D0%B8%D1%81%D1%8C&returnto=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9+%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Мы предлагаем вам создать учётную запись и войти в систему, хотя это и не обязательно.")
- [Войти](/w/index.php?title=%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%92%D1%85%D0%BE%D0%B4&returnto=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9+%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Здесь можно зарегистрироваться в системе, но это необязательно. [o]")

### Пространства имён

- [Статья](/wiki/%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Просмотреть контентную страницу [c]")
- [Обсуждение](/wiki/%D0%9E%D0%B1%D1%81%D1%83%D0%B6%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5:%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Обсуждение основной страницы [t]")

русский

### Просмотры

- [Читать](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&stable=1)
- [Текущая версия](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&stable=0&redirect=no "Показать текущую версию этой страницы [v]")
- [Править](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&veaction=edit "Редактировать данную страницу [v]")
- [Править код](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=edit "Править исходный текст этой страницы [e]")
- [История](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=history "Журнал изменений страницы [h]")

Ещё

### Поиск

[Перейти на заглавную страницу](/wiki/%D0%97%D0%B0%D0%B3%D0%BB%D0%B0%D0%B2%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%81%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%86%D0%B0 "Перейти на заглавную страницу")

### Навигация

- [Заглавная страница](/wiki/%D0%97%D0%B0%D0%B3%D0%BB%D0%B0%D0%B2%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%81%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%86%D0%B0 "Перейти на заглавную страницу [z]")
- [Содержание](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D0%BE%D0%B4%D0%B5%D1%80%D0%B6%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D0%B5)
- [Избранные статьи](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%98%D0%B7%D0%B1%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D1%81%D1%82%D0%B0%D1%82%D1%8C%D0%B8 "Статьи, считающиеся лучшими статьями проекта")
- [Случайная статья](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A1%D0%BB%D1%83%D1%87%D0%B0%D0%B9%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D1%81%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%86%D0%B0 "Посмотреть случайно выбранную страницу [x]")
- [Текущие события](/wiki/%D0%9F%D0%BE%D1%80%D1%82%D0%B0%D0%BB:%D0%A2%D0%B5%D0%BA%D1%83%D1%89%D0%B8%D0%B5_%D1%81%D0%BE%D0%B1%D1%8B%D1%82%D0%B8%D1%8F "Статьи о текущих событиях в мире")
- [Пожертвовать](//donate.wikimedia.org/wiki/Special:FundraiserRedirector?utm_source=donate&utm_medium=sidebar&utm_campaign=C13_ru.wikipedia.org&uselang=ru "Поддержите нас")

### Участие

- [Сообщить об ошибке](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D0%BE%D0%BE%D0%B1%D1%89%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F_%D0%BE%D0%B1_%D0%BE%D1%88%D0%B8%D0%B1%D0%BA%D0%B0%D1%85 "Сообщить об ошибке в этой статье")
- [Как править статьи](/wiki/%D0%A1%D0%BF%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%BA%D0%B0:%D0%92%D0%B2%D0%B5%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5)
- [Сообщество](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D0%BE%D0%BE%D0%B1%D1%89%D0%B5%D1%81%D1%82%D0%B2%D0%BE "О проекте, о том, чем здесь можно заниматься, а также — где что находится")
- [Форум](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A4%D0%BE%D1%80%D1%83%D0%BC "Форум участников Википедии")
- [Свежие правки](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A1%D0%B2%D0%B5%D0%B6%D0%B8%D0%B5_%D0%BF%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%BA%D0%B8 "Список последних изменений [r]")
- [Новые страницы](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%9D%D0%BE%D0%B2%D1%8B%D0%B5_%D1%81%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%86%D1%8B "Список недавно созданных страниц")
- [Справка](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%A1%D0%BF%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%BA%D0%B0 "Место расположения Справки")

