Etch rates up to 200 Å/min were obtained on GaAs with low damage in a 40% CF4, 20 mTorr, and 0.55 W/cm2 plasma while the etch rate of the patterning photoresist was 600 Å/min.
Des vitesses de gravure allant jusqu'à 200 Å/min ont été obtenues sur GaAs, avec peu de dommage, dans un plasma de 40% CF4, 20 mTorr et 0,55 W/cm2, alors que la vitesse de gravure du photoresist patron était de 600 Å/min.