title: = 1/2, b- n - Namangan Institute of Engineering and Technology nammti uz
text: Namangan Institute of Engineering and Technology
  nammti.uz
  10.25.2023
  Pg.193
  Если распределение плотности в разрешенных зонах
  имеет линейную зависимость,
  чтобы получить аналитическое решение интеграла (1), его нужно разделить на два
  составляющие: распределения гиперболического секанса и гауссовского. В
  случае такой
  замены погрешность ошибки не превышает от ошибок эксперимента. Аналитические
  решения этих интегралов получены в работе [4].
  Полученные расчетные результаты этих выражений, показаны на рисунке 1-
  b. Видно,
  что эти кривые на рисунках 1-
  а и 1-
  b одинаковы.
  Эти результаты показывают, что спектры
  коэффициента дефектного поглощения, не зависит от степени распределения плотности
  состояний в разрешенных зонах. В этих спектрах слабые максимумы находятся в
  энергетическом положении, где энергия поглощенного фотона равно на
  ħω=ε
  C
  -ε
  D
  и
  ħω=ε
  D
  -ε
  V.
  .
  Известно, что энергетическое зависимость плотности состояний в валентной зоны и
  зоны проводимости очень сложна и может иметь несколько максимумы и минимумы [4].
  Учитывая это, мы предполагаем, что плотность нелокализованных электронных состояний на
  границах разрешенных зон подчиняется распределению
  гаусса или гиперболическую
  секанса. Аналитические решения этих интегралов получены в работе [4].
  Результаты расчетов, полученные из выражений, показаны на рисунке 2. Как видно из
  рисунка, спектры дефектного поглощения имеет явные максимумы и энергетические
  положение этих максимумов находится в
  ħω=ε
  C
  -ε
  D
  или
  ħω=ε
  D
  -ε
  V.
  .