### Инструменты

- [Ссылки сюда](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A1%D1%81%D1%8B%D0%BB%D0%BA%D0%B8_%D1%81%D1%8E%D0%B4%D0%B0/%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Список всех страниц, ссылающихся на данную [j]")
- [Связанные правки](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A1%D0%B2%D1%8F%D0%B7%D0%B0%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D0%BF%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%BA%D0%B8/%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Последние изменения в страницах, на которые ссылается эта страница [k]")
- [Служебные страницы](/wiki/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A1%D0%BF%D0%B5%D1%86%D1%81%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%86%D1%8B "Список служебных страниц [q]")
- [Постоянная ссылка](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&oldid=137600603 "Постоянная ссылка на эту версию страницы")
- [Сведения о странице](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=info "Подробнее об этой странице")
- [Цитировать страницу](/w/index.php?title=%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%A6%D0%B8%D1%82%D0%B0%D1%82%D0%B0&page=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&id=137600603&wpFormIdentifier=titleform "Информация о том, как цитировать эту страницу")
- [Получить короткий URL](/w/index.php?title=%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:UrlShortener&url=https%3A%2F%2Fru.wikipedia.org%2Fwiki%2F%25D0%259F%25D0%25BE%25D0%25BB%25D0%25B5%25D0%25B2%25D0%25BE%25D0%25B9_%25D1%2582%25D1%2580%25D0%25B0%25D0%25BD%25D0%25B7%25D0%25B8%25D1%2581%25D1%2582%25D0%25BE%25D1%2580)
- [Скачать QR-код](/w/index.php?title=%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:QrCode&url=https%3A%2F%2Fru.wikipedia.org%2Fwiki%2F%25D0%259F%25D0%25BE%25D0%25BB%25D0%25B5%25D0%25B2%25D0%25BE%25D0%25B9_%25D1%2582%25D1%2580%25D0%25B0%25D0%25BD%25D0%25B7%25D0%25B8%25D1%2581%25D1%2582%25D0%25BE%25D1%2580)
- [Элемент Викиданных](https://www.wikidata.org/wiki/Special:EntityPage/Q176097 "Ссылка на связанный элемент репозитория данных [g]")

### Печать/экспорт

- [Скачать как PDF](/w/index.php?title=%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:DownloadAsPdf&page=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&action=show-download-screen "Скачать эту страницу как файл PDF")
- [Версия для печати](/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&printable=yes "Версия этой страницы для печати [p]")

### В других проектах

- [Викисклад](https://commons.wikimedia.org/wiki/Category:Field-effect_Transistors)

