【時報記者葉時安台北報導】記憶體模組族群周二股價強攻，記憶體產業後續展望樂觀。據TrendForce最新預估，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，漲幅較原先預期擴大，關鍵更包含供需兩端對AI市場展望的考量，全線產品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。
記憶體市況轉佳，十銓(4967)、威剛(3260)、廣穎(4973)等財報亮眼，十銓法說會更看好後續需求、價格展望，雖然DRAM雙雄南亞科(2408)、華邦電(2344)漲多整體收黑，十銓、廣穎周二再拉第二根漲停，商丞(8277)同樣加入漲停行列、改寫9個月新高價，記憶體模組衝鋒，創見(2451)、宇瞻(8271)、威剛等股價均力挺多方。
403地震發生前，TrendForce原先預估，第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當時從合約價先行指標的現貨價格就可看出，現貨價已連續走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智慧型手機的需求尚未有復甦跡象，買方在手庫存逐漸增高，又以PC OEM為最。同時，DRAM及NAND Flash至今已分別續漲2~3個季度，買方要再接受大幅漲價的意願消退。
403震後，市場零星傳出有PC OEM供應商出於特殊考量，接受高昂的DRAM及NAND Flash合約價漲幅，但僅是零星成交案件。至4月下旬，相關業者陸續完成新一輪合約價議價後，漲幅較原先預期擴大，推動TrendForce同步上修第二季DRAM、NAND Flash合約價漲，除了反映買方欲支撐在手庫存的價值，關鍵更包含供需兩端對AI市場展望的考量。
TrendForce表示，由於原廠擔憂後續有HBM產能排擠效應，以三星(Samsung)來看，HBM3e產品採用1alpha製程節點，至2024年底將占用1alpha製程產能約六成，進一步排擠DDR5供給量，尤其以第三季HBM3e生產即將放量的時間點影響最大，經評估後買方轉而願意第二季提前備貨，因應第三季起可能出現HBM供應短缺。
同時，隨著節能成為AI推論伺服器(AI Inference Server)優先考量，北美雲端服務業者(CSP)擴大採用QLC Enterprise SSD作為存儲的解決方案，帶動QLC Enterprise SSD需求，並加速部分供應商的庫存去化，推動部分供應商出現惜售心態。值得注意的是，受限於消費性產品需求復甦情況不明朗，故原廠普遍對於非HBM晶圓產能的資本支出趨於保守，尤其是價格仍處於損益平衡點的NAND Flash。