title: УЧ ҚАТЛАМЛИ СТРУКТУРАЛАРДА ДИЭЛЕКТРИК ҚАТЛАМНИ СИРТИЙ ҲОЛАТЛАР ЗИЧЛИГИГА
text: Namangan Institute of Engineering and Technology
  nammti.uz
  10.25.2023
  Pg.205
  Tadqiqotlarda mikroelektronikada keng qo`llaniladigan Al – SiO
  2
  – n – Si, tipdagi kremniyni
  termik oksidlash (KEF – 5, krist. orientasiya <101>) xlorli muxitda (700
  0
  C, 30 min)
  olingan
  namunalardan foydalanildi. Namuna Si dagi kislorod konsentrasiyasi 3.4·10
  17
  ni tashkil etgan. Asosiy
  tadqiqot metodi sifatida yuqori chastotali qorong`ulik sig`im-kuchlanish xarakteristikasi usulidan
  foydalanildi. Tayyorlangan strukturalarning qorong`ulikda 21
  0
  C temperaturada 150 kGs chastotada
  oksidlanish qatlami sig`imiga normallashtirilgan sig`im-kuchlanish xarakteristikasi o`lchash natijalari
  xisoblanganda kuchlanishning – 0,5 V qiymati yaqinida sig`im-kuchlanish
  xarakteristikasining
  nomonoton o`zgarishi kuzatiladi.
  Xulosa. Demak, MDYa sirtiy holatlar zichligini taqsimlanishi birjinsli emasligiga sabab
  yarimo`tkazgich-dielektrik chegara yaqinidagi markaz ekan. Kuchlanish mavjud bo`lmaganda
  mazkur markaz neytral bo`ladi. Yuqori inversion kuchlanishlarda
  esa markaz ionlashib, uni
  shakllanish tezligini kamaytiradi. Markaz to`la ionlashganida inversion qatlam zaryadi ortib,
  strukturaning o`lchanayotgan sig`imini kamaytiradi.
  101>