title: Foydalanilgan adabiyotlar
text: |
  Foydalanilgan adabiyotlar Pdf ko'rish
  |
  bet | 225/693 | Sana | 13.05.2024 | Hajmi | 15,56 Mb. | | #228860 |
  Bog'liq ТўпламFoydalanilgan adabiyotlar
  1.
  Mamatkarimov, O. O. Quchqarov, B. X. Abdulkhayev, A. A. (2020). Influence of the
  ultrasonic irradiation on characteristic of the structures metal-glass-semiconductor. “International
  Conference on Energetics, Civil and Engineering”, 614 012027, 14-16.
  2.
  Mamatkarimov, O. O. Quchqarov, B. X. Abdulkhayev, A. A. (2019). Релаксационная
  зависимость емкости трехслойной структуры в процессе формирования заряда
  инверсионного слоя. “Namangan davlat universiteti ilmiy axborotnomasi”, 2019-yil 6-soni 26-33.
  3.
  Mamatkarimov, O. O. Quchqarov, B. X. Sharibaev, N.Yu. Abdulkhayev, A. A. (2021).
  Influence of the ultrasonic irradiation on characteristic of the structures metal-glass-semiconductor.
  “European Journal of Molecular & Clinical Medicine ”, ISSN 2515-8260 Volume 08, Issue 01,2021,
  610 -618.
  4.
  S.I Vlasov, F.A Saparov, B.Kh Kuchkarov. (2009). Effect of the semiconductor-insulator
  interface on the characteristics of the metal-insulator-semiconductor structures. “Uzbekiston Fizika
  Jurnali”, 11(3), 203-206.
  5.
  S.I Vlasov, AV. Ovsyannikov, B.Kh Kuchkarov. (2012). Influence of thermo cyclic
  treatments on SiO
  2
  -Si interface properties in Al-SiO
  2
  -n-Si structures. “Uzbekiston Fizika Jurnali”,
  14(1), 20-22.
  6.
  О.О Маматкаримов, Р.Х Хамидов, Р.Г Жабборов, У.А Туйчиев, Б.Х Кучкаров. (2012).
  Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими
  примесными уровнями при воздействии импульсного давления. “Физическая инженерия
  поверхности”, 10(4), 418-422.
  7.
  S.I Vlasov, A.V Ovsyannikov, B.Kh Kuchkarov. (2012). Influence of thermo cyclic
  treatments on SiO {sub 2}-Si interface properties in Al-SiO {sub 2}-n-Si< Ni> structures; Vliyanie
  termotsiklicheskikh obrabotok na svojstva granitsy … . “Uzbekiston Fizika Jurnali”.
  |
  | |