NAND qurilishi  uch o'lchamli massiv. Aslida, u NOR-dagi kabi matritsa bilan bir xil, lekin har bir kesishmada bitta tranzitor o'rniga ketma-ket o'rnatilgan hujayralardan iborat ustun o'rnatiladi. Bunday dizaynda bir kesishmada ko'pgina yopilgan zanjirlar hosil bo'ladi. Kompozitsiyaning zichligini keskin oshirish mumkin (chunki ustundagi bitta katak uchun faqat bitta shlyapa o'tkazgichi mos keladi), ammo o'qish va yozish uchun kataklarga kirish algoritmi sezilarli darajada murakkablashadi. Shuningdek, har bir liniyada ikkita MOP-tranziistor o'rnatilgan. Tartibsiz chiziqni boshqarish tranzistori (ingl. bit line select transistor) o'rnatilgan bo'lib, u hujayralar ustuni va to'ldirish liniyasi o'rtasida joylashgan bo'ladi. Yerga qarshi joylashgan boshqaruvchi yerga tushirish tranzitori (ingl. ground select transistor) bilan bogʻliq.
NAND flash-memo-ni yaratishning asosiy maqsadi nimada?
NOR-dagi kabi matritsa