Following a vacuum anneal treatment (900 °C, 2 h), ion scattering shows that some Cu has diffused through the Si wafer and that up to 0.8 × 1016 atoms cm−2 can be gettered in the porous Si layer opposite the deposited Cu.
Nous avons montré par analyse de faisceau d'ions qu'après un recuit (900 °C, 2 h) sous vide, une partie du Cu a traversé la pastille et que 0.8 × 1016 atomes cm−2 peuvent être piégées dans la couche de Si poreux.