We report optical identification of the exciton–polariton in epitaxial InAs by combined photoluminescence, reflectance, and transmittance spectroscopy. The photoluminescence of these samples showed identifiable spectral lines a thousand times narrower than previously published results from other groups.
Par les méthodes spectroscopique de photoluminescence, réflectance et transmittance, nous avons mesuré les propriétés de l'exciton libre (polariton) dans des couches épitaxiales d'InAs à 1,4 K jusqu'à 7 T. La luminescence de nos échantillons démontre des lignes spectrales mille fois plus étroites que dans les spectres publiés par d'autres groupes.