kk en ru ru ru kk ru ru ru ru kk kk kk kk kk kk kk kk kk kk kk kk kk kk kk kk en ru ru ru ru kk uk ru ru ru ru ru kk kk kk kk uk kk kk kk kk kk kk kk kk hu kk kk kk kk uk kk kk kk kk kk kk kk ru kk kk kk kk kk kk kk kk kk kk kk ru kk kk kk kk kk kk kk ba kk kk kk ru ru ru ru ru ru ru ru ru ru ru ru ru ru ru ce ru ru ru ru ru ru ru
Сирстің дислокационды моделі — allRefs.net
рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры
Выберите учебное заведение Поиск работы по ВУЗу Тульский Государственный Университе Санкт-Петербургский Государственный Байкальский Государственный Универс Белорусский Государственный Универс Государственный Педагогический Унив Санкт-Петербургский Государственный Государственный Педагогический Унив Петербургский Государственный Униве Вятский Государственный Гуманитарны Государственный Технический Универс Московский Психолого-Социальный Инс Казанский Государственный Технологи Запорожская Государственная Инженер Государственный Технический Универс Красноярский Государственный Универ
Сирстің дислокационды моделі - раздел Образование, Сурет. Дайын Нанобөлшектерді Зерттеу К.херрингтің Радиосхемелардың u...
Нанобөлшектерді зерттеу К.Херрингтің радиосхемелардың қалайы жамылғыларынан (жалғау жерлерінде) жіңішке кристалды мұртшалар табуынан басталған. Ол мұртшалар радиоқабылдағыштың істеуіне кедергі жасады.
Экспоненциалды өсу мына жағдайларда тоқтайды, егер а- егер табаншаға түскен атомда төбешікке жете алмаса. Бұл орындалуы мүмкін, егер: 1-диффузия жылдамдығы кристалдың өсу жылдамдығынан көп артық болса (атомдар төбешікке жетпей буланады); 2- диффузия жылдамдығы кристалдың өсу жылдамдығынан аз болса (табанша негізінен диффундирлеуші атомдар өсіп бара жатқан басқа жете алмайды).
Атомдар төбешікке жету шарттары бойынша олар L қашықтыққа критикалық t уақыт ішінде диффундирлеп үлгеру керек. Бұл кезде кристалл ұзындығы L0-ден L- ге дейін өзгереді. Егер бұл шарт орындалмаса, онда бүйір бұрыштарында жаңа қабаттар өсе бастайды.
Сызықты өсу диффузия жылдамдығы өте үлкен және аз болғанда, беттік қабаттар өсуі кезінде және өсу бөлшектері пайда болғанда жойылады.
Тәжірибелер кезінде көбінесе үлкен жіпше тәрізді кристалдар түзілген, тек қана белгілі бір жағдайда ған «субмикронды диаметр, кристалданудың төменгі температуралары және т.б.) микробөлшектердің өсуі байқалды, бұл кезде қиықтар формасы дөңгелеке жақын болды.
Бөлшектердің өсуі процесін реттейтін температуралық және газдар қысымына тәуелділіктер эксперименталды есептелінді одан кейін дәлелденді. Өсетін бөлшектердің қырларының өсуіне байланысты классификация жасалынды. Егер қырлар біркелкі және екі өлшемді кеңістікте өссе – бұл F-қырлар, сатылардаң болуы S- қырлар, кедір-бұдырлары К- қырлар.
К қырлар үшін өсу аса қанығу коэффициентіне тура пропорционал (15,7-ге дейін қалыпты жағдайда t=250С). Егер қанығу коэффициенті 15,7- ден көп болса, өсу тоқтайды да бөлшектер қалыңдай бастайды, алайда коэффициент 15,7- ден төмендегенде қайтадан өсе бастайды. Қанығу коэффициенті қанықпау коэффициентіне теңелген кезде қырлар қысқара бастайды. Атомдар кристалдың ұшына емес, қырларда диффундирленеді де, сол жерде десорбцияланады. Бұл кезде кристалдардың ұзындығының өсу және кему жылдамдықтары сызықты ережеге бағынады. Сонымен жіңішке кристалдар кезінде олардың ұштарындағы конденсацияны ескермеуге болады, бұл кезде оның өсу жылдамдығы кристалл радиусына тура пропорционал болады.
Алайда бұл модель бірөлшемді жіпше тәрізді бөлшектердің Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Pd, Ag және Cd газ фазасынан бір бағытта өсуін түсіндіре алмайды. Осы кристалдарды зерттеген Уэббон винтті остің бар екенін тек қан Pd –ден ғана байқаған.
Открыть в широком формате
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
ткен асырды то саныншы жылдары наном лшерлі б лшектерге деген сураныс к рт сті Ол ылымда... рылысты наноде гей дисперсті ж йелердегі тек бір... Нано онды т біріні зі гректі с зінен...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Сирстің дислокационды моделі
Что будем делать с полученным материалом:
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Все темы данного раздела:
Қазір нанозаттың қолданбайтын ауданын айту өте қиын: химиялық және нефтехимиялық өндірістегі кеуекті материалдар (катализаторлар, адсорбенттер,
7. Көмір графитті материалдардың өнеркәсіптік дамуына кремний карбиді өндірісі бойынша пештердің жұмыс істеуі мен жасанды графитті электротермиялық а
1995 жылы БДҰ-да зертелетін объектілердің систематикалары мен өлшем классификацияларына байланысты оларды 4 өлшем деңгейлеріне қолдану керектігіне ұсыныс ж
Наноиндивидтердің құрылымы, құрамы және қасиеттері әлі толық түрде зерттелмеген. Сонымен қатар, олардың алуантүрлігін &
Фуллерен және фуллеренді морфоқұрылымдар.
