Ikkinchi usulning mohiyati shisha sirt qatlamlarida ichki qatlamlarning ish qismidagi cho'zilishini qoplaydigan oldindan siqilish kuchlanishini yaratishdir. Bu qalinlash, shisha emal qoplamalarini qo'yish, sirtning kimyoviy tuzilishini o'zgartirish orqali amalga oshiriladi. Qattiqlash, ya'ni tez sovishi shunga olib keladiki, shunga o'xshash amorf materialni shisha, qattiq va sovigan sirt qatlamlari, tashqi sovuq va ichki issiq qatlamlar o'rtasidagi chiziqli o'lchamdagi farq va shunga bog'liq deformatsiyalar va kuchlanishlarni muzlatib qo'yishi kabi, sovuq va qattiqlashayotgan ichki qatlamlar bilan siqilishadi. Issiq emallash sirtda oldindan tanlangan kichikroq chiziqli kengayish harorat koeffitsiyenti bilan ekvivalent mustahkamlikdagi shisha qatlamini hosil qiladi va hatto qismni normal ish haroratiga nisbatan sekin sovutib qo'yishda ham bu qatlam siqilgan bo'ladi. Sirtni kimyoviy modifikatsiya qilish - bu yoki kislotali ionlarni kremniy-yerli tuzilmadan issiq holatda olib tashlash, bu esa sirtning TKLRni kamaytiradi (kvarts shishaga yaqinlashtiradi), yoki natriy ionlarini kichik haroratda kattaroq (kaliy va boshqalar) bilan almashtirish, bu sirt qatlamining shishishiga olib keladi (masalan, smartfon displeylari uchun mashhur Gorilla Glass).
Qattiq va sovuq yuzasi qatlamlari qisilishiga nima sabab bo'ladi?
Qattiqlash, ya'ni tez sovishi