### На других языках

- [العربية](https://ar.wikipedia.org/wiki/%D8%AA%D8%B1%D8%A7%D9%86%D8%B2%D8%B3%D8%AA%D9%88%D8%B1_%D8%A7%D9%84%D8%A3%D8%AB%D8%B1_%D8%A7%D9%84%D8%AD%D9%82%D9%84%D9%8A "ترانزستور الأثر الحقلي — арабский")
- [Беларуская](https://be.wikipedia.org/wiki/%D0%9F%D0%B0%D0%BB%D1%8F%D0%B2%D1%8B_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D1%96%D1%81%D1%82%D0%B0%D1%80 "Палявы транзістар — белорусский")
- [Беларуская (тарашкевіца)](https://be-tarask.wikipedia.org/wiki/%D0%9F%D0%B0%D0%BB%D1%8F%D0%B2%D1%8B_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D1%8B%D1%81%D1%82%D0%B0%D1%80 "Палявы транзыстар — Belarusian (Taraškievica orthography)")
- [Български](https://bg.wikipedia.org/wiki/%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%B8_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Полеви транзистор — болгарский")
- [বাংলা](https://bn.wikipedia.org/wiki/%E0%A6%AB%E0%A6%BF%E0%A6%B2%E0%A7%8D%E0%A6%A1-%E0%A6%87%E0%A6%AB%E0%A7%87%E0%A6%95%E0%A7%8D%E0%A6%9F_%E0%A6%9F%E0%A7%8D%E0%A6%B0%E0%A6%BE%E0%A6%A8%E0%A6%9C%E0%A6%BF%E0%A6%B8%E0%A7%8D%E0%A6%9F%E0%A6%B0 "ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর — бенгальский")
- [Bosanski](https://bs.wikipedia.org/wiki/Unipolarni_tranzistori "Unipolarni tranzistori — боснийский")
- [Català](https://ca.wikipedia.org/wiki/Transistor_d%27efecte_camp "Transistor d'efecte camp — каталанский")
- [Čeština](https://cs.wikipedia.org/wiki/Unipol%C3%A1rn%C3%AD_tranzistor "Unipolární tranzistor — чешский")
- [Dansk](https://da.wikipedia.org/wiki/Felteffekttransistor "Felteffekttransistor — датский")
- [Deutsch](https://de.wikipedia.org/wiki/Feldeffekttransistor "Feldeffekttransistor — немецкий")
- [English](https://en.wikipedia.org/wiki/Field-effect_transistor "Field-effect transistor — английский")
- [Español](https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo "Transistor de efecto campo — испанский")
- [Eesti](https://et.wikipedia.org/wiki/V%C3%A4ljatransistor "Väljatransistor — эстонский")
- [Estremeñu](https://ext.wikipedia.org/wiki/FET "FET — Extremaduran")
- [فارسی](https://fa.wikipedia.org/wiki/%D8%AA%D8%B1%D8%A7%D9%86%D8%B2%DB%8C%D8%B3%D8%AA%D9%88%D8%B1_%D8%A7%D8%AB%D8%B1_%D9%85%DB%8C%D8%AF%D8%A7%D9%86 "ترانزیستور اثر میدان — персидский")
- [Suomi](https://fi.wikipedia.org/wiki/Kanavatransistori "Kanavatransistori — финский")
- [Français](https://fr.wikipedia.org/wiki/Transistor_%C3%A0_effet_de_champ "Transistor à effet de champ — французский")
- [हिन्दी](https://hi.wikipedia.org/wiki/%E0%A4%95%E0%A5%8D%E0%A4%B7%E0%A5%87%E0%A4%A4%E0%A5%8D%E0%A4%B0_%E0%A4%AA%E0%A5%8D%E0%A4%B0%E0%A4%AD%E0%A4%BE%E0%A4%B5_%E0%A4%9F%E0%A5%8D%E0%A4%B0%E0%A4%BE%E0%A4%82%E0%A4%9C%E0%A4%BF%E0%A4%B8%E0%A5%8D%E0%A4%9F%E0%A4%B0 "क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर — хинди")
- [Bahasa Indonesia](https://id.wikipedia.org/wiki/Transistor_efek%E2%80%93medan "Transistor efek–medan — индонезийский")
- [Italiano](https://it.wikipedia.org/wiki/Transistor_a_effetto_di_campo "Transistor a effetto di campo — итальянский")
- [日本語](https://ja.wikipedia.org/wiki/%E9%9B%BB%E7%95%8C%E5%8A%B9%E6%9E%9C%E3%83%88%E3%83%A9%E3%83%B3%E3%82%B8%E3%82%B9%E3%82%BF "電界効果トランジスタ — японский")
- [Jawa](https://jv.wikipedia.org/wiki/Transistor_efek%E2%80%93medan "Transistor efek–medan — яванский")
- [Қазақша](https://kk.wikipedia.org/wiki/%D3%A8%D1%80%D1%96%D1%81%D1%82%D1%96_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Өрісті транзистор — казахский")
- [한국어](https://ko.wikipedia.org/wiki/%EC%9E%A5%ED%9A%A8%EA%B3%BC_%ED%8A%B8%EB%9E%9C%EC%A7%80%EC%8A%A4%ED%84%B0 "장효과 트랜지스터 — корейский")
- [Lietuvių](https://lt.wikipedia.org/wiki/Lauko_tranzistorius "Lauko tranzistorius — литовский")
- [Latviešu](https://lv.wikipedia.org/wiki/Lauktranzistors "Lauktranzistors — латышский")
- [Македонски](https://mk.wikipedia.org/wiki/%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80_%D1%81%D0%BE_%D0%B5%D1%84%D0%B5%D0%BA%D1%82_%D0%BD%D0%B0_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D0%B5 "Транзистор со ефект на поле — македонский")
- [മലയാളം](https://ml.wikipedia.org/wiki/%E0%B4%AB%E0%B5%80%E0%B5%BD%E0%B4%A1%E0%B5%8D-%E0%B4%87%E0%B4%AB%E0%B4%95%E0%B5%8D%E0%B4%B1%E0%B5%8D%E0%B4%B1%E0%B5%8D_%E0%B4%9F%E0%B5%8D%E0%B4%B0%E0%B4%BE%E0%B5%BB%E0%B4%B8%E0%B4%BF%E0%B4%B8%E0%B5%8D%E0%B4%B1%E0%B5%8D%E0%B4%B1%E0%B5%BC "ഫീൽഡ്-ഇഫക്റ്റ് ട്രാൻസിസ്റ്റർ — малаялам")
- [Монгол](https://mn.wikipedia.org/wiki/%D0%9E%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%B3%D0%B8%D0%B9%D0%BD_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Оронгийн транзистор — монгольский")
- [Nederlands](https://nl.wikipedia.org/wiki/Veldeffecttransistor "Veldeffecttransistor — нидерландский")
- [Polski](https://pl.wikipedia.org/wiki/Tranzystor_polowy "Tranzystor polowy — польский")
- [Português](https://pt.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efeito_de_campo "Transistor de efeito de campo — португальский")
- [Română](https://ro.wikipedia.org/wiki/Tranzistor_unipolar "Tranzistor unipolar — румынский")
- [Srpskohrvatski / српскохрватски](https://sh.wikipedia.org/wiki/Tranzistor_sa_efektom_polja "Tranzistor sa efektom polja — сербскохорватский")
- [Slovenčina](https://sk.wikipedia.org/wiki/Tranzistor_riaden%C3%BD_po%C4%BEom "Tranzistor riadený poľom — словацкий")
- [Slovenščina](https://sl.wikipedia.org/wiki/Tranzistor_na_poljski_pojav "Tranzistor na poljski pojav — словенский")
- [Shqip](https://sq.wikipedia.org/wiki/Transistori_me_efekt_t%C3%AB_fush%C3%ABs "Transistori me efekt të fushës — албанский")
- [Српски / srpski](https://sr.wikipedia.org/wiki/%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80_%D1%81%D0%B0_%D0%B5%D1%84%D0%B5%D0%BA%D1%82%D0%BE%D0%BC_%D0%BF%D0%BE%D1%99%D0%B0 "Транзистор са ефектом поља — сербский")
- [Seeltersk](https://stq.wikipedia.org/wiki/F%C3%A4ild-Effekt-Transistore "Fäild-Effekt-Transistore — Saterland Frisian")
- [Svenska](https://sv.wikipedia.org/wiki/F%C3%A4lteffekttransistor "Fälteffekttransistor — шведский")
- [தமிழ்](https://ta.wikipedia.org/wiki/%E0%AE%AE%E0%AE%BF%E0%AE%A9%E0%AF%8D%E0%AE%AA%E0%AF%81%E0%AE%B2_%E0%AE%B5%E0%AE%BF%E0%AE%B3%E0%AF%88%E0%AE%B5%E0%AF%81%E0%AE%A4%E0%AF%8D_%E0%AE%A4%E0%AE%BF%E0%AE%B0%E0%AE%BF%E0%AE%A4%E0%AE%9F%E0%AF%88%E0%AE%AF%E0%AE%AE%E0%AF%8D "மின்புல விளைவுத் திரிதடையம் — тамильский")
- [Türkçe](https://tr.wikipedia.org/wiki/Alan_etkili_transist%C3%B6r "Alan etkili transistör — турецкий")
- [Українська](https://uk.wikipedia.org/wiki/%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D1%8C%D0%BE%D0%B2%D0%B8%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 "Польовий транзистор — украинский")
- [اردو](https://ur.wikipedia.org/wiki/%D9%81%DB%8C%D9%84%DA%88_%D8%A7%DB%8C%D9%81%DB%8C%DA%A9%D9%B9_%D9%B9%D8%B1%D8%A7%D9%86%D8%B2%D8%B3%D9%B9%D8%B1 "فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر — урду")
- [Tiếng Việt](https://vi.wikipedia.org/wiki/Transistor_hi%E1%BB%87u_%E1%BB%A9ng_tr%C6%B0%E1%BB%9Dng "Transistor hiệu ứng trường — вьетнамский")
- [吴语](https://wuu.wikipedia.org/wiki/%E5%9C%BA%E6%95%88%E5%BA%94%E7%AE%A1 "场效应管 — у")
- [中文](https://zh.wikipedia.org/wiki/%E5%9C%BA%E6%95%88%E5%BA%94%E7%AE%A1 "场效应管 — китайский")

