2000-yillarning boshidan boshlab GMS effektiga asoslangan boshlar tunnelli magnitorezistent effektga asoslangan boshlar bilan almashtirilishni boshladi (ularda magnit maydonining o'zgarishi magnit maydonining kuchlanishining o'zgarishiga bog'liq holda qarshilikning o'zgarishiga olib keladi; bunday boshlar axborotni o'qish ehtimolini oshirishga imkon beradi, ayniqsa axborot yozib olish zichligi katta bo'lganda). 2007 yilda magniy oksidli tunnelli magnito rezistent effektga asoslangan qurilmalar (2005 yilda ochilgan effekt) to'liq GMS effektiga asoslangan qurilmalarni almashtirdi.
Magnitozoratli tunel ta'siri asosida boshlarni kattalashtirishga nima yordam beradi?
axborotni o'qish ehtimolini