ИЮПАК келісімдер бойынша фуллерендер толығымен үш рет координирленген көміртегі атомымен құралып, 12 пентагональді және (n - 10) /2 гексагональді бұрыштард
Көмірсутегі түзуші материалдардың терминологиялық сөздігі
Техникалық көміртегі немесе күйе– көміртегі заттарының толығымен жанбаған немесе термиялық ыдыраудан кейінгі өнімдері. Бұ
Жану Проблемасы Институтының наноқұрылымды заттар лабораториясының профессоры Р. М. Мансурованың жетелеуімен синтез және наноөлшемді бөлшектерді зерт
Наноөлшемді бөлшектер дегеніміз не?
Бұл бөлшектер өлшемі 100 нм-ден аспайтын немесе бөлінбейтін құрылымды бірлік. Молекулярлы динамика әдісі бойынша бөлшектердің қ&
Көміртекті нанотүтікшелерді 1981 жылы жапон зерттеушісі Сумио Ииджима ашқан. Ииджима оларды көміртекті молекулярлы талшықтар деп атаған. Олар
С60 және С70 фуллерендердің құрылысы
а б 3.6-сурет. Фуллерендерді бөлшектердің сызбалық көрінісі: С60 – а және С
«Түтікше» термині ұзартылған бөлшектің ішінде остік жазықтық бар деген мағынаны береді. Болуы мүмкін ұзартылған бөлшектерден
Нанобөлшектердің түзілу және өсу моделдері
Наноразмерлі бөлшектерді синтездеу бойынша алынған көптеген тәжірибелік мәліметтер олардың түзілуін түсіндіретін әртүрлі модельдерді туды
Бу-сұйық-кристалл (БСК) – Вагнер – Элис механизмі
Жіпше тәрізді кристалдарды өсіруге арналған әртүрлі ортадағы және әртүрлі матрицадағы жүргізілген эксперименттердің көп
БСК механизмін қолдану мысалдары
П.А.Теснер мен И.С. Рафалькес жасаған катализатор бетінде көмірсутектердің термиялық ыдырауы барысында көміртектің түзілу кинетикасын зерттеуге арналғ
Қатты нанобөлшектердің түзілуі тек қана бөлшектердің размерлерін наноразмерге дейін кішірейтуге ған (ыдырату), немесе сұйық не газ т|
Нанокристалды ұнтақтарды синтездеу әдісі
6.1.1 Газфазалы синтез – бұл нанокристалды ұнтақтарды синтездеудің ең қарапайым әдісі. Оқшауланған нанобөлшектерді метал
Нанотүтікшелерді синтездеу үшін әртүрлі реакторлардың көптеген варианттары қолданылады, алайда вакуумді камера ең жақсысы болып қалып оты
Нанотүтікшелерді алудың келесі әдісін 1992 жылы Леонид Чернозатонский жетекшілігімен Ресейдің ғылым академиясының бір топ ғалымдары ашты. Бұл ғ
Атомдар мен молекулалардың адсорбциясы беттің негізгі қасиеттерімен анықталады. Бұрынырақ қарастырылған таза монокристалды бет жоғары вакуумды&
1. Металл оксидтерінің бетінде этиленнің адсорбциялануы. Оксидтердің бетінде этиленнің адсорбциясы тез орындалады және қайтымсыз
Су молекуласының адсорбциясы және кеуекті ионалмастырғыштағы темір атомдарының атомдық динамикасы.
Темір ионының иондыалмасу сульфошайырына су молекуласының адсорбциясымен (гидратациясымен) ионды алмастыру арқылы енгізілген атомдық динамикасы зерттелді. Бұл шайырлар
Су адсорбцясы және су кластері мен полимерлі тордың динамикасы.
Мессбауэрлік атомдары жоқ сорбенттердегі су адсорбциясының әсерін зерттеу үшін мессбауэр спектроскопиясы әдісін қолдана отырып мессбауэр сәулесінің р
Мысал ретінде MgO бетінде Со2+ атомдары бар COxMg1-xO катализаторындағы Со-тың тотығу реакциясы қарас
Электронды алмасу мен электрондарды делокализдеу пропиленнің акролеинге парциальды тотығуына әкелетін 48СоМоО4·3 Fe2 (МоО4)3·2 Bi
Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Новости и инфо для студентов
Информация в виде рефератов, конспектов, лекций, курсовых и дипломных работ имеют своего автора, которому принадлежат права. Поэтому, прежде чем использовать какую либо информацию с этого сайта, убедитесь, что этим Вы не нарушаете чье либо право.
© copyright 1999 - 2017 allRefs.net. Все права защищены. Страница сгенерирована за: 0.027 сек.