[Править ссылки](https://www.wikidata.org/wiki/Special:EntityPage/Q176097#sitelinks-wikipedia "Править ссылки на другие языки")

- Эта страница в последний раз была отредактирована 4 мая 2024 в 21:13.
- Текст доступен по [лицензии Creative Commons «С указанием авторства — С сохранением условий» (CC BY-SA)](//creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/deed.ru); в отдельных случаях могут действовать дополнительные условия.
  Подробнее см. [Условия использования](//foundation.wikimedia.org/wiki/Policy:Terms_of_Use/ru).


  Wikipedia® — зарегистрированный товарный знак некоммерческой организации [«Фонд Викимедиа» (Wikimedia Foundation, Inc.)](//wikimediafoundation.org/ru/)

- [Политика конфиденциальности](https://foundation.wikimedia.org/wiki/Special:MyLanguage/Policy:Privacy_policy/ru)
- [Описание Википедии](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%9E%D0%BF%D0%B8%D1%81%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D0%B5)
- [Отказ от ответственности](/wiki/%D0%92%D0%B8%D0%BA%D0%B8%D0%BF%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D1%8F:%D0%9E%D1%82%D0%BA%D0%B0%D0%B7_%D0%BE%D1%82_%D0%BE%D1%82%D0%B2%D0%B5%D1%82%D1%81%D1%82%D0%B2%D0%B5%D0%BD%D0%BD%D0%BE%D1%81%D1%82%D0%B8)
- [Свяжитесь с нами](//ru.wikipedia.org/wiki/Википедия:Контакты)
- [Кодекс поведения](https://foundation.wikimedia.org/wiki/Policy:Universal_Code_of_Conduct/ru)
- [Разработчики](https://developer.wikimedia.org)
- [Статистика](https://stats.wikimedia.org/#/ru.wikipedia.org)
- [Заявление о куки](https://foundation.wikimedia.org/wiki/Special:MyLanguage/Policy:Cookie_statement)
- [Мобильная версия](//ru.m.wikipedia.org/w/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80&mobileaction=toggle_view_mobile)

- [![Wikimedia Foundation](/static/images/footer/wikimedia-button.svg)](https://wikimediafoundation.org/)
- [![Powered by MediaWiki](/w/resources/assets/poweredby_mediawiki.svg)](https://www.mediawiki